多层配线基板及其制造方法与流程

1.本发明是与多层配线基板相关的技术。


背景技术：

2.作为用于各种电气产品的配线基板，随着电路的高密度化，有时使用如下构造的多层配线基板，即，使得由金属配线层构成的电路图案实现多层化，使得绝缘树脂介于上述各电路图案的层间。对于这种多层配线基板，已知如下方法，即，在基板上的绝缘层形成有底孔(通路孔)，经由该有底孔而将不同层的电路图案(金属配线层)电连接。
3.即，这种多层配线基板按顺序层叠形成有导电层(金属配线层)以及绝缘层，各导电层的电路图案间的电连接，是通过在根据需要将电路图案间的绝缘层开孔而形成的层间连接部进行电连接而构成的。
4.图1、图2是表示上述当前的多层配线基板的一个例子的放大剖视图。
5.图1是由相同种类的金属材料形成了各层的电路图案(第1金属配线层21、第2金属配线层22、第3金属配线层23)以及层间连接配线(第1通路孔镀敷层61、第2通路孔镀敷层62)的多层配线基板的放大剖视图。图2示出了由大于或等于2种的金属材料形成的多层配线基板的放大剖视图。图1、图2示出了在单面形成有3层导电层的多层配线基板。
6.图1、图2的导电层间的电连接以如下方式进行，即，例如通过光刻技术或者利用激光对绝缘层3进行烧蚀而形成到达目标导电层的通路孔41、42，在该通路孔41、42的壁面形成在形成图案时的同时施加的通路孔镀敷层61、62。在该图1及图2的例子中，第1金属配线层21、第2金属配线层22、第3金属配线层23之间经由通路孔镀敷层61、62而电连接。
7.在这里，为了形成通路孔镀敷层61、62而需要作为镀敷的供电层的晶种层。在图1的例子中，对于晶种层利用与配线材料相同种类的金属材料，与此相对，在图2的例子中，对于晶种层利用与配线材料不同的其他材料。
8.近年来，要求多层配线基板的小型化、薄型化、配线线宽的微细化。因此，通常为如下工艺，即，在图2这样的电解镀敷的晶种层通过溅射涂敷等干燥工艺成膜出与配线材料不同的金属(第1异种金属层51、第2异种金属层52)并形成配线层。
9.在如图2所示在电解镀敷的晶种层成膜出与配线材料不同的金属的情况下，通路孔41、42的底部的配线层形成为由异种金属层51、52区分的构造。另外，在最近的配线基板中，根据尺寸的小型化的请求，将通路孔径(开口剖面)缩小化，通路孔底部的配线连接面积变小。在该情况下，在图2所示的例子中，有可能因绝缘层和金属配线层的热膨胀系数差引起的热应力而在通路孔底部的异种金属层51与第1金属配线层21的界面、异种金属层52与第2金属配线层22的界面产生裂纹、断裂。因此，在图2这样的结构中，要求提高通孔连接的连接可靠性。
10.为了解决如上所述的施加于通路孔的热应力的问题，当前，例如提出了专利文献1、2中记载的技术。专利文献1中公开了如下多层配线基板及其制造方法，即，在用于使得隔着绝缘层的金属配线层间电连接的通路孔的周围具有填充有大于或等于1种的低弹性率填
充材料的贯通孔。专利文献2中公开了如下多层配线基板及其制造方法，即，在通路孔的周围形成有未与电路图案连接的大于或等于1个的虚拟通路孔。
11.专利文献1：日本特开2002-314256号公报
12.专利文献2：日本特开2002-319767号公报


技术实现要素：

13.但是，专利文献1、专利文献2中存在如下问题，即，必须形成不与电连接相关的贯通孔或非贯通孔，工序变得繁琐。
14.本发明就是着眼于如上问题而提出的，其目的在于更简便地提高通路孔连接部的连接可靠性。
15.为了解决问题，本发明的一个方式是一种多层配线基板，经由绝缘层依次层叠的多个金属配线层之间经由沿通路孔的表面形成的通路孔镀敷层而电连接，其特征在于，由与上述金属配线层不同的材料构成的异种金属层介于上述通路孔底面侧的金属配线层与上述通路孔镀敷层之间，在上述通路孔底面侧的金属配线层的、与上述异种金属层接触的位置处形成有凹部，上述异种金属层沿在上述通路孔底面侧的金属配线层形成的上述凹部的表面而以凹状配置。
16.发明的效果
17.根据本发明的方式，能够提供更简便地提高通路孔连接部的连接可靠性的多层配线基板。
附图说明
18.图1是现有例的由相同种类的金属材料形成各层的电路图案及层间连接配线的多层配线基板的放大剖视图。
19.图2是现有例的由大于或等于2种的金属材料形成的多层配线基板的放大剖视图。
20.图3是表示基于本发明的实施方式所涉及的多层配线基板的一个例子的局部放大剖视图。
21.图4是对基于本发明的实施方式所涉及的多层配线基板的通路孔底部进行说明的局部放大剖视图。
22.图5是对基于本发明的实施方式所涉及的多层配线基板的通路孔底部进行说明的局部放大剖视图。
23.图6是对基于本发明的实施方式所涉及的多层配线基板的通路孔底部进行说明的局部放大剖视图。
24.图7是对基于本发明的实施方式所涉及的多层配线基板的通路孔底部进行说明的局部放大剖视图。
25.图8是对基于本发明的实施方式所涉及的多层配线基板的通路孔底部进行说明的局部放大剖视图。
26.图9是对基于本发明的实施方式所涉及的多层配线基板的通路孔底部进行说明的局部放大剖视图。
27.图10是对基于本发明的实施方式所涉及的多层配线基板的通路孔底部进行说明
的局部放大剖视图。
28.图11是对基于本发明的实施方式所涉及的多层配线基板的通路孔底部进行说明的局部放大剖视图。
29.图12是对基于本发明的实施方式所涉及的多层配线基板的通路孔底部进行说明的局部放大剖视图。
30.图13是用于对多层配线基板的实施例进行说明的说明图。
具体实施方式
31.下面，参照附图对本发明所涉及的实施方式进行说明。
32.图3是表示实施方式的多层配线基板的一个例子的局部放大剖视图。
33.图3中举例示出了通路孔是保形通孔的情况。但是，通路孔是填充通路孔(filled via)的情况也能够实施本发明。
34.此外，对与此前说明的现有构造相同的部分标注相同的标号而进行说明。
35.(结构)
36.芯基板1由玻璃环氧树脂、玻璃、陶瓷等绝缘材料形成为板状。
37.在图3的例子中，示出了在芯基板1的单面(图1中为上表面)形成有3层导电层(金属配线层)的多层配线基板。具体地说，形成为如下构造，即，在芯基板1的上方按顺序经由绝缘层而层叠有例如由铜构成的第1金属配线层、第2金属配线层以及第3金属配线层。图3表示具有芯基板1的结构，但本发明的多层配线基板是不具有芯基板的结构，还可以应用于层叠于中介层的配线层。
38.第1金属配线层21的制作方法并不特别限定，通过半加成加工法形成而能够制作简便且配线密度较高的基板，因此构成为优选。对该制作方法的一个例子进行说明，在芯基板1上对ti、cu进行溅射涂敷、或者无电解ni镀敷、cu镀敷等而形成第1晶种层，在第1晶种层上形成光致抗蚀剂层。光致抗蚀剂可以是正型或者负型的液体抗蚀剂，也可以是干膜抗蚀剂。但是，对于光致抗蚀剂，因简便且廉价而优选干膜抗蚀剂。在形成抗蚀剂层之后利用描绘有期望的配线图案的光掩膜或直接描绘期望的图案的直接描绘装置进行曝光而形成第1镀敷抗蚀剂图案。在形成第1镀敷抗蚀剂图案之后，进行电解铜镀敷，使不需要的第1镀敷抗蚀剂图案剥离，对不需要的第1晶种层进行蚀刻，由此形成第1金属配线层21。
39.接下来，本实施方式中，在第1金属配线层21上形成绝缘层3。
40.绝缘层3由感光性聚酰亚胺树脂、感光性聚苯并恶唑树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、氰酸盐树脂、聚苯醚、液晶聚合物或者硅树脂等树脂材料或者上述复合材料形成。如果利用感光性聚酰亚胺树脂、感光性聚苯并恶唑树脂，则容易形成微细图案，且耐热性、电特性优异，因此构成为优选。
41.绝缘层3的厚度并不特别地限定，优选大于或等于0.5μm小于或等于30μm。在绝缘层3的厚度小于0.5μm的情况下，金属配线层间的绝缘可靠性有可能降低。另一方面，在绝缘层3的厚度大于30μm的情况下，不利于形成微细的电路。
42.作为绝缘层3的形成方法，如果是片材状则可以通过辊层压法、真空层压法等在芯基板1上形成。如果是液态漆，则可以通过旋涂法、模涂法、幕式淋涂法、辊涂法等公知方法而形成。
43.接下来，形成用于将第1金属配线层21和第2金属配线层22电连接的通路孔41。通路孔41是通过光刻技术、或者利用激光对绝缘层3进行烧蚀而形成的。
44.通路孔径并不特别地限定，优选大于或等于2μm小于或等于100μm。在通路孔径小于2μm的情况下，通孔连接可靠性有可能降低。另一方面，在通路孔径大于100μm的情况下，不利于形成微细的电路。
45.接下来，在形成有通路孔41的绝缘层3上实施氧等离子处理，对通路孔41底面侧的污迹以及绝缘层3的表面实施粗化处理。然后，对在通路孔底面侧露出的金属配线图案进行蚀刻，在第1金属配线层21的上表面形成图4或图7那样的凹部7。上述蚀刻优选通过干蚀刻进行，利用离子枪或者ar等离子进行干蚀刻，能够以良好的成品率形成凹部，因此为优选。关于在上述第1金属配线层21形成的凹部7，优选对芯基板1垂直地进行蚀刻。凹部7的壁面的角度是图5中的角度a1那样的通路孔底面侧金属配线层凹部7的壁面相对于金属配线-绝缘层界面(含义与芯基板1的上表面相同)而形成的角度、或者图8的角度a2那样的通路孔底面侧金属配线层凹部7的壁面相对于芯基板1的上表面而形成的角度。如上所述的角度a1、a2优选大于或等于75度小于或等于105度。在角度a1、a2小于75度的情况下，绝缘层产生热伸缩的情况下施加于配线基板的水平方向的力未得到抑制，防止通路孔镀敷层和通路孔底面侧的金属配线层剥离的效果有可能减小。另一方面，在角度a1、a2大于105度的情况下，通过后续工序形成的异种金属层有可能在凹部壁面没有连续地形成。
46.优选地，角度a1、a2成为在侧视观察时与通路孔的壁面的沿着轴向的倾斜角相比更接近90度的角度。
47.另外，通过上述干蚀刻在通路孔的底部形成的凹部7的深度优选约大于或等于10mm而小于或等于500nm。在上述凹部的深度小于10nm的情况下，埋设于通路孔底面侧的金属配线层的深度减小，防止通路孔镀敷层和通路孔底面侧的金属配线层剥离的效果有可能减小。另一方面，在上述凹部大于500nm的情况下，干蚀刻量较大，难以以良好的成品率形成凹部。该凹部的深度更优选为大于或等于50nm而小于或等于500nm。
48.图4是对本实施方式的多层配线基板的通路孔底部进行说明的局部放大剖视图。对在通路孔底面侧露出的由金属配线层构成的金属配线图案进行蚀刻，从而如图4那样形成为如下构造，即，通路孔壁面的底部侧端部和在通路孔底面侧的金属配线层形成的凹部7的壁面的上端部直接相连续，在两者之间没有台阶。例如，通路孔底面的开口以及在通路孔底面侧的金属配线层形成的凹部7的开口为相同直径且相同形状。如果沿着图4那样的通路孔壁面及该凹部7的底面、壁面而形成异种金属层5，则变为图6那样。
49.另外，作为其他方法，存在图7所示的构造。图7是对本实施方式的多层配线基板的其他通路孔底部进行说明的局部放大剖视图。
50.如图7那样，可以将通路孔底面的开口面积设为大于在通路孔底面侧的金属配线层的上表面形成的凹部7的开口的截面积。
51.例如，可以将凹部7的宽度设计为小于通路孔底面侧的直径。在该情况下，通路孔壁面的底部侧端部配置于在金属配线层形成的凹部7的壁面的上端部的外侧，通路孔壁面的底部侧端部与凹部7的壁面的上端部之间经由金属配线层的上表面而间接连接。
52.在如图7那样构成的情况下，异种金属层5容易在通路孔4的壁面、通路孔底面侧的凹部7均匀地形成。作为该情况下的异种金属层5的形成方法，可以考虑如下方法，即，在形
成有凹部7的通路孔进行浸渍于氧等离子体、蚀刻液等处理，对通路孔壁面的绝缘层3进行蚀刻。在通路孔底面侧的金属配线图案中形成的凹部的开口直径相对于通路孔底面的开口直径优选为大于或等于50％而小于或等于100％。在上述开口直径之比并不大于或等于50％而小于或等于100％的情况下，有可能难以在凹部形成异种金属层。
53.如果在图7那样的通路孔4的壁面及该凹部7的底面、壁面形成异种金属层5，则变为如图9所示。
54.并且，作为其他方法，存在图10所示的构造，图10是对本实施方式的多层配线基板的其他通路孔底部进行说明的局部放大剖视图。
55.图10所示的例子是如下例子，即，将凹部7设为随着从凹部的底面朝向上侧的通路孔侧而该凹部的开口截面积阶梯式地扩大的多阶构造。即，可以将凹部7设为朝向下方(底侧)而开口宽度以阶梯状缩小的多阶构造。例如，可以在通路孔底面侧的金属配线层2作为凹部而形成由上侧的凹部第1部71和下侧的凹部第2部72构成的凹部形状。凹部第1部71的壁面为与通路孔4的壁面相连续的构造，在凹部第1部71中形成凹部第2部72。通过如图10那样构成，容易使异种金属层5在通路孔壁面、通路孔底面侧凹部7更均匀地形成。另外，通路孔底面侧的金属配线层2和异种金属层5的接地面积增大，因此，能够提高通孔连接可靠性。作为在该情况下的形成方法，在形成通路孔之后，可以考虑仅对期望部位进行蚀刻处理而形成抗蚀刻剂图案等方法。凹部第2部72相对于凹部第1部71的开口直径之比优选大于或等于50％而小于或等于100％。在上述开口直径之比未大于或等于50％而小于或等于100％的情况下，有可能难以在凹部7形成异种金属层。
56.优选对凹部第2部72垂直地进行蚀刻，图11的角度a3那样的通路孔底面侧的金属配线层的凹部第2部72的壁面和与芯基板的上表面平行的金属配线层形成的角的角度优选为大于或等于75度小于或等于105度。在a3的角度小于75度的情况下，在绝缘层产生热伸缩的情况下施加于配线基板的水平方向的力未得到抑制，防止通路孔镀敷层和通路孔底面侧的金属配线层剥离的效果有可能减小。另一方面，在a3的角度大于105度的情况下，通过后续工序形成的异种金属层有可能在凹部第2部壁面没有连续地形成。
57.另外，凹部第2部72的深度优选为约大于或等于10nm而小于或等于500nm。在凹部第2部72的深度小于10nm的情况下，埋设于通路孔底面侧的金属配线层2的深度变浅，防止通路孔镀敷层61和通路孔底面侧的金属配线层2剥离的效果有可能减小。另一方面，在凹部第2部72大于500nm的情况下，干蚀刻量较大，难以以良好的成品率形成凹部第2部72。凹部第2部72的深度更优选为大于或等于50nm小于或等于500nm。如果在图10那样的通路孔壁面及凹部7的底面、壁面形成异种金属层5，则变为如图12所示。
58.接下来，相对于形成有凹部7的通路孔的底面及内壁面以及绝缘层表面而形成异种金属层51。对于异种金属层可以考虑ti、ni、ag、sn、au等，ti难以以高强度产生热伸缩，因此为优选。异种金属层5的形成方法能举出溅射法、cvd法、蒸镀法、离子镀法、无电解镀敷法等，溅射法简便且实用。在形成有凹部7的通路孔底面侧的金属配线层形成异种金属层，由此形成为凹状的异种金属层埋设于通路孔底面侧的金属配线层2。
59.接下来，制作通路孔镀敷层61和第2金属配线层22。通路孔镀敷层61和第2金属配线层22的制作方法并不特别限定，通过半加成加工法形成而能够制作简便且配线密度较高的基板，因此为优选。对该制作方法的一个例子进行说明。首先，将形成的异种金属层51作
为晶种层而在异种金属层上形成光致抗蚀剂层。接下来，利用描绘有期望的配线图案的光掩膜或直接描绘期望的图案的直接描绘装置进行曝光，形成镀敷抗蚀剂图案。在形成镀敷抗蚀剂图案之后，进行电解铜镀敷，使不需要的镀敷抗蚀剂图案剥离，通过蚀刻将在不需要的上部没有形成配线图案的异种金属层51去除。由此，形成通路孔镀敷层61和第2金属配线层22。
60.接下来，形成绝缘层3，然后，形成用于将第2金属配线层22和第3金属配线层23电连接的通路孔42。并且，在形成有通路孔42的绝缘层3上实施氧等离子处理，在对通路孔底面的污迹及绝缘层表面进行粗化处理之后，对在通路孔底面侧露出的金属配线图案进行蚀刻，在第2金属配线层22形成凹部。
61.在形成有凹部的通路孔的底面及内壁面、绝缘层表面形成异种金属层52而制作通路孔镀敷层62和第3金属配线层23。
62.对该制作的一个例子进行说明。首先，将形成的异种金属层52作为晶种层而在异种金属层上形成光致抗蚀剂层，利用描绘有期望的配线图案的光掩膜或直接描绘期望的图案的直接描绘装置进行曝光而形成镀敷抗蚀剂图案。在形成镀敷抗蚀剂图案之后，进行电解铜镀敷，使不需要的镀敷抗蚀剂图案剥离，通过蚀刻将在不需要的上部没有形成配线图案的异种金属层52去除。由此，形成通路孔镀敷层62和第3金属配线层23。
63.(动作及其他)
64.对于以如上方式形成的本实施方式的多层配线基板，如果施加与热伸缩相伴的热应力，则例如在通路孔4的内壁面形成的通路孔镀敷层也施加有与多层配线基板的向水平方向的热伸缩相伴的热应力，施加要使得该镀敷层断裂的负荷。在该情况下，在本实施方式中，通路孔镀敷层形成于异种金属层5上，并且异种金属层5以埋设的方式进入通路孔底面侧的金属配线层2，由此使得通路孔镀敷层和通路孔底面侧的金属配线层隔着异种金属层而啮合，其结果，能够防止通路孔镀敷层和底部的金属配线接合部剥离。因此，在本实施方式中，能够提高金属配线层之间的连接可靠性。
65.如上所述，根据本实施方式的多层配线基板，能够发挥如下优异的作用效果。
66.在本实施方式中，在隔着绝缘层依次层叠的多个金属配线层之间经由沿通路孔的表面形成的通路孔镀敷层而电连接的多层配线基板中，形成为如下结构，即，由与上述金属配线层不同的材料构成的异种金属层介于上述通路孔底面侧的金属配线层与上述通路孔镀敷层之间，在上述通路孔底面侧的金属配线层的与上述异种金属层接触的位置处形成有凹部，上述异种金属层沿在上述通路孔底面侧的金属配线层形成的上述凹部的表面而配置为凹状。
67.根据该结构，在经由通路孔镀敷层而使得隔着绝缘层的金属配线层之间电连接的多层配线基板中，至少1种异种金属层以凹状形成于通路孔底面侧的金属配线层与通路孔镀敷层之间，将该异种金属层埋设于通路孔底面侧的金属配线层。其结果，经由异种金属层而使得通路孔底面侧的金属配线层与配线层之间电连接的通路孔镀敷层啮合，能够防止通路孔镀敷层从通路孔底面侧的金属配线层剥离，能够提高通路孔连接部的连接可靠性。
68.此时，上述异种金属层的厚度优选为大于或等于5nm而小于或等于100nm。
69.另外，上述凹部的深度优选为大于或等于10nm而小于或等于500nm。
70.并且，上述凹部的壁面相对于供上述金属配线层形成的基板的表面的角度优选为
大于或等于75度而小于或等于105度。
71.在本实施方式中，上述异种金属层的至少一部分可以沿上述通路孔的表面而配置，沿上述凹部配置的异种金属层可以设为与沿上述通路孔的壁面形成的异种金属层电连接的结构。
72.在本实施方式中，形成于上述绝缘层的通路孔的壁面的底侧端部可以设为直接与上述凹部的上端部相连续的结构。
73.在本实施方式中，可以设为如下结构，即，形成于上述绝缘层的通路孔的底侧的开口比上述凹部的开口形成得更大，沿上述凹部配置的异种金属层和沿上述通路孔壁面配置的异种金属层经由沿上述通路孔的底面侧的金属配线层的上表面形成的异种金属层而电连接。
74.在本实施方式中，上述凹部可以设为如下结构，即，成为随着从该凹部的底面朝向上述通路孔侧而该凹部的开口截面积阶梯式地增大的多阶构造。
75.例如，上述多阶构造为2阶构造。
76.在本实施方式中，上述金属配线层和上述通路孔镀敷层分别可以是材料中含有铜的结构。
77.在本实施方式中，上述异种金属层可以是材料中含有钛的结构。
78.在本实施方式中，上述异种金属层可以是材料中含有镍的结构。
79.例如，以如下方式制造上述多层配线基板。
80.即，本实施方式中，采用如下主旨的多层配线基板的制造方法，即，包含如下工序：在芯基板的表面即主面上通过溅射而形成第1晶种层的工序；在第1晶种层上形成第1镀敷抗蚀剂图案的工序；通过电解镀敷而形成第1金属配线层的工序；使得在第1晶种层上形成的第1抗蚀剂图案剥离的工序；对除了第1金属配线层以外的第1晶种层进行蚀刻的工序；以将所形成的第1金属配线层覆盖的方式形成绝缘层的工序；在一部分第1金属配线层上的绝缘层开口出作为通路孔的有底的孔，使一部分第1金属配线层的上部露出的工序；在露出的第1金属配线层上部进行氧等离子处理，对开口部进行清洁的工序；在清洁后的开口部进行氩离子枪处理，对开口部的第1金属配线层进行蚀刻而在开口部底部形成凹部的工序；在形成有底部具有凹部的开口部的绝缘层，由与上述第1金属配线层不同的异种金属层形成第2晶种层的工序；在形成第2晶种层的同时在凹部上形成异种金属层并设为凹状异种金属层的工序；在第2晶种层上形成第2镀敷抗蚀剂图案的工序；通过电解镀敷而形成第2金属配线层的图案的工序；以及在形成第2金属配线层的图案之后对不需要的第2镀敷抗蚀剂层进行剥离处理，通过蚀刻将不需要的部分的第2晶种层去除的工序。
81.或者，本实施方式中，采用如下主旨的多层配线基板的制造方法，即，包含如下工序：在芯基板的表面即主面上通过溅射而形成第1晶种层的工序；在第1晶种层上形成第1镀敷抗蚀剂图案的工序；通过电解镀敷而形成第1金属配线层的工序；使得在第1晶种层上形成的第1抗蚀剂图案剥离的工序；对除了第1金属配线层以外的第1晶种层进行蚀刻的工序；以将所形成的第1金属配线层覆盖的方式形成绝缘层的工序；在一部分第1金属配线层上的绝缘层开口出作为通路孔的有底的孔，使一部分第1金属配线层的上部露出的工序；在露出的第1金属配线层上部进行氧等离子处理，对开口部进行清洁的工序；在清洁后的开口部进行反向溅射处理，对开口部的第1金属配线层进行蚀刻而在开口部底部形成凹部的工序；在
形成有底部具有凹部的开口部的绝缘层，由与上述第1金属配线层不同的异种金属层形成第2晶种层的工序；在形成第2晶种层的同时在凹部上形成异种金属层并设为凹状异种金属层的工序；在第2晶种层上形成第2镀敷抗蚀剂图案的工序；通过电解镀敷而形成第2金属配线层的图案的工序；以及在形成第2金属配线层的图案之后对不需要的第2镀敷抗蚀剂层进行剥离处理，通过蚀刻将不需要的部分的第2晶种层去除的工序。
82.(实施例)
83.接下来，参照图13对基于本实施方式的实施例进行说明。
84.在本实施例中，首先，如图13(a)所示，在芯基板1的两面形成了较薄的金属层(第1晶种层)8、8a。第1晶种层的形成是利用溅射装置进行的，该溅射装置是利用通过使实现了离子化而加速的原子或分子与资料表面碰撞而使得固体材料从固体表面飞出来的现象的成膜装置。而且，在芯基板1上以300nm的厚度形成作为第1晶种层8、8a的cu膜。
85.接下来，如图13(b)所示，在第1晶种层8、8a上形成第1镀敷抗蚀剂图案9、9a。对于抗蚀剂，对25μm的厚度的干膜抗蚀剂进行层压，在利用描绘有与配线电路对应的图案的光掩膜进行曝光处理之后，利用1％的碳酸钠水溶液进行喷射显影处理。由此，在芯基板1上制作出第1镀敷抗蚀剂图案9、9a。
86.接下来，如图13(c)所示，将第1晶种层作为供电层而进行1μm的厚度的电解铜镀敷，在60℃、3％的氢氧化钠溶液中对不需要的第1镀敷抗蚀剂图案进行喷射剥离处理，并且利用硫酸-过氧化氢水将不需要部分的第1晶种层去除，由此形成了第1金属配线层21、21a。
87.接下来，如图13(d)、图13(e)所示，形成绝缘层3、3a以及通路孔4、4a。具体地说，在使得形成有第1金属配线层21、21a的配线基板浸渍于硫酸10％的溶液而进行清洗之后，通过旋涂法对hd-4104(“日立化成
デュポンマイクロシステムズ
社”制)进行涂敷，在预烘焙之后，利用直接描绘装置对除了与通路孔4、4a对应的部位以外的部位进行曝光，在有机显影之后进行后处理，由此形成了5μm的厚度的绝缘层3、3a和通路孔4、4a。在形成通路孔4、4a之后进行氧等离子处理，对通路孔4、4a底部的污迹及绝缘层表面进行粗化处理。
88.接下来，如图13(f)、图13(g)所示，对氧等离子处理后的配线基板表面背面实施氩离子枪处理(干蚀刻处理)10、10a，在从通路孔底部露出的第1金属配线层21、21a形成了凹部7、7a。接下来，在底部形成有凹部7、7a的通路孔4、4a及绝缘层表面形成了异种金属层5、5a。作为异种金属层5、5a，利用溅射装置而形成了50nm的ti膜，将该异种金属层5、5a设为电解铜镀敷的晶种层。如上所述，将异种金属层5、5a的一部分埋设于通路孔底部的第1金属配线层21、21a。
89.接下来，如图13(h)所示，在异种金属层5上对25μm的厚度的干膜抗蚀剂进行层压，在利用描绘有与配线电路对应的图案的光掩膜进行曝光处理之后，利用1％碳酸钠水溶液进行喷射显影处理而形成了第2镀敷抗蚀剂图案11、11a。
90.接下来，如图13(i)所示，在形成有第2镀敷抗蚀剂图案的配线基板将异种金属层5、5a作为供电层而进行15μm的厚度的电解铜镀敷，在60℃、3％的氢氧化钠溶液中对不需要的第2镀敷抗蚀剂图案进行喷射剥离处理，并且利用ti蚀刻液将不需要部分的异种金属层5、5a去除，由此，与第2金属配线层22、22a同时在形成有凹部的通路孔内部形成了通路孔镀敷层6、6a。
91.在这里，本发明并不限定于上述附图所示的实施例，在不脱离其主旨的范围内可
以实施各种变形。
92.对实施例的多层配线基板为4层金属配线层的情况进行了说明，除此以外，也可以广泛应用于金属配线层为6层、8层等多层的配线基板。
93.另外，本发明的范围并不限定于图示记载的例示的实施方式，本发明还包含能实现与目的等同的效果的所有实施方式。并且，本发明的范围并不限定于权利要求中描述的发明的特征的组合，可以通过所有公开的各特征中的特定特征的所有期望的组合而描述。
94.另外，本技术主张了优先权的日本特许申请2019-102736号(2019年5月31日申请)的全部内容通过参照而构成本公开的一部分。
95.标号的说明
96.1芯基板(内层基板)
97.2金属配线层
98.21第1金属配线层
99.22第2金属配线层
100.23第3金属配线层
101.3绝缘层
102.4通路孔
103.41第1通路孔
104.42第2通路孔
105.5异种金属层
106.51第1异种金属层
107.52第2异种金属层
108.6通路孔镀敷层
109.61第1通路孔镀敷层
110.62第2通路孔镀敷层
111.7凹部
112.71凹部第1部
113.72凹部第2部
114.8第1晶种层
115.9第1镀敷抗蚀剂图案
116.10干蚀刻处理的示意图
117.11第2镀敷抗蚀剂图案
118.a1通路孔底面侧金属配线层凹部的壁面和金属配线-绝缘层界面形成的角度
119.a2通路孔底面侧金属配线层凹部的壁面和与配线基板方向平行的金属层形成的角度
120.a3通路孔底面侧金属配线层凹部第2部的壁面和与配线基板方向平行的金属层形成的角度。