一种太阳能电池以及太阳能电池的制备方法与流程

技术特征：
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：步骤101，在n型硅衬底(1)的背面依次形成隧穿氧化硅层(2)、n型掺杂多晶硅层(4)和背面钝化减反膜(5)；步骤102，在所述背面钝化减反膜(5)上开槽，在开槽区域形成镍金属层(6)；步骤103，在所述镍金属层(6)上印刷背面细栅电极(7a)，在所述背面钝化减反膜(5)上印刷背面主栅电极(7b)，其中，所述背面细栅电极(7a)与所述背面主栅电极(7b)形成电连接。2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤103包括：步骤3-1，在所述镍金属层(6)上印刷背面细栅电极(7a)，并进行第一烘干处理，其中，所述第一烘干处理的温度为100～300℃；步骤3-2，在所述背面钝化减反膜(5)上印刷背面主栅电极(7b)，并进行第二烘干处理，其中，所述第二烘干处理的温度为100～250℃。3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述背面细栅电极(7a)为铝金属，所述背面主栅电极(7b)为银金属。4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述步骤101之前还包括：对所述n型硅衬底(1)的背面依次进行制绒处理和抛光处理。5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤101包括：步骤1-1，在所述n型硅衬底(1)的背面形成隧穿氧化硅层(2)；步骤1-2，在所述隧穿氧化硅层(2)上形成本征多晶硅层(3)；步骤1-3，对所述本征多晶硅层(3)进行n型掺杂，形成n型掺杂多晶硅层(4)；步骤1-4，在所述n型掺杂多晶硅层(4)上形成背面钝化减反膜(5)。6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，还包括：步骤104，对所述n型硅衬底(1)的正面进行硼扩散处理，形成p 发射极(8)；步骤105，在所述n型硅衬底(1)的正面形成正面钝化减反膜(9)，所述正面钝化减反膜(9)覆盖所述p 发射极(8)；步骤106，在所述正面钝化减反膜(9)印刷正面金属电极(10)。7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述步骤104之后，还包括：对所述n型硅衬底(1)的正面进行绕镀清洗。8.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述背面钝化减反膜(5)包括氧化铝、氧化硅、氧化镓、氮化硅、氮化铝、氮氧化硅中的至少一种，所述正面钝化减反膜(9)包括氧化铝、氧化硅、氧化镓、氮化硅、氮化铝、氮氧化硅中的至少一种。9.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤102包括：步骤2-1，在所述背面钝化减反膜(5)上开槽，在开槽区域形成镍金属层(6)；步骤2-2，对所述镍金属层(6)进行第一退火处理，在所述镍金属层(6)与所述n型掺杂多晶硅层(4)之间形成镍硅合金层；其中，所述退火处理的温度为200～400℃，所述退火处理的时间为10s～300s。
10.一种太阳能电池，其特征在于，采用根据权利要求1-9任一项所述的制备方法制备。

技术总结
本发明公开了一种太阳能电池以及太阳能电池的制备方法。该太阳能电池的制备方法包括：在N型硅衬底的背面依次形成隧穿氧化硅层、N型掺杂多晶硅层和背面钝化减反膜；在背面钝化减反膜上开槽，在开槽区域形成镍金属层；在镍金属层上印刷背面细栅电极，在背面钝化减反膜上印刷背面主栅电极，其中，背面细栅电极与背面主栅电极形成电连接。该制备方法可以在保证金属栅线与硅之间结合力的同时，避免浆料在使用过程中对较薄的多晶硅层的破坏，确保了钝化接触结构的钝化效果，降低了太阳能电池的制造成本，减少了寄生光吸收，提高了光的利用效率，提高了太阳能电池的效率。提高了太阳能电池的效率。提高了太阳能电池的效率。


技术研发人员：蒋秀林 陈斌 段光亮
受保护的技术使用者：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
技术研发日：2021.11.23
技术公布日：2022/2/7