一种集成式隔离封装的压力传感器的制作方法

技术特征：
1.一种集成式隔离封装的压力传感器，其特征在于，包括烧结基座(6)；烧结基座(6)一端上设置压圈(1)，压圈(1)与烧结基座(6)之间设置隔离膜片(2)；烧结基座(6)另一端上设置基板(10)，基板(10)上设置补偿电路，补偿电路与烧结基座(6)的管脚连接；基板(10)与烧结基座(6)之间设置塑料垫圈(9)；烧结基座(6)内设置陶瓷厚膜电路基底(5)，陶瓷厚膜电路基底(5)上设置连接电路、mems硅电容压力芯片(3)和asic信号处理芯片(4)；mems硅电容压力芯片(3)通过连接电路与asic信号处理芯片(4)连接，asic信号处理芯片(4)通过连接电路与烧结基座(6)的管脚连接；烧结基座(6)一端上开设硅油灌注孔，硅油灌注孔内设置密封件(8)，烧结基座(6)内填充硅油；其中，mems硅电容压力芯片(3)用于将被测压力转换为电容信号，并发送至asic信号处理芯片(4)；asic信号处理芯片(4)用于电容信号的温度补偿和非线性修正，得到修正电容信号；补偿电路用于修正电容信号的滤波和输出。2.根据权利要求1所述的集成式隔离封装的压力传感器，其特征在于，所述补偿电路为输出为i2c接口协议的补偿电路。3.根据权利要求1所述的集成式隔离封装的压力传感器，其特征在于，还包括接插件(11)，接插件(11)与补偿电路的输出端连接。4.根据权利要求1所述的集成式隔离封装的压力传感器，其特征在于，所述烧结基座(6)的外侧开设密封环槽，密封环槽内设置密封圈(7)。5.根据权利要求1所述的集成式隔离封装的压力传感器，其特征在于，所述密封环槽的宽度为2.4mm或3.5mm。6.根据权利要求1所述的集成式隔离封装的压力传感器，其特征在于，所述陶瓷厚膜电路基底(5)为双面厚膜电路基底，连接电路设置在双面厚膜电路基底的两侧，双面厚膜电路基底远离mems硅电容压力芯片(3)和asic信号处理芯片(4)的一侧上设置覆盖该侧连接电路的绝缘层。7.根据权利要求1所述的集成式隔离封装的压力传感器，其特征在于，所述mems硅电容压力芯片(3)和asic信号处理芯片(4)粘接在陶瓷厚膜电路基底(5)上。8.根据权利要求1所述的集成式隔离封装的压力传感器，其特征在于，所述陶瓷厚膜电路基底(5)为96％al2o3陶瓷材质。9.根据权利要求1所述的集成式隔离封装的压力传感器，其特征在于，所述陶瓷厚膜电路基底(5)的热膨胀系数与mems硅电容压力芯片(3)和asic信号处理芯片(4)的热膨胀系数之间的误差不大于3.0ppm/℃。10.根据权利要求1所述的集成式隔离封装的压力传感器，其特征在于，所述烧结基座(6)为不锈钢一体化烧结基座(6)，所述压圈(1)与烧结基座(6)焊接连接。

技术总结
本发明属于压力传感器领域，公开了集成式隔离封装的压力传感器，包括烧结基座；烧结基座一端上设置压圈，压圈与烧结基座之间设置隔离膜片；烧结基座另一端上设置基板，基板上设置补偿电路，补偿电路与烧结基座的管脚连接；基板与烧结基座之间设置塑料垫圈；烧结基座内设置陶瓷厚膜电路基底，陶瓷厚膜电路基底上设置连接电路、MEMS硅电容压力芯片和ASIC信号处理芯片；MEMS硅电容压力芯片通过连接电路与ASIC信号处理芯片连接，ASIC信号处理芯片通过连接电路与烧结基座的管脚连接；烧结基座一端上开设硅油灌注孔，硅油灌注孔内设置密封件，烧结基座内填充硅油。可以实现在更小尺寸下获得更高的灵敏度和测量精度，对热效应较不敏感，可承受超过更大的过压。可承受超过更大的过压。可承受超过更大的过压。


技术研发人员：王刚 刘磊 徐改
受保护的技术使用者：麦克传感器股份有限公司
技术研发日：2021.11.08
技术公布日：2022/2/7