半导体装置以及电力变换装置的制作方法

1.本发明涉及半导体装置以及电力变换装置。


背景技术：

2.以往，作为在电力变换装置中使用的半导体装置，提出了在半导体材料中使用碳化硅(sic)的半导体装置。在这样的半导体装置中，相比于在半导体材料中使用硅(si)的半导体装置，开关速度更快，所以在截止动作时电流迅速地减少而开关损耗被降低，但另一方面，开关时的浪涌电压增加。
3.因此，已知为了降低浪涌电压，正极端子以及负极端子的各一部分构成为相互层叠的平行平板区域的半导体装置(参照例如专利文献1)。在这样的半导体装置中，在层叠的2个平行平板区域的一方中流过与另一方相反的方向的电流，所以正极端子以及负极端子的电感被降低。
4.现有技术文献
5.专利文献
6.专利文献1：日本特开2013-222885号公报


技术实现要素：

7.然而，在专利文献1记载的半导体装置中，正极端子以及负极端子仅具有相互对置的部分、并且该对置的部分仅具有在上下方向对置的第1平板区域和在第1平板区域的长度方向对置的弯曲区域。
8.在上述半导体装置中，在正极端子以及负极端子相互对置的部分被限制，所以难以实现开关速度的进一步高速化并且抑制与其相伴的浪涌电压增大。
9.本发明的主要的目的在于提供能够相比于以往的半导体装置，实现针对半导体装置的开关速度的进一步高速化并且抑制与其相伴的浪涌电压增大的半导体装置以及电力变换装置。
10.本发明所涉及的半导体装置具备第1电源端子、第2电源端子以及输出端子和连接于第1电源端子与输出端子之间的至少1个第1开关元件以及连接于第2电源端子与输出端子之间的至少1个第2开关元件。第1电源端子包括在第1方向上与第2电源端子隔开间隔配置并且沿着与第1方向交叉的第2方向配置的第1对置部、在第2方向上与第2电源端子隔开间隔配置并且沿着第1方向配置的第2对置部以及在第2方向上与第2对置部隔开间隔配置并且沿着第1方向配置的第3对置部。第1对置部以及第2对置部被设置成在通电时在和在第2电源端子中与第1对置部以及第2对置部的各个对置部对置的部分相反的方向上流过电流。第2对置部以及第3对置部被设置成在通电时在相互相反的方向上流过电流。
11.根据本发明，能够提供能够相比于以往的半导体装置，实现针对半导体装置的开关速度的进一步高速化并且抑制与其相伴的浪涌电压增大的半导体装置以及电力变换装置。
附图说明
12.图1是实施方式1所涉及的半导体装置的立体图。
13.图2是图1所示的第1电源端子以及第2电源端子的分解立体图。
14.图3是图1所示的第1电源端子以及第2电源端子的侧面图。
15.图4是图1所示的第1电源端子以及第2电源端子的底面图。
16.图5是图1所示的第1电源端子的底面图。
17.图6是图1所示的第2电源端子的底面图。
18.图7是实施方式2所涉及的半导体装置的立体图。
19.图8是图7所示的第1电源端子以及第2电源端子的分解立体图。
20.图9是图7所示的第1电源端子以及第2电源端子的侧面图。
21.图10是图7所示的第1电源端子以及第2电源端子的底面图。
22.图11是图7所示的第1电源端子的底面图。
23.图12是图7所示的第2电源端子的底面图。
24.图13是图7所示的第1电源端子以及第2电源端子的侧面图。
25.图14是实施方式3所涉及的半导体装置的立体图。
26.图15是图14所示的第1电源端子以及第2电源端子的分解立体图。
27.图16是图14所示的印刷基板的俯视图。
28.图17是图14所示的印刷基板的底面图。
29.图18是图14所示的第1电源端子以及第2电源端子的底面图。
30.图19是图14所示的第1电源端子以及第2电源端子的侧面图。
31.图20是图14所示的第1电源端子以及第2电源端子的侧面图。
32.图21是图14所示的印刷基板的立体图。
33.图22是实施方式4所涉及的半导体装置的立体图。
34.图23是图22所示的第1电源端子以及第2电源端子的分解立体图。
35.图24是示出图22所示的第1电源端子以及第2电源端子的电流路径的立体图。
36.图25是实施方式5所涉及的半导体装置的立体图。
37.图26是图25所示的第1电源端子、第2电源端子以及绝缘部件的分解立体图。
38.图27是图25所示的第1电源端子、第2电源端子以及绝缘部件的俯视图。
39.图28是图25所示的第1电源端子、第2电源端子以及绝缘部件的侧面图。
40.图29是示出实施方式1～5所涉及的第1电源端子以及第2电源端子的变形例的分解立体图。
41.图30是示出应用实施方式6所涉及的电力变换装置的电力变换系统的结构的框图。
42.(符号说明)
43.1：第1电源端子；2：第2电源端子；3：输出端子；4：基体板；10：第1外部连接部；11、12、13、14：第1中间连接部；11：第1部分；11a：第1竖立部分；11b、21b：水平延伸部分；12：第2部分；13：第3部分；14：第4部分；14a：第1区域；14b：第2区域；15：第1内部连接部；20：第2外部连接部；21、22：第5部分；21：第2竖立部分；21、22、23、24：第2中间连接部；21a：垂直延伸部分；22：第3竖立部分；23：第6部分；24：第7部分；24a：第3区域；24b：第4区域；25：第2内部
连接部；30：基板；40：绝缘层；50：第1导体图案；50a：第1导体；50b：第5导体；50c：第6导体；51a、51c：第1开关元件；52a、52c：第1二极管元件；60：第2导体图案；60a：第3导体；60b：第7导体；61a、61b、61c：第2开关元件；62a、62b、62c：第2二极管元件；70：第3导体图案；70a：第4导体；70b：第2导体；80：印刷基板；80a：第1焊盘；80b：第2焊盘；80c：第3焊盘；90：绝缘部件；91：第1绝缘部；92：第2绝缘部；101、102、103、104、105、302：半导体装置；200：电源；301：主变换电路；300：电力变换装置；303：控制电路；400：负载。
具体实施方式
44.以下，参照附图，说明本发明的实施方式。此外，在以下的附图中对同一或者相当的部分附加同一参照编号，不反复其说明。另外，在以下的说明中，为方便起见，使用作为第1方向的x方向、作为第2方向的z方向以及作为第3方向的y方向。另外，从x方向的一方侧朝向另一方侧的方向设为 x方向， x方向的反方向设为-x方向。同样地，从y方向的一方侧朝向另一方侧的方向设为 y方向， y方向的反方向设为-y方向，从z方向的一方侧朝向另一方侧的方向设为 z方向， z方向的反方向设为-z方向。
45.实施方式1.
46.如图1所示，半导体装置101主要具备第1电源端子1、第2电源端子2、输出端子3以及基体板4。第1电源端子1例如是与电源的正极连接的正极侧端子。第2电源端子2例如是与电源的负极连接的负极侧端子。输出端子3例如是与马达等连接的输出端子。
47.基体板4包括基板30、绝缘层40、第1导体图案50、多个第1开关元件51a～51c、多个第1二极管元件52a～52c、第2导体图案60、多个第2开关元件61a～61c、多个第2二极管元件62a～62c以及第3导体图案70。
48.基板30具有沿着x方向以及y方向延伸的表面。绝缘层40形成于基板30的上述表面上。第1导体图案50、第2导体图案60以及第3导体图案70在绝缘层40上排列配置。第1导体图案50、第2导体图案60以及第3导体图案70在x方向上相互隔开间隔配置。第1导体图案50、第2导体图案60以及第3导体图案70的各个导体图案沿着y方向延伸。
49.第1电源端子1例如经由线键合，与第1导体图案50连接。第2电源端子2例如经由线键合，与第3导体图案70连接。输出端子3例如经由线键合，与第2导体图案60连接。第1电源端子1以及第2电源端子2和输出端子3被配置成在y方向上夹着基体板4。半导体装置101例如具备多个输出端子3。多个输出端子3在x方向上排列配置。一方的输出端子3与第1电源端子1在y方向上排列配置，另一方的输出端子3与第2电源端子2在y方向上排列配置。关于第1电源端子1以及第2电源端子2的各结构以及配置的详细情况后述。
50.多个第1开关元件51a～51c以及多个第2开关元件61a～61c是任意的自消弧型开关元件即可，例如是mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)。构成第1开关元件51a～51c以及第2开关元件61a～61c的半导体材料包含碳化硅(sic)。
51.多个第1开关元件51a～51c以及多个第1二极管元件52a～52c在y方向上在第1导体图案50上排列配置。多个第1开关元件51a～51c的各源极例如经由线键合，与第2导体图案60连接。多个第1开关元件51a～51c的各漏极例如经由焊料，与第1导体图案50连接。多个第1二极管元件52a～52c的各阳极例如经由线键合，与第2导体图案60连接。多个第1二极管
元件52a～52c的各阴极例如经由焊料，与第1导体图案50连接。
52.多个第2开关元件61a～61c以及多个第2二极管元件62a～62c在y方向上在第2导体图案60上排列配置。多个第2开关元件61a～61c的各源极例如经由线键合，与第3导体图案70连接。多个第2开关元件61a～61c的各漏极例如经由焊料，与第2导体图案60连接。多个第2二极管元件62a～62c的各阳极例如经由线键合，与第3导体图案70连接。多个第2二极管元件62a～62c的各阴极例如经由焊料，与第2导体图案60连接。
53.即，与第1电源端子1连接的第1导体图案50和与输出端子3连接的第2导体图案60经由多个第1开关元件51a～51c以及多个第1二极管元件52a～52c连接。与第2电源端子2连接的第3导体图案70和与输出端子3连接的第2导体图案60经由多个第2开关元件61a～61c以及多个第2二极管元件62a～62c连接。
54.接下来，参照图2～图6，说明第1电源端子1以及第2电源端子2的各结构以及配置。如图2～图4所示，第1电源端子1还包括在x方向上与第2电源端子2隔开间隔对置的第1对置部12、在z方向上与第2电源端子2隔开间隔对置的第2对置部13、14以及在z方向上与第2对置部13、14隔开间隔对置的第3对置部11b。第1电源端子1的第2对置部13在z方向上，配置于第3对置部11b与第2电源端子2之间。在第1电源端子1中，第2对置部13、14和第3对置部11b经由第1对置部12连接。第1对置部12以及第2对置部13、14被设置成在通电时在和在第2电源端子2中与第1对置部12以及第2对置部13、14的各个对置部对置的部分相反的方向上流过电流。第2对置部13以及第3对置部11b被设置成在通电时在相互相反的方向上流过电流。
55.如图2～图5所示，第1电源端子1具有第1外部连接部10、第1中间连接部11～14以及第1内部连接部15。第1外部连接部10与半导体装置101的外部连接。第1内部连接部15经由第1导体图案50与第1开关元件51a～51c连接。第1中间连接部11～14连接第1外部连接部10与第1内部连接部15之间。第1中间连接部11～14具有第1部分11、第2部分12、第3部分13以及第4部分14。第1部分11、第2部分12、第3部分13以及第4部分14依次串联地连接。
56.第1部分11与第1外部连接部10连接，并且沿着x方向延伸。第2部分12与第1部分11连接，并且沿着z方向延伸。第3部分13与第2部分12连接，并且沿着x方向延伸。第4部分14与第3部分13连接，并且沿着y方向延伸。
57.第1部分11例如具有沿着z方向延伸的第1竖立部分11a和沿着x方向延伸的水平延伸部分11b。第1竖立部分11a的作为z方向的一端的 z方向侧端部与第1外部连接部10的作为x方向的一端的 x方向侧端部连接。第1竖立部分11a的作为z方向的另一端的-z方向侧端部与水平延伸部分11b的作为x方向的一端的-x方向侧端部连接。水平延伸部分11b的作为x方向上的另一端的 x方向侧端部与第2部分12的作为z方向的一端的 z方向侧端部连接。第2部分12的作为z方向的另一端的-z方向侧端部与第3部分13的作为x方向的一端的 x方向侧端部连接。第3部分13的作为x方向的另一端的-x方向侧端部与第1部分11的水平延伸部分11b的作为x方向的上述一端的-x方向侧端部在z方向上隔开间隔配置。第3部分13的作为y方向的一端的-y方向侧端部与第1部分11的水平延伸部分11b的作为y方向的一端的-y方向侧端部在z方向上隔开间隔配置。第3部分13的作为y方向的另一端的 y方向侧端部与第1部分11的水平延伸部分11b的作为y方向的另一端的 y方向侧端部在z方向上隔开间隔配置、并且与第4部分14的作为y方向的一端的-y方向侧端部连接。第4部分14的作为y方向的另一端的 y方向侧端部与第1内部连接部15的作为y方向的一端的-y方向侧端部连接。第1
内部连接部15经由线键合与第1导体图案50连接。
58.如图2～图4以及图6所示，第2电源端子2具有第2外部连接部20、第2中间连接部21～24以及第2内部连接部25。第2外部连接部20与半导体装置101的外部连接。第2内部连接部25经由第3导体图案70与第2开关元件61a～61c连接。第2中间连接部21～24连接第2外部连接部20与第2内部连接部25之间。
59.第2中间连接部21～24具有第5部分21、22、第6部分23以及第7部分24。第5部分21、22与第2外部连接部20连接，并且沿着z方向延伸。第6部分23与第5部分21、22连接，并且沿着x方向延伸。第7部分24与第6部分23连接，并且沿着y方向延伸。
60.第5部分21、22例如具有沿着z方向延伸的第2竖立部分21以及第3竖立部分22。第2竖立部分21的作为z方向的一端的 z方向侧端部与第2外部连接部20的作为x方向的一端的-x方向侧端部连接。第2竖立部分21的作为z方向的另一端的-z方向侧端部与第3竖立部分22的作为z方向的一端的 z方向侧端部连接。第3竖立部分22的作为z方向的另一端的-z方向侧端部与第6部分23的作为x方向的一端的 x方向侧端部连接。第7部分24的作为y方向的一端的-y方向侧端部与第6部分23的作为y方向的一端的 y方向侧端部的一部分连接。第7部分24的作为y方向的另一端的 y方向侧端部与第2内部连接部25的作为y方向的一端的-y方向侧端部的一部分连接。第2内部连接部25经由线键合与第3导体图案70连接。
61.第1电源端子1的第1外部连接部10、第1部分11、第2部分12、第3部分13、第4部分14以及第1内部连接部15分别平板状地构成。第2电源端子2的第2外部连接部20、第5部分21、22、第6部分23、第7部分24以及第2内部连接部25分别平板状地构成。第1电源端子1以及第2电源端子2例如是通过使按照预先决定的形状切除后的平板折弯而形成的。第1电源端子1的第1外部连接部10、第1部分11、第2部分12、第3部分13、第4部分14以及第1内部连接部15的各厚度相等。第2电源端子2的第2外部连接部20、第5部分21、22、第6部分23、第7部分24以及第2内部连接部25的各厚度相等。
62.如图1以及图3所示，第1电源端子1的第2部分12和第2电源端子2的第5部分21、22的第3竖立部分22在x方向上相互隔开间隔对置。第2部分12和第3竖立部分22被配置成在从x方向观察时重叠。第2部分12比第5部分21、22配置于更靠-x方向侧。
63.如图1以及图3所示，第1电源端子1的第3部分13和第2电源端子2的第6部分23在z方向上相互隔开间隔对置。第1电源端子1的第4部分14和第2电源端子2的第7部分24在z方向上相互隔开间隔对置。第1内部连接部15和第2内部连接部25的一部分在z方向上相互隔开间隔对置。第3部分13和第6部分23被配置成在从z方向观察时重叠。第4部分14和第7部分24被配置成在从z方向观察时重叠。第1内部连接部15和第2内部连接部25的一部分被配置成在从z方向观察时重叠。第1外部连接部10以及第2外部连接部20相对基体板4的高度例如相等。第3部分13、第4部分14以及第1内部连接部15比第6部分23、第7部分24、以及第2内部连接部25配置于更靠 z方向侧。
64.上述第1对置部具有第2部分12。上述第2对置部具有第3部分13、第4部分14以及第1内部连接部15的上述一部分。
65.第1外部连接部10、第1部分11、第2部分12以及第3部分13的y方向的各宽度相互相等。第1部分11的水平延伸部分11b、第3部分13、第4部分14以及第1内部连接部15的x方向的各宽度相互相等。第1部分11的水平延伸部分11b的x方向的宽度比第1竖立部分11a的z方向
的宽度宽。在第1电源端子1中在x方向上延伸的部分的x方向的长度之和比在第1电源端子1中在z方向上延伸的部分的z方向的长度之和长。第1部分11以及第3部分13的x方向的长度之和比第1部分11以及第2部分12的z方向的长度之和长。
66.第2外部连接部20、第5部分21、22以及第6部分23的y方向的各宽度相互相等。第6部分23以及第2内部连接部25的x方向的各宽度比第7部分24的x方向的宽度宽。
67.第2外部连接部20、第5部分21、22以及第6部分23的y方向的各宽度例如与第1外部连接部10、第1部分11、第2部分12以及第3部分13的y方向的各宽度相等。第6部分23的x方向的宽度比第1部分11的水平延伸部分11b、第3部分13、第4部分14、以及第1内部连接部15的x方向的各宽度宽。第7部分24的x方向的宽度例如比第4部分14的x方向的宽度宽。
68.第2部分12与第5部分22之间的x方向的间隔、第3部分13与第6部分23之间的z方向的间隔、第4部分14与第7部分24之间的z方向的间隔以及第1内部连接部15与第2内部连接部25之间的z方向的间隔例如相互相等。
69.第1部分11的水平延伸部分11b的x方向的宽度比第5部分21、22的第2竖立部分21的z方向的宽度宽。
70.如图3所示，第1电源端子1的第1部分11的水平延伸部分11b与第3部分13之间的z方向的间隔d1比第1外部连接部10与第1内部连接部15之间的z方向的间隔d2短。上述间隔d1例如是上述间隔d2的一半以下。上述间隔d1例如比第2部分12与第5部分22之间的x方向的间隔、第3部分13与第6部分23之间的z方向的间隔、第4部分14与第7部分24之间的z方向的间隔以及第1内部连接部15与第2内部连接部25之间的z方向的间隔的各个间隔短。
71.在第1电源端子1与外部电源的正极连接并且第2电源端子2与外部电源的负极连接的状态下半导体装置101被通电时，在第1电源端子1以及第2电源端子2中，形成在图3～图6中用箭头表示的电流的路径。
72.在第1电源端子1中，形成依次流过第1外部连接部10、第1部分11、第2部分12、第3部分13、第4部分14以及第1内部连接部15的电流路径。在第2电源端子2中，形成依次流过第2内部连接部25、第7部分24、第6部分23、第3竖立部分22、第2竖立部分21以及第2外部连接部20的电流路径。
73.第1电源端子1的上述电流路径经由上述中间连接部以最短距离连结第1电源端子1的第1外部连接部10与第1内部连接部15之间。电流路径a是在第1外部连接部10中流过的电流路径。电流路径b是在第1部分11中流过的电流路径。电流路径c是在第2部分12中流过的电流路径。电流路径d是在第3部分13中流过的电流路径。电流路径d是相对第2部分12朝向-x方向侧并且 y方向侧的路径。电流路径e是在第4部分14以及第1内部连接部15中流过的电流路径。形成于第1电源端子1的各电流路径a～e的x方向的长度之和比各电流路径a～e的z方向的长度之和长。
74.第2电源端子2的上述电流路径经由上述中间连接部以最短距离连结第2电源端子2的第2外部连接部20与第2内部连接部25之间。电流路径o是在第2内部连接部25中流过的电流路径。电流路径p是在第7部分24中流过的电流路径。电流路径q是在第6部分23中流过的电流路径。电流路径r是在第3竖立部分22以及第2竖立部分21中流过的电流路径。电流路径s是在第2外部连接部20中流过的电流路径。
75.如图3以及图4所示，形成于第1电源端子1的第2部分12的电流路径c与形成于第2
电源端子2的第5部分22的电流路径r平行地配置并且朝向反方向。形成于第1电源端子1的第3部分13的电流路径d与形成于第2电源端子2的第6部分23的电流路径q平行地配置并且朝向反方向。形成于第1电源端子1的第4部分14的电流路径e与形成于第2电源端子2的第7部分24的电流路径p平行地配置并且朝向反方向。形成于第1电源端子1的第1内部连接部15的电流路径e朝向与形成于第2电源端子2的第2内部连接部25的电流路径o的y方向分量相反的方向。即，在第1电源端子1以及第2电源端子2的各第1对置部中流过的电流相互朝向反方向，并且在第1电源端子1以及第2电源端子2的各第2对置部中流过的电流相互朝向反方向。
76.如图3以及图4所示，在第1电源端子1中，形成于第1部分11的水平延伸部分11b的电流路径b朝向与形成于第1电源端子1的第3部分13的电流路径d的x方向分量相反的方向。
77.《作用效果》
78.如上所述，在以往的半导体装置中，仅具有正极侧端子以及负极侧端子相互对置的部分，未设置成在正极侧端子或者负极侧端子中一部分与其他部分对置。
79.相对于此，在半导体装置101中，第1电源端子1以及第2电源端子2具有第1对置部以及第2对置部，并且第1电源端子1具有在z方向上对置的第1部分的水平延伸部分11b和第3部分13。因此，在半导体装置101中，在第1对置部以及第2对置部中在第1电源端子1与第2电源端子2之间产生的互感以使第1电源端子1以及第2电源端子2的各寄生电感减少的方式作用，并且在第3对置部中在第1电源端子1的第1部分11与第3部分13之间产生的互感以使第1电源端子1的寄生电感减少的方式作用。换言之，在半导体装置101中，不仅第1电源端子1的第2内部连接部25、第3部分13及第4部分14以及第2电源端子2的第5部分22、第6部分23及第7部分24的各寄生电感被降低，而且第1电源端子1的第1部分11的寄生电感也被降低。
80.即，根据半导体装置101，相比于上述以往的半导体装置，降低第1电源端子1以及第2电源端子2的电感。因此，在半导体装置101中，即使在具备相比于当前的开关元件开关速度进一步高速化的第1开关元件51a～51c以及第2开关元件61a～61c的情况下，相比于上述以往的半导体装置，也能够抑制浪涌电压的增加。其结果，根据半导体装置101，相比于以往的半导体装置，提高可靠性。
81.在半导体装置101中，第1部分的水平延伸部分11b经由第1竖立部分11a与第1外部连接部10连接，所以水平延伸部分11b与第3部分13之间的z方向的距离比第1外部连接部10与第3部分13之间的z方向的距离短。因此，相比于具备第1外部连接部10不经由第1部分11与在z方向上延长的第2部分12连接而第1外部连接部10和第3部分13隔开上述间隔d2对置的结构的第1电源端子1的电感，半导体装置101的第1电源端子1的电感被降低。
82.另外，在半导体装置101中，第1部分的水平延伸部分11b的x方向的长度l1比第1竖立部分11a的z方向的长度l2长。因此，相比于具备在z方向上延长上述长度l2的第2部分12与第5部分21、22对置的结构的第1电源端子1的电感，半导体装置101的第1电源端子1的电感被降低。
83.另外，在半导体装置101中，第2对置部具有与作为第1对置部的第2部分12在x方向上连接的第3部分13。换言之，相对第2部分12在x方向上延伸的第3部分13形成第2对置部的一部分。作为比较例，考虑被设置成第1电源端子1的第3部分13相对第2部分12在-x方向延伸、并且第2电源端子2的第6部分23相对第5部分22在 x方向上延伸的结构。上述比较例在
第2部分12和第5部分22在x方向上隔开间隔对置的方面与半导体装置101共同，但在第3部分13以及第6部分23不在z方向上隔开间隔对置而仅第4部分14形成第2对置部的方面与半导体装置101不同。本发明人通过模拟评价等确认到：半导体装置101的内部布线的寄生电感比上述比较例中的内部布线的寄生电感小、并且第3部分13形成第2对置部的一部分对上述寄生电感的降低作出大幅贡献。
84.实施方式2.
85.如图7～图13所示，实施方式2所涉及的半导体装置102具备与实施方式1所涉及的半导体装置101基本上同样的结构，但在第1电源端子1还包括在y方向与第2电源端子2隔开间隔对置的第4对置部的方面，与半导体装置101不同。
86.半导体装置102的第1电源端子1以及第2电源端子2具备与半导体装置101的第1电源端子1以及第2电源端子2基本上同样的结构，但在第1内部连接部15和第2内部连接部25在y方向上相互隔开间隔对置的方面，与半导体装置101的第1电源端子1以及第2电源端子2不同。
87.第4部分14的y方向的长度比第7部分24的y方向的长度长。第4部分14的作为y方向的上述另一端的 y方向侧端部比第7部分24的作为y方向的上述另一端的 y方向侧端部，在y方向上配置于更靠输出端子3侧。
88.第1内部连接部15比第2内部连接部25在y方向上配置于更靠输出端子3侧。第1内部连接部15具有与第4部分14的上述 y方向侧端部连接的z方向的一端和与第1导体图案50连接的z方向的另一端。第2内部连接部25具有与第7部分24的上述 y方向侧端部连接的z方向的一端和与第3导体图案70连接的z方向的另一端。
89.第1内部连接部15例如经由焊料与第1导体图案50连接。第2内部连接部25例如经由焊料与第3导体图案70连接。
90.在第1电源端子1与外部电源的正极连接并且第2电源端子2与外部电源的负极连接的状态下半导体装置102被通电时，在第1电源端子1以及第2电源端子2中，形成在图9～图13中用箭头表示的电流的路径。
91.形成于半导体装置102的第1电源端子1以及第2电源端子2的各电流路径在具有在-z方向上在第1内部连接部15中流过的电流路径f和在 z方向上在第2内部连接部25中流过的电流路径o的方面，与半导体装置101不同。
92.如图9以及图10所示，形成于第1电源端子1的第2部分12的电流路径c与形成于第2电源端子2的第5部分22的电流路径r平行地配置并且朝向反方向。形成于第1电源端子1的第3部分13的电流路径d与形成于第2电源端子2的第6部分23的电流路径q平行地配置并且朝向反方向。形成于第1电源端子1的第4部分14的电流路径e与形成于第2电源端子2的第7部分24的电流路径p平行地配置并且朝向反方向。形成于第1电源端子1的第1内部连接部15的电流路径f与形成于第2电源端子2的第2内部连接部25的电流路径o平行地配置并且朝向反方向。即，在第1电源端子1以及第2电源端子2的各第1对置部中流过的电流相互朝向反方向，并且在第1电源端子1以及第2电源端子2的各第2对置部中流过的电流相互朝向反方向。
93.如图9以及图10所示，在第1电源端子1中，形成于第1部分11的水平延伸部分11b的电流路径b朝向与形成于第1电源端子1的第3部分13的电流路径d的x方向分量相反的方向。
94.半导体装置102具备与半导体装置101基本上同样的结构，所以能够起到与半导体
装置101同样的效果。进而，在半导体装置102中，第1内部连接部15和第2内部连接部25被设置成在y方向上对置，所以相比于半导体装置101，第1电源端子1以及第2电源端子2的电感被降低。
95.实施方式3.
96.如图14～图21所示，实施方式3所涉及的半导体装置103具备与实施方式2所涉及的半导体装置102基本上同样的结构，但在连接第1电源端子1与第1开关元件51a～51c之间的第1导体50a以及连接第2电源端子2与第2开关元件61a～61c之间的第2导体70b的各个导体相互隔开间隔对置的方面，与半导体装置102不同。
97.如图15所示，半导体装置103的基体板4具备与半导体装置101的基体板4基本上同样的结构，但在还包括配置于绝缘层40上的第1焊盘80a、第2焊盘80b以及第3焊盘80c的方面，与半导体装置101的基体板4不同。第1焊盘80a以及第2焊盘80b与第1导体图案50连接。第3焊盘80c与第2导体图案60连接。
98.多个第1开关元件51a～51c例如在x方向上排列配置。多个第1二极管元件52a～52c例如在x方向上排列配置。多个第2开关元件61a～61c例如在x方向上排列配置。多个第2二极管元件62a～62c例如在x方向上排列配置。第1焊盘80a以及第2焊盘80b例如被配置成在x方向上夹着第3焊盘80c。多个第1开关元件51a～51c以及多个第1二极管元件52a～52c和多个第2开关元件61a～61c以及多个第2二极管元件62a～62c例如被配置成在y方向上夹着第1焊盘80a、第2焊盘80b以及第3焊盘80c。
99.半导体装置103还具备在z方向上与基体板4层叠的印刷基板80。第1导体50a以及第2导体70b形成于印刷基板80的一方以及另一方的表面上。印刷基板80包括形成于一方的表面上的第1导体50a、第3导体60a以及第4导体70a和形成于另一方的表面的第2导体70b、第5导体50b、第6导体50c以及第7导体60b。第1导体50a、第3导体60a以及第4导体70a相互隔开间隔配置。第2导体70b、第5导体50b、第6导体50c以及第7导体60b相互隔开间隔配置。
100.印刷基板80被配置成上述另一方的表面在z方向上与基体板4对置。换言之，印刷基板80的上述一方的表面朝向 z方向，上述另一方的表面朝向-z方向。在印刷基板80中，第1导体50a和第2导体70b在z方向上隔开间隔对置。
101.第5导体50b以及第6导体50c经由形成于印刷基板80的内部的多个导电部件50d、50e与第1导体50a电连接。第7导体60b经由形成于印刷基板80的内部的多个导电部件60c与第3导体60a电连接。第2导体70b经由形成于印刷基板80的内部的多个导电部件70c与第4导体70a电连接。在印刷基板80形成有从一方的表面向另一方的表面贯通的多个通孔，各导电部件配置于各通孔的内部。各导电部件例如构成为镀敷膜。连接第1导体50a和第5导体50b以及第6导体50c的导电部件50d、50e在y方向上配置于连接第3导体60a和第7导体60b的导电部件60c与连接第4导体70a和第2导体70b的导电部件60d之间。连接第1导体50a和第5导体50b的导电部件50d、50e在y方向上与连接第1导体50a和第6导体50c的导电部件50e隔开间隔配置。
102.第1导体50a例如经由焊料与第1电源端子1的第1内部连接部15连接。在第1导体50a中与第1内部连接部15连接的部分比上述导电部件50d、50e配置于更靠第4导体70a侧。第3导体60a例如经由焊料与输出端子3连接。第4导体70a例如经由焊料与第2电源端子2的第2内部连接部25连接。
103.第2导体70b例如经由焊料与多个第2开关元件61a的各源极以及多个第1二极管元件52a～52c的各阳极连接。
104.在第2导体70b中与多个第2开关元件61a的各源极以及多个第1二极管元件52a～52c的各阳极连接的各部分比上述导电部件70c配置于更靠第5导体50b以及第6导体50c侧。第5导体50b例如经由焊料与第1焊盘80a连接。第6导体50c例如经由焊料与第2焊盘80b连接。第7导体60b例如经由焊料与多个第1开关元件51a～51c的各源极以及多个第1二极管元件52a～52c的各阳极连接。
105.换言之，多个第1开关元件51a～51c的各漏极以及多个第1二极管元件52a～52c的各阴极经由第1导体图案50、第1焊盘80a、第2焊盘80b、第5导体50b、第6导体50c以及第1导体50a与第1电源端子1连接。多个第1开关元件51a～51c的各源极以及多个第1二极管元件52a～52c的各阳极经由第7导体60b以及第3导体60a与输出端子3连接。
106.多个第2开关元件61a～61c的各漏极以及多个第2二极管元件62a～62c的各阴极经由第2导体图案60、第3焊盘80c、印刷基板80的第7导体60b以及第3导体60a与输出端子3连接。多个第2开关元件61a～61c的各源极以及多个第2二极管元件62a～62c的各阳极经由第2导体70b以及第4导体70a与第2电源端子2连接。
107.如图16所示，在印刷基板80中，第1导体50a、第3导体60a以及第4导体70a相互隔开间隔配置。第1导体50a沿着y方向延伸。第3导体60a和第4导体70a被配置成在y方向上夹着第1导体50a。
108.如图17所示，在印刷基板80中，第2导体70b、第5导体50b、第6导体50c以及第7导体60b相互隔开间隔配置。第5导体50b以及第6导体50c被配置成在x方向上夹着第7导体60b。
109.在第1电源端子1与外部电源的正极连接并且第2电源端子2与外部电源的负极连接的状态下半导体装置103被通电时，在第1电源端子1以及第2电源端子2中，形成在图18～图21中用箭头表示的电流的路径。
110.如图18～图20所示，形成于半导体装置103的第1电源端子1以及第2电源端子2的各电流路径与图9～图13所示的形成于半导体装置102的第1电源端子1以及第2电源端子2的各电流路径同等。
111.如图21所示，在半导体装置103中，形成于第1导体50a的电流路径t与形成于第2导体70b的电流路径u平行地配置并且朝向反方向。
112.半导体装置103具备与半导体装置102基本上同样的结构，所以能够起到与半导体装置101、102同样的效果。进而，在半导体装置103中，被设置成配置于第1电源端子1与输出端子3之间的第1导体50a和配置于第2电源端子2与输出端子3之间的第2导体70b在z方向上对置，所以相比于半导体装置101、102，连接第1电源端子1和输出端子3的布线部以及连接第2电源端子2和输出端子3的布线部的各电感被降低。
113.实施方式4.
114.如图22～图24所示，实施方式4所涉及的半导体装置104具备与实施方式3所涉及的半导体装置103基本上同样的结构，但在第1电源端子1、第2电源端子2以及输出端子3不经由印刷基板80与基体板4上的各部件连接的方面，与半导体装置103不同。
115.多个第1开关元件51a～51c的各漏极以及多个第1二极管元件52a～52c的各阴极经由第1导体图案50、第1焊盘80a以及第2焊盘80b与第1电源端子1连接。多个第1开关元件
51a～51c的各源极以及多个第1二极管元件52a～52c的各阳极与输出端子3直接连接。
116.第1电源端子1包括与第1焊盘80a以及第2焊盘80b的各个焊盘连接的多个第1内部连接部15。多个第1内部连接部15在x方向上排列配置。多个第1内部连接部15例如在x方向上隔开间隔配置。多个第1内部连接部15与第4部分14的上述 y方向侧端部连接。
117.第4部分14具有在y方向上与第3部分13连结的第1区域14a和相对第1区域14a在x方向上延伸的第2区域14b。第1区域14a与多个第1内部连接部15的至少1个连接。第2区域14b与多个第1内部连接部15的至少其他1个连接。第2区域14b在x方向上相对第3部分13向与第1外部连接部10相反的一侧突出。
118.多个第2开关元件61a～61c的各漏极以及多个第2二极管元件62a～62c的各阴极经由第2导体图案60以及第3焊盘80c与输出端子3连接。多个第2开关元件61a～61c的各源极以及多个第2二极管元件62a～62c的各阳极与第2电源端子2直接连接。
119.第2电源端子2包括与多个第2开关元件61a～61c的各源极以及多个第2二极管元件62a～62c的各阳极连接的多个第2内部连接部25。第7部分24以及多个第2内部连接部25例如形成为形成1个平板。多个第2内部连接部25在x方向上排列配置。多个第2内部连接部25与第7部分24的上述 y方向侧端部连接。此外，多个第2内部连接部25也可以与图14～图21所示的实施方式3所涉及的多个第2内部连接部25同样地，具有相对第7部分24在z方向上突出的形状。
120.第7部分24具有在y方向上与第6部分23连结的第3区域24a和相对第3区域24a在x方向上延伸的第4区域24b。第3区域24a与多个第2内部连接部25的至少1个连接。第4区域24b与多个第2内部连接部25的至少其他1个连接。例如，与第2开关元件61a的源极连接的第2内部连接部25的全部以及与第2开关元件61b的源极连接的第2内部连接部25的一部分与第4区域24b的 y方向侧端部连接，与第2开关元件61b的源极连接的第2内部连接部25的剩余部以及与第2开关元件61c的源极连接的第2内部连接部25的全部与第4区域24b的 y方向侧端部连接。第4区域24b在x方向上相对第6部分23向第2外部连接部20侧突出。
121.第1区域14a和第3区域24a在z方向上相互隔开间隔对置。第2区域14b和第4区域24b在z方向上相互隔开间隔对置。
122.即，半导体装置104的第1电源端子1具备与半导体装置103的第1电源端子1基本上同样的结构，但在包括在x方向上排列配置的多个第1内部连接部15，第4部分14在x方向上延伸的方面，与半导体装置103的第1电源端子1不同。半导体装置104的第2电源端子2具备与半导体装置103的第2电源端子2基本上同样的结构，但在包括在x方向上排列配置的多个第2内部连接部25，第7部分24在x方向上延伸的方面，与半导体装置103的第2电源端子2不同。即，半导体装置104的第1电源端子1以及第2电源端子2的第4部分14、第1内部连接部15、第7部分24以及第2内部连接部25以外的结构与半导体装置103相同。因此，在第1电源端子1与外部电源的正极连接并且第2电源端子2与外部电源的负极连接的状态下半导体装置104被通电时，形成于第1外部连接部10、第1部分11、第2部分12、第3部分13、第2外部连接部20、第5部分21、22、以及第6部分23的各个部分的电流路径与半导体装置103同等。
123.在图24中，在第1电源端子1与外部电源的正极连接并且第2电源端子2与外部电源的负极连接的状态下半导体装置104被通电时，形成于第4部分14以及第7部分24的电流路径用箭头表示。
124.如图24所示，在半导体装置104中，从第3部分13到达多个第1内部连接部15的各个第1内部连接部的多个电流路径e形成于第4部分14。同样地，从第6部分23到达多个第2内部连接部25的各个第2内部连接部的多个电流路径p形成于第7部分24。各电流路径e与各电流路径q平行地配置并且朝向反方向。
125.半导体装置104具备与半导体装置103基本上同样的结构，所以能够起到与半导体装置101、102、103同样的效果。进而，在半导体装置104中，形成为第1电源端子1具有多个第1内部连接部15并且第2电源端子2具有多个第2内部连接部25，并且与其相伴地形成的多个电流路径的各个电流路径平行并且朝向反方向，所以第1电源端子1以及第2电源端子2的电感被降低。
126.在半导体装置104和半导体装置103中使基体板4的结构大致同等的情况下，半导体装置104的第4部分14和第7部分24的对置部与半导体装置103的第1导体50a和第2导体70b的对置部同样地，在x方向以及y方向上宽地延伸。因此，在半导体装置104中，不依赖于印刷基板80，连接第1电源端子1的第1外部连接部10和输出端子3的布线部以及连接第2电源端子2的第2外部连接部20和输出端子3的布线部的各电感被降低到与半导体装置103相同的程度。
127.在半导体装置104中，第1区域14a和第3区域24a在z方向上相互隔开间隔对置，并且第2区域14b和第4区域24b在z方向上相互隔开间隔对置。即，半导体装置104的第4部分14和第7部分24的对置部与具有第2区域14b和第4区域24b的对置部的量对应地，比半导体装置101、102、103的第4部分14和第7部分24的对置部更宽地延伸。因此，在半导体装置104中，相比于半导体装置101、102、103，第1电源端子1以及第2电源端子2的各电感被降低。
128.实施方式5.
129.如图25～图28所示，实施方式5所涉及的半导体装置105具备与实施方式3所涉及的半导体装置103基本上同样的结构，但在还具备配置于第1电源端子1的上述第1对置部以及上述第2对置部的各个对置部与第2电源端子2之间的绝缘部件90的方面，与半导体装置103不同。半导体装置105也可以除了上述方面以外，还具备与半导体装置101、半导体装置102或者半导体装置104同样的结构。
130.绝缘部件90包括第1绝缘部91和第2绝缘部92。第1绝缘部91沿着x方向以及y方向延伸。第2绝缘部92沿着z方向以及y方向延伸。第1绝缘部91的 x方向侧端部与第2绝缘部92的-z方向侧端部连接。第1绝缘部91以及第2绝缘部92例如构成为一体。
131.第1绝缘部91在z方向上配置于第1电源端子1与第2电源端子2之间。如图27以及图28所示，绝缘部件90的第1绝缘部91具有：配置于第3部分13与第6部分23之间、第4部分14与第7部分24之间以及第1内部连接部15与第2内部连接部25之间的部分；和从该部分向x方向或者y方向延伸的部分。在图27中，第1绝缘部91的后者的部分是在第1绝缘部91中配置于第1电源端子1以及第2电源端子2的外侧的部分。第1绝缘部91的后者的部分从延长第1电源端子1与第2电源端子2之间的沿面绝缘距离的观点而言被设置。
132.第2绝缘部92在x方向上配置于第1电源端子1与第2电源端子2之间。如图27以及图28所示，绝缘部件90的第2绝缘部92具有：配置于第1外部连接部10与第2外部连接部20之间、第1部分11与第2竖立部分21之间以及第2部分12与第3竖立部分22之间的部分；和从该部分向z方向或者y方向延伸的部分。在图28中，后者的部分是配置于第1电源端子1以及第2
电源端子2的外侧的部分。第2绝缘部92的后者的部分从延长第1电源端子1与第2电源端子2之间的沿面绝缘距离的观点而言被设置。
133.构成绝缘部件90的材料是具有电绝缘性的任意的材料即可，包含聚酰亚胺或者聚醚醚酮。构成绝缘部件90的材料的电导率低于空气的电导率。关于绝缘部件90的厚度、即第1绝缘部91的z方向的厚度以及第2绝缘部92的x方向的厚度，只要绝缘部件90具有半导体装置105的额定电压以上的电绝缘性，则没有特别限制。
134.绝缘部件90的面对第1电源端子1以及第2电源端子2的表面具有例如粘接性。第1绝缘部91例如具有沿着x方向以及y方向延伸的母层和以夹着该母层的方式配置的2个粘接层。第2绝缘部92例如具有沿着z方向以及y方向延伸的母层和以夹着该母层的方式配置的2个粘接层。上述母层以及粘接层以使绝缘部件90具有上述电绝缘性的方式形成。各粘接层被粘接到第1电源端子1或者第2电源端子2。
135.半导体装置105具备与半导体装置103同样的结构，所以能够起到与半导体装置103同样的效果。进而，半导体装置105具备绝缘部件90，所以半导体装置105的第1电源端子1与第2电源端子2之间的间隔相比于不具备绝缘部件90的半导体装置103能够设为更短。其结果，利用半导体装置105的电感降低效果相比于不具备绝缘部件90的半导体装置103提高。
136.《变形例》
137.实施方式1～5所涉及的各半导体装置101～105也可以具备如以下的结构。
138.在半导体装置101～105中，只要第1电源端子1的第1部分11以及第3部分13和第2电源端子2的第6部分在z方向上层叠而平行平板化，则其他结构没有特别限制。例如，第1外部连接部10、第1部分11、第2部分12以及第3部分13的y方向的各宽度也可以相互不同。另外，第1部分11以及第3部分13的x方向的长度之和也可以比第1部分11以及第2部分12的z方向的长度之和短。
139.关于半导体装置101～105中的第2电源端子2，连接第2外部连接部20与第6部分23之间的第5部分21、22的整体沿着z方向延伸，但不限于此。如图29所示，第5部分21、22的第2竖立部分21也可以具有沿着z方向延伸的垂直延伸部分21a和沿着x方向延伸的水平延伸部分21b。
140.如图29所示，垂直延伸部分21a的作为z方向的一端的 z方向侧端部也可以与第2外部连接部20的作为x方向的一端的-x方向侧端部连接。垂直延伸部分21a的作为z方向的另一端的-z方向侧端部也可以与水平延伸部分21b的作为x方向的一端的 x方向侧端部连接。水平延伸部分21b的作为x方向的另一端的-x方向侧端部也可以与第3竖立部分22的作为z方向的一端的 z方向侧端部连接。
141.另外，水平延伸部分21b的至少一部分也可以配置成与第1电源端子1的水平延伸部分11b对置。垂直延伸部分21a的至少一部分也可以配置成与第1电源端子1的第1竖立部分11a对置。即，垂直延伸部分21a的作为z方向的另一端的-z方向侧端部也可以与水平延伸部分21b的作为x方向的一端的-x方向侧端部连接。
142.在半导体装置101～105中，第1电源端子1构成为正极端子，第2电源端子2构成为负极端子，但不限于此。也可以第1电源端子1构成为负极端子，第2电源端子2构成为正极端子。即，第1电源端子1的第1内部连接部15也可以经由第3导体图案70与第2开关元件61a～
61c连接。第2电源端子2的第2内部连接部25也可以经由第1导体图案50与第1开关元件51a～51c连接。
143.在半导体装置101～105中，第1电源端子1以及第2电源端子2也可以与各图所示的第1电源端子1以及第2电源端子2相对沿着y方向延伸的直线具有线对称的结构。
144.在半导体装置101～105中，第1电源端子1的第1竖立部分11a、第2部分12以及第2电源端子2的第5部分21、22沿着z方向延伸。此外，在本说明书中，关于特定的部件沿着特定的方向延伸，不限定于特定的部件与该特定的方向平行地延伸的结构，是指特定的部件相对该特定的方向成10度以下的角度的结构。第1电源端子1的第1竖立部分11a、第2部分12以及第2电源端子2的第5部分21、22也可以相对z方向成超过10度的角度地倾斜。
145.在半导体装置101～105中，构成第1开关元件51a～51c以及第2开关元件61a～61c的半导体材料包含sic，但不限于此。优选，构成第1开关元件51a～51c以及第2开关元件61a～61c的半导体材料是具有比硅(si)的带隙宽的带隙的任意的材料。例如，构成第1开关元件51a～51c以及第2开关元件61a～61c的半导体材料包含从由sic、氮化镓(gan)以及金刚石(c)构成的群选择的至少1个。此外，构成第1开关元件51a～51c以及第2开关元件61a～61c的半导体材料也可以是si。
146.实施方式6.
147.本实施方式是将上述实施方式1～5所涉及的半导体装置101～105应用于电力变换装置的例子。本实施方式所涉及的电力变换装置不限定于特定的电力变换装置，但以下，作为实施方式6，说明在三相的逆变器中应用本发明的情况。
148.图30是示出应用本实施方式的电力变换装置的电力变换系统的结构的框图。
149.图30所示的电力变换系统包括电源200、电力变换装置300、负载400。电源200是直流电源，对电力变换装置300供给直流电力。电源200能够由各种电源构成，例如既能够由直流系统、太阳能电池、蓄电池构成，也可以由与交流系统连接的整流电路、ac/dc转换器构成。另外，电源200也可以由将从直流系统输出的直流电力变换为预定的电力的dc/dc转换器构成。
150.电力变换装置300是连接于电源200与负载400之间的三相的逆变器，将从电源200供给的直流电力变换为交流电力，对负载400供给交流电力。电力变换装置300如图30所示，具备：主变换电路301，将直流电力变换为交流电力而输出；以及控制电路303，将控制主变换电路301的控制信号输出给主变换电路301。
151.负载400是通过从电力变换装置300供给的交流电力驱动的三相的电动机。此外，负载400不限于特定的用途，是搭载于各种电气设备的电动机，例如被用作面向混合动力汽车、电动汽车、铁路车辆、电梯或者空调设备的电动机。
152.以下，详细说明电力变换装置300。主变换电路301具备开关元件和续流二极管(未图示)，通过开关元件开关，将从电源200供给的直流电力变换为交流电力，供给到负载400。主变换电路301的具体的电路结构有各种例子，但本实施方式的主变换电路301是2电平的三相全桥电路，能够由6个开关元件和与各个开关元件反并联的6个续流二极管构成。主变换电路301具备与上述实施方式1～5所涉及的半导体装置101～105中的任意半导体装置相当的半导体装置302。主变换电路301的各开关元件以及各续流二极管由上述实施方式1～5所涉及的多个第1开关元件51a～51c、多个第2开关元件61a～61c、第1二极管元件52a～52c
以及第2二极管元件62a～62c构成。关于6个开关元件，针对每2个开关元件串联连接而构成上下支路，各上下支路构成全桥电路的各相(u相、v相、w相)。而且，各上下支路的输出端子、即主变换电路301的3个输出端子与负载400连接。
153.另外，主变换电路301具备驱动各开关元件的驱动电路(未图示)，但驱动电路既可以内置于半导体装置302，也可以是与半导体装置302独立地具备驱动电路的结构。驱动电路生成驱动主变换电路301的开关元件的驱动信号，供给到主变换电路301的开关元件的控制电极。具体而言，依照来自后述控制电路303的控制信号，将使开关元件成为导通状态的驱动信号和使开关元件成为截止状态的驱动信号输出给各开关元件的控制电极。在将开关元件维持为导通状态的情况下，驱动信号是开关元件的阈值电压以上的电压信号(导通信号)，在将开关元件维持为截止状态的情况下，驱动信号成为开关元件的阈值电压以下的电压信号(截止信号)。
154.控制电路303以对负载400供给期望的电力的方式，控制主变换电路301的开关元件。具体而言，根据应供给到负载400的电力，计算主变换电路301的各开关元件应成为导通状态的时间(导通时间)。例如，能够通过根据应输出的电压调制开关元件的导通时间的pwm控制，控制主变换电路301。而且，以在各时间点，向应成为导通状态的开关元件输出导通信号，向应成为截止状态的开关元件输出截止信号的方式，向主变换电路301具备的驱动电路输出控制指令(控制信号)。驱动电路依照该控制信号，向各开关元件的控制电极输出导通信号或者截止信号作为驱动信号。
155.在本实施方式所涉及的电力变换装置中，主变换电路301具备实施方式1～5所涉及的半导体装置101～105中的任意半导体装置作为半导体装置302，所以能够提高电力变换装置的可靠性。
156.在本实施方式中，作为实施方式1～5所涉及的半导体装置101～105的应用例，例示了2电平的三相逆变器，但实施方式1～5所涉及的半导体装置101～105的应用例不限于此，能够应用于各种电力变换装置。在本实施方式中，设为2电平的电力变换装置，但也可以是3电平、多电平的电力变换装置，在对单相负载供给电力的情况下也可以在单相的逆变器中应用本发明。另外，在对直流负载等供给电力的情况下还能够在dc/dc转换器、ac/dc转换器中应用本发明。
157.另外，本实施方式所涉及的电力变换装置不限定于上述负载为电动机的情况，例如，既能够用作放电加工机、激光加工机或者感应加热烹调器、非接触器供电系统的电源装置，进而也能够用作太阳能发电系统、蓄电系统等的功率调节器。
158.如以上所述，说明了本发明的实施方式，但还能够对上述实施方式进行各种变形。另外，本发明的范围不限定于上述实施方式。本发明的范围由权利要求书示出，意图包括与权利要求书均等的意义以及范围内的所有变更。