一种用于提高MicroOLED亮度及色域的结构的制作方法

一种用于提高micro oled亮度及色域的结构
技术领域
1.本实用新型属于微显示器技术领域，具体涉及一种用于提高micro oled亮度及色域的结构。


背景技术：

2.硅基oled显示作为半导体和oled结合的一种新型显示技术，将是vr/ar等下一代智能穿戴显示的主要方案。随着5g和ai技术的不断进步，越来越多的穿戴显示产品将会变得更具吸引力。而硅基oled微型显示器件，具有高分辨率、低功耗、体积小、重量轻等优势，广泛应用于ar、vr、可穿戴设备、工业安防、医疗等高分辨率的近眼显示行业，逐渐成为新型显示产业的重要角力点，市场潜力巨大。有机电致发光显示器(organic light emitting display，oled)是新一代的显示器，相对于液晶显示器具有自发光、响应快、视角广、色彩饱和等许多优点。其中，micro oled的基本上是采用白光加彩胶(cf)的方式实现彩色显示，而使用这种结构时，oled出光时，部分光被折射到旁边像素区，导致oled出光不能最大化。


技术实现要素：

3.本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，为此，本实用新型的目的在于提供一种用于提高micro oled亮度及色域的结构，通过在阳极和pdl像素层设置金属反射层的设计，提升了oled的出光率进而提高了micro oled亮度及色域。
4.为实现上述目的，本实用新型的技术方案为：一种用于提高micro oled亮度及色域的结构，包括硅片基底、cmos电路、金属反射层、阳极和pdl像素层所述cmos电路设置在硅片基底上，金属反射层、阳极和pdl像素层设置在cmos电路上，金属反射层的一端贯穿阳极与cmos电路贴合，金属反射层的另一端高出阳极，pdl像素层包覆在金属反射层的外部。
5.进一步的，所述pdl像素层间隔设置在阳极中，阳极上设有用于放置pdl像素层的空间，金属反射层放置在空间中，pdl像素层包覆在金属反射层上，pdl像素层的底部贯穿阳极与cmos电路贴合，pdl像素层的两侧部与阳极贴合。
6.进一步的，所述pdl像素层的顶部高出阳极，pdl像素层高于金属反射层，金属反射层的底部与cmos电路贴合，金属反射层的侧部和顶部均与pdl像素层贴合。
7.进一步的，所述金属反射层为al，al的厚度为100～700nm，金属反射层宽度为0.4～2um。
8.进一步的，所述金属反射层为梯形形貌或倒梯形形貌。
9.进一步的，所述阳极包括阳极层ⅰ、阳极层ⅱ、阳极层ⅲ和阳极层ⅳ，所述阳极层ⅰ设置在cmos电路上，阳极层ⅱ设置在阳极层ⅰ上，阳极层ⅲ设置在阳极层ⅱ上，阳极层ⅳ设置在阳极层ⅲ上。
10.进一步的，所述阳极层ⅰ为ti，ti的厚度为5～20nm；阳极层ⅱ为al，al的厚度为10～500nm；阳极层ⅲ为tin，tin的厚度为1～10nm；阳极层ⅳ为ito，ito的厚度为1～50nm。
11.进一步的，所述阳极为ti/al/tin/ito叠层结构，阳极层ⅰ、阳极层ⅱ、阳极层ⅲ和
阳极层ⅳ均采用pvd设备进行成膜。
12.进一步的，所述阳极层ⅰ、阳极层ⅱ、阳极层ⅲ和阳极层ⅳ各相邻层之间的间距为0.2～2um。
13.进一步的，所述pdl像素层采用无机物或者有机物制作，pdl像素层的厚度为10～800nm，金属反射层上的pdl像素膜层厚度为50nm。
14.采用本实用新型技术方案的优点为：
15.本实用新型在阳极和pdl像素层设置金属反射层，在成膜阳极之前，先成膜金属反射层al，可以起到反射聚光且减少串光的作用，在提升出光率的同时提高了亮度和色域。
附图说明
16.下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明：
17.图1为本实用新型结构示意图。
18.上述图中的标记分别为：1-硅片基底；01-cmos电路；02-金属反射层；03-阳极；031-阳极层ⅰ；032-阳极层ⅱ；033-阳极层ⅲ；034-阳极层ⅳ；04-pdl像素层；4-oled发光层；05-封装层；06-有机平坦化层；07-彩胶。
具体实施方式
19.在本实用新型中，需要理解的是，术语“长度”；“宽度”；“上”；“下”；“前”；“后”；“左”；“右”；“竖直”；“水平”；“顶”；“底”“内”；“外”；“顺时针”；“逆时针”；“轴向”；“平面方向”；“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位；以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
20.如图1所示，一种用于提高micro oled亮度及色域的结构，包括硅片基底1、cmos电路01、金属反射层02、阳极03和pdl像素层04所述cmos电路01设置在硅片基底1上，金属反射层02、阳极03和pdl像素层04设置在cmos电路01上，金属反射层02的一端贯穿阳极03与cmos电路01贴合，金属反射层02的另一端高出阳极03，pdl像素层04包覆在金属反射层02的外部。金属反射层的设置，可以起到反射聚光且减少串光的作用，在提升出光率的同时提高了亮度和色域。
21.pdl像素层04间隔设置在阳极03中，阳极03上设有用于放置pdl像素层04的空间，金属反射层02放置在空间中，pdl像素层04包覆在金属反射层02上，pdl像素层04的底部贯穿阳极03与cmos电路01贴合，pdl像素层04的两侧部与阳极03贴合。pdl像素层04的顶部高出阳极03，pdl像素层04高于金属反射层02，金属反射层02的底部与cmos电路01贴合，金属反射层02的侧部和顶部均与pdl像素层04贴合。
22.金属反射层02为al，al的厚度为100～700nm，此处选反射层al厚度为400nm，通过涂曝显刻工艺实现图案化，特别的，金属反射层02为梯形形貌或倒梯形形貌。金属反射层宽度为0.4～2um，此处选宽度为0.4um，以上结构通过涂曝显刻工艺实现图案化。
23.阳极03包括阳极层ⅰ031、阳极层ⅱ032、阳极层ⅲ033和阳极层ⅳ034，所述阳极层ⅰ031设置在cmos电路01上，阳极层ⅱ032设置在阳极层ⅰ031上，阳极层ⅲ033设置在阳极层ⅱ032上，阳极层ⅳ034设置在阳极层ⅲ033上。阳极层ⅰ031为ti，ti的厚度为5～20nm，优选的
ti厚度为5nm；阳极层ⅱ032为al，al的厚度为10～500nm，优选的al厚度为100nm；阳极层ⅲ033为tin，tin的厚度为1～10nm，优选的tin厚度为3nm；阳极层ⅳ034为ito，ito的厚度为1～50nm，优选的ito厚度为15nm。
24.阳极03为ti/al/tin/ito叠层结构，阳极层ⅰ031、阳极层ⅱ032、阳极层ⅲ033和阳极层ⅳ034均采用pvd设备进行成膜。阳极层ⅰ031、阳极层ⅱ032、阳极层ⅲ033和阳极层ⅳ034各相邻层之间的间距为0.2～2um，此处选1um。
25.pdl像素层04采用无机物或者有机物制作，pdl像素层04的厚度为10～800nm，金属反射层02上的pdl像素膜层厚度为50nm。
26.在硅片基底上制备cmos驱动电路；制作pdl区域金属反射层al，al厚度可为100～700nm，此处选反射层al厚度为400nm，通过涂曝显刻工艺实现图案化，特别的，可以做成梯形形貌。
27.制作阳极层ⅰ031，成膜ti，ti厚度可为5～20nm，此处选ti厚度为5nm，选用pvd设备进行成膜；制作阳极层ⅱ032，成膜al，al厚度可为10～500nm，此处al厚度选为100nm，选用pvd设备进行成膜；制作阳极层ⅲ033，成膜tin，tin厚度可为1～10nm，此处选tin厚度为3nm，选用pvd设备进行成膜；制作阳极层ⅳ034，成膜ito，ito厚度可为1～50nm，此处选ito厚度为15nm，选用pvd设备进行成膜。至此，阳极结构ti/al/tin/ito以及金属反射层al制备完成，其中阳极之间的间距可为0.2～2um,此处选1um，金属反射层al宽度可为0.4～2um，此处选宽度为0.4um，以上结构通过涂曝显刻工艺实现图案化。
28.制作pdl层04，pdl层可用无机物或者有机物制作，常见无机物有sin、sio、sion等，常见的有机物有pi，pet等，此处选用sin作为像素隔离层，厚度可为10～800nm，优选的，此处pdl膜层厚度为500nm,通过涂曝显刻工艺实现图案化，其中，金属反射层上面的pdl膜层厚度为50nm。
29.制作oled发光层4，用蒸镀进行成膜，厚度为200nm。制备封装层05，封装结构包含但不限于无机有机叠层结构，其中无机层包含但不限于alo、tio、sin、sio有机层包含但不限于epoxy、acrylic材料,此处选用无机有机无机封装层封装，结构为sin/acrylic/sin，其中sin膜层厚度为500～1000nm，此处优选的，两层sin厚度均为500nm，用pecvd成膜，acrylic厚度为1～4um，此处选用2um，用ijp成膜。
30.制备有机平坦化层06，厚度可为500～1000nm,此处选600nm，通过涂曝显工艺完成。制备彩胶07，厚度可为1～1.5um，特别的，r胶为1.3um，g胶为1.5um，b胶为1.3um，通过涂曝显工艺完成。
31.传统的pdl像素结构起到了隔离阳极的作用，但同时会让原像素区域的光串到临近像素区域，降低了亮度，同时也降低了色域。本实用新型在阳极和pdl像素层设置金属反射层，在成膜阳极之前，先成膜金属反射层al，可以起到反射聚光且减少串光的作用，在提升出光率的同时提高了亮度和色域。
32.以上结合附图对本实用新型进行了示例性描述，显然本实用新型具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本实用新型的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围之内。