深紫外发光二极管的外延片及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种深紫外发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底(10)和依次形成在所述衬底(10)上的氮化硼结构(20)、aln层(30)、n型algan层(40)、多量子阱层(50)和p型层(60)；所述氮化硼结构(20)远离所述衬底(10)的一面具有多个生长抑制区(201)，多个所述生长抑制区(201)在所述衬底(10)表面的正投影呈阵列分布，aln在所述生长抑制区(201)的生长速率小于在所述生长抑制区(201)之外的区域的生长速率。2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述氮化硼结构(20)包括多个柱状凸起(202)，多个所述柱状凸起(202)在所述衬底(10)的表面阵列分布，所述生长抑制区(201)为所述柱状凸起(202)远离所述衬底(10)的端面。3.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述柱状凸起(202)呈圆柱状，所述柱状凸起(202)的直径为100nm至500nm，相邻两个所述柱状凸起(202)的间距为200nm至1000nm。4.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述氮化硼结构(20)包括氮化硼层，所述氮化硼层远离所述衬底(10)的表面的部分区域经过等离子体处理，所述生长抑制区(201)为所述氮化硼层远离所述衬底(10)的表面中，未经过等离子体处理的区域。5.根据权利要求4所述的外延片，其特征在于，所述生长抑制区(201)呈圆形，所述生长抑制区(201)的直径为1nm至500nm，相邻两个所述生长抑制区(201)的间距为1nm至500nm。6.根据权利要求1至5任一项所述的外延片，其特征在于，所述氮化硼结构(20)的厚度为1nm至100nm。7.一种深紫外发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成氮化硼结构、aln层、n型algan层、多量子阱层和p型层；所述氮化硼结构远离所述衬底的一面具有多个生长抑制区，多个所述生长抑制区在所述衬底表面的正投影呈阵列分布，aln在所述生长抑制区的生长速率小于在所述生长抑制区之外的区域的生长速率。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成氮化硼结构包括：在所述衬底上形成氮化硼层；对所述氮化硼层进行刻蚀，形成多个柱状凸起，以得到所述氮化硼结构，多个所述柱状凸起在所述衬底的表面阵列分布，所述生长抑制区为所述柱状凸起远离所述衬底的端面。9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成氮化硼结构包括：在所述衬底上形成氮化硼层；在所述氮化硼层的表面形成掩膜层，所述掩膜层包括阵列分布的多个凸起；对所述氮化硼层进行等离子体处理；去除所述掩膜层，以得到所述氮化硼结构，所述生长抑制区为所述氮化硼层远离所述衬底的表面中，未经过等离子体处理的区域。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述对所述氮化硼层进行等离子体处理包括：采用氧气或氮气对所述氮化硼层上未被所述掩膜层覆盖的区域进行等离子体处理。

技术总结
本公开提供了一种深紫外发光二极管的外延片及其制备方法，该外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的氮化硼结构、AlN层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层；所述氮化硼结构远离所述衬底的一面具有多个生长抑制区，多个所述生长抑制区在所述衬底表面的正投影呈阵列分布，AlN在所述生长抑制区的生长速率小于在所述生长抑制区之外的区域的生长速率。本公开能减少AlN膜层的位错缺陷，改善AlN膜层的晶体质量，提升深紫外发光二极管的发光效果。提升深紫外发光二极管的发光效果。提升深紫外发光二极管的发光效果。


技术研发人员：丁涛 龚程成 尹涌 梅劲
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：2021.09.09
技术公布日：2022/2/7