包括栅栏图案的图像传感器的制作方法

技术特征：
1.一种图像传感器，包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；多个滤色器，其在所述衬底上；栅栏图案，其在所述多个滤色器中的邻近的滤色器之间；以及保护层，其在所述衬底与所述多个滤色器之间，其中，所述保护层覆盖所述栅栏图案，其中，所述栅栏图案包括：第一栅栏图案，其具有彼此相对的第一底表面和第一顶表面；以及第二栅栏图案，其在所述第一栅栏图案的第一顶表面上，其中，所述第一栅栏图案在所述第一底表面处的宽度小于所述第二栅栏图案的宽度，并且其中，所述保护层覆盖所述第一栅栏图案的侧壁。2.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括在所述衬底与所述多个滤色器之间的电介质层，其中，所述第一栅栏图案在所述电介质层上。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第二栅栏图案的最大宽度为所述第二栅栏图案的最小宽度的100％至102％。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述在第一栅栏图案在所述第一顶表面处的宽度大于所述第二栅栏图案的宽度。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一栅栏图案在所述第一底表面处的宽度小于所述第一栅栏图案在所述第一顶表面处的宽度。6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一栅栏图案包括下部、上部和所述下部与所述上部之间的中部，并且其中，所述第一栅栏图案在所述中部处的宽度小于所述第一栅栏图案在所述第一底表面处的宽度。7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述保护层覆盖所述第一栅栏图案的第一顶表面的一部分。8.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括在所述多个滤色器和所述栅栏图案上的微透镜层，其中，所述第二栅栏图案具有彼此相对的第二底表面和第二顶表面，并且其中，所述保护层在所述微透镜层与所述第二栅栏图案的第二顶表面之间。9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述多个滤色器中的每个滤色器设置在所述栅栏图案的对应的侧壁上，并且所述第二栅栏图案的顶表面的至少一部分未被所述多个滤色器覆盖。10.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括所述衬底中的像素分隔图案，其中，所述像素分隔图案限定多个像素区，并且其中，所述栅栏图案与所述像素分隔图案重叠。11.一种图像传感器，包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面，其中，所述衬底包括多个光电转换区；分隔图案，其在所述衬底中以及所述多个光电转换区之间；
多个滤色器，其在所述衬底上；以及栅栏图案，其在所述分隔图案上以及所述多个滤色器中的邻近的滤色器之间，其中，所述栅栏图案包括：第一栅栏图案，其具有彼此相对的底表面和顶表面；以及第二栅栏图案，其在所述第一栅栏图案上，其中，所述第一栅栏图案在所述底表面处的宽度小于所述第一栅栏图案在所述顶表面处的宽度，并且其中，所述第二栅栏图案的最大宽度为所述第二栅栏图案的最小宽度的100％至102％。12.根据权利要求11所述的图像传感器，其中，所述第二栅栏图案包括与所述第一栅栏图案的材料不同的材料。13.根据权利要求12所述的图像传感器，其中，所述第一栅栏图案包括金属，并且所述第二栅栏图案包括聚合物结构和所述聚合物结构中的多个纳米颗粒。14.根据权利要求11所述的图像传感器，还包括所述衬底与所述多个滤色器之间的保护层，其中，所述保护层覆盖所述栅栏图案，并且其中，所述保护层覆盖所述第一栅栏图案的侧壁。15.根据权利要求14所述的图像传感器，还包括：电介质层，其在所述衬底与所述多个滤色器之间以及所述分隔图案与所述栅栏图案之间；以及微透镜层，其在所述多个滤色器和所述栅栏图案上，其中，所述微透镜层覆盖所述保护层。16.根据权利要求11所述的图像传感器，其中，所述第二栅栏图案的高度大于所述第一栅栏图案的高度。17.一种图像传感器，包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面，其中，所述衬底在其中包括多个光电转换区；分隔图案，其在所述衬底中以及所述多个光电转换区中的邻近的光电转换区之间；多个滤色器，其在所述衬底上；栅栏图案，其在所述分隔图案上以及所述多个滤色器中的邻近的滤色器之间，其中，所述栅栏图案包括：第一栅栏图案，其具有彼此相对的第一底表面和第一顶表面；以及第二栅栏图案，其在所述第一栅栏图案的第一顶表面上，其中，所述第一栅栏图案在所述第一底表面处的宽度小于所述第一栅栏图案在所述第一顶表面处的宽度；电介质层，其在所述衬底与所述多个滤色器之间以及所述栅栏图案与所述分隔图案之间；保护层，其在所述电介质层与所述多个滤色器之间，其中，所述保护层覆盖所述第一栅栏图案的侧壁、所述第二栅栏图案的侧壁和所述第二栅栏图案的顶表面；
微透镜层，其在所述多个滤色器和所述栅栏图案上；栅极图案，其在所述衬底的第二表面上；以及布线层，其在所述衬底的第二表面上，其中，所述布线层包括下电介质层和布线结构，其中，所述下电介质层覆盖所述栅极图案，并且其中，所述布线结构在所述下电介质层中。18.根据权利要求17所述的图像传感器，其中，所述第二栅栏图案包括彼此相对的第二底表面和第二顶表面，并且其中，所述第二栅栏图案在所述第二顶表面处的宽度与所述第二栅栏图案在所述第二底表面处的宽度实质上相等。19.根据权利要求17所述的图像传感器，其中，所述第一栅栏图案在所述第一底表面处的宽度在45nm至55nm的范围内，并且所述第二栅栏图案的宽度在72nm至88nm的范围内。20.根据权利要求17所述的图像传感器，其中，所述电介质层包括：第一电介质层，其在所述衬底上，并且包括金属氧化物或者金属氟化物；第二电介质层，其在所述第一电介质层上，并且包括金属氧化物，其中，所述第二电介质层包括与所述第一电介质层的材料不同的材料；第三电介质层，其在所述第二电介质层上，并且包括第一硅基电介质材料；第四电介质层，其在所述第三电介质层上，并且包括与所述第一硅基电介质材料不同的第二硅基电介质材料；以及第五电介质层，其在所述第四电介质层与所述第一栅栏图案之间，并且包括金属氧化物。

技术总结
一种图像传感器包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；衬底上的多个滤色器；所述多个滤色器中的邻近的滤色器之间的栅栏图案；以及衬底与所述多个滤色器之间的保护层，其中，保护层覆盖栅栏图案。栅栏图案包括：第一栅栏图案，其具有彼此相对的第一底表面和第一顶表面；以及第一栅栏图案的第一顶表面上的第二栅栏图案。第一栅栏图案在第一底表面处的宽度小于第二栅栏图案的宽度，并且保护层覆盖第一栅栏图案的侧壁。盖第一栅栏图案的侧壁。盖第一栅栏图案的侧壁。


技术研发人员：方善煐 罗承柱 郑会敏 郑熙根
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2021.07.09
技术公布日：2022/2/18