显示装置与其制造方法与流程

1.本公开实施例涉及一种显示装置与其制造方法，尤其涉及一种具有高解析度的显示装置与其制造方法。


背景技术：

2.发光二极管(light emitting diode,led)具有高亮度、高对比、广视角、长寿命、低耗电等优势。因此，发光二极管已广泛被应用于显示装置中。随着发光二极管的技术进步，如微型发光二极管(micro-led,mled或μled)的发展引人注目，并期望将微型发光二极管应用于高画质、高解析度的显示装置中。然而，在发光二极管的实施中存在许多技术上的挑战。
3.举例来说，一般使用倒装芯片粘合(flip-chip bonding)或引线粘合(wire bonding)将微型发光二极管裸片(micro led chip)粘合到驱动电路以达成像素显示发光时，微型发光二极管裸片的尺寸受限而无法进一步缩小，因此无法达到高解析度。使用裸片转移(transfer)与光刻(photolithography)技术虽然可将尺寸更小的微型发光二极管裸片粘合到驱动电路，但需要更复杂的工艺步骤及使用更多的光掩模，导致制造成本增加。


技术实现要素：

4.本公开实施例是有关于一种具有高解析度的显示装置与其制造方法。通过本公开实施例的制造方法，可将发光结构(例如，包含微型发光二极管裸片的结构)的发光元件堆叠于开关结构(例如，包含薄膜晶体管的结构)中对应的开关元件之上，能有效降低单一像素的尺寸，达到高解析度。此外，本公开实施例的制造方法不需要复杂的工艺步骤或使用更多的光掩模，即可以较低的制造成本完成具有高解析度的显示装置。
5.本公开实施例包含一种显示装置的制造方法。此制造方法包含形成开关结构。开关结构包含多个开关元件。此制造方法也包含形成发光结构。发光结构包含多个发光元件。此制造方法还包含将发光结构放置于开关结构之上，使每个发光元件位于每个开关元件之上。此制造方法包含通过激光将每个发光元件与对应的开关元件连接。
6.本公开实施例包含一种显示装置。此显示装置包含开关结构，开关结构包含多个开关元件。此显示装置也包含发光结构，发光结构设置于开关结构之上，且发光结构包含多个发光元件。每个发光元件对应设置于每个开关元件之上，且每个发光元件与对应的开关元件连接。
7.综上所述，通过本公开实施例的显示装置与其制造方法，可将发光结构的发光元件堆叠于开关结构中对应的开关元件之上，并通过激光将每个发光元件与对应的开关元件连接。因此，能有效降低显示装置中单一像素的尺寸，达到高解析度。
附图说明
8.以下将配合附图详述本公开实施例。应注意的是，各种特征部件并未按照比例绘
制且仅用以说明例示。事实上，元件的尺寸可能经放大或缩小，以清楚地表现出本公开实施例的技术特征。
9.图1a至图1f是根据本公开一实施例示出在制造开关结构的各个阶段的剖面示意图。
10.图2a至图2e是根据本公开一实施例示出在制造发光结构的各个阶段的剖面示意图。
11.图3a是根据本公开一实施例所示出的显示装置的剖面示意图。
12.图3b是显示装置的部分俯视图的一种范例。
13.图3c是显示装置的部分俯视图的另一种范例。
14.图4是根据本公开另一实施例所示出的显示装置的剖面示意图。
15.图5是根据本公开又一实施例所示出的显示装置的剖面示意图。
16.图6是根据本公开又一实施例所示出的显示装置的剖面示意图。
17.图7a至图7c是根据本公开一实施例示出将发光结构与开关结构结合的各个阶段的剖面示意图。
18.图8a至图8b是根据本公开另一实施例示出将发光结构与开关结构结合的各个阶段的剖面示意图。
19.附图标记如下：
20.1,3,5,7:显示装置
21.100,100’:开关结构
22.200,200’:发光结构
23.11:开关基板
24.11t:顶表面
25.13,13’:承载基板
26.13c:凹面
27.13p:凸面
28.15,15’:开关元件
29.17,17’:发光元件
30.21:第一导电部件
31.21’:第一虚拟导电部件
32.23:第二导电部件
33.23’:第二虚拟导电部件
34.25:第三导电部件
35.31:第一绝缘层
36.33:第二绝缘层
37.33t:第二绝缘层的顶表面
38.33h:贯孔
39.41:第一半导体层
40.41’:虚拟半导体层
41.43,43’:第二半导体层
42.45:第三半导体层
43.51:连接部件
44.51t:连接部件的顶表面
45.53:接地部件
46.55:共同导电层
47.57:第四导电部件
48.59:共同接地部件
49.61:有源层
50.65:共同导电结构
51.65’:导电结构
52.a-a’:剖面线
53.b-b’:剖面线
54.d1:连接部件的顶表面与开关基板的顶表面的距离
55.d2:第二绝缘层的顶表面与开关基板的顶表面的距离
56.lm:贴合机
57.ls:激光
58.r:滚轮
具体实施方式
59.以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本案的不同特征。以下的公开内容叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定。例如，若是本公开实施例叙述了一第一特征部件形成于一第二特征部件之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征部件与上述第二特征部件是直接接触的实施例，亦可能包含了有附加特征部件形成于上述第一特征部件与上述第二特征部件之间，而使上述第一特征部件与第二特征部件可能未直接接触的实施例。
60.应理解的是，额外的操作步骤可实施于所述方法之前、之间或之后，且在所述方法的其他实施例中，部分的操作步骤可被取代或省略。
61.此外，其中可能用到与空间相关用词，例如“在
…
下方”、“下方”、“较低的”、“在
…
上方”、“上方”、“较高的”及类似的用词，这些空间相关用词是为了便于描述图示中一个(些)元件或特征部件与另一个(些)元件或特征部件之间的关系，这些空间相关用词包括使用中或操作中的装置的不同方位，以及附图中所描述的方位。当装置被转向不同方位时(旋转90度或其他方位)，则其中所使用的空间相关形容词也将依转向后的方位来解释。
62.在说明书中，“约”、“大约”、“大抵”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，或10％之内，或5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“大抵”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“大抵”的含义。
63.除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇公开所属的本领域技术人员所通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术及本公开的背景或上下文一致的意思，而不应
以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本公开实施例有特别定义。
64.以下所公开的不同实施例可能重复使用相同的参考符号及/或标记。这些重复是为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。
65.在本公开的实施例中，提出一种显示装置的制造方法。此制造方法包含形成具有多个开关元件(例如，薄膜晶体管)的一开关结构以及形成具有多个发光元件(例如，微型发光二极管裸片)的一发光结构，并通过激光将每个发光元件与对应的开关元件连接。也就是说，在根据本公开的实施例的显示装置的制造方法中，发光结构堆叠于对应的开关结构之上，使每个发光元件位于对应的开关元件之上，以有效降低单一像素的尺寸，达到高解析度。
66.此外，由于本公开实施例的制造方法是通过激光将每个发光元件与对应的开关元件连接，不需要复杂的工艺步骤或使用更多的光掩模，可以较低的制造成本完成具有高解析度的显示装置。以下将配合附图详细说明。
67.图1a至图1f是根据本公开一实施例示出在制造开关结构100的各个阶段的剖面示意图。要特别注意的是，为了更清楚显示本公开实施例的技术特征，图1a至图1f中可能省略部分部件。
68.参照图1a，提供一开关基板11。在一些实施例中，开关基板11的材料可包含玻璃、蓝宝石(sapphire)、其他合适的材料或前述的组合，但本公开实施例并非以此为限。
69.参照图1a，形成多个第一导电部件21(图1a中仅示出一个第一导电部件21)于开关基板11之上。在一些实施例中，第一导电部件21的材料可包含导电材料，例如金属、金属硅化物、类似的材料或前述的组合，但本公开实施例并非以此为限。举例来说，金属可包含金(au)、镍(ni)、铂(pt)、钯(pd)、铱(ir)、钛(ti)、铬(cr)、钨(w)、铝(al)、铜(cu)、其他合适的金属、前述的合金或前述的组合，但本公开实施例并非以此为限。
70.在一些实施例中，第一导电部件21的材料可通过沉积工艺形成于开关基板11之上。沉积工艺可包含物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积、蒸镀(evaporation)、溅镀(sputtering)、其他合适的工艺或前述的组合，但本公开实施例并非以此为限。
71.接着，可对第一导电部件21的材料进行图案化工艺，以形成多个第一导电部件21。在一些实施例中，图案化工艺包含在第一导电部件21的材料上形成掩膜层(未示出)，接着蚀刻未被掩膜层覆盖的部分，以形成多个第一导电部件21。
72.在一些实施例中，蚀刻工艺可包含干式蚀刻工艺、湿式蚀刻工艺或前述的组合。举例来说，干式蚀刻工艺可包含反应性离子蚀刻(reactive ion etch,rie)、感应耦合式等离子体(inductively-coupled plasma,icp)蚀刻、中子束蚀刻(neutral beam etch,nbe)、电子回旋共振式(electron cyclotron resonance,erc)蚀刻、类似的蚀刻工艺或前述的组合，但本公开实施例并非以此为限。举例来说，湿式蚀刻工艺可以使用例如氢氟酸(hydrofluoric acid,hf)、氢氧化铵(ammonium hydroxide,nh4oh)或任何合适的蚀刻剂。
73.如图1a所示，在一些实施例中，在形成第一导电部件21时，可同时形成多个第一虚拟(dummy)导电部件21’，但本公开实施例并非以此为限。在一些实施例中，每个第一虚拟导电部件21’与每个第一导电部件21相邻。第一虚拟导电部件21’的材料和形成方式与第一导电部件21相同或相似，在此不多加赘述。
74.参照图1b，形成一第一绝缘层31于第一导电部件21之上。在图1b所示的实施例中，
第一绝缘层31也形成于第一虚拟导电部件21’之上。在一些实施例中，第一绝缘层31的材料可包含例如氧化硅的氧化物、例如氮化硅的氮化物、其他合适的材料或前述的组合，但本公开实施例并非以此为限。在一些实施例中，可通过沉积工艺将第一绝缘层31形成于第一导电部件21与第一虚拟导电部件21’之上。举例来说，沉积工艺可包含金属有机化学气相沉积、原子层沉积、分子束外延、液相外延、其他合适的工艺或前述的组合，但本公开实施例并非以此为限。
75.参照图1c，形成多个第一半导体层41(图1c中仅示出一个第一半导体层41)于第一绝缘层31之上。在一些实施例中，第一半导体层41的材料可包含n型或p型掺杂的非晶硅(a-si)、氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide,igzo)、有机薄膜晶体管(organic thin film transistor,otft)等，并且可以使用掺杂进行掺杂，但本公开实施例并非以此为限。沉积工艺的例子如前所述，在此不再重复。
76.如图1c所示，在一些实施例中，在形成第一半导体层41时，可同时形成多个虚拟半导体层41’于第一绝缘层31之上，且虚拟半导体层41’对应形成于第一虚拟导电部件21’之上。虚拟半导体层41’的材料和形成方式与第一半导体层41相同或相似，在此不多加赘述。
77.参照图1d，形成多个第二导电部件23与多个第三导电部件25(图1d中仅示出一个第二导电部件23与一个第三导电部件25)于第一半导体层41之上。在图1d所示的实施例中，部分第二导电部件23与部分第三导电部件25可直接接触第一绝缘层31。在一些实施例中，第二导电部件23与第三导电部件25可同时形成。举例来说，可将导电材料沉积于第一半导体层41与第一绝缘层31之上，再通过图案化工艺形成第二导电部件23与第三导电部件25，但本公开实施例并非以此为限。在一些实施例中，第二导电部件23与第三导电部件25的材料和形成方式可与第一导电部件21相似，在此不多加赘述。此外，第二导电部件23与第三导电部件25彼此分离(电性绝缘)。
78.如图1d所示，在形成第二导电部件23与第三导电部件25时，可同时形成多个第二虚拟导电部件23’于虚拟半导体层41’之上。第二虚拟导电部件23’的材料和形成方式与第二导电部件23(或第三导电部件25)相同或相似，在此不多加赘述。
79.参照图1e，形成一第二绝缘层33于第二导电部件23与第三导电部件25之上。在图1e所示的实施例中，第二绝缘层33也形成于第二虚拟导电部件23’之上。在一些实施例中，第二绝缘层33的材料和形成方式与第一绝缘层31相同或相似，在此不多加赘述。
80.如图1e所示，第二绝缘层33可具有一贯孔33h，贯孔33h可裸露出第三导电部件25的至少部分表面，但本公开实施例并非以此为限。在一些其他的实施例中，贯孔33h也可裸露出第二导电部件23的至少部分表面。
81.参照图1f，形成多个连接部件51(图1f中仅示出一个连接部件51)于该第二绝缘层33之上。在一些实施例中，连接部件51的材料可包含金属。举例来说，金属可包含金(au)、镍(ni)、铂(pt)、钯(pd)、铱(ir)、钛(ti)、铬(cr)、钨(w)、铝(al)、铜(cu)、其他合适的金属、前述的合金或前述的组合，但本公开实施例并非以此为限。在一些实施例中，连接部件51可通过物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积、蒸镀、溅镀、类似的工艺或前述的组合所形成，但本公开实施例并非以此为限。
82.在本公开实施例中，每个连接部件51可电性连接于每个第二导电部件23与每个第三导电部件25的其中之一。如图1f所示，连接部件51可通过第二绝缘层33的贯孔33h与第三
导电部件25直接接触，因而连接部件51可与第三导电部件25电性连接，但本公开实施例并非以此为限。在一些其他的实施例中，连接部件51可与第二导电部件23直接接触，因而连接部件51可与第二导电部件23电性连接。
83.如图1f所示，在一些实施例中，第一导电部件21、第一绝缘层31、第一半导体层41、第二导电部件23与第三导电部件25可定义多个开关元件15。也就是说，在一些实施例中，开关结构100可包含多个开关元件15。此外，第一导电部件21可例如为开关结构100的栅极，而第二导电部件23与第三导电部件25可例如为开关结构100的源极/漏极。
84.如图1f所示，在一些实施例中，可形成至少一接地部件53于第二绝缘层33上。举例来说，接地部件53的材料和形成方式可与连接部件51相同或相似。此外，接地部件53电性连接于开关元件15。要注意的是，本公开实施例并未限制接地部件53的数量。举例来说，在一些实施例中，接地部件53的数量与开关元件15的数量相同。也就是说，开关元件15分别电性连接于对应的接地部件53，但本公开实施例并非以此为限。在一些其他的实施例中，接地部件53的数量也可为一个。也就是说，所有开关元件15可电性连接于一个共同的接地部件53。
85.在图1f所示的实施例中，由于连接部件51堆叠于第一虚拟导电部件21’、第一绝缘层31、第二虚拟导电部件23’、第二绝缘层33和虚拟半导体层41’之上，连接部件51的顶表面51t可高于第二绝缘层33的顶表面33t。在此，连接部件51的顶表面51t为连接部件51在开关结构100的法线方向上的最顶表面，而第二绝缘层33的顶表面33t为第二绝缘层33在开关结构100的法线方向上的最顶表面。换言之，连接部件51的顶表面51t与开关基板11的顶表面11t的距离d1大于第二绝缘层33的顶表面33t与开关基板11的顶表面11t的距离d2。
86.然而，本公开实施例并非以此为限。在一些其他的实施例中，开关结构100也可不包含第一虚拟导电部件21’、第二虚拟导电部件23’和虚拟半导体层41’。在这些实施例中，可通过调整第一绝缘层31或第二绝缘层33的厚度，或者调整连接部件51的厚度为可变的(非恒定的)，使连接部件51的顶表面51t可高于第二绝缘层33的顶表面33t。
87.换言之，本公开实施例的开关结构100包含一开关基板11。开关结构100也包含多个第一导电部件21，第一导电部件21设置于开关基板11之上。开关结构100还包含一第一绝缘层31，第一绝缘层31设置于第一导电部件21之上。开关结构100包含多个第一半导体层41，第一半导体层41设置于第一绝缘层31之上。开关结构100也包含多个第二导电部件23与多个第三导电部件25，第二导电部件23与第三导电部件25设置于第一半导体层41之上。开关结构100还包含一第二绝缘层33，第二绝缘层33设置于第二导电部件23与第三导电部件25之上。此外，开关结构100包含多个连接部件51，连接部件51设置于第二绝缘层33之上。每个连接部件51电性连接于第二导电部件23与第三导电部件25的其中之一，且每个连接部件51的顶表面51t高于第二绝缘层的顶表面33t。
88.图2a至图2e是根据本公开一实施例示出在制造发光结构200的各个阶段的剖面示意图。要特别注意的是，为了更清楚显示本公开实施例的技术特征，图2a至图2e中可能省略部分部件。
89.参照图2a，提供一承载基板13。在一些实施例中，在一些实施例中，承载基板13可为整块的(bulk)半导体基板或包含由不同材料形成的复合基板，并且可以将承载基板13掺杂(例如使用p型或n型掺杂)或不掺杂。在一些实施例中，承载基板13可包含半导体基板、玻璃基板或陶瓷基板，例如硅基板、硅锗基板、碳化硅、氮化铝基板、蓝宝石基板、其他合适的
基板或前述的组合，但本公开实施例并非以此为限。在一些实施例中，承载基板13可包含绝缘体上覆半导体(semiconductor-on-insulator,soi)基板，其经由在绝缘层上设置半导体材料所形成。
90.参照图2a，形成一共同导电层55于承载基板13之上。在一些实施例中，共同导电层55的材料可包含金属。举例来说，金属可包含金(au)、镍(ni)、铂(pt)、钯(pd)、铱(ir)、钛(ti)、铬(cr)、钨(w)、铝(al)、铜(cu)、其他合适的金属、前述的合金或前述的组合，但本公开实施例并非以此为限。在一些实施例中，共同导电层55可通过物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积、蒸镀、溅镀、类似的工艺或前述的组合所形成，但本公开实施例并非以此为限。
91.参照图2b，形成多个第二半导体层43(图2b中仅示出一个第二半导体层43)于共同导电层55之上。也就是说，共同导电层55可形成于承载基板13与第二半导体层43之间，但本公开实施例并非以此为限。在一些其他的实施例中，多个第二半导体层43可直接形成于承载基板13之上，而不包含共同导电层55。在一些实施例中，第二半导体层43的材料和形成方式可与第一半导体层41相同或相似，在此不多加赘述。
92.参照图2c，形成多个有源层61(图2c中仅示出一个有源层61)于第二半导体层43之上。在一些实施例中，有源层61的材料可包含锑化镓(gallium antimonide,gasb)、砷化镓(gallium arsenide,gaas)、磷化铟(indium phosphide,inp)、硅锗(silicon-germanium,sige)或氮化镓(gallium nitride,gan)、其他合适的材料或其组合，但本公开实施例并非以此为限。举例来说，当发光结构200欲发出红光，有源层61的材料可进一步包含磷化铝镓铟(aluminium gallium indium phosphide,ingaalp)；当发光结构200欲发出绿/蓝光，有源层61的材料可进一步包含氮化铟镓(indium gallium nitride,ingan)。此外，可通过沉积工艺将有源层61形成于第二半导体层43之上。沉积工艺的例子如前所述，在此不再重复。
93.参照图2d，形成多个第三半导体层45(图2d中仅示出一个第三半导体层45)于有源层61之上。在一些实施例中，第三半导体层45的材料和形成方式可与第一半导体层41或第二半导体层43相同或相似，但第三半导体层45的导电类型与第二半导体层43的导电类型不同，在此不多加赘述。
94.参照图2e，形成多个第四导电部件57(图2d中仅示出一个第四导电部件57)于第三半导体层45之上，以形成发光结构200。在一些实施例中，第四导电部件57的材料和形成方式可与连接部件51的相同或相似，在此不多加赘述。
95.如图2e所示，在一些实施例中，第二半导体层43、有源层61、第三半导体层45与第四导电部件57可定义多个发光元件17。也就是说，在一些实施例中，发光结构200可包含多个发光元件17。
96.换言之，本公开实施例的发光结构200包含一承载基板13。发光结构200也包含多个第二半导体层43，第二半导体层43设置于承载基板13之上。发光结构200还包含多个有源层61，有源层61设置于第二半导体层43之上。发光结构200包含多个第三半导体层45，第三半导体层45设置于有源层61之上。发光结构200也包含多个第四导电部件57，第四导电部件57设置于第三半导体层57之上。
97.图3a是根据本公开一实施例所示出的显示装置1的剖面示意图。图3b是显示装置1的部分俯视图的一种范例。图3c是显示装置1的部分俯视图的另一种范例。类似地，为了更
清楚显示本公开实施例的技术特征，图3a至图3c中可能省略部分部件。
98.参照图3a，将图2e所示的发光结构200放置于图1f所示的开关结构100之上，使每个发光元件17位于每个开关元件15之上。接着，通过激光ls将每个发光元件17与对应的开关元件15连接，以形成显示装置1。具体而言，如图3a所示，可通过激光ls将每个第四导电部件57与每个连接部件51连接。
99.换言之，本公开实施例的显示装置1包含一开关结构100，开关结构100包含多个开关元件15。显示装置1也包含一发光结构200，发光结构200设置于开关结构100之上，且发光结构200包含多个发光元件17。每个发光元件17对应设置于每个开关元件15之上，且每个发光元件17与对应的开关元件15连接。也就是说，发光结构200的发光元件17(例如，微型发光二极管裸片)可堆叠于开关结构100中对应的开关元件15(例如，薄膜晶体管)之上。
100.在本实施例中，图3a所示的显示装置1的一部分可以是例如沿着图3b中的a-a’剖面线或图3c中的b-b’剖面线所切的剖面，但本公开实施例并非以此为限。在一些其他的实施例中，显示装置1的俯视图也可不同于图3b或图3c，可依实际需求设计，在此不多加赘述。
101.由于本公开实施例的开关结构100的连接部件51的顶表面51t高于第二绝缘层的顶表面33t，可将发光结构200的发光元件17(例如，微型发光二极管裸片)堆叠于开关结构100中对应的开关元件15(例如，薄膜晶体管)之上，并通过激光ls将每个发光元件17与对应的开关元件15连接。因此，能有效降低显示装置1中单一像素的尺寸，达到高解析度。
102.此外，由于本公开实施例的制造方法是通过激光ls将每个发光元件17与对应的开关元件15连接，不需要复杂的工艺步骤或使用更多的光掩模，可以较低的制造成本完成具有高解析度的显示装置1。
103.如图3a所示，在一些实施例中，开关结构100可包含一共同接地部件59，共同接地部件59可形成于第二绝缘层33之上并电性连接于所有开关元件15。此外，在图3a所示的实施例中，显示装置1可进一步包含一共同导电结构65，共同导电结构65设置于开关结构100与发光结构200之间，并直接接触开关结构100的共同接地部件59与发光结构200的共同导电层55。在一些实施例中，共同导电结构65可例如为一导电胶球，但本公开实施例并非以此为限。
104.图4是根据本公开另一实施例所示出的显示装置3的剖面示意图。类似地，为了更清楚显示本公开实施例的技术特征，图4中可能省略部分部件。此外，图4所示的显示装置3的一部分也可以是例如沿着图3b中的a-a’剖面线或图3c中的b-b’剖面线所切的剖面，但本公开实施例并非以此为限。
105.图4所示出的显示装置3具有与图3a所示出的显示装置1相似的结构。与图3a所示出的显示装置1的不同之处在于，图4所示出的显示装置3的发光结构200’不包含承载基板13。换言之，发光结构200’的多个发光元件17可直接形成于共同导电层55之上。
106.图5是根据本公开又一实施例所示出的显示装置5的剖面示意图。类似地，为了更清楚显示本公开实施例的技术特征，图5中可能省略部分部件。此外，图5所示的显示装置5的一部分也可以是例如沿着图3b中的a-a’剖面线或图3c中的b-b’剖面线所切的剖面，但本公开实施例并非以此为限。
107.图5所示出的显示装置5具有与图3a所示出的显示装置1相似的结构。与图3a所示出的显示装置1的不同之处在于，图5所示出的显示装置5的开关结构100’不包含不包含第
一虚拟导电部件21’、第二虚拟导电部件23’和虚拟半导体层41’。在此实施例中，开关结构100’的连接部件51’的厚度为可变的(非恒定的)，使得连接部件51’的顶表面可高于第二绝缘层33的顶表面，但本公开实施例并非以此为限。在一些其他的实施例中，也可通过调整开关结构100’的第一绝缘层31或第二绝缘层33的厚度，使连接部件51’的顶表面可高于第二绝缘层33的顶表面。
108.在前述实施例中，第二半导体层43皆与其上方的有源层61、第三半导体层45及第四导电部件57对齐，但本公开实施例并非以此为限。图6是根据本公开又一实施例所示出的显示装置7的剖面示意图。类似地，为了更清楚显示本公开实施例的技术特征，图6中可能省略部分部件。
109.图6所示出的显示装置7具有与图5所示出的显示装置5相似的结构。与图5所示出的显示装置5的不同之处在于，图6所示出的显示装置7的发光结构200不包含共同导电层55，且第二半导体层43’的宽度大于其上方的有源层61、第三半导体层45及第四导电部件57的宽度。也就是说，在图6的水平方向上，至少部分的第二半导体层43’会超出有源层61、第三半导体层45及第四导电部件57。
110.在此实施例中，开关结构100’的接地部件53的数量可与开关元件15’的数量相同，且每个发光元件17’个别与对应的开关元件15’通过个别的导电结构65’彼此连接。因此，显示装置7也可不包含共同导电结构65。
111.图7a至图7c是根据本公开一实施例示出将发光结构200与开关结构100结合的各个阶段的剖面示意图。要特别注意的是，为了更清楚显示本公开实施例的技术特征，图7a至图7c中可能省略部分部件。
112.参照图7a，在本实施例中，开关结构100的开关基板11’为一可挠性(flexible)基板，而多个开关元件15设置于可挠性开关基板11’之上。在本实施例中，发光结构200的承载基板13’为一弯曲的硬性基板，而多个发光元件17设置于弯曲的承载基板13’的一凹面13c之上。
113.接着，参照图7b与图7c，可通过滚轮r并配合激光ls，将多个开关元件15分别连接于对应的发光元件17上，使发光结构200与开关结构100结合。在本实施例中，共同导电结构65也可连接于发光结构200与开关结构100之间，但本公开实施例并非以此为限。
114.图8a至图8b是根据本公开另一实施例示出将发光结构200与开关结构100结合的各个阶段的剖面示意图。要特别注意的是，为了更清楚显示本公开实施例的技术特征，图8a至图8b中可能省略部分部件。
115.参照图8a，类似地，在本实施例中，开关结构100的开关基板11’为一可挠性(flexible)基板，而多个开关元件15设置于可挠性开关基板11’之上。在本实施例中，发光结构200的承载基板13’为一弯曲的硬性基板，而多个发光元件17设置于弯曲的承载基板13’的一凸面13p之上。此外，在本实施例中可使用一贴合机lm，将发光结构200与开关结构100结合。
116.参照图8b，将开关结构100置于贴合机lm中，并配合激光ls将多个开关元件15分别连接于对应的发光元件17上，使发光结构200与开关结构100结合。类似地，共同导电结构65也可连接于发光结构200与开关结构100之间，但本公开实施例并非以此为限。
117.综上所述，通过本公开实施例的制造方法，可将发光结构的发光元件堆叠于开关
结构中对应的开关元件之上，并通过激光将每个发光元件与对应的开关元件连接。因此，能有效降低显示装置中单一像素的尺寸，达到高解析度。
118.再者，由于本公开实施例的制造方法是通过激光将每个发光元件与对应的开关元件连接，不需要复杂的工艺步骤或使用更多的光掩模，可以较低的制造成本完成具有高解析度的显示装置。
119.以上概述数个实施例的部件，以便在本公开所属技术领域中技术人员可以更理解本公开实施例的观点。在本公开所属技术领域中技术人员应该理解，他们能以本公开实施例为基础，设计或修改其他工艺和结构以达到与在此介绍的实施例相同的目的及/或优势。在本公开所属技术领域中技术人员也应该理解到，此类等效的结构并无悖离本公开的精神与范围，且他们能在不违背本公开的精神和范围之下，做各式各样的改变、取代和替换。因此，本公开的保护范围当视随附的权利要求所界定者为准。另外，虽然本公开已以数个较佳实施例公开如上，然其并非用以限定本公开。
120.整份说明书对特征、优点或类似语言的引用，并非意味可以利用本公开实现的所有特征和优点应该或者可以在本公开的任何单个实施例中实现。相对地，涉及特征和优点的语言被理解为其意味着结合实施例描述的特定特征、优点或特性包括在本公开的至少一个实施例中。因而，在整份说明书中对特征和优点以及类似语言的讨论可以但不一定代表相同的实施例。
121.再者，在一个或多个实施例中，可以任何合适的方式组合本公开的所描述的特征、优点和特性。根据本文的描述，相关领域的技术人员将意识到，可在没有特定实施例的一个或多个特定特征或优点的情况下实现本公开。在其他情况下，在某些实施例中可辨识附加的特征和优点，这些特征和优点可能不存在于本公开的所有实施例中。