半导体装置以及电力变换装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，具备：第1电源端子、第2电源端子以及输出端子和连接于所述第1电源端子与所述输出端子之间的至少1个第1开关元件以及连接于所述第2电源端子与所述输出端子之间的至少1个第2开关元件，所述第1电源端子包括在第1方向上与所述第2电源端子隔开间隔配置并且沿着与所述第1方向交叉的第2方向配置的第1对置部、在所述第2方向上与所述第2电源端子隔开间隔配置并且沿着所述第1方向配置的第2对置部以及在所述第2方向上与所述第2对置部隔开间隔配置并且沿着所述第1方向配置的第3对置部，所述第1对置部以及所述第2对置部被设置成在通电时在和在所述第2电源端子中与所述第1对置部以及所述第2对置部的各个对置部对置的部分相反的方向上流过电流，所述第2对置部以及所述第3对置部被设置成在通电时在相互相反的方向上流过电流。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第2对置部以及所述第3对置部经由所述第1对置部连接。3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其中，所述第2对置部具有与所述第1对置部在所述第1方向上连结的部分。4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体装置，其中，所述第1电源端子包括与外部连接的第1外部连接部、与所述至少1个第1开关元件连接的至少1个第1内部连接部以及连接所述第1外部连接部与至少1个所述第1内部连接部之间的第1中间连接部，所述第1中间连接部具有与所述第1外部连接部连接并且沿着所述第1方向延伸的第1部分、与所述第1部分连接并且沿着所述第2方向延伸的第2部分、与所述第2部分连接并且沿着所述第1方向延伸的第3部分以及连接所述第3部分与所述至少1个第1内部连接部之间并且沿着与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向延伸的第4部分，所述第2电源端子包括与外部连接的第2外部连接部、与所述至少1个第2开关元件连接的至少1个第2内部连接部以及连接所述第2外部连接部与所述至少1个第2内部连接部之间的第2中间连接部，所述第2中间连接部具有与所述第2外部连接部连接并且沿着所述第2方向延伸的第5部分、与所述第5部分连接并且沿着所述第1方向延伸的第6部分以及连接所述第6部分与所述第2内部连接部之间并且沿着所述第3方向延伸的第7部分，所述第1对置部具有所述第2部分，所述第2对置部具有所述第3部分以及所述第4部分，所述第3对置部具有所述第1部分的至少一部分。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第1电源端子还包括在所述第3方向上与所述第2电源端子隔开间隔对置的第4对置部，所述第4对置部具有所述至少1个第1内部连接部的至少一部分。6.根据权利要求4或者5所述的半导体装置，其中，所述至少1个第1内部连接部包括多个第1内部连接部，所述至少1个第2内部连接部包括多个第2内部连接部，
所述多个第1内部连接部在所述第1方向上排列配置，所述多个第2内部连接部在所述第1方向上排列配置，所述多个第1内部连接部和所述多个第2内部连接部在所述第3方向上隔开间隔配置，与所述多个第1内部连接部的各个第1内部连接部连接的所述第4部分和与所述多个第2内部连接部的各个第2内部连接部连接的所述第7部分在所述第2方向上相互隔开间隔对置。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第4部分具有在所述第3方向上与所述第3部分连结的第1区域和相对所述第1区域在所述第1方向上延伸的第2区域，所述第7部分具有在所述第3方向上与所述第6部分连结的第3区域和相对所述第3区域在所述第1方向上延伸的第4区域，所述第1区域和所述第3区域在所述第2方向上相互隔开间隔对置，所述第2区域和所述第4区域在所述第2方向上相互隔开间隔对置。8.根据权利要求1～7中的任意一项所述的半导体装置，其中，还具备：连接所述第1电源端子与所述至少1个第1开关元件之间的第1导体；以及连接所述第2电源端子与所述至少1个第2开关元件之间的第2导体，所述第1导体以及所述第2导体的各个导体相互隔开间隔配置、并且被设置成在通电时在相互相反的方向上流过电流。9.根据权利要求1～8中的任意一项所述的半导体装置，其中，还具备绝缘部件，该绝缘部件配置于所述第1电源端子的所述第1对置部以及所述第2对置部的各个对置部与所述第2电源端子之间。10.根据权利要求1～9中的任意一项所述的半导体装置，其中，所述至少1个第1开关元件以及所述至少1个第2开关元件是自消弧型元件，构成所述至少1个第1开关元件以及所述至少1个第2开关元件的半导体材料的带隙比硅的带隙宽。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，构成所述至少1个第1开关元件以及所述至少1个第2开关元件的半导体材料包含从由碳化硅、氮化镓以及金刚石构成的群选择的至少1个。12.一种电力变换装置，具备：主变换电路，具有权利要求1～11中的任意一项所述的半导体装置，该主变换电路将被输入的电力变换而输出；以及控制电路，将控制所述主变换电路的控制信号输出给所述主变换电路。

技术总结
半导体装置(101)具备第1电源端子(1)、第2电源端子(2)以及输出端子(3)和连接于第1电源端子与输出端子之间的第1开关元件(51a～51c)以及连接于第2电源端子与输出端子之间的第2开关元件(61a～61c)。第1电源端子包括在X方向上与第2电源端子隔开间隔对置的第1对置部(12)、在Z方向上与第2电源端子隔开间隔对置的第2对置部(13、14)以及在Z方向上与第2对置部(13)隔开间隔对置的第3对置部(11b)。第1对置部以及第2对置部被设置成在通电时在和在第2电源端子中与第1对置部以及第2对置部的各个对置部对置的部分相反的方向上流过电流。第2对置部以及第3对置部被设置成在通电时在相互相反的方向上流过电流。相反的方向上流过电流。相反的方向上流过电流。


技术研发人员：森崎翔太 冈诚次
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：2019.06.26
技术公布日：2022/2/6