显示装置的制作方法

1.本发明涉及一种显示装置。更具体地，本发明涉及一种在显示装置的侧表面处包括显示区域的显示装置。


背景技术：

2.通常，显示装置具有基板上的显示区域。近来，正在开发具有通过弯曲基板而扩展到侧表面的显示区域的显示装置。
3.然而，施加到弯曲区域的应力可能会导致对显示装置的损坏并且降低耐用性。


技术实现要素：

4.要解决的技术问题
5.本发明的一个目的是提供一种具有扩展的显示区域和改善的可靠性的显示装置。
6.然而，本发明可以采用很多不同的形式实施，并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。
7.技术方案
8.为实现本发明的目的，根据本发明实施例的显示装置包括第一显示区域、第二显示区域以及设置在第一显示区域与第二显示区域之间并且在第一方向上延伸的非显示区域。第一显示区域在水平方向上延伸，并且第二显示区域在垂直方向上延伸。非显示区域的至少一部分形成将第一显示区域和第二显示区域彼此连接并且弯曲以具有曲率的弯曲区域。显示装置包括：在第一显示区域和第二显示区域中设置在基底基板上的发光元件；覆盖设置在第一显示区域中的发光元件的第一封装层；覆盖设置在第二显示区域中的发光元件的第二封装层；与非显示区域交叉并且在第二方向上延伸的信号布线；以及设置在非显示区域中并且填充第一封装层与第二封装层之间的间隙的上补偿层。
9.在实施例中，显示装置进一步包括设置在上补偿层之下的有机保护图案。
10.在实施例中，非显示区域包括：设置有机保护图案的第一非显示区域；以及从第一显示区域和第二显示区域延伸的第一封装层和第二封装层与设置在第一封装层和第二封装层之下的无机绝缘层直接接触的第二非显示区域。
11.在实施例中，信号布线包括：设置在无机绝缘层之下的第一信号布线图案；在第二方向上与第一信号布线图案间隔开的第二信号布线图案；以及设置在第一非显示区域中并且与第一信号布线图案和第二信号布线图案电接触的桥接图案。
12.在实施例中，有机保护图案包括第一有机图案和设置在第一有机图案上的第二有机图案。桥接图案设置在第一有机图案与第二有机图案之间。
13.在实施例中，显示装置进一步包括设置在非显示区域中并且在第一方向上延伸的电力总线布线。桥接图案设置在电力总线布线上。
14.在实施例中，显示装置进一步包括设置在非显示区域中并且在第一方向上延伸的电力总线布线。桥接图案设置在电力总线布线之下。
15.在实施例中，桥接图案设置在有机保护图案之下。
16.在实施例中，显示装置进一步包括设置在非显示区域中并且在第一方向上延伸的电力总线布线。
17.在实施例中，电力总线布线设置在有机保护图案之下。
18.在实施例中，显示装置进一步包括设置在基底基板与有机保护图案之间并且包括有机材料的下补偿层。
19.在实施例中，信号布线在下补偿层之上延伸。
20.在实施例中，显示装置进一步包括：在第一非显示区域中沿第一方向延伸并且设置在上补偿层上的触摸感测线；以及设置在上补偿层与信号布线之间的屏蔽图案。
21.在实施例中，屏蔽图案与发光元件的下电极设置在同一层中。
22.在实施例中，显示装置进一步包括设置在屏蔽图案之下并且在第一方向上延伸的电力总线布线。
23.在实施例中，显示装置进一步包括与基底基板的下表面结合并且具有与非显示区域重叠的开口的支撑膜。
24.在实施例中，显示装置进一步包括与基底基板的下表面结合的支撑膜。支撑膜包括与第一显示区域和第二显示区域重叠的支撑部分以及与非显示区域重叠并且包括与支撑部分不同的材料的弯曲部分。
25.在实施例中，显示装置进一步包括与非显示区域交叉并且在第二方向上延伸的电力布线。
26.在实施例中，电力布线包括：在第二方向上延伸的第一电力布线图案；与第一电力布线图案间隔开的第二电力布线图案；以及设置在第一非显示区域中并且与第一电力布线图案和第二电力布线图案电接触的桥接图案。
27.在实施例中，显示装置进一步包括设置在非显示区域中的驱动电路。
28.有益效果
29.根据本发明的实施例，显示装置的弯曲区域不包括发光元件和封装层。因此，可以减小显示装置的曲率，尤其是对应力弱的无机层的曲率。因此，可以改善具有弯曲区域的显示装置的可靠性。
30.此外，电力总线布线、触摸布线或驱动电路可以形成在非显示区域中。因此，可以减小在传统显示装置中设置电力总线布线、触摸布线或驱动电路的外围区域。因此，可以减小显示装置的边框。
附图说明
31.图1是示出根据本发明的实施例的显示装置的平面图。
32.图2是示出根据本发明的实施例的显示装置的侧视图。
33.图3是示出根据本发明的实施例的显示装置的像素单元的电路图。
34.图4是示出设置在根据本发明的实施例的显示装置的显示区域中的像素单元的截面图。
35.图5是图1的区域“a”的放大平面图。
36.图6是沿图5的线i-i’截取的截面图。
37.图7至图10是示出根据本发明的实施例的显示装置的截面图。
38.图11是示出根据本发明的实施例的显示装置的弯曲区域的放大平面图。
39.图12是沿图11的线ii-ii’截取的截面图。
40.图13是示出根据本发明的实施例的显示装置的弯曲区域的放大平面图。
41.图14是沿图13的线iii-iii’截取的截面图。
42.图15是示出根据本发明的实施例的显示装置的弯曲区域的放大平面图。
43.图16是沿图15的线iv-iv’截取的截面图。
44.图17是沿图15的线v-v’截取的截面图。
45.图18是示出根据本发明的实施例的显示装置的平面图。
具体实施方式
46.下文中将参考其中示出一些实施例的附图更全面地描述根据实施例的显示装置。在附图中，相同或相似的附图标记可以用于相同或相似的元件。
47.图1是示出根据本发明的实施例的显示装置的平面图。图2是示出根据本发明的实施例的显示装置的侧视图。
48.参考图1和图2，根据实施例的显示装置10包括第一显示区域da1和第二显示区域da2。在实施例中，显示装置10可以部分弯曲以具有侧显示区域。例如，第一显示区域da1可以与前显示区域相对应，并且第二显示区域da2可以与侧显示区域相对应。为了便于说明，图1示出了具有没有被弯曲的平坦形状的显示装置10。
49.包括发光元件的像素px的阵列设置在显示区域da1和da2中的每一个中以响应于驱动信号而产生光。
50.在实施例中，在截面图中，第一显示区域da1可以在与水平方向平行的方向上延伸，并且第二显示区域da2可以在与垂直方向平行的方向上延伸。
51.在实施例中，显示装置10包括设置在第一显示区域da1与第二显示区域da2之间的非显示区域nda。在实施例中，非显示区域nda的至少一部分可以弯曲以具有曲率。因此，非显示区域nda可以与连接前显示区域和侧显示区域的弯曲区域相对应。因此，非显示区域nda可以具有沿第一显示区域da1和第二显示区域da2之间的边界在第一方向d1上延伸的形状。
52.非显示区域nda不包括发光元件和封装层。此外，可以在非显示区域nda中去除无机绝缘层。因此，可以减小显示装置的曲率，尤其是对应力弱的无机层的曲率。因此，可以改善具有弯曲区域的显示装置的可靠性。
53.此外，信号布线、电力布线或驱动电路可以形成在非显示区域nda中。因此，可以减小在传统显示装置中设置信号布线、电力布线或驱动电路的外围区域pa。因此，可以减小显示装置的边框。
54.下面将说明非显示区域nda的详细构造。
55.图3是示出根据本发明的实施例的显示装置的像素单元的电路图。
56.在实施例中，显示装置的像素单元可以包括像素电路和发光元件。例如，像素电路可以包括有机发光二极管oled、第一至第七晶体管tr1、tr2、tr3、tr4、tr5、tr6和tr7、存储电容器cst、用于高电源电压elvdd的布线、用于低电源电压elvss的布线、用于初始化电压
vint的布线、用于数据信号data的布线、用于栅信号gw的布线、用于栅初始化信号gi的布线、用于发光控制信号em的布线、用于二极管初始化信号gb的布线等。
57.有机发光二极管oled可以基于驱动电流id输出光。有机发光二极管oled可以包括第一端子和第二端子。在实施例中，有机发光二极管oled的第二端子可以接收低电源电压elvss。例如，有机发光二极管oled的第一端子可以是阳极端子，并且有机发光二极管oled的第二端子可以是阴极端子。可替代地，有机发光二极管oled的第一端子可以是阴极端子，并且有机发光二极管oled的第二端子可以是阳极端子。
58.第一晶体管tr1可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。在实施例中，第一晶体管tr1的第一端子可以是源极端子，并且第一晶体管tr1的第二端子可以是漏极端子。可替代地，第一晶体管tr1的第一端子可以是漏极端子，并且第一晶体管tr1的第二端子可以是源极端子。
59.第一晶体管tr1可以生成驱动电流id。在实施例中，第一晶体管tr1可以在饱和区中操作。在这种情况下，第一晶体管tr1可以基于栅极端子与源极端子之间的电压差产生驱动电流id。另外，可以基于提供给有机发光二极管oled的驱动电流id的大小来表示灰度。可替代地，第一晶体管tr1可以在线性区中操作。在这种情况下，可以基于在一帧内将驱动电流提供给有机发光二极管oled的时间的总和来表示灰度。
60.第二晶体管tr2可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。第二晶体管tr2的栅极端子可以接收栅信号gw。第二晶体管tr2的第一端子可以接收数据信号data。第二晶体管tr2的第二端子可以连接到第一晶体管tr1的第一端子。例如，栅信号gw可以从栅驱动器被提供，并且栅信号gw可以通过栅信号布线被施加到第二晶体管tr2的栅极端子。在实施例中，第二晶体管tr2的第一端子可以是源极端子，并且第二晶体管tr2的第二端子可以是漏极端子。可替代地，第二晶体管tr2的第一端子可以是漏极端子，并且第二晶体管tr2的第二端子可以是源极端子。
61.第二晶体管tr2可以在栅信号gw的激活时段期间将数据信号data提供给第一晶体管tr1的第一端子。在这种情况下，第二晶体管tr2可以在线性区中操作。
62.第三晶体管tr3可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。第三晶体管tr3的栅极端子可以接收栅信号gw。第三晶体管tr3的第一端子可以连接到第一晶体管tr1的栅极端子。第三晶体管tr3的第二端子可以连接到第一晶体管tr1的第二端子。例如，栅信号gw可以从栅驱动器被提供，并且栅信号gw可以通过栅信号布线被施加到第三晶体管tr3的栅极端子。在实施例中，第三晶体管tr3的第一端子可以是源极端子，并且第三晶体管tr3的第二端子可以是漏极端子。可替代地，第三晶体管tr3的第一端子可以是漏极端子，并且第三晶体管tr3的第二端子可以是源极端子。
63.在栅信号gw的激活时段期间，第三晶体管tr3可以将第一晶体管tr1的栅极端子连接到第一晶体管tr1的第二端子。在这种情况下，第三晶体管tr3可以在线性区中操作。即，第三晶体管tr3可以在栅信号gw的激活时段期间将第一晶体管tr1二极管连接。由于第一晶体管tr1被二极管连接，因此第一晶体管tr1的第一端子与第一晶体管tr1的栅极端子之间的电压差可以被形成为与第一晶体管tr1的阈值电压一样大。结果，在栅信号gw的激活时段期间，通过将该电压差(即，阈值电压)与提供给第一晶体管tr1的第一端子的数据信号data的电压相加而获得的电压可以被提供给第一晶体管tr1的栅极端子。即，数据信号data可以
由第一晶体管tr1的阈值电压来补偿，并且补偿后的数据信号data可以被提供给第一晶体管tr1的栅极端子。由于进行了阈值电压补偿，因此可以解决由第一晶体管tr1的阈值电压偏差导致的不均匀的驱动电流的问题。
64.接收初始化电压vint的用于初始化电压vint的布线的输入端子可以连接到第四晶体管tr4的第一端子和第七晶体管tr7的第一端子，并且用于初始化电压vint的布线的输出端子可以连接到第四晶体管tr4的第二端子和存储电容器cst的第一端子。
65.第四晶体管tr4可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。第四晶体管tr4的栅极端子可以接收栅初始化信号gi。第四晶体管tr4的第一端子可以接收初始化电压vint。第四晶体管tr4的第二端子可以连接到第一晶体管tr1的栅极端子。在实施例中，第四晶体管tr4的第一端子可以是源极端子，并且第四晶体管tr4的第二端子可以是漏极端子。可替代地，第四晶体管tr4的第一端子可以是漏极端子，并且第四晶体管tr4的第二端子可以是源极端子。
66.在栅初始化信号gi的激活时段期间，第四晶体管tr4可以将初始化电压vint提供给第一晶体管tr1的栅极端子。在这种情况下，第四晶体管tr4可以在线性区中操作。即，第四晶体管tr4可以在栅初始化信号gi的激活时段期间将第一晶体管tr1的栅极端子初始化为初始化电压vint。在实施例中，初始化电压vint可以具有足够低于存储电容器cst在前一帧中保持的数据信号data的电压电平的电压电平，并且初始化电压vint可以被提供给作为pmos(p沟道金属氧化物半导体)晶体管的第一晶体管tr1的栅极端子。
67.在其他实施例中，初始化电压可以具有足够高于存储电容器在前一帧中保持的数据信号的电压电平的电压电平，并且初始化电压可以被提供给作为nmos(n沟道金属氧化物半导体)晶体管的第一晶体管tr1的栅极端子。
68.在实施例中，栅初始化信号gi可以是与在一个水平时间之前传输的栅信号gw基本相同的信号。例如，提供给显示装置中包括的多个像素电路当中的第n行(其中，n为2或更大的整数)中的像素电路的栅初始化信号gi可以与提供给像素电路当中的第(n-1)行中的像素电路的栅信号gw基本相同。即，通过将激活的栅信号gw提供给像素电路当中的第(n-1)行中的第一像素电路，激活的栅初始化信号gi可以被提供给像素电路当中的第n行中的第一像素电路。结果，在像素电路当中的第n行中的像素电路中包括的第一晶体管tr1的栅极端子被初始化为初始化电压vint的同时，数据信号data可以被提供给像素电路当中的第(n-1)行中的像素电路。
69.第五晶体管tr5可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。栅极端子可以接收发光控制信号em。第一端子可以连接到用于高电源电压elvdd的布线。第二端子可以连接到第一晶体管tr1的第一端子。例如，发光控制信号em可以从发光控制驱动器被提供，并且发光控制信号em可以通过用于发光控制信号em的布线被施加到第五晶体管tr5的栅极端子。在实施例中，第五晶体管tr5的第一端子可以是源极端子，并且第五晶体管tr5的第二端子可以是漏极端子。可替代地，第五晶体管tr5的第一端子可以是漏极端子，并且第五晶体管tr5的第二端子可以是源极端子。
70.第五晶体管tr5可以在发光控制信号em的激活时段期间将高电源电压elvdd提供给第一晶体管tr1的第一端子。相反，第五晶体管tr5可以在发光控制信号em的去激活时段期间关断高电源电压elvdd的供应。在这种情况下，第五晶体管tr5可以在线性区中操作。第
五晶体管tr5在发光控制信号em的激活时段期间将高电源电压elvdd提供给第一晶体管tr1的第一端子，以便第一晶体管tr1可以产生驱动电流id。另外，第五晶体管tr5在发光控制信号em的去激活时段期间关断高电源电压elvdd的供应，以便提供给第一晶体管tr1的第一端子的数据信号data可以被提供给第一晶体管tr1的栅极端子。
71.第六晶体管tr6可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。栅极端子可以接收发光控制信号em。第一端子可以连接到第一晶体管tr1的第二端子。第二端子可以连接到有机发光二极管oled的第一端子。例如，发光控制信号em可以从发光控制驱动器被提供，并且发光控制信号em可以通过用于发光控制信号em的布线被施加到第六晶体管tr6的栅极端子。在实施例中，第六晶体管tr6的第一端子可以是源极端子，并且第六晶体管tr6的第二端子可以是漏极端子。可替代地，第六晶体管tr6的第一端子可以是漏极端子，并且第六晶体管tr6的第二端子可以是源极端子。
72.第六晶体管tr6可以在发光控制信号em的激活时段期间将由第一晶体管tr1生成的驱动电流id提供给有机发光二极管oled。在这种情况下，第六晶体管tr6可以在线性区中操作。即，第六晶体管tr6在发光控制信号em的激活时段期间将由第一晶体管tr1产生的驱动电流id提供给有机发光二极管oled，以便有机发光二极管oled可以输出光。另外，第六晶体管tr6在发光控制信号em的去激活时段期间将第一晶体管tr1与有机发光二极管oled电分离，以便提供给第一晶体管tr1的第二端子的数据信号data(更准确地说，通过阈值电压补偿被补偿的数据信号)可以被提供给第一晶体管tr1的栅极端子。
73.第七晶体管tr7可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。栅极端子可以接收二极管初始化信号gb。第一端子可以接收初始化电压vint。第二端子可以连接到有机发光二极管oled的第一端子。在实施例中，第七晶体管tr7的第一端子可以是源极端子，并且第七晶体管tr7的第二端子可以是漏极端子。可替代地，第七晶体管tr7的第一端子可以是漏极端子，并且第七晶体管tr7的第二端子可以是源极端子。
74.第七晶体管tr7可以在二极管初始化信号gb的激活时段期间将初始化电压vint提供给有机发光二极管oled的第一端子。在这种情况下，第七晶体管tr7可以在线性区中操作。即，第七晶体管tr7可以在二极管初始化信号gb的激活时段期间将有机发光二极管oled的第一端子初始化为初始化电压vint。
75.可替代地，栅初始化信号gi和二极管初始化信号gb可以是彼此基本相同的信号。初始化第一晶体管tr1的栅极端子的操作和初始化有机发光二极管oled的第一端子的操作可以彼此不影响。即，初始化第一晶体管tr1的栅极端子的操作和初始化有机发光二极管oled的第一端子的操作可以彼此独立。
76.存储电容器cst可以包括第一端子和第二端子。存储电容器cst可以连接在用于高电源电压elvdd的布线与第一晶体管tr1的栅极端子之间。例如，存储电容器cst的第一端子可以连接到第一晶体管tr1的栅极端子，并且存储电容器cst的第二端子可以连接到用于高电源电压elvdd的布线。存储电容器cst可以在栅信号gw的去激活时段期间保持第一晶体管tr1的栅极端子的电压电平。栅信号gw的去激活时段可以包括发光控制信号em的激活时段，并且由第一晶体管tr1产生的驱动电流id可以在发光控制信号em的激活时段期间被提供给有机发光二极管oled。因此，由第一晶体管tr1生成的驱动电流id可以基于由存储电容器cst保持的电压电平被提供给有机发光二极管oled。
77.然而，本发明的实施例不限于此。例如，像素电路可以具有包括至少一个晶体管和至少一个存储电容器的构造。
78.图4是示出设置在根据本发明的实施例的显示装置的显示区域中的像素单元的截面图。
79.参考图4，设置在显示区域da1或da2中的像素单元px可以包括设置在基底基板110上的驱动晶体管、电连接到驱动晶体管的有机发光二极管260和覆盖有机发光二极管260的封装层210。支撑膜sf可以设置在基底基板110的下表面上以支撑基底基板110。
80.缓冲层120可以设置在基底基板110上。第一有源图案ap1可以设置在缓冲层120上。
81.例如，基底基板110可以包括玻璃、石英、硅、聚合材料等。例如，聚合材料可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚酮、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚砜、聚酰亚胺等。
82.缓冲层120可以防止或减少来自基底基板110的下方的杂质、湿气或外部气体的渗透，并且可以平坦化基底基板110的上表面。例如，缓冲层120可以包括诸如氧化物、氮化物等的无机材料。
83.第一栅电极ge1可以设置在第一有源图案ap1上。第一绝缘层130可以设置在第一有源图案ap1与第一栅电极ge1之间。
84.栅布线图案gp可以设置在第一栅电极ge1上。栅布线图案gp可以包括用于形成电容器的电容器电极、用于传输各种信号的布线等。
85.第二绝缘层140可以设置在第一栅电极ge1与栅布线图案gp之间。第三绝缘层150可以设置在栅布线图案gp上。
86.例如，第一有源图案ap1可以包括硅或金属氧化物半导体。在实施例中，第一有源图案ap1可以包括可以被掺杂有n型杂质或p型杂质的多晶硅(polysilicon)。
87.在另一实施例或未示出的另一晶体管中，有源图案可以包括金属氧化物半导体。例如，有源图案可以包括包含铟(in)、锌(zn)、镓(ga)、锡(sn)、钛(ti)、铝(al)、铪(hf)、锆(zr)、镁(mg)等的二元化合物(ab
x
)、三元化合物(ab
xcy
)或四元化合物(ab
xcydz
)。例如，有源图案可以包括氧化锌(zno
x
)、氧化镓(gao
x
)、氧化钛(tio
x
)、氧化锡(sno
x
)、氧化铟(ino
x
)、氧化铟镓(igo)、氧化铟锌(izo)、氧化铟锡(ito)、氧化镓锌(gzo)、氧化锌镁(zmo)、氧化锌锡(zto)、氧化锌锆(znzr
x
oy)、氧化铟镓锌(igzo)、氧化铟锌锡(izto)、氧化铟镓铪(igho)、氧化锡铝锌(tazo)、氧化铟镓锡(igto)等。
88.第一绝缘层130、第二绝缘层140和第三绝缘层150可以包括氧化硅、氮化硅、碳化硅或其组合。此外，第一绝缘层130、第二绝缘层140和第三绝缘层150可以包括诸如氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等的绝缘金属氧化物。例如，第一绝缘层130、第二绝缘层140和第三绝缘层150可以各自具有包括氮化硅和/或氧化硅的单层结构或多层结构，或者可以具有彼此不同的结构。
89.第一栅电极ge1和栅布线图案gp可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物等。例如，第一栅电极ge1和栅布线图案gp可以包括金(au)、银(ag)、铝(al)、铜(cu)、镍(ni)、铂(pt)、镁(mg)、铬(cr)、钨(w)、钼(mo)、钛(ti)、钽(ta)或其合金，并且可以具有单层结构或者包括不同金属层的多层结构。在实施例中，第一栅电极ge1和栅布线图案gp可以
具有至少包括钼的多层结构。
90.第一源金属图案可以设置在第三绝缘层150上。第一源金属图案可以包括与第一有源图案ap1接触的第一源电极se1和第一漏电极de1。第一源电极se1和第一漏电极de1可以各自穿过设置在其下的绝缘层以与第一有源图案ap1接触。
91.第四绝缘层160可以设置在第一源金属图案上。第二源金属图案可以设置在第四绝缘层160上。第二源金属图案可以包括用于将第一漏电极de1电连接到设置在其上的有机发光二极管260的连接电极ce。在实施例中，第二源金属图案可以进一步包括用于防止施加到有机发光二极管260的电力的电压降的网状电力线。第五绝缘层170可以设置在第二源金属图案上。
92.第一源金属图案和第二源金属图案可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物等。例如，第一源金属图案和第二源金属图案可以包括金(au)、银(ag)、铝(al)、铜(cu)、镍(ni)、铂(pt)、镁(mg)、铬(cr)、钨(w)、钼(mo)、钛(ti)、钽(ta)或其合金，并且可以具有单层结构或者包括不同金属层的多层结构。在实施例中，第一源金属图案和第二源金属图案可以具有至少包括铝的多层结构。例如，第一源金属图案和第二源金属图案可以具有铝层和钛层的堆叠结构。
93.第四绝缘层160和第五绝缘层170可以包括有机材料。例如，第四绝缘层160和第五绝缘层170可以包括有机绝缘材料，例如酚醛树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、硅氧烷树脂、环氧树脂等。
94.有机发光二极管260可以设置在第五绝缘层170上。有机发光二极管260可以包括与连接电极ce接触的第一电极262、设置在第一电极262上的发光层264和设置在发光层264上的第二电极266。第一电极262可以是有机发光二极管260的下电极，并且第二电极266可以是有机发光二极管260的上电极。
95.第一电极262可以用作阳极。例如，根据显示装置的发射类型，第一电极262可以被形成为透光电极或反光电极。当第一电极262为透光电极时，第一电极262可以包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌锡、氧化铟、氧化锌、氧化锡等。当第一电极262为反光电极时，第一电极262可以包括金(au)、银(ag)、铝(al)、铜(cu)、镍(ni)、铂(pt)、镁(mg)、铬(cr)、钨(w)、钼(mo)、钛(ti)或其组合，并且可以具有进一步包括可以用于透光电极的材料的堆叠结构。
96.像素限定层180具有暴露第一电极262的至少一部分的开口。例如，像素限定层180可以包括有机绝缘材料。
97.发光层264可以具有包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层中的至少一种的单层结构或多层结构。例如，发光层264可以包括低分子量有机化合物或高分子量有机化合物。
98.在实施例中，发光层264可以发射红光、绿光或蓝光。在另一实施例中，发光层264可以发射白光。发射白光的发光层264可以具有包括红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层的多层结构或者包括红色发射材料、绿色发射材料和蓝色发射材料的混合物的单层结构。
99.根据显示装置的发射类型，第二电极266可以被形成为透光电极或反光电极。例如，第二电极266可以包括金属、金属合金、金属氮化物、金属氟化物、导电金属氧化物或其组合。
100.例如，第二电极266可以跨显示区域中的多个像素连续延伸。在实施例中，可以在
第二电极266上进一步形成封盖层和阻挡层。
101.封装层210完全地设置在显示区域da1和da2中以覆盖有机发光二极管260。
102.例如，封装层210可以具有无机薄膜和有机薄膜的堆叠结构。例如，如图4中所示，封装层210可以包括第一无机薄膜212、设置在第一无机薄膜212上的有机薄膜214和设置在有机薄膜214上的第二无机薄膜216。然而，本发明的实施例不限于此。例如，封装层210可以具有包括至少两个有机薄膜和至少三个无机薄膜的结构。
103.例如，有机薄膜214可以包括固化聚合物，例如聚丙烯酸酯等。例如，固化聚合物可以由单体的交联反应形成。例如，无机薄膜212和216可以包括无机材料，例如氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。
104.触摸屏可以设置在封装层210上。例如，触摸感测电极tse和覆盖触摸感测电极tse的触摸绝缘层230可以设置在封装层210上。例如，触摸感测电极tse可以包括透明导电材料，例如氧化铟锡、氧化铟锌等。
105.偏振层240和保护窗250可以设置在触摸屏上。可以在偏振层240与触摸屏之间和偏振层240与保护窗250之间提供粘合剂或透明粘合膜。
106.为了便于说明，图4示出了将电力传输到有机发光二极管的晶体管。如上面参考图3所说明的，像素单元可以包括多个晶体管，并且晶体管可以包括不同的沟道材料或者可以形成在不同的层中。
107.图5是示出图1的区域“a”的放大平面图。图6是沿图5的线i-i’截取的截面图。
108.参考图5和图6，非显示区域包括第一非显示区域nda1和第二非显示区域nda2。第二非显示区域nda2设置在第一非显示区域nda1与显示区域da1和da2之间。例如，第一非显示区域nda1可以由未设置封装层210的区域限定。第二非显示区域nda2可以由在第一非显示区域nda1与显示区域da1和da2之间去除有机绝缘层的区域限定。因此，封装层210可以在第二非显示区域nda2中与封装层210之下的无机绝缘层140直接接触。
109.在形成封装层210的工艺中，通过去除了有机绝缘层的区域可以防止单体溢出到第一非显示区域nda1中。
110.在实施例中，第二非显示区域nda2可以设置在像显示区域da1和da2那样的、不具有曲率的平坦区域中。然而，本发明的实施例不限于此。第二非显示区域nda2可以设置在像第一非显示区域nda1那样的、具有曲率的弯曲区域中。
111.在实施例中，非显示区域可以沿第一方向d1延伸，并且可以沿垂直于第一方向d1的第二方向d2与显示区域da1和da2相邻。
112.信号布线和电力布线可以设置在显示区域da1和da2以及非显示区域中。在实施例中，信号布线可以与非显示区域交叉，并且沿第二方向d2在显示区域da1和da2中延伸。
113.信号布线可以将各种驱动信号或驱动电压传输到显示区域da1和da2中的像素。例如，信号布线可以包括分别传输不同信号的多条信号布线。
114.例如，第一信号布线可以包括设置在第一显示区域da1中并且沿第二方向d2延伸的第一信号布线图案sl1、设置在第二显示区域da2中并且沿第二方向d2延伸的第二信号布线图案sl1’以及将第一信号布线图案sl1电连接到第二信号布线图案sl1’的第一桥接图案bp1。
115.第二信号布线可以包括设置在第一显示区域da1中并且沿第二方向d2延伸的第一
信号布线图案sl2、设置在第二显示区域da2中并且沿第二方向d2延伸的第二信号布线图案sl2’以及将第一信号布线图案sl2电连接到第二信号布线图案sl2’的第二桥接图案bp2。
116.第三信号布线可以包括设置在第一显示区域da1中并且沿第二方向d2延伸的第一信号布线图案sl3、设置在第二显示区域da2中并且沿第二方向d2延伸的第二信号布线图案sl3’以及将第一信号布线图案sl3电连接到第二信号布线图案sl3’的第三桥接图案bp3。
117.第一至第三信号布线可以传输图3中示出的初始化电压vint、栅信号gw、栅初始化信号gi、发光控制信号em、二极管初始化信号gb等。例如，第一信号布线可以传输栅信号gw，第二信号布线可以传输发光控制信号em，第三信号布线可以传输初始化电压vint。然而，上述组合是示例性的实施例。本发明的实施例不限于此，并且各种组合可以是可能的。
118.在实施例中，显示装置包括在非显示区域中沿第一方向d1延伸的电力总线布线以及在显示区域da1和da2以及非显示区域中沿第二方向d2延伸的电力布线pl。
119.在实施例中，电力总线布线包括第一电力总线布线pbl1和第二电力总线布线pbl2。第一电力总线布线pbl1电连接到电力布线pl以将第一电力电压提供给电力布线pl。第一电力电压可以被提供给驱动晶体管。第二电力总线布线pbl可以传输提供给有机发光二极管的阴极的第二电力电压。
120.电力总线布线和电力布线pl可以设置在彼此不同的层中。例如，电力总线布线可以被包括在第一源金属图案中，并且电力布线pl可以被包括在第二源金属图案中。
121.在实施例中，在与弯曲区域相对应的第一非显示区域nda1中去除封装层210和无机层。此外，随着无机层的去除，去除具有小的延展性的栅金属图案。此外，由于非显示区域不产生光，因此发光元件不设置在非显示区域中。因此，由于去除了对弯曲应力弱的无机层、用于发光元件的公共层和栅金属图案，因此可以达到大体上减小显示装置的弯曲区域的曲率的效果。
122.参考图6，在第一非显示区域nda1的至少一部分中去除从显示区域延伸并且包括无机材料的缓冲层120、第一绝缘层130、第二绝缘层140和第三绝缘层150。去除了无机层的区域可以沿第一方向d1作为第一非显示区域nda1延伸。
123.下补偿层155可以设置在去除了无机层的区域中。下补偿层155可以补偿高度差并且可以减小由弯曲引起的应力。下补偿层155可以与基底基板110的上表面接触。例如，下补偿层155可以包括类似于用于第四绝缘层160的材料等的有机绝缘材料。
124.在实施例中，下补偿层155可以具有填充去除了无机层的区域的图案形状。然而，本发明的实施例不限于此。下补偿层155可以在水平方向上连续延伸以覆盖第三绝缘层150的上表面。
125.电力总线布线pbl1和pbl2可以设置在下补偿层155上。电力总线布线pbl1和pbl2可以被包括在第一源金属图案中以与显示区域中的第一源电极se1和第一漏电极de1设置在同一层中。
126.第一信号布线的第一信号布线图案sl1和第二信号布线图案sl1’可以由与第一栅电极ge1相同的层形成。因此，第一信号布线的第一信号布线图案sl1和第二信号布线图案sl1’可以设置在第一绝缘层130与第二绝缘层140之间。然而，本发明的实施例不限于此。例如，第一信号布线的第一信号布线图案sl1和第二信号布线图案sl1’可以由与栅布线图案gp相同的层形成。
127.有机保护图案设置在第一非显示区域nda1中。有机保护图案可以保护信号布线、电力布线、电力总线布线等。此外，当形成封装层的有机薄膜214时，有机保护图案可以用作防止单体溢出到第一非显示区域nda1中的坝。有机保护图案可以像第一非显示区域nda1那样沿第一方向d1延伸。
128.例如，有机保护图案可以包括第一有机图案162、设置在第一有机图案162上的第二有机图案172和设置在第二有机图案172上的第三有机图案182。第一有机图案162可以由与显示区域中的第四绝缘层160相同的层形成，第二有机图案172可以由与显示区域中的第五绝缘层170相同的层形成，并且第三有机图案182可以由与显示区域中的像素限定层180相同的层形成。然而，本发明的实施例不限于上述组合。例如，有机保护图案可以具有双层结构或者包括至少四层的多层结构。
129.参考图6，第一有机图案162设置在第三绝缘层150和下补偿层155上，并且覆盖电力总线布线pbl1和pbl2。
130.第一桥接图案bp1设置在第一有机图案162上。第一桥接图案bp1可以被包括在第二源金属图案中以与显示区域中的连接电极ce设置在同一层中。第一桥接图案bp1可以穿过第一有机图案162和在其下的无机层以与第一信号布线的第一信号布线图案sl1和第二信号布线图案sl1’形成电接触。第一信号布线可以与非显示区域交叉以从第一显示区域da1延伸到第二显示区域da2。
131.上补偿层220可以设置在有机保护图案上。由于在第一非显示区域nda1中去除了封装层210，因此可能产生高度差。上补偿层220可以补偿高度差并且可以减小由弯曲引起的应力。因此，上补偿层220可以填充设置在第一显示区域da1中的第一封装层与设置在第二显示区域da2中的第二封装层之间的间隙。
132.例如，上补偿层220可以通过涂覆或选择性地滴下诸如粘合剂树脂、可固化单体等的有机材料来形成。例如，上补偿层220可以包括酚醛树脂、丙烯酸树脂、硅氧烷树脂、环氧树脂等。
133.触摸绝缘层230、偏振层240和保护窗250可以设置在上补偿层220上。
134.在实施例中，附接到基底基板110的下表面的支撑膜sf可以具有与第一非显示区域nda1重叠的开口op。开口op可以由去除了支撑膜sf的区域限定。因此，可以减小由支撑膜sf引起的应力。
135.此外，由于设置在非显示区域中的桥接图案、电力总线布线、电力布线等由具有相对高延展性的、包括铝的源金属图案形成，因此可以提高布线的可靠性。
136.图7至图10是示出根据本发明的实施例的显示装置的截面图。
137.参考图7，可以在显示装置的第一非显示区域nda1中进一步设置触摸感测线tl和屏蔽图案sp。
138.在实施例中，触摸感测线tl可以设置在上补偿层220上，并且可以在第一非显示区域nda1中沿第一方向d1延伸。触摸感测线tl可以电连接到显示区域中的触摸感测电极tse，以提供感测所需的电压并且传递电容变化。例如，触摸感测线tl可以由与触摸感测电极tse相同的层形成。
139.屏蔽图案sp可以设置在触摸感测线tl与信号布线之间以防止由信号布线的干扰引起的感测噪声。
140.在实施例中，屏蔽图案sp可以设置在第二有机图案172与第三有机图案182之间。例如，屏蔽图案sp可以由与有机发光二极管260的第一电极262相同的层形成。
141.触摸感测线tl和屏蔽图案sp可以像第一非显示区域nda1一样沿第一方向d1延伸。
142.参考图8，电力总线布线pbl1和pbl2可以在去除了包括无机材料的缓冲层120、第一绝缘层130、第二绝缘层140和第三绝缘层150的区域中直接设置在基底基板110的上表面上。
143.有机保护图案的第一有机图案162可以填充去除了无机层的区域，并且可以覆盖电力总线布线pbl1和pbl2。
144.根据上述构造，可以省略图6中示出的下补偿层155，并且第一有机图案162可以形成填充部分。因此，可以简化用于制造显示装置的工艺。
145.参考图9，设置在有机保护图案上的上补偿层222可以在水平方向上延伸以覆盖封装层210的上表面。
146.参考图10，附接到基底基板110的下表面的支撑膜sf可以包括与显示区域重叠的支撑部分sa以及与第一非显示区域nda1重叠的弯曲部分ba。在实施例中，弯曲部分ba包括与支撑部分sa不同的材料。弯曲部分ba可以包括具有比支撑部分sa更大的柔性或更大的延展性的材料。例如，支撑部分sa可以包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯等，并且弯曲部分ba可以包括聚氨酯等。
147.因此，可以减小弯曲区域中的应力。
148.图11是示出根据本发明的实施例的显示装置的弯曲区域的放大平面图。图12是沿图11的线ii-ii’截取的截面图。
149.参考图11和图12，用于延续信号布线的桥接图案bp1、bp2和bp3可以设置在第一非显示区域nda1中。此外，沿第一方向d1延伸的电力总线布线pbl1和pbl2可以设置在第一非显示区域nda1中。
150.在实施例中，设置在显示区域中的电力布线和设置在第一非显示区域nda1中的电力总线布线pbl1和pbl2可以设置在同一层中。因此，桥接图案bp4可以设置在第一非显示区域nda1中以将通过第一非显示区域nda1彼此分开的第一电力总线布线图案pl1和第二电力总线布线图案pl2彼此连接。
151.在实施例中，桥接图案bp1、bp2、bp3和bp4可以设置在电力总线布线pbl1和pbl2之下。例如，桥接图案bp1、bp2、bp3和bp4可以被包括在第一源金属图案中以与显示区域中的第一源电极se1和第一漏电极de1设置在同一层中。电力总线布线pbl1和pbl2可以被包括在第二源金属图案中以与显示区域中的连接电极ce设置在同一层中。
152.例如，桥接图案bp1、bp2、bp3和bp4可以设置在有机保护图案与基底基板110之间。下补偿层155可以设置在桥接图案bp1、bp2、bp3和bp4之下。
153.例如，电力总线布线pbl1和pbl2可以设置在有机保护图案的第一有机图案162与第二有机图案172之间。
154.图13是示出根据本发明的实施例的显示装置的弯曲区域的放大平面图。图14是沿图13的线iii-iii’截取的截面图。
155.参考图13和图14，用于延续信号布线的桥接图案bp1、bp2和bp3可以设置在第一非显示区域nda1中。此外，桥接图案bp4可以设置在第一非显示区域nda1中以将通过非显示区
域彼此分开的电力总线布线图案pl1和pl2彼此连接。
156.沿第一方向d1延伸的触摸感测线tl和屏蔽图案sp设置在第一非显示区域nda1中。
157.屏蔽图案sp可以设置在触摸感测线tl与信号布线之间以防止由信号布线的干扰引起的感测噪声。
158.在实施例中，桥接图案bp1、bp2、bp3和bp4可以被包括在第一源金属图案中以与显示区域中的第一源电极se1和第一漏电极de1设置在同一层中。屏蔽图案sp可以被包括在第二源金属图案中以与显示区域中的连接电极ce设置在同一层中。因此，屏蔽图案sp可以设置在第二有机图案172与第一有机图案162之间。
159.图15是示出根据本发明的实施例的显示装置的弯曲区域的放大平面图。图16是沿图15的线iv-iv’截取的截面图。图17是沿图15的线v-v’截取的截面图。
160.参考图15和图16，驱动电路dc设置在第一非显示区域nda1中。驱动电路dc可以产生驱动信号。例如，驱动信号可以包括栅信号、发光控制信号等。例如，驱动电路dc可以将栅信号提供给第一信号布线sl1和sl1’并且可以将发光控制信号提供给第二信号布线sl2和sl2’。
161.驱动电路dc可以包括用于产生驱动信号的晶体管。驱动电路dc的晶体管可以与显示区域中的晶体管一起形成。例如，如图17中所示，驱动电路dc的晶体管可以包括设置在缓冲层120上的第二有源图案ap2、设置在第一绝缘层130上并且与第二有源图案ap2重叠的第二栅电极ge2、与第二有源图案ap2接触的第二源电极se2和第二漏电极de2。
162.有机保护图案和上补偿层220可以设置在驱动电路dc的晶体管上。此外，触摸感测线tl可以设置在上补偿层220上，并且屏蔽图案sp可以设置在触摸感测线tl之下。
163.在实施例中，在第一非显示区域nda1中没有去除而是保留了无机层120、130、140和150以在第一非显示区域nda1中形成驱动电路dc。因此，如图16中所示，不从驱动电路dc接收驱动信号的布线sl3可以在没有桥接图案的情况下穿过第一非显示区域nda1。
164.在实施例中，产生驱动信号的驱动电路dc可以设置在弯曲区域的非显示区域中。因此，可以减小外围区域的尺寸。此外，由于在非显示区域中去除了封装层并且在非显示区域中设置了补偿层，因此可以减小弯曲区域中的应力。
165.图18是示出根据本发明的实施例的显示装置的平面图。
166.参考图18，根据本发明的实施例的显示装置20包括第一显示区域da1和第二显示区域da2。在实施例中，显示装置20可以部分弯曲以具有侧显示区域。例如，第一显示区域da1可以与前显示区域相对应，并且第二显示区域da2可以与侧显示区域相对应。
167.包括发光元件的像素px的阵列设置在显示区域da1和da2中的每一个中以响应于驱动信号而产生光。
168.在实施例中，显示装置20包括设置在第一显示区域da1与第二显示区域da2之间的非显示区域nda。在实施例中，非显示区域nda的至少一部分可以弯曲以具有曲率。因此，非显示区域nda可以与连接前显示区域和侧显示区域的弯曲区域相对应。
169.在实施例中，显示装置20可以包括分别与具有矩形形状的第一显示区域da1的每一条边相对应的四个第二显示区域da2。因此，显示装置20可以包括四个非显示区域nda。
170.因此，显示装置20可以在前表面和四个侧表面处显示图像。
171.前述内容是对实施例的说明，而不应被解释为对其进行限制。尽管已经描述了一
些实施例，但是本领域技术人员将容易理解，在不实质上脱离本发明构思的新颖教导和优点的情况下，可以在实施例中进行许多修改。
172.工业实用性
173.本发明可以应用于各种显示装置。例如，本发明可以应用于车辆显示装置、船舶显示装置、飞行器显示装置、便携式通信装置、用于显示或用于信息传输的显示装置、医疗显示装置等。