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一种宽频率调节范围晶体振荡器的制作方法

2022-02-22 18:27:07 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种宽频率调节范围晶体振荡器,包括:皮尔斯振荡器模块、电源模块、第一可变电容阵列(c2)、和片外晶体(xo);所述的电源模块用于对所述皮尔斯振荡器模块提供工作电源;所述的皮尔斯振荡器模块输出端经过第一可变电容阵列(c2)后并联至片外晶体(xo)两端;所述的片外晶体(xo)两端与地之间存在片外寄生电容(c1);其特征在于,在片外晶体(xo)两端并联一可调节的有源电感模块。2.根据权利要求1所述一种宽频率调节范围晶体振荡器,其特征在于,所述的有源电感模块主要由若干跨导单元和可调节的第二可变电容阵列(c3)组成,将第二可变电容阵列(c3)的等效电容转换为有源电感模块对外的等效电感。3.根据权利要求2所述一种宽频率调节范围晶体振荡器,其特征在于,所述若干跨导单元包括第一跨导单元(gm1)、第二跨导单元(gm2)、第三跨导单元(gm3)和第四跨导单元(gm4);所述的第一跨导单元(gm1)反相输出端与第二跨导单元(gm2)的同相输入端共点后作为有源电感模块的第一电压输入端(v1);所述的第三跨导单元(gm3)同相输入端与第四跨导单元(gm4)的同相输出端共点后作为有源电感模块的第二电压输入端(v2);所述的第一跨导单元(gm1)同相输入端、第二跨导单元(gm2)同相输出端、第三跨导单元(gm3)反相输出端和第四跨导单元(gm4)同相输入端共点后经过所述的第二可变电容阵列(c3)接地;所述的第一跨导单元(gm1)、第二跨导单元(gm2)、第三跨导单元(gm3)和第四跨导单元(gm4)的反相输入端均分别接地。4.根据权利要求3所述一种宽频率调节范围晶体振荡器,其特征在于,所述的第一跨导单元(gm1)、第二跨导单元(gm2)、第三跨导单元(gm3)和第四跨导单元(gm4)的跨导绝对值相同。5.根据权利要求4所述一种宽频率调节范围晶体振荡器,其特征在于,所述跨导绝对值在0.1m至2m之间。6.根据权利要求2所述一种宽频率调节范围晶体振荡器,其特征在于,所述的第二可变电容阵列(c3)通过控制码调节自身等效电容。7.根据权利要求2所述一种宽频率调节范围晶体振荡器,其特征在于,所述的第一跨导单元(gm1)和第三跨导单元(gm3)结构相同;所述的第二跨导单元(gm2)和第四跨导单元(gm4)结构相同。

技术总结
本发明公开了一种宽频率调节范围晶体振荡器,涉及晶体振荡器,针对震荡频率调节手段单一的问题提出本方案,电源模块用于对皮尔斯振荡器模块提供工作电源;皮尔斯振荡器模块输出端经过第一可变电容阵列后并联至片外晶体两端;片外晶体两端与地之间存在片外寄生电容;在片外晶体两端并联一可调节的有源电感模块皮尔斯振荡器模块输出端经过第一可变电容阵列后并联至片外晶体两端;片外晶体两端与地之间存在片外寄生电容。优点在于,利用有源电感模块调节晶体的震荡频率f,增加调节频率的维度,从而拓宽单位电容的频率调节范围,具有相位噪声低、频率调节范围宽的特点。频率调节范围宽的特点。频率调节范围宽的特点。


技术研发人员:李志坚 张宇轩 吴朝晖 李斌
受保护的技术使用者:华南理工大学
技术研发日:2021.11.05
技术公布日:2022/2/8
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