晶片转移方法与流程

1.本发明涉及半导体制备技术领域，尤其涉及一种晶片转移方法。


背景技术：

2.对晶圆进行切割时，晶圆中心点位置的晶片性能相对均匀，而晶圆边缘位置的晶片性能与中心位置的晶片性能差距较大，可能会有5个波长的差距。
3.因此，在使用晶圆上的晶片制作显示屏时，如果按照晶圆上的晶片顺序转移和排列晶片，可能会造成显示屏上晶片的质量分布不均匀。例如，有的片区晶片质量普遍较高，而有的片区晶片质量则普遍较差，从而使得显示屏整体性能不均匀，造成显示屏的显示画面具有明显的差异性。


技术实现要素：

4.为了解决晶片转移过程中对晶片进行排布的技术问题，本发明提供了一种晶片转移方法，包括以下步骤：
5.沿第一方向布置第一排晶片，所述第一排晶片包括多个晶片；
6.相对所述第一排晶片按预设第一预设间隔沿所述第一方向布置第二排晶片，所述第二排晶片包括多个晶片；
7.提取第一列晶片，所述第一列晶片包括来自所述第一排晶片中的至少一个晶片和来自所述第二排晶片中的至少一个晶片；
8.沿第二方向布置所述第一列晶片；
9.提取所述第二列晶片，所述第二列晶片包括来自所述第一排晶片中剩余的至少一个晶片和来自所述第二排晶片中剩余的至少一个晶片；
10.相对所述第一列晶片按预设第二预设间隔沿所述第二方向布置所述第二列晶片。
11.可选地，所述沿第一方向布置第一排晶片包括：
12.从晶圆上提取所述第一排晶片，其中所述晶圆包括以第一初始间隔排布的第一排晶片和第二排晶片；沿所述第一方向在所述第一料盘上布置提取的所述第一排晶片；
13.所述相对所述第一排晶片按预设第一预设间隔沿所述第一方向布置第二排晶片包括：
14.从所述晶圆上提取所述第二排晶片；相对所述第一排晶片按预设第一预设间隔沿所述第一方向在所述第一料盘上布置提取的所述第二排晶片。
15.可选地，所述提取第一列晶片，所述第一列晶片包括来自所述第一排晶片中的至少一个晶片和来自所述第二排晶片中的至少一个晶片，沿第二方向布置所述第一列晶片包括：
16.从所述第一料盘上提取所述第一列晶片，其中所述第一料盘包括以第二初始间隔排布的第一列晶片和第二列晶片，所述第一列晶片包括来自所述第一排晶片中的至少一个晶片和来自所述第二排晶片中的至少一个晶片；沿所述第二方向在所述第四料盘上布置提
取的所述第一列晶片；
17.所述提取所述第二列晶片，所述第二列晶片包括来自所述第一排晶片中剩余的至少一个晶片和来自所述第二排晶片中剩余的至少一个晶片；相对所述第一列晶片按预设第二预设间隔沿所述第二方向布置所述第二列晶片包括：
18.从所述第一料盘上提取所述第二列晶片；所述第二列晶片包括来自所述第一排晶片中剩余的至少一个晶片和来自所述第二排晶片中剩余的至少一个晶片；相对所述第一列晶片按预设第二预设间隔沿所述第二方向在所述第四料盘上布置提取的所述第二列晶片。
19.可选地，所述沿第一方向布置第一排晶片包括：
20.从第二料盘上提取所述第一排晶片，其中所述第二料盘包括以第一初始间隔排布的第一排晶片和第二排晶片；沿所述第一方向在所述第三料盘上布置提取的所述第一排晶片；
21.所述相对所述第一排晶片按预设第一预设间隔沿所述第一方向布置第二排晶片包括：
22.从所述第二料盘上提取所述第二排晶片；相对所述第一排晶片按预设第一预设间隔沿所述第一方向在所述第三料盘上布置所述第二排晶片。
23.可选地，所述提取第一列晶片，所述第一列晶片包括来自所述第一排晶片中的至少一个晶片和来自所述第二排晶片中的至少一个晶片，沿第二方向布置所述第一列晶片包括：
24.从所述第三料盘上提取所述第一列晶片，其中所述第三料盘包括以第二初始间隔排布的第一列晶片和第二列晶片；所述第一列晶片包括来自所述第一排晶片中的至少一个晶片和来自所述第二排晶片中的至少一个晶片；沿所述第二方向在所述第五料盘上布置提取的所述第一列晶片；
25.所述提取所述第二列晶片，所述第二列晶片包括来自所述第一排晶片中剩余的至少一个晶片和来自所述第二排晶片中剩余的至少一个晶片；相对所述第一列晶片按预设第二预设间隔沿所述第二方向布置所述第二列晶片包括：
26.从所述第三料盘上提取所述第二列晶片；所述第二列晶片包括来自所述第一排晶片中剩余的至少一个晶片和来自所述第二排晶片中剩余的至少一个晶片；相对所述第一列晶片按预设第二预设间隔沿所述第二方向在所述第五料盘上布置所述第二列晶片。
27.可选地，所述第一初始间隔小于所述第一预设间隔。
28.根据权利要求3至5任一项所述的晶片转移方法，其特征在于，所述第二初始间隔小于所述第二预设间隔。
29.可选地，所述第一方向与所述第二方向之间具有第一预设角度，所述第一预设角度介于0
°
至180
°
之间。
30.可选地，所述第一方向与所述第二方向互相垂直。
31.可选地，所述晶片转移方法包括以下步骤：
32.沿所述第一方向布置第一排晶片，所述第一排晶片包括多个第一子排晶片，所述第一子排晶片包括多个晶片；
33.相对所述第一排晶片按预设第一预设间隔沿所述第一方向布置第二排晶片，所述第二排晶片包括多个第二子排晶片，所述第二子排晶片包括多个晶片；
34.提取第一列晶片，所述第一列晶片包括多个第一子列晶片，所述第一子列晶片包括来自所述第一子排晶片中的至少一个晶片和来自所述第二子排晶片中的至少一个晶片；
35.沿所述第二方向布置所述第一列晶片；
36.提取所述第二列晶片，所述第二列晶片包括多个第二子列晶片，所述第二子列晶片包括来自所述第一子排晶片中剩余的至少一个晶片和来自所述第二子排晶片中剩余的至少一个晶片；
37.相对所述第一列晶片按预设第二预设间隔沿所述第二方向布置所述第二列晶片。
38.本发明实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：
39.本发明实施例提供的晶片转移方法包括以下步骤：沿第一方向布置第一排晶片，第一排晶片包括多个晶片；相对第一排晶片按预设第一预设间隔沿第一方向布置第二排晶片，第二排晶片包括多个晶片；提取第一列晶片，第一列晶片包括来自第一排晶片中的至少一个晶片和来自第二排晶片中的至少一个晶片；沿第二方向布置第一列晶片；提取第二列晶片，第二列晶片包括来自第一排晶片中剩余的至少一个晶片和来自第二排晶片中剩余的至少一个晶片；相对第一列晶片按预设第二预设间隔沿第二方向布置第二列晶片。利用上述的晶片转移方法转移多个晶片，使得多个晶片之间形成具有一定间距的高密度二维阵列排布。
附图说明
40.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
41.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
42.附图中：
43.图1是本发明实施例提供的晶片转移方法的流程图；
44.图2是本发明实施例提供的晶片转移方法的操作示意图。
具体实施方式
45.为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本发明的具体实施方式。以下描述中，需要理解的是，“前”、“后”、“上”、“下”、“左”、“右”、“纵”、“横”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“头”、“尾”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系、以特定的方位构造和操作，仅是为了便于描述本技术方案，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位，因此不能理解为对本发明的限制。
46.还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，“安装”、“相连”、“连接”、“固定”、“设置”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。当一个元件被称为在另一元件“上”或“下”时，该元件能够“直接地”或“间接地”位于另一元件之上，或者也可能存在一个或更多个居间元件。术语“第一”、“第二”、“第三”等仅是为了便于描述本技术方案，而不能理解为指示
或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量，由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
47.以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本发明实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本发明。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本发明的描述。
48.参考图1和图2，依据本发明实施例提供的一种晶片转移方法，包括以下步骤：
49.s110：沿第一方向布置第一排晶片，第一排晶片包括多个晶片；
50.s120：相对第一排晶片按预设第一预设间隔沿第一方向布置第二排晶片，第二排晶片包括多个晶片；
51.s130：提取第一列晶片，第一列晶片包括来自第一排晶片中的至少一个晶片和来自第二排晶片中的至少一个晶片；
52.s140：沿第二方向布置第一列晶片；
53.s150：提取第二列晶片，第二列晶片包括来自第一排晶片中剩余的至少一个晶片和来自第二排晶片中剩余的至少一个晶片；
54.s160：相对第一列晶片按预设第二预设间隔沿第二方向布置第二列晶片。
55.利用上述的晶片转移方法，通过沿第一方向布置第一排晶片，然后相对第一排晶片布置第二排晶片，第二排晶片与第一排晶片之间具有预设第一预设间隔。然后提取第一列晶片，按第二方向布置第一列晶片，再提取第二列晶片，然后相对第一列晶片排布第二列晶片。第二列晶片与第一列晶片之间具有预设第二预设间隔。这样，多次重复上述步骤，使得多个晶片之间具有预设第一预设间隔和预设第二预设间隔，从而能够根据实际需求对多个晶片之间的间隔进行调整，进而形成具有预设间隔的二维晶片阵列。
56.当然，本实施例提供的晶片转移方法，不仅仅可以对单颗晶片进行转移，也可以对成排的晶片进行转移，还可以应用于封装好的多功能集成单元。例如由多颗rgb芯片组成的一个彩色像素单元、或者由多颗led芯片组成的一个背光单元。本实施例提供的晶片转移方法可以应用于集成了逻辑芯片、mems装置、或者传感器中的一种或多种的多功能集成电路单元。
57.参考图2，以其中一个晶片为原点建立二维直角坐标系，以该晶片的一条边为x轴，以该晶片另一条与该条边垂直的边为y轴。图示中第一方向为a方向，第二方向为b方向，即第一方向为沿x轴方向，第二方向为沿y轴方向。第一预设间隔为y1，第二预设间隔为x1。当然，在一具体实施方式中，第一方向也可以为y轴方向，第二方向可以为x轴方向。
58.在一具体实施方式中，本发明实施例提供的晶片转移方法，包括以下步骤：
59.s210：沿第一方向布置第一排晶片，第一排晶片包括多个晶片；
60.s220：相对第一排晶片按预设第一预设间隔沿第一方向布置第二排晶片；
61.s230：提取第一列晶片，第一列晶片包括来自第一排晶片中的至少一个晶片；
62.s240：沿第二方向布置第一列晶片；
63.s250：提取第二列晶片，第二列晶片包括来自第一排晶片中剩余的至少一个晶片和来自第二排晶片中的至少一个晶片；
64.s260：相对第一列晶片按预设第二预设间隔沿第二方向布置第二列晶片。
65.上述的晶片转移方法，通过提取第一列晶片时，第一列晶片包括第一排晶片中的至少一个晶片；提取第二列晶片时，第二列晶片包括来自第一排晶片中剩余的至少一个晶片和来自第二排晶片中的至少一个晶片。即第一列晶片的数量小于第二列晶片的数量，从而可以根据第一排晶片或第二排晶片的数量对晶片进行转移及排片，使得多个晶片之间具有第一预设间隔和第二预设间隔。
66.具体地，第一排晶片包括两个晶片，第二排晶片包括一个晶片。提取第一列晶片即提取第一排晶片中的一个晶片；提取第二列晶片，即提取第一排晶片中剩余的一个晶片和第二排晶片中的一个晶片。当然，第一排晶片也可以包括一个晶片，第二排晶片也可以包括两个晶片，这样，提取第一列晶片即提取第一排晶片中的一个晶片和第二排晶片中的一个晶片，提取第二列晶片即提取第二排晶片中剩余的一个晶片。
67.在一具体实施方式中，本发明实施例提供的晶片转移方法，包括以下步骤：
68.s310：沿第一方向布置第一排晶片，第一排晶片包括多个晶片；
69.s320：相对第一排晶片按预设第一预设间隔沿第一方向布置第二排晶片；
70.s330：提取第一列晶片，第一列晶片包括来自第一排晶片中的至少一个晶片和来自第二排晶片中的至少一个晶片；
71.s340：沿第二方向布置第一列晶片；
72.s350：提取第二列晶片，第二列晶片包括来自第一排晶片中剩余的至少一个晶片；
73.s360：相对第一列晶片按预设第二预设间隔沿第二方向布置第二列晶片。
74.上述的晶片转移方法，通过提取第一列晶片时，第一列晶片包括第一排晶片中的至少一个晶片和来自第二排晶片中的至少一个晶片；提取第二列晶片时，第二列晶片包括来自第一排晶片中剩余的至少一个晶片。即第一列晶片的数量大于第二列晶片的数量，从而可以根据第一排晶片或第二排晶片的数量对晶片进行转移及排片，使得多个晶片之间具有第一预设间隔和第二预设间隔。
75.具体地，第一排晶片包括两个晶片，第二排晶片包括一个晶片，提取第一列晶片即提取第一排晶片中的一个晶片和第二排晶片中的一个晶片。提取第二列晶片即提取第一排晶片中剩余的一个晶片。当然，第一排晶片也可以包括一个晶片，第二排晶片包括两个晶片，提取第一列晶片即提取第一排晶片中的一个晶片和第二排晶片中的一个晶片。
76.在一具体实施方式中，沿第一方向布置第一排晶片包括：
77.从晶圆上提取第一排晶片，其中晶圆包括以第一初始间隔排布的第一排晶片和第二排晶片；沿第一方向在第一料盘上布置提取的第一排晶片；
78.相对第一排晶片按预设第一预设间隔沿第一方向布置第二排晶片包括：
79.从晶圆上提取第二排晶片；相对第一排晶片按预设第一预设间隔沿第一方向在第一料盘上布置提取的第二排晶片。
80.这样，通过将晶圆上的晶片排布在第一料盘上，不仅实现了晶片的转移，也实现了将晶片按照第一预设间隔进行排布，进而提高了晶片转移的效率。避免了将晶片从晶圆上转移到其他承载件后，再在其他承载件上对晶片进行排布，然后再将晶圆转移至目标料盘上。利用本发明实施例提供的晶片转移方法，可以在转移晶片的同时对晶片进行排布，实现了晶片的巨量转移。
81.在一具体实施方式中，提取第一列晶片，第一列晶片包括来自第一排晶片中的至少一个晶片和来自第二排晶片中的至少一个晶片，沿第二方向布置第一列晶片包括：
82.从第一料盘上提取第一列晶片，其中第一料盘包括以第二初始间隔排布的第一列晶片和第二列晶片，第一列晶片包括来自第一排晶片中的至少一个晶片和来自第二排晶片中的至少一个晶片；沿第二方向在第四料盘上布置提取的第一列晶片；
83.提取第二列晶片，第二列晶片包括来自第一排晶片中剩余的至少一个晶片和来自第二排晶片中剩余的至少一个晶片；相对第一列晶片按预设第二预设间隔沿第二方向布置第二列晶片包括：
84.从第一料盘上提取第二列晶片；第二列晶片包括来自第一排晶片中剩余的至少一个晶片和来自第二排晶片中剩余的至少一个晶片；相对第一列晶片按预设第二预设间隔沿第二方向在第四料盘上布置提取的第二列晶片。
85.这样，在将第一料盘上的第一列晶片转移至第四料盘上，使得第四料盘上的多个晶片之间具有第一预设间隔和第二预设间隔，从而使得第四料盘上的多个晶片之间形成二维阵列排布。进而实现晶片的巨量转移，并提高晶片转移的效率。
86.在一具体实施方式中，沿第一方向布置第一排晶片包括：
87.从第二料盘上提取第一排晶片，其中第二料盘包括以第一初始间隔排布的第一排晶片和第二排晶片；沿第一方向在第三料盘上布置提取的第一排晶片；
88.相对第一排晶片按预设第一预设间隔沿第一方向布置第二排晶片包括：
89.从第二料盘上提取第二排晶片；相对第一排晶片按预设第一预设间隔沿第一方向在第三料盘上布置第二排晶片。
90.这样，通过将第二料盘上的晶片排布在第三料盘上，不仅实现了多个晶片之间转移，也实现了将晶片按照第一预设间隔进行排布，进而提高了晶片转移的效率。避免了将晶片从第二料盘上转移到其他承载件后，在其他承载件上对晶片进行排布，然后再讲晶片转移至第三料盘上。利用本发明实施例提供的晶片转移方法，可以在转移晶片的同时对晶片进行排布，实现了晶片的巨量转移。
91.在一具体实施方式中，提取第一列晶片，第一列晶片包括来自第一排晶片中的至少一个晶片和来自第二排晶片中的至少一个晶片，沿第二方向布置第一列晶片包括：
92.从第三料盘上提取第一列晶片，其中第三料盘包括以第二初始间隔排布的第一列晶片和第二列晶片；第一列晶片包括来自第一排晶片中的至少一个晶片和来自第二排晶片中的至少一个晶片；沿第二方向在第五料盘上布置提取的第一列晶片；
93.提取第二列晶片，第二列晶片包括来自第一排晶片中剩余的至少一个晶片和来自第二排晶片中剩余的至少一个晶片；相对第一列晶片按预设第二预设间隔沿第二方向布置第二列晶片包括：
94.从第三料盘上提取第二列晶片；第二列晶片包括来自第一排晶片中剩余的至少一个晶片和来自第二排晶片中剩余的至少一个晶片；相对第一列晶片按预设第二预设间隔沿第二方向在第五料盘上布置第二列晶片。
95.这样，在将第三料盘上的第一列晶片转移至第五料盘上，使得第五料盘上的多个晶片之间具有第一预设间隔和第二预设间隔，从而使得第五料盘上的多个晶片之间形成二维阵列排布。进而实现晶片的巨量转移，并提高晶片转移的效率。
96.在一具体实施方式中，第一初始间隔小于第一预设间隔。这样，可以使得转移后的多个晶片具有第一预设间隔。第一预设间隔可以根据实际需要进行设置。同时，使得晶圆切割后的多个晶片按照第一预设间隔进行排布。也可以使得第一料盘上的多个晶片在转移至第二料盘后按照第一预设间隔进行排布。
97.在一具体实施方式中，第二初始间隔小于第二预设间隔。这样可以使得转移后的多个晶片具有第二预设间隔，第二预设间隔可以根据实际需要进行设置。同时，可以使得第一料盘上的多个晶片在转移至第三料盘后按照第二预设间隔进行排布。也可以使得第三料盘上的多个晶片在转移至第五料盘后按照第一预设间隔进行排布。
98.第一预设间隔介于0.5um至5mm之间，第二预设间隔介于0.5um至5mm之间。在一具体实施方式中，第一预设间隔介于0.6um至5mm之间，第二预设间隔介于0.6um至5mm之间。第一预设间隔和第二预设间隔为led显示屏上多个晶片之间所需的间隔。常规分辨率为1920*1080的高清led显示屏需要1920*1080*3个micro led晶片，合计是620万颗晶片。而显示屏上的晶片需要以第一预设间隔和第二预设间隔构成高密度级的二维阵列结构。
99.第一方向与第二方向之间具有第一预设角度，第一预设角度介于0
°
至180
°
之间。第一方向和第二方向之间具有第一预设角度，这样可以根据实际晶片排布的需要选取需要转移的晶片。
100.在一具体实施方式中，第一方向与第二方向互相垂直。第一预设角度为90
°
。这样可以提高晶片转移的效率和便于调整晶片排布的位置。同时使得多个晶片之间形成二维阵列结构。
101.在一具体实施方式中，在沿第一方向布置第一排晶片前还包括检测晶片的参数，晶片的参数包括晶片的类型、色差、或波长中的一种或多种。晶片的类型包括红光晶片、蓝光晶片、白光晶片、绿光晶片中的一种或多种。
102.在一具体实施方式中，晶片转移方法包括以下步骤：
103.s410：沿第一方向布置第一排晶片，第一排晶片包括多个第一子排晶片，第一子排晶片包括多个晶片；
104.s420：相对第一排晶片按预设第一预设间隔沿第一方向布置第二排晶片，第二排晶片包括多个第二子排晶片，第二子排晶片包括多个晶片；
105.s430：提取第一列晶片，第一列晶片包括多个第一子列晶片，第一子列晶片包括来自第一子排晶片中的至少一个晶片和来自第二子排晶片中的至少一个晶片；
106.s440：沿第二方向布置第一列晶片；
107.s450：提取第二列晶片，第二列晶片包括多个第二子列晶片，第二子列晶片包括来自第一子排晶片中剩余的至少一个晶片和来自第二子排晶片中剩余的至少一个晶片；
108.s460：相对第一列晶片按预设第二预设间隔沿第二方向布置第二列晶片。
109.上述的晶片转移方法，通过布置第一排晶片和第二排晶片，以及布置第一列晶片和第二列晶片，其中，第一排晶片包括多个第一子排晶片，第二排晶片包括多个第一子列晶片。在转移晶片的过程中，可以通过布置多个第一子排晶片和多个第二子排晶片、以及多个第一子列晶片和多个第二子列晶片实现多个晶片的转移，从而形成二维阵列结构。
110.可以理解的，以上实施例仅表达了本发明的优选实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制；应当指出的是，对于本领域的普通技
术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，可以对上述技术特点进行自由组合，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围；因此，凡跟本发明权利要求范围所做的等同变换与修饰，均应属于本发明权利要求的涵盖范围。