1.本发明涉及显示装置。
背景技术：
：：2.显示装置的像素驱动电路包括利用了硅的薄膜晶体管。作为构成薄膜晶体管的硅，使用非晶硅或多晶硅。3.近几年，趋势是利用多晶硅薄膜晶体管(polycrystallinesilicontft：poly-sitft)代替非晶硅薄膜晶体管。多晶硅薄膜晶体管与非晶硅薄膜晶体管相比，电子移动度大，且相对于光的照射的稳定性出色。因此，该多晶硅薄膜晶体管适合被用作显示装置的驱动和/或开关薄膜晶体管的活性层。4.多晶硅可以通过各种方法制作，这种方法大致可以分为直接沉积多晶硅的方法和沉积非晶硅之后使其结晶化的方法。在沉积非晶硅薄膜之后使其结晶化的方法中，非晶硅薄膜通过激光束照射方式或加热方式等而被结晶化。技术实现要素：5.本发明想要解决的课题在于，提供一种在ela(excimerlaserannealing，准分子激光退火)工序中最小化释气(out-gassing)来提高可靠度的显示装置以及显示装置的制造方法。6.本发明的课题并不限于以上所提及的课题，本领域技术人员应当能够从以下的记载中明确理解未提及的其他技术课题。7.用于解决所述的课题的一实施例涉及的显示装置包括：基板；以及半导体层，配置在所述基板上，且包括在厚度方向上进行三等分而依次设置的第一区域、第二区域和第三区域，所述半导体层包括多晶硅，包括于所述半导体层的氟(f)的浓度在所述第一区域内具有第一峰值，在所述第三区域内具有第二峰值，所述第一峰值的氟(f)浓度在所述第二峰值的氟(f)浓度的30％以下。8.可以是，所述半导体层还包括在所述半导体层的内部氟(f)的浓度最低的低点，所述低点的氟(f)浓度等于或小于所述第一峰值的氟(f)浓度。9.可以是，所述低点的氟(f)浓度在1e20atom/cm3以下。10.可以是，所述低点位于所述第二区域内。11.可以是，所述半导体层还包括与所述基板对置的第一表面以及作为所述第一表面的相反面的第二表面，所述第一表面位于所述第一区域内，所述第二表面位于所述第三区域内，以所述厚度方向为基准，所述第一峰值位于所述第一表面，所述第二峰值位于所述第二表面。12.可以是，所述显示装置还包括：阻挡层，配置在所述基板上；以及缓冲层，配置在所述阻挡层上，并且包括依次层叠的第一缓冲膜和第二缓冲膜，所述阻挡层和所述第二缓冲膜包括硅氧化物，所述第一缓冲膜包括硅氮化物。13.可以是，所述第二缓冲膜的膜密度大于所述阻挡层的膜密度。14.可以是，所述第二缓冲膜的膜密度在2.2g/cm3至2.25g/cm3的范围内。15.可以是，所述第二缓冲膜的氢(h)浓度小于所述阻挡层的氢(h)浓度。16.可以是，所述第二缓冲膜的所述氢(h)浓度在5at％以下。17.可以是，所述第一缓冲膜包括与所述阻挡层对置的第三表面以及作为所述第三表面的相反面的第四表面，包括于所述第一缓冲膜的氟(f)的浓度在所述第三表面和所述第四表面中的至少任一个中具有第三峰值，所述第三峰值的氟(f)浓度以所述厚度方向为基准大于所述第一缓冲膜的中心地点的氟(f)浓度。18.可以是，所述第三峰值的氟(f)浓度在所述第一缓冲膜的所述中心地点的氟(f)浓度的2.5倍以下。19.可以是，包括于所述第一缓冲膜的碳(c)的浓度在所述第三表面和所述第四表面中的至少任一个中具有第四峰值，所述第四峰值的碳(c)浓度在所述第一缓冲膜的所述中心地点的碳(c)浓度的2.5倍以下。20.用于解决所述的课题的一实施例涉及的显示装置包括：基板；第一缓冲膜，配置在所述基板上，并且包括硅氮化物；第二缓冲膜，配置在所述第一缓冲膜上，并且包括硅氧化物；以及半导体层，配置在所述第二缓冲膜上，并且包括多晶硅，所述第二缓冲膜的膜密度在2.2g/cm3至2.25g/cm3的范围内。21.可以是，所述第二缓冲膜的氢(h)浓度在5at％以下。22.可以是，所述显示装置还包括：阻挡层，配置在所述基板与所述第一缓冲膜之间，并且包括硅氧化物，所述阻挡层的膜密度小于所述第二缓冲膜的膜密度，所述阻挡层的氢(h)浓度大于所述第二缓冲膜的氢(h)浓度。23.用于解决所述的课题的一实施例涉及的显示装置包括：基板；第一缓冲膜，配置在所述基板上，并且包括硅氮化物；第二缓冲膜，配置在所述第一缓冲膜上，并且包括硅氧化物；以及半导体层，配置在所述第二缓冲膜上，并且包括多晶硅，所述第一缓冲膜包括与所述基板对置的第三表面以及作为所述第三表面的相反面的第四表面，包括于所述第一缓冲膜的氟(f)的浓度在所述第三表面和所述第四表面中的至少任一个中具有第三峰值，所述第三峰值的氟(f)浓度以厚度方向为基准在所述第一缓冲膜的中心地点的氟(f)浓度的2.5倍以下。24.可以是，所述第三峰值的氟(f)浓度大于所述第一缓冲膜的所述中心地点的氟(f)浓度。25.可以是，所述第一缓冲膜的所述中心地点的氟(f)浓度小于1e20atom/cm3。26.可以是，包括于所述第一缓冲膜的碳(c)的浓度在所述第三表面和所述第四表面中的至少任一个中具有第四峰值，所述第四峰值的碳(c)浓度在所述第一缓冲膜的所述中心地点的碳(c)浓度的2.5倍以下。27.其他实施例的具体事项包括在详细说明以及附图中。28.(发明效果)29.根据一实施例涉及的显示装置以及显示装置的制造方法，可以在ela(excimerlaserannealing，准分子激光退火)工序中最小化释气(out-gassing)来提高显示装置的可靠度。30.各实施例涉及的效果并不限于以上例示的内容，在本说明书内包括更多的效果。附图说明31.图1是一实施例涉及的显示装置的平面图。32.图2是图1的显示装置的侧面图。33.图3是一实施例涉及的显示装置的一像素的等效电路图。34.图4是一实施例涉及的显示装置的剖视图。35.图5是放大了一实施例涉及的缓冲层的周边的截面的放大图。36.图6是表示一实施例涉及的显示装置的缓冲层和阻挡层的氟(f)浓度的图表。37.图7是表示一实施例涉及的显示装置的缓冲层和阻挡层的碳(c)浓度图表。38.图8是表示一实施例涉及的显示装置的第一绝缘层、半导体层和缓冲层的氢(h)浓度的图表。39.图9是表示一实施例涉及的显示装置的半导体层、缓冲层和阻挡层的氢(h)浓度的图表。40.图10是表示随着加热一实施例涉及的缓冲层而释放的氢(h)气的量的图表。41.图11是表示一实施例涉及的显示装置的半导体层及其周边的氟(f)浓度的图表。42.图12至图16是用于说明一实施例涉及的显示装置的制造方法的剖视图。43.图17表示说明其他实施例涉及的显示装置的制造方法的剖视图。44.(符号说明)45.1：显示装置；100：显示面板；sub：基底基板；110：阻挡层；120：缓冲层；121：第一缓冲膜；122：第二缓冲膜；130：半导体层；140：第一栅极导电层；150：第二栅极导电层；160：数据导电层；ano：阳极；eml：发光层；cat：阴极。具体实施方式46.参照与附图一同详细后述的各实施例，本发明的优点、特征以及达成这些优点和特征的方法会变得明确。但是，本发明并不限于以下公开的各实施例，可以以互不相同的形态实现，各实施例仅仅使本发明的公开变得完整，并且是为了向本领域技术人员完整地告知发明的范畴而提供的，应仅由权利要求书的范畴定义本发明。47.元件(elements)或者层位于其他元件或者层上(on)的情况不仅包括直接位于其他元件上的情况，还包括其间存在其他层或其他元件的情况。在整个说明书中，同一符号指代同一构成要素。48.虽然为了叙述各构成要素而使用第一、第二等，但是各构成要素当然不限于这些用语。这些用语仅用作使一个构成要素区别于其他构成要素的目的。因此，在本发明的技术思想内，以下提及的第一构成要素当然也可以是第二构成要素。49.以下，参照附图，说明具体的各实施例。50.图1是一实施例涉及的显示装置的平面图。图2是图1的显示装置的侧面图。图2表示在厚度方向上弯曲了显示装置的状态的侧面形状。51.显示装置1是显示动态图像或静态图像的装置，显示装置1不仅可以用作如移动电话、智能电话、平板pc(personalcomputer)及智能手表、手表电话、移动通信终端机、电子手册、电子书、pmp(portablemultimediaplayer)、导航仪、umpc(ultramobilepc)等这样的便携式电子设备的显示画面外，还可以用作电视机、笔记本电脑、显示器、广告板、物联网等各种产品的显示画面。52.一实施例涉及的显示装置1在平面上可以形成实质上的矩形形状。显示装置1可以是在平面上角部垂直的矩形。但是，并不限于此，显示装置1也可以是在平面上角部圆的矩形形状。53.在附图中，第一方向dr1在平面图上表示显示装置1的横向，第二方向dr2在平面图上表示显示装置1的纵向。此外，第三方向dr3表示显示装置1的厚度方向。第一方向dr1和第二方向dr2彼此垂直地交叉，第三方向dr3是与第一方向dr1和第二方向dr2所处的平面交叉的方向，与第一方向dr1及第二方向dr2均垂直地交叉。但是，应理解在实施例中所提及的方向表示相对的方向，实施例并不限于所提及的方向。54.只要没有不同的定义，在本说明书中以第三方向dr3为基准表现的“上部”、“上表面”、“上侧”意味着以显示面板100为基准的显示面侧，“下部”、“下表面”、“下侧”意味着以显示面板100为基准的显示面的相反侧。55.参照图1和图2，显示装置1可以包括显示面板100。显示面板100可以是包括如聚酰亚胺等这样的挠性高分子物质的柔性基板。由此，显示面板100可以被弯曲、被弯折、被折叠、被卷曲。56.显示面板100可以是有机发光显示面板。在以下的实施例中，作为显示面板100例示适用了有机发光显示面板的情况，但是并不限于此，也可以适用如液晶显示器(lcd)、量子点有机发光显示面板(qd-oled)、量子点液晶显示器(qd-lcd)、量子纳米发光显示面板(nanoned)、微型led(microled)等其他种类的显示面板。57.显示面板100可以包括显示画面的显示区域da以及不实现显示的非显示区域nda。显示面板100在平面图上可以被划分为显示区域da和非显示区域nda。非显示区域nda可以被配置成包围显示区域da。非显示区域nda可以构成边框。58.显示区域da可以是在平面上角部垂直的矩形形状或角部圆的矩形形状。但是，显示区域da的平面形状并不限于矩形，可以具有圆形、椭圆形或其他各种形状。59.显示区域da可以包括多个像素。可以以矩阵形状配置各像素。各像素可以包括发光层以及控制发光层的发光量的电路层。电路层可以包括布线、电极以及至少一个晶体管。发光层可以包括有机发光物质。发光层可以被封装膜密封。对于像素的具体构成将后述。60.非显示区域nda可以包围显示区域da的所有边并构成显示区域da的边框。但是，并不限于此。61.显示面板100可以包括主区域ma以及与主区域ma的第二方向dr2的一侧连接的弯曲区域ba。显示面板100还可以包括在第二方向dr2的一侧与弯曲区域ba连接且在厚度方向上被弯曲而在厚度方向上与主区域ma重叠的子区域sa。62.显示区域da可以位于主区域ma。非显示区域nda可以位于主区域ma的显示区域da的周边边缘部分。63.主区域ma可以具有与显示装置1在平面上的外形类似的形状。主区域ma可以是位于一平面的平坦区域。但是，并不限于此，在主区域ma中，除了与弯曲区域ba连接的边缘(边)以外的其余边缘中的至少一个边缘也可以被弯曲而构成曲面或在垂直方向上被弯折。transistor)形成。此外，在图3中说明了第一晶体管tr1和第二晶体管tr2分别由n型mosfet(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)形成的情况，但是并不限于此。第一晶体管tr1和第二晶体管tr2也可以由p型mosfet形成。在该情况下，第一晶体管tr1和第二晶体管tr2各自的源电极和漏电极的位置可以被变更。以下，例示说明第一晶体管tr1和第二晶体管tr2为n型mosfet的情况。76.第一晶体管tr1可以是驱动晶体管。具体而言，第一晶体管tr1的栅电极与第二晶体管tr2的第二源/漏电极和电容器cst的第二电极连接。第一晶体管tr1的第一源/漏电极与第一电源线elvdl连接。第一晶体管tr1的第二源/漏电极与发光元件oled的阳极连接。第一晶体管tr1根据第二晶体管tr2的开关操作而接收数据信号dj(j是1以上的整数)的传递，从而向发光元件oled供给驱动电流。77.第二晶体管tr2的栅电极与扫描线sl连接。第二晶体管tr2的第一源/漏电极与数据线dl连接。第二晶体管tr2的第二源/漏电极与第一晶体管tr1的栅电极及电容器cst的第二电极连接。第二晶体管tr2根据扫描信号sk(k是1以上的整数)而被导通，从而执行将数据信号dj(j是1以上的整数)传递至第一晶体管tr1的栅电极的开关操作。78.电容器cst的第一电极可以与第一电源线elvdl及第一晶体管tr1的第一源/漏电极连接，电容器cst的第二电极可以与第一晶体管tr1的栅电极及第二晶体管tr2的第二源/漏电极连接。电容器cst可以起到将施加到第一晶体管tr1的栅电极的数据电压维持一定的作用。79.发光元件oled可以根据第一晶体管tr1的驱动电流而发光。发光元件oled可以是包括阳极、有机发光层以及阴极(或第二电极)的有机发光二极管(organiclightemittingdiode)。发光元件oled的阳极可以与第一晶体管tr1的第二源/漏电极连接，阴极可以与施加比第一电源电压elvdd低的第二电源电压elvss的第二电源线elvsl连接。80.以下，详细说明上述的像素px的截面结构。81.图4是一实施例涉及的显示装置的剖视图。82.参照图4，一实施例涉及的显示装置1可以包括下部覆盖部件cpl、显示面板100、触摸部件tsp、防反射部件arm以及盖窗win，下部覆盖部件cpl、显示面板100、触摸部件tsp、防反射部件arm以及盖窗win可以依次被层叠。在各层叠部件之间可以配置如粘接层或粘合层这样的至少一个结合部件来结合相邻的层叠部件。但是，并不限于此，在各层之间还可以配置其他层，也可以省略各层叠部件中的一部分。83.显示面板100可以包括基底基板sub、阻挡层110、缓冲层120、半导体层130、第一绝缘层il1、第一栅极导电层140、第二绝缘层il2、第二栅极导电层150、第三绝缘层il3、数据导电层160、第四绝缘层il4、阳极ano、包括使阳极ano露出的开口部的像素定义膜pdl、配置在像素定义膜pdl的开口部内的发光层eml、配置在发光层eml和像素定义膜pdl上的阴极cat以及配置在阴极cat上的薄膜封装层en。上述的各层可以由单一膜形成，但是也可以由包括多个膜的层叠膜形成。在各层之间还可以配置其他层。84.基底基板sub支承配置在其上的各层。基底基板sub可以由高分子树脂等绝缘物质形成。作为所述高分子树脂的例，可以列举聚醚砜(polyethersulphone，pes)、聚丙烯酸酯(polyacrylate，pa)、聚芳酯(polyarylate，par)、聚醚酰亚胺(polyetherimide，pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate，pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate，pet)、聚苯硫醚(polyphenylenesulfide，pps)、聚烯丙基化物(polyallylate)、聚酰亚胺(polyimide，pi)、聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、三乙酸纤维素(cellulosetriacetate，cat)、醋酸(乙酸)丙酸纤维素(celluloseacetatepropionate，cap)或它们的组合。基底基板sub也可以由玻璃、石英等无机物质形成。但是，并不限于此，基底基板sub可以是透明的板或透明的膜。此外，基底基板sub也可以包括多个有机层以及位于其间的无机层。85.基底基板sub也可以是可实现弯曲(bending)、折叠(folding)、卷曲(rolling)等的柔性(flexible)基板，但是并不限于此，基底基板sub可以是刚性(rigid)基板。86.在基底基板sub上配置阻挡层110。阻挡层110可以防止杂质离子的扩散，且可以防止水分或外气的渗透，并且可以执行表面平坦化功能。阻挡层110可以包括硅氧化物(siox)。但是，并不限于此，可以包括硅氮化物(sinx)或硅氮氧化物(sioxny)等。阻挡层110也可以根据基底基板sub的种类或工序条件等而被省略。87.阻挡层110和缓冲层120可以分别分离来成膜，在已执行使阻挡层110成膜的工序且执行使缓冲层120成膜的工序之前，在阻挡层110的表面可能会粘接有杂质。所述杂质可以包括碳(c)和氟(f)等，但是并不限于此。残留在阻挡层110的上表面的碳(c)和氟(f)等可能会通过使半导体层130结晶化的工序(例如，ela(excimerlaserannealing，准分子激光退火)工序)而朝向上部扩散。88.可以在形成阻挡层110之后，且在形成缓冲层120之前，通过紫外线uv(ultravioletrays)(参照图12等)处理阻挡层110，对此将后述。在利用紫外线uv处理阻挡层110的情况下，可以去除残留在阻挡层110的表面的碳(c)和氟(f)。即，通过紫外线uv的处理，可以减少残留在阻挡层110的表面的碳(c)和氟(f)的量。对此的详细说明将后述。在阻挡层110上配置缓冲层120。缓冲层120可以包括硅氮化物(sinx)、硅氧化物(siox)或硅氮氧化物(sioxny)等。缓冲层120可以包括包含彼此不同的物质的两个层。缓冲层120可以包括包含硅氮化物(sinx)的第一缓冲层121以及包含硅氧化物(siox)的第二缓冲层122。可以在第一缓冲层121上配置第二缓冲层122。以下，为了区分第一缓冲层121及第二缓冲层122和包括它们的缓冲层120，将第一缓冲层121称为第一缓冲膜121，将第二缓冲层122称为第二缓冲膜122。89.通过调节配置第二缓冲膜122的速度(沉积速度(depositionrate))，可以减少由第二缓冲膜122所包括的氢(h)引起的释气(out-gassing)。同时，通过对缓冲层120进行等离子体处理(plasmatreatment)，可以减少由缓冲层120产生的释气(out-gassing)。对此的详细说明将后述。90.在缓冲层120上配置半导体层130。半导体层130形成像素(图3的“px”)的薄膜晶体管的沟道。半导体层130可以包括多晶硅。在半导体层130由多晶硅形成的情况下，所述多晶硅可以通过rta(rapidthermalannealing，快速热退火)法、spc(solidphasecrystallization，固相晶化)法、ela(excimerlaserannealing，准分子激光退火)法、mic(metalinducedcrystallization，金属诱导晶化)法、milc(metalinducedlateralcrystallization，金属诱导横向晶化)法、sls(sequentiallateralsolidification，顺序横向凝固)法等结晶化方法使非晶硅结晶化来形成。但是，并不限于此，半导体层130也可以包括单晶硅、低温多晶硅、非晶硅、氧化物半导体中的至少一个。91.半导体层130可以是使配置在对象基板的所有区域的非晶硅全部结晶化之后对其进行了图案化的层，也可以是先对非晶硅薄膜进行图案化之后使图案化的非晶硅薄膜结晶化的层。但是，并不限于此，虽然未图示，但是也可以仅使非晶硅薄膜的部分区域结晶化，从而半导体层130包括配置有非晶硅的非晶硅区域(未图示)以及配置有多晶硅的多晶硅区域(未图示)。92.半导体层130在结晶化的过程中可能会因由配置在下部的阻挡层110及缓冲层120产生的释气(out-gassing)以及半导体层130内部的释气(out-gassing)而产生半导体层130的膜破裂的不良，这可能会引发显示装置(图1的“1”)的污渍等不良。因此，有必要调节配置在半导体层130的下部的各构成的释气(out-gassing)。对此的详细说明将后述。93.在半导体层130上配置第一绝缘层il1。第一绝缘层il1可以是具有栅极绝缘功能的第一栅极绝缘膜。第一绝缘层il1可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，第一绝缘层il1可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铝氧化物、钽氧化物、铪氧化物、锆氧化物、钛氧化物等。94.在第一绝缘层il1上配置第一栅极导电层140。第一栅极导电层140可以包括像素的薄膜晶体管的栅电极gat及与其连接的扫描线以及维持电容器的第一电极ce1。95.第一栅极导电层140可以包括选自钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)以及铜(cu)中的一种以上的金属。96.在第一栅极导电层140上可以配置第二绝缘层il2。第二绝缘层il2可以是层间绝缘膜或第二栅极绝缘膜。第二绝缘层il2可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铪氧化物、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、锌氧化物等无机绝缘物质。97.在第二绝缘层il2上配置第二栅极导电层150。第二栅极导电层150可以包括维持电容器的第二电极ce2。第二栅极导电层150可以包括选自钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)以及铜(cu)中的一种以上的金属。第二栅极导电层150可以由与第一栅极导电层140相同的物质形成，但是并不限于此。98.在第二栅极导电层150上配置第三绝缘层il3。第三绝缘层il3可以是层间绝缘膜。第三绝缘层il3可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铪氧化物、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、锌氧化物等无机绝缘物质。99.在第三绝缘层il3上配置数据导电层160。数据导电层160可以包括像素(图3的“px”)的薄膜晶体管的第一电极sd1和第二电极sd2以及第一电源电压电极elvdde。薄膜晶体管的第一电极sd1和第二电极sd2可以通过贯通第三绝缘层il3、第二绝缘层il2和第一绝缘层il1的接触孔而与半导体层130的源极区域及漏极区域电连接。第一电源电压电极elvdde可以通过贯通第三绝缘层il3的接触孔而与维持电容器的第二电极ce2电连接。100.数据导电层160可以包括选自铝(al)、钼(mo)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)以及铜(cu)中的一种以上的金属。数据导电层160可以是单一膜或多层膜。例如，数据导电层160可以由ti/al/ti、mo/al/mo、mo/alge/mo、ti/cu等层叠结构形成。101.在数据导电层160上配置第四绝缘层il4。第四绝缘层il4覆盖数据导电层160。第四绝缘层il4可以是过孔层。在第四绝缘层il4包括有机物质的情况下，即便下部存在高低差，上表面也可以大致是平坦的。第四绝缘层il4可以包括丙烯酸系树脂(acrylatesresin)、环氧树脂(epoxyresin)、酚醛树脂(phenolicresin)、聚酰胺系树脂(polyamidesresin)、聚酰亚胺系树脂(polyimidesrein)、不饱和聚酯系树脂(unsaturatedpolyestersresin)、聚苯醚树脂(polyphenylenethersresin)、聚苯硫醚系树脂(polyphenylenesulfidesresin)或苯并环丁烯(benzocyclobutene，bcb)等有机绝缘物质。102.在第四绝缘层il4上配置阳极ano。阳极ano可以是在每个像素(图3的“px”)中配备的像素电极。阳极ano可以通过贯通第四绝缘层il4的接触孔而与薄膜晶体管的第二电极sd2连接。阳极ano可以与像素(图3的“px”)的发光区域ema至少部分重叠。103.阳极ano可以具有铟锡氧化物(indium-tin-oxide，ito)、铟锌氧化物(indium-zinc-oxide，izo)、氧化锌(zincoxide，zno)、氧化铟(indiumoxide，in2o3)的功函数大的物质层和如银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、铅(pb)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或它们的混合物等这样的反射性物质层被层叠而成的层叠膜结构，但是并不限于此。功函数大的层可以配置在比反射性物质层更靠上的上层，从而被配置成更靠近发光层eml。阳极ano可以具有ito/mg、ito/mgf、ito/ag、ito/ag/ito的多层结构，但是并不限于此。104.在阳极ano上可以配置像素定义膜pdl。像素定义膜pdl可以配置在阳极ano上，并且包括使阳极ano露出的开口部。通过像素定义膜pdl及其开口部，可以划分发光区域ema和非发光区域nem。像素定义膜pdl可以包括丙烯酸系树脂(acrylatesresin)、环氧树脂(epoxyresin)、酚醛树脂(phenolicresin)、聚酰胺系树脂(polyamidesresin)、聚酰亚胺系树脂(polyimidesrein)、不饱和聚酯系树脂(unsaturatedpolyestersresin)、聚苯醚树脂(polyphenylenethersresin)、聚苯硫醚系树脂(polyphenylenesulfidesresin)或苯并环丁烯(benzocyclobutene，bcb)等有机绝缘物质。像素定义膜pdl也可以包括无机物质。105.在像素定义膜pdl上可以配置隔离物sp。隔离物sp可以直接配置在像素定义膜pdl上。隔离物sp可以在厚度方向上与像素定义膜pdl重叠。隔离物sp可以起到维持与配置在上部的结构物之间的间隔的作用。例如，隔离物sp可以在通过精细金属掩模(fmm)沉积发光层eml的有机物质时起到防止精细金属掩模下沉的作用。根据情况，隔离物sp还可以起到支承层叠在上部的结构物的作用，在向显示面板100加压时可以起到缓和因应力的压力引起的变形的作用。隔离物sp可以具有比像素定义膜pdl窄的宽度。隔离物sp也可以仅配置在像素定义膜pdl的部分区域上，由此可能会与不存在隔离物sp的部分引起高低差。106.隔离物sp可以与像素定义膜pdl同样地包括有机绝缘物质而形成。隔离物sp可以由独立于像素定义膜pdl的层形成，但是也可以由同一物质通过一个工序形成。例如，可以在涂布光敏性有机物质之后，通过利用缝隙掩模或半色调掩模进行曝光和显影的工序，经由一个工序形成具有彼此不同的高度的像素定义膜pdl和隔离物sp。107.在像素定义膜pdl所露出的阳极ano上配置发光层eml。发光层eml可以包括有机物质层。发光层的有机物质层可以包括有机发光层，并且还可以包括空穴注入/传输层和/或电子注入/传输层。108.在发光层eml上可以配置阴极cat。阴极cat可以是无像素区别地配置在整个面的公共电极。阳极ano、发光层eml和阴极cat分别可以构成发光元件(图3的“oled”)。109.阴极cat不仅可以与发光层eml相接，还可以与像素定义膜pdl的上表面相接。此外，在形成有隔离物sp的区域，阴极cat可以与隔离物sp的表面相接并且覆盖隔离物sp的表面。阴极cat可以相对于下部结构物形成为等角，使得反映下部结构物的高低差。110.阴极cat可以包括如li、ca、lif/ca、lif/al、al、mg、ag、pt、pd、ni、au、nd、ir、cr、baf、ba或者它们的化合物或混合物(例如，ag与mg的混合物等)这样的功函数小的物质层。阴极cat还可以包括配置在所述功函数小的物质层上的透明金属氧化物层。111.在阴极cat的上部配置包括第一无机膜en1、第一有机膜en2以及第二无机膜en3的薄膜封装层en。在薄膜封装层en的端部，第一无机膜en1和第二无机膜en3可以彼此相接。第一有机膜en2可以通过第一无机膜en1和第二无机膜en3被密封。112.第一无机膜en1和第二无机膜en3分别可以包括硅氮化物、硅氧化物或硅氮氧化物等。第一有机膜en2可以包括有机绝缘物质。113.在显示面板100上可以配置触摸部件tsp。触摸部件tsp可以感知触摸输入。如图所示，触摸部件tsp可以被提供成与显示面板100分开的面板或膜而被附着在显示面板100上，但是也可以在显示面板100的内部被提供成触摸层的形态。114.在触摸部件tsp上可以配置防反射部件arm。防反射部件arm可以使通过的光产生偏振或者选择性地使特定波长的光透过。防反射部件arm可以起到减小外光反射的作用。115.在防反射部件arm上可以配置盖窗win。盖窗win覆盖显示面板100而起到保护的作用。盖窗win可以由透明的物质形成。盖窗win例如可以包括玻璃或塑料而形成。116.在显示面板100的下部可以配置下部覆盖部件cpl。下部覆盖部件cpl可以执行遮光作用。即，下部覆盖部件cpl可以阻断光从外部朝向显示面板100的射入。同时，下部覆盖部件cpl也可以执行遮光功能以外的冲击吸收功能等。117.以下，参照图5至图11，具体说明可以抑制或防止半导体层130的膜破裂不良的阻挡层110、缓冲层120和半导体层130。118.首先，为了说明对阻挡层110进行紫外线uv的处理时的第一缓冲膜121的碳(c)和氟(f)的浓度，参照图5至图7。119.图5是放大了一实施例涉及的缓冲层的周边的截面的放大图。图6是表示一实施例涉及的显示装置的缓冲层和阻挡层的氟(f)浓度的图表。图7是表示一实施例涉及的显示装置的缓冲层和阻挡层的碳(c)浓度的图表。120.图5简单示出了在阻挡层110、缓冲层120和半导体层130的周边，氢(h)、碳(c)和氟(f)向上部扩散的情况。在图6和图7中，a的图表表示未对阻挡层110的表面进行紫外线uv的处理时的图表，b的图表表示对阻挡层110的表面进行了紫外线uv的处理时的图表。图6和图7的横轴表示在厚度方向上的深度(depth(nm))，图6的纵轴表示氟(f)的浓度(concentration(atom/cm3))，图7的纵轴表示碳(c)的浓度(concentration(atom/cm3))。图6和图7是利用二次离子质谱分析(secondaryionmassspectrometry，sims)测量的结果。121.首先，进一步参照图5和图6，在对阻挡层110的表面进行了紫外线uv的处理的情况b下，第一缓冲膜121内的氟(f)的浓度可以比未对阻挡层110的表面进行紫外线uv的处理的情况a减少。122.具体而言，第一缓冲膜121可以将从与阻挡层110的界面if1至与第二缓冲膜122的界面if2之间的区域在厚度方向(第三方向dr3)上进行三等分。对于将第一缓冲膜121进行了三等分的区域而言，从与阻挡层110相邻的区域开始可以称为第一区域ar1、第二区域ar2和第三区域ar3。123.作为第一缓冲膜121内的氟(f)浓度最高的地点的峰值pk1、pk2可以位于第一区域ar1内。a的图表在第一区域ar1具有第一峰值pk1，b的图表在第一区域ar1具有第二峰值pk2。第二峰值pk2处的氟(f)浓度可以低于第一峰值pk1处的氟(f)浓度。例如，第一峰值pk1和第二峰值pk2可以位于第一缓冲膜121的第一界面if1，但是并不限于此。124.第二峰值pk2处的氟(f)浓度可以大于第一界面if1与第二界面if2之间的中间地点的氟(f)浓度，并且可以在所述中间地点的氟(f)浓度的2.5倍以下。第二峰值pk2处的氟(f)浓度可以大于所述中间地点的氟(f)浓度，并且可以在所述中间地点的氟(f)浓度的2.0倍以下，但是并不限于此。例如，所述中间地点的氟(f)浓度可以在1e20atom/cm3以下，或者可以在1e18至1e20atom/cm3的范围内，但是并不限于此。所述中间地点可以位于第二区域ar2内。同时，从所述中间地点到第一界面if1为止的距离和从所述中间地点到第二界面if2为止的距离可以相同。125.或者，第二峰值pk2处的氟(f)浓度可以大于第二区域ar2的氟(f)浓度的平均浓度，并且可以在第二区域ar2的氟(f)浓度的平均浓度的2.5倍以下。第二区域ar2的氟(f)浓度的平均浓度可以在1e20atom/cm3以下，或者可以在1e18至1e20atom/cm3的范围内。126.或者，第二峰值pk2处的氟(f)浓度可以在第二区域ar2的任意地点处的氟(f)浓度的2.5倍以下。即，第二峰值pk2处的氟(f)浓度可以大于第二区域ar2的任意地点处的氟(f)浓度，并且可以在第二区域ar2的任意地点处的氟(f)浓度的2.5倍以下。127.接着，参照图5和图7，在对阻挡层110的表面进行了紫外线uv的处理的情况b下，第一缓冲膜121内的碳(c)浓度可以比未对阻挡层110的表面进行紫外线uv的处理的情况a减少。128.具体而言，第一缓冲膜121可以将与阻挡层110的第一界面if1至与第二缓冲膜122的第二界面if2之间的区域在厚度方向(第三方向dr3)上进行三等分。对于将第一缓冲膜121三等分的区域而言，可以从与阻挡层110相邻的区域开始称为第一区域ar1、第二区域ar2和第三区域ar3。129.a的图表在第一区域ar1具有第三峰值pk3，b的图表在第一区域ar1具有第四峰值pk4。第四峰值pk4处的碳(c)浓度可以低于第三峰值pk3处的碳(c)浓度。第三峰值pk3和第四峰值pk4实质上可以位于相同的位置处。例如，第三峰值pk3和第四峰值pk4可以位于第一缓冲膜121的第一界面if1，但是并不限于此。130.在第三峰值pk3处，碳(c)浓度可以在第一缓冲膜121中处于最高的地点或者在第一缓冲膜121及其周边处于最高的地点。例如，在第三峰值pk3处，碳(c)浓度可以在阻挡层110、第一缓冲膜121和第二缓冲膜122中处于最高的地点，但是并不限于此。131.第四峰值pk4处的碳(c)浓度可以在第一界面if1与第二界面if2之间的中间地点的碳(c)浓度的2.5倍以下。同时，第四峰值pk4处的碳(c)浓度可以小于第一界面if1与第二界面if2之间的中间地点的碳(c)浓度。但是，并不限于此，第四峰值pk4处的碳(c)浓度也可以在所述中间地点的碳(c)浓度的2.0倍以下。所述中间地点可以位于第二区域ar2内。同时，从所述中间地点到第一界面if1为止的距离和从所述中间地点到第二界面if2为止的距离可以相同。132.所述中间地点的碳(c)浓度可以在1e20atom/cm3以下，或者在1e19atom/cm3以下，但是并不限于此。或者，所述中间地点的碳(c)浓度可以在1e17atom/cm3至1e20atom/cm3的范围或者1e18atom/cm3至1e19atom/cm3的范围内。或者，第四峰值pk4处的碳(c)浓度可以在第二区域ar2的碳(c)浓度的2.5倍以下。同时，第四峰值pk4处的碳(c)浓度可以小于第二区域ar2的碳(c)浓度的平均浓度。133.或者，第四峰值pk4处的碳(c)浓度可以在第二区域ar2的任意地点处的碳(c)浓度的2.5倍以下。即，第四峰值pk4处的碳(c)浓度可以在第二区域ar2的任意地点处的碳(c)浓度的2.5倍以下。同时，第四峰值pk4处的碳(c)浓度可以小于第二区域ar2的任意地点处的碳(c)浓度。134.即，随着利用紫外线uv处理阻挡层110的表面，残留在阻挡层110的表面的碳(c)和氟(f)的量可以减少。因此，可以减少从阻挡层110的表面向第一缓冲膜121扩散的碳(c)和氟(f)的量，由此在使半导体层130结晶化的过程中，可以抑制或防止可能因碳(c)和氟(f)产生的释气(out-gassing)。因此，可以抑制或防止因半导体层130的膜破裂等而引起的不良。135.但是，并不限于此，阻挡层110和第一缓冲膜121可以连续地成膜，第一缓冲膜121和第二缓冲膜122也可以分开成膜。在该情况下，上述的杂质可能会粘接到第一缓冲膜121的表面，对第一缓冲膜121的表面可以进行紫外线uv的处理。同时，对于第一峰值pk1和第二峰值pk2的说明不仅可以适用于第一区域ar1和第一界面if1，还可以适用于第三区域ar3和第二界面if2。136.除了对阻挡层110进行紫外线uv(ultravioletrays)的处理的方法外，通过减小使第二缓冲膜122成膜的速度(沉积速度(depositionrate))也可以减小第二缓冲膜122所包括的氢(h)的浓度。对此的详细说明将后述。根据使第二缓冲膜122成膜的条件，可以抑制或防止可能在使半导体层130结晶化的过程中产生的释气(out-gassing)。137.为了对此进行详细说明，参照图8至图10。138.图8是表示一实施例涉及的显示装置的第一绝缘层、半导体层和缓冲层的氢(h)浓度的图表。图9是表示一实施例涉及的显示装置的半导体层、缓冲层和阻挡层的氢(h)浓度的图表。图10是表示随着加热一实施例涉及的缓冲层而释放的氢(h)气的量的图表。139.图8是利用二次离子质谱分析(secondaryionmassspectrometry，sims)测量的结果。图9的图表是利用卢瑟福背散射分析(rbs，rutherfordbackscatteringspectrometry)测量的结果。图10的图表是利用热脱附谱(tds，thermaldesorptionspectroscopy)测量的结果。140.图8和图9的横轴表示一实施例涉及的半导体层130、缓冲层120和阻挡层110的厚度方向(第三方向dr3)上的深度(depth)，纵轴表示氢(h)的浓度(atom/cm3，at％)。图10的横轴表示第二缓冲膜122的温度，纵轴表示从第二缓冲膜122释放的氢(h)气的量。图10表示从通过彼此不同的沉积速度形成的第二缓冲膜122释放的氢(h)气的量。141.在图8和图10中，a的图表作为比较例表示从沉积速度约为的第二缓冲膜122释放的氢(h)气的量，c的图表作为实施例表示从通过比所述a的图表的沉积速度小的沉积速度形成的第二缓冲膜122释放的氢(h)气的量。例如，c的图表的沉积速度可以在至的范围或至的范围中，或者可以是但是并不限于此。142.首先，参照图5和图8，在第二缓冲膜122的沉积速度相对低的情况c下，第二缓冲膜122和半导体层130的氢(h)浓度可以比沉积速度相对高的情况a还低。在半导体层130与第二缓冲膜122之间的第三界面if3，氢(h)浓度可以最高，并且在第三界面if3，在第二缓冲膜122的沉积速度相对低的情况c下氢(h)浓度可以更低。143.第二缓冲膜122的氢(h)浓度可以在1.0e18至3.0e21atom/cm3的范围或1.0e19至3.0e20atom/cm3的范围内。144.即，在第三界面if3的周边，氢(h)浓度可以是第二缓冲层122的沉积速度越低就越减小，由此可以减少氢(h)引起的释气(out-gassing)。145.参照图5和图9，一实施例涉及的第二缓冲膜122和阻挡层110可以包括相同的物质。例如，第二缓冲膜122和阻挡层110可以包括硅氧化物(siox)。第二缓冲膜122和阻挡层110其沉积各层的沉积速度可以彼此不同。第二缓冲膜122的沉积速度可以小于阻挡层110的沉积速度。第二缓冲膜122的沉积速度可以在至的范围或至的范围，可以是阻挡层110的沉积速度可以如图10的a图表那样约为但是并不限于此。146.第二缓冲膜122和阻挡层110可以具有彼此不同的膜密度。第二缓冲膜122的膜密度可以大于阻挡层110的膜密度。第二缓冲膜122的膜密度例如可以在2.2g/cm3至2.25g/cm3的范围内，或者可以在2.15g/cm3至2.40g/cm3的范围内，但是并不限于此。第二缓冲膜122的膜密度可以通过测量每单位体积的重量来计算出。147.第二缓冲膜122和阻挡层110可以具有彼此不同的氢(h)浓度。第二缓冲膜122的氢(h)浓度可以小于阻挡层110的氢(h)浓度。例如，第二缓冲膜122的氢(h)浓度可以在3至5at％的范围或3.5至4.5at％的范围内，可以是4at％，但是并不限于此。148.接着，进一步参照图10，沉积速度相对低的c的情况下，与沉积速度相对高的a的情况相比，从第二缓冲膜122释放的氢(h)气的量可以少。即，在降低沉积第二缓冲膜122的沉积速度的情况下，从第二缓冲膜122释放的氢(h)气的量可以减少。149.即，即便第二缓冲膜122和阻挡层110包括相同的物质(例如，硅氧化物(siox))，在减小第二缓冲膜122被沉积的速度的情况下，可以增加第二缓冲膜122的膜密度，并且可以减小第二缓冲膜122的内部的氢(h)浓度。随着内部的氢(h)浓度减小，即便进行使半导体层130结晶化的工序，也可以减少从第二缓冲膜122释放的氢(h)气的量，可以抑制或防止可能因氢(h)产生的释气(out-gassing)。因此，可以抑制或防止半导体层130的污渍或膜破裂等引起的不良。150.除了降低阻挡层110的紫外线uv的处理和第二缓冲膜122的沉积速度外，还可以对缓冲层120进行等离子体处理(plasmatreatment)，从而去除缓冲层120的表面的杂质，可以减少因所述杂质引起的释气(out-gassing)。151.例如，在已沉积缓冲层120且在沉积半导体层130之前，通过清洗(cleaning)缓冲层120的表面的工序，杂质可能会粘接到缓冲层120的表面。所述杂质可以包括氟(f)等。残留在缓冲层120的上表面的氟(f)等可能会通过使半导体层130结晶化的工序(例如，ela(excimerlaserannealing，准分子激光退火)工序)朝向上部扩散。在沉积缓冲层120并进行清洗之后对缓冲层120进行等离子体处理的情况下，可以去除残留在缓冲层120的表面的氟(f)，对此将后述。即，通过等离子体处理，可以减少残留在缓冲层120的表面的氟(f)的量。所述等离子体处理可以通过氩(at)等离子气体进行，但是并不限于此。152.为了说明对缓冲层120进行等离子体处理所涉及的半导体层130的氟(f)浓度，参照图11。153.图11是表示一实施例涉及的显示装置的半导体层及其周边的氟(f)浓度的图表。图11是通过二次离子质谱分析(secondaryionmassspectrometry，sims)测量的结果。在图11中，a的图表表示未对缓冲层120的表面进行等离子体处理的情况，d的图表表示对缓冲层120的表面进行了等离子体处理的情况。图11的横轴表示溅射(sputtering)时间，纵轴表示氟(f)的分布。同时，图11的横轴可以看作是第一绝缘层il1、半导体层130和缓冲层120的厚度方向(第三方向dr3)上的深度(depth)。154.参照图5和图11，在对缓冲层120的表面进行了等离子体处理的情况d下，半导体层130和缓冲层120内的氟(f)浓度与未对缓冲层120的表面进行等离子体处理的情况a相比可以减少。155.具体而言，半导体层130可以将从与缓冲层120的第三界面if3到与第一绝缘层il1的第四界面if4之间的区域在厚度方向(第三方向dr3)上进行三等分。对于将半导体层130进行了三等分的区域而言，从与缓冲层120相邻的区域开始可以称为第一区域at1、第二区域at2和第三区域at3。此外，半导体层130可以将从与缓冲层120的第三界面if3到与第一绝缘层il1的第四界面if4之间的区域在厚度方向(第三方向dr3)上进行二等分。对于将半导体层130进行了二等分的区域而言，从与缓冲层120相邻的区域开始可以称为第四区域at4和第五区域at5。156.d的图表可以在第一区域at1和第四区域at4具有第六峰值pk6，在第三区域at3和第五区域at5可以包括第八峰值pk8。第六峰值pk6可以位于第三界面if3，第八峰值pk8可以位于第四界面if4，但是并不限于此。第六峰值pk6处的半导体层130的氟(f)浓度可以小于第八峰值pk8处的半导体层130的氟(f)浓度。第六峰值pk6处的半导体层130的氟(f)浓度可以在第八峰值pk8处的半导体层130的氟(f)浓度的30％以下或20％以下，但是并不限于此。157.d的图表还可以包括作为在第六峰值pk6与第八峰值pk8之间具有最低的浓度值的地点的低点lk。低点lk处的半导体层130的氟(f)浓度可以等于或小于第六峰值pk6处的半导体层130的氟(f)浓度。低点lk处的半导体层130的氟(f)浓度可以在1e20atom/cm3以下，但是并不限于此。此外，例如，低点lk处的半导体层130的氟(f)浓度可以在1e18至1e19atom/cm3的范围或1e18至1e20atom/cm3的范围内，但是并不限于此。158.此外，例如，低点lk可以位于第二区域at2内的同时位于第四区域at4内，但是并不限于此。159.比较d的图表和a的图表时，在对缓冲层120的表面进行等离子体处理的情况下，d的图表与a的图表相比氟(f)浓度大致低，尤其是在第三界面if3的周边区域，氟(f)浓度可以低。图表a的第五峰值pk5处的氟(f)浓度可以大于图表d的第六峰值pk6处的氟(f)浓度。同时，图表a的第七峰值pk7处的氟(f)浓度可以小于图表d的第八峰值pk8处的氟(f)浓度。160.因此，在对缓冲层120的表面进行等离子体处理的情况下，可以抑制或防止可能会在半导体层130的下部产生的由氟(f)引起的释气(out-gassing)，可以减少半导体层130的膜破裂等，可以抑制或防止由此引起的不良。161.以下，说明一实施例涉及的显示装置的制造方法。162.图12至图16是用于说明一实施例涉及的显示装置的制造方法的剖视图。图13放大示出了图12的阻挡层110的表面。图15放大示出了图14的第二缓冲膜122的表面。163.首先，参照图12和图13，在基底基板sub上层叠阻挡层110。阻挡层110可以配置在基底基板sub的整个面。阻挡层110可以通过化学气相沉积法(chemicalvapordeposition，cvd)、等离子体化学气相沉积法(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，pecvd)等形成，但是并不限于此。164.层叠阻挡层110之后，通过紫外线uv对阻挡层110的表面进行紫外线处理。在该情况下，可以去除粘接到阻挡层110的表面的杂质，并且可以减少残留在阻挡层110的表面的杂质的量。例如，在阻挡层110的表面可能会粘接有碳(c)和氟(f)等，可以通过紫外线处理去除碳(c)和氟(f)等，但是并不限于此。165.因此，通过紫外线处理，可以减少残留在阻挡层110的表面的碳(c)和氟(f)等的量，即便后续进行使半导体层130结晶化的工序(例如，ela(excimerlaserannealing，准分子激光退火)工序)，也可以减少从阻挡层110的表面朝向上部扩散的碳(c)气和氟(f)气等的量。即，可以抑制或防止从阻挡层110的表面产生的释气(out-gassing)，进一步地可以抑制或防止半导体层130的膜破裂等不良。166.接着，参照图14和图15，在阻挡层110上层叠缓冲层120。缓冲层120可以配置在阻挡层110的整个面。缓冲层120可以依次层叠有第一缓冲膜121和第二缓冲膜122。可以在层叠第一缓冲膜121之后，层叠第二缓冲膜122。缓冲层120的第一缓冲膜121和第二缓冲膜122分别可以通过化学气相沉积法(chemicalvapordeposition、cvd)、等离子体化学气相沉积法(plasmaenhancedchemicalvapordeposition、pecvd)等形成，但是并不限于此。167.第二缓冲膜122可以包括与阻挡层110相同的物质，并且可以通过比阻挡层110的沉积速度低的沉积速度形成。例如，第二缓冲膜122的沉积速度可以在至的范围或至的范围，或者可以是但是并不限于此。168.沉积第二缓冲膜122的沉积条件的电源(power)可以在7000至8000w(watt)的范围或7400至7600w(watt)的范围内。在沉积第二缓冲膜122的沉积条件下，沉积源与沉积基板之间的距离(spacing)可以在500至700mils的范围或550至650mils的范围内。沉积第二缓冲膜122的压力可以在800至900mtorr的范围或830至870mtorr的范围内。在沉积第二缓冲膜122的过程中提供的一氧化二氮(n2o)可以在50000至60000sccm(standardcubiccentimeterperminute)的范围或54000至55000sccm的范围内。在沉积第二缓冲膜122的过程中提供的硅烷(sih4)可以在2000至2500sccm(standardcubiccentimeterperminute)的范围或2100至2300sccm的范围内。169.例如，沉积第二缓冲膜122的沉积条件的电源(power)可以是7520w，沉积源与沉积基板之间的距离(spacing)可以是600mils，沉积第二缓冲膜122的压力可以是850mtorr，所提供的一氧化二氮(n2o)可以是54700sccm，并且所提供的硅烷(sih4)可以是2200sccm，但是并不限于此。170.随着将第二缓冲膜122的沉积速度设定成比阻挡层110的沉积速度低，第二缓冲膜122的膜密度可以大于阻挡层110的膜密度，并且包括于第二缓冲膜122的氢(h)的浓度可以低于包括于阻挡层110的氢(h)的浓度。171.同时，可以在层叠缓冲层120之后，作为向上部露出的缓冲层120的表面的第二缓冲膜122的表面通过氩(ar)的等离子气体被进行等离子体处理(plasmatreatment)。但是，并不限于此，所述等离子体处理也可以通过氦(he)和氢(h2)中的任一种的等离子气体来进行。在该情况下，可以去除粘接到第二缓冲膜122的表面的杂质，可以减少残留在第二缓冲膜122的表面的杂质的量。例如，在第二缓冲膜122的表面可能会粘接有氟(f)等，氟(f)等可通过等离子体处理被去除，但是并不限于此。172.因此，通过等离子体处理，可以减少残留在缓冲层120的表面的氟(f)等的量，即便后续进行使半导体层130结晶化的工序(例如，ela(excimerlaserannealing，准分子激光退火)工序)，也可以减少从缓冲层120的表面朝向上部扩散的氟(f)气等的量。即，可以抑制或防止从缓冲层120的表面产生的释气(out-gassing)，进一步地可以抑制或防止半导体层130的膜破裂等不良。173.同时，通过基于氩(ar)的等离子体处理，缓冲层120可能会包括氩(ar)。氩(ar)可以位于缓冲层120的表面和缓冲层120的内部中的至少任一个区域。氩(ar)是惰性气体，即便氩(ar)位于缓冲层120，也不会影响缓冲层120的绝缘膜特性等，而且也不会影响上部的半导体层130的电特性等。174.接着，参照图16，在缓冲层120上形成半导体层130。半导体层130可以仅配置在缓冲层120的部分区域上。可以在缓冲层120上在整个面沉积半导体层用物质之后，通过光刻工序，对所述半导体层用物质进行图案化来形成如图16所示的半导体层130。175.然后，可以依次形成第一栅极导电层140(参照图4)、第二栅极导电层150(参照图4)、数据导电层160(参照图4)、像素定义膜pdl(参照图4)、发光层eml(参照图4)以及阴极cat(参照图4)等。所述的构成的形成方法是公知的技术，因此在本说明书中省略对其的说明。176.以下，说明其他实施例。在以下的实施例中，对于与之前已说明的构成相同的构成，省略或简化重复说明，主要说明区别点。177.图17表示说明其他实施例涉及的显示装置的制造方法的剖视图。178.参照图17，本实施例涉及的显示装置的制造方法与图12至图16的实施例的区别在于，通过连续成膜形成阻挡层110和缓冲层120。179.具体而言，在本实施例涉及的显示装置的制造方法中，可以连续地使阻挡层110和缓冲层120成膜。可以在基底基板sub上层叠阻挡层110之后，连续地在阻挡层110上层叠第一缓冲膜121，并且在层叠第一缓冲膜121之后连续地在第一缓冲膜121上层叠第二缓冲膜122。即，阻挡层110和缓冲层120可以在同一真空腔体内成膜。由此，可以减少可能会粘接到在基底基板sub上层叠的阻挡层110的表面的杂质的量。180.因此，在该情况下也可以抑制或防止可能会从阻挡层110的表面产生的释气(out-gassing)，可以抑制或防止半导体层(图4的“130”)的膜破裂等不良。181.以上，参照附图说明了本发明的各实施例，但是本领域技术人员应当能够理解在不变更本发明的技术思想或必要特征的情况下可以以其他具体形态实施本发明。因此，应理解以上记载的各实施例在所有方面都是例示性的，并不是限定性的。当前第1页12当前第1页12
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：：2.显示装置的像素驱动电路包括利用了硅的薄膜晶体管。作为构成薄膜晶体管的硅，使用非晶硅或多晶硅。3.近几年，趋势是利用多晶硅薄膜晶体管(polycrystallinesilicontft：poly-sitft)代替非晶硅薄膜晶体管。多晶硅薄膜晶体管与非晶硅薄膜晶体管相比，电子移动度大，且相对于光的照射的稳定性出色。因此，该多晶硅薄膜晶体管适合被用作显示装置的驱动和/或开关薄膜晶体管的活性层。4.多晶硅可以通过各种方法制作，这种方法大致可以分为直接沉积多晶硅的方法和沉积非晶硅之后使其结晶化的方法。在沉积非晶硅薄膜之后使其结晶化的方法中，非晶硅薄膜通过激光束照射方式或加热方式等而被结晶化。技术实现要素：5.本发明想要解决的课题在于，提供一种在ela(excimerlaserannealing，准分子激光退火)工序中最小化释气(out-gassing)来提高可靠度的显示装置以及显示装置的制造方法。6.本发明的课题并不限于以上所提及的课题，本领域技术人员应当能够从以下的记载中明确理解未提及的其他技术课题。7.用于解决所述的课题的一实施例涉及的显示装置包括：基板；以及半导体层，配置在所述基板上，且包括在厚度方向上进行三等分而依次设置的第一区域、第二区域和第三区域，所述半导体层包括多晶硅，包括于所述半导体层的氟(f)的浓度在所述第一区域内具有第一峰值，在所述第三区域内具有第二峰值，所述第一峰值的氟(f)浓度在所述第二峰值的氟(f)浓度的30％以下。8.可以是，所述半导体层还包括在所述半导体层的内部氟(f)的浓度最低的低点，所述低点的氟(f)浓度等于或小于所述第一峰值的氟(f)浓度。9.可以是，所述低点的氟(f)浓度在1e20atom/cm3以下。10.可以是，所述低点位于所述第二区域内。11.可以是，所述半导体层还包括与所述基板对置的第一表面以及作为所述第一表面的相反面的第二表面，所述第一表面位于所述第一区域内，所述第二表面位于所述第三区域内，以所述厚度方向为基准，所述第一峰值位于所述第一表面，所述第二峰值位于所述第二表面。12.可以是，所述显示装置还包括：阻挡层，配置在所述基板上；以及缓冲层，配置在所述阻挡层上，并且包括依次层叠的第一缓冲膜和第二缓冲膜，所述阻挡层和所述第二缓冲膜包括硅氧化物，所述第一缓冲膜包括硅氮化物。13.可以是，所述第二缓冲膜的膜密度大于所述阻挡层的膜密度。14.可以是，所述第二缓冲膜的膜密度在2.2g/cm3至2.25g/cm3的范围内。15.可以是，所述第二缓冲膜的氢(h)浓度小于所述阻挡层的氢(h)浓度。16.可以是，所述第二缓冲膜的所述氢(h)浓度在5at％以下。17.可以是，所述第一缓冲膜包括与所述阻挡层对置的第三表面以及作为所述第三表面的相反面的第四表面，包括于所述第一缓冲膜的氟(f)的浓度在所述第三表面和所述第四表面中的至少任一个中具有第三峰值，所述第三峰值的氟(f)浓度以所述厚度方向为基准大于所述第一缓冲膜的中心地点的氟(f)浓度。18.可以是，所述第三峰值的氟(f)浓度在所述第一缓冲膜的所述中心地点的氟(f)浓度的2.5倍以下。19.可以是，包括于所述第一缓冲膜的碳(c)的浓度在所述第三表面和所述第四表面中的至少任一个中具有第四峰值，所述第四峰值的碳(c)浓度在所述第一缓冲膜的所述中心地点的碳(c)浓度的2.5倍以下。20.用于解决所述的课题的一实施例涉及的显示装置包括：基板；第一缓冲膜，配置在所述基板上，并且包括硅氮化物；第二缓冲膜，配置在所述第一缓冲膜上，并且包括硅氧化物；以及半导体层，配置在所述第二缓冲膜上，并且包括多晶硅，所述第二缓冲膜的膜密度在2.2g/cm3至2.25g/cm3的范围内。21.可以是，所述第二缓冲膜的氢(h)浓度在5at％以下。22.可以是，所述显示装置还包括：阻挡层，配置在所述基板与所述第一缓冲膜之间，并且包括硅氧化物，所述阻挡层的膜密度小于所述第二缓冲膜的膜密度，所述阻挡层的氢(h)浓度大于所述第二缓冲膜的氢(h)浓度。23.用于解决所述的课题的一实施例涉及的显示装置包括：基板；第一缓冲膜，配置在所述基板上，并且包括硅氮化物；第二缓冲膜，配置在所述第一缓冲膜上，并且包括硅氧化物；以及半导体层，配置在所述第二缓冲膜上，并且包括多晶硅，所述第一缓冲膜包括与所述基板对置的第三表面以及作为所述第三表面的相反面的第四表面，包括于所述第一缓冲膜的氟(f)的浓度在所述第三表面和所述第四表面中的至少任一个中具有第三峰值，所述第三峰值的氟(f)浓度以厚度方向为基准在所述第一缓冲膜的中心地点的氟(f)浓度的2.5倍以下。24.可以是，所述第三峰值的氟(f)浓度大于所述第一缓冲膜的所述中心地点的氟(f)浓度。25.可以是，所述第一缓冲膜的所述中心地点的氟(f)浓度小于1e20atom/cm3。26.可以是，包括于所述第一缓冲膜的碳(c)的浓度在所述第三表面和所述第四表面中的至少任一个中具有第四峰值，所述第四峰值的碳(c)浓度在所述第一缓冲膜的所述中心地点的碳(c)浓度的2.5倍以下。27.其他实施例的具体事项包括在详细说明以及附图中。28.(发明效果)29.根据一实施例涉及的显示装置以及显示装置的制造方法，可以在ela(excimerlaserannealing，准分子激光退火)工序中最小化释气(out-gassing)来提高显示装置的可靠度。30.各实施例涉及的效果并不限于以上例示的内容，在本说明书内包括更多的效果。附图说明31.图1是一实施例涉及的显示装置的平面图。32.图2是图1的显示装置的侧面图。33.图3是一实施例涉及的显示装置的一像素的等效电路图。34.图4是一实施例涉及的显示装置的剖视图。35.图5是放大了一实施例涉及的缓冲层的周边的截面的放大图。36.图6是表示一实施例涉及的显示装置的缓冲层和阻挡层的氟(f)浓度的图表。37.图7是表示一实施例涉及的显示装置的缓冲层和阻挡层的碳(c)浓度图表。38.图8是表示一实施例涉及的显示装置的第一绝缘层、半导体层和缓冲层的氢(h)浓度的图表。39.图9是表示一实施例涉及的显示装置的半导体层、缓冲层和阻挡层的氢(h)浓度的图表。40.图10是表示随着加热一实施例涉及的缓冲层而释放的氢(h)气的量的图表。41.图11是表示一实施例涉及的显示装置的半导体层及其周边的氟(f)浓度的图表。42.图12至图16是用于说明一实施例涉及的显示装置的制造方法的剖视图。43.图17表示说明其他实施例涉及的显示装置的制造方法的剖视图。44.(符号说明)45.1：显示装置；100：显示面板；sub：基底基板；110：阻挡层；120：缓冲层；121：第一缓冲膜；122：第二缓冲膜；130：半导体层；140：第一栅极导电层；150：第二栅极导电层；160：数据导电层；ano：阳极；eml：发光层；cat：阴极。具体实施方式46.参照与附图一同详细后述的各实施例，本发明的优点、特征以及达成这些优点和特征的方法会变得明确。但是，本发明并不限于以下公开的各实施例，可以以互不相同的形态实现，各实施例仅仅使本发明的公开变得完整，并且是为了向本领域技术人员完整地告知发明的范畴而提供的，应仅由权利要求书的范畴定义本发明。47.元件(elements)或者层位于其他元件或者层上(on)的情况不仅包括直接位于其他元件上的情况，还包括其间存在其他层或其他元件的情况。在整个说明书中，同一符号指代同一构成要素。48.虽然为了叙述各构成要素而使用第一、第二等，但是各构成要素当然不限于这些用语。这些用语仅用作使一个构成要素区别于其他构成要素的目的。因此，在本发明的技术思想内，以下提及的第一构成要素当然也可以是第二构成要素。49.以下，参照附图，说明具体的各实施例。50.图1是一实施例涉及的显示装置的平面图。图2是图1的显示装置的侧面图。图2表示在厚度方向上弯曲了显示装置的状态的侧面形状。51.显示装置1是显示动态图像或静态图像的装置，显示装置1不仅可以用作如移动电话、智能电话、平板pc(personalcomputer)及智能手表、手表电话、移动通信终端机、电子手册、电子书、pmp(portablemultimediaplayer)、导航仪、umpc(ultramobilepc)等这样的便携式电子设备的显示画面外，还可以用作电视机、笔记本电脑、显示器、广告板、物联网等各种产品的显示画面。52.一实施例涉及的显示装置1在平面上可以形成实质上的矩形形状。显示装置1可以是在平面上角部垂直的矩形。但是，并不限于此，显示装置1也可以是在平面上角部圆的矩形形状。53.在附图中，第一方向dr1在平面图上表示显示装置1的横向，第二方向dr2在平面图上表示显示装置1的纵向。此外，第三方向dr3表示显示装置1的厚度方向。第一方向dr1和第二方向dr2彼此垂直地交叉，第三方向dr3是与第一方向dr1和第二方向dr2所处的平面交叉的方向，与第一方向dr1及第二方向dr2均垂直地交叉。但是，应理解在实施例中所提及的方向表示相对的方向，实施例并不限于所提及的方向。54.只要没有不同的定义，在本说明书中以第三方向dr3为基准表现的“上部”、“上表面”、“上侧”意味着以显示面板100为基准的显示面侧，“下部”、“下表面”、“下侧”意味着以显示面板100为基准的显示面的相反侧。55.参照图1和图2，显示装置1可以包括显示面板100。显示面板100可以是包括如聚酰亚胺等这样的挠性高分子物质的柔性基板。由此，显示面板100可以被弯曲、被弯折、被折叠、被卷曲。56.显示面板100可以是有机发光显示面板。在以下的实施例中，作为显示面板100例示适用了有机发光显示面板的情况，但是并不限于此，也可以适用如液晶显示器(lcd)、量子点有机发光显示面板(qd-oled)、量子点液晶显示器(qd-lcd)、量子纳米发光显示面板(nanoned)、微型led(microled)等其他种类的显示面板。57.显示面板100可以包括显示画面的显示区域da以及不实现显示的非显示区域nda。显示面板100在平面图上可以被划分为显示区域da和非显示区域nda。非显示区域nda可以被配置成包围显示区域da。非显示区域nda可以构成边框。58.显示区域da可以是在平面上角部垂直的矩形形状或角部圆的矩形形状。但是，显示区域da的平面形状并不限于矩形，可以具有圆形、椭圆形或其他各种形状。59.显示区域da可以包括多个像素。可以以矩阵形状配置各像素。各像素可以包括发光层以及控制发光层的发光量的电路层。电路层可以包括布线、电极以及至少一个晶体管。发光层可以包括有机发光物质。发光层可以被封装膜密封。对于像素的具体构成将后述。60.非显示区域nda可以包围显示区域da的所有边并构成显示区域da的边框。但是，并不限于此。61.显示面板100可以包括主区域ma以及与主区域ma的第二方向dr2的一侧连接的弯曲区域ba。显示面板100还可以包括在第二方向dr2的一侧与弯曲区域ba连接且在厚度方向上被弯曲而在厚度方向上与主区域ma重叠的子区域sa。62.显示区域da可以位于主区域ma。非显示区域nda可以位于主区域ma的显示区域da的周边边缘部分。63.主区域ma可以具有与显示装置1在平面上的外形类似的形状。主区域ma可以是位于一平面的平坦区域。但是，并不限于此，在主区域ma中，除了与弯曲区域ba连接的边缘(边)以外的其余边缘中的至少一个边缘也可以被弯曲而构成曲面或在垂直方向上被弯折。transistor)形成。此外，在图3中说明了第一晶体管tr1和第二晶体管tr2分别由n型mosfet(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)形成的情况，但是并不限于此。第一晶体管tr1和第二晶体管tr2也可以由p型mosfet形成。在该情况下，第一晶体管tr1和第二晶体管tr2各自的源电极和漏电极的位置可以被变更。以下，例示说明第一晶体管tr1和第二晶体管tr2为n型mosfet的情况。76.第一晶体管tr1可以是驱动晶体管。具体而言，第一晶体管tr1的栅电极与第二晶体管tr2的第二源/漏电极和电容器cst的第二电极连接。第一晶体管tr1的第一源/漏电极与第一电源线elvdl连接。第一晶体管tr1的第二源/漏电极与发光元件oled的阳极连接。第一晶体管tr1根据第二晶体管tr2的开关操作而接收数据信号dj(j是1以上的整数)的传递，从而向发光元件oled供给驱动电流。77.第二晶体管tr2的栅电极与扫描线sl连接。第二晶体管tr2的第一源/漏电极与数据线dl连接。第二晶体管tr2的第二源/漏电极与第一晶体管tr1的栅电极及电容器cst的第二电极连接。第二晶体管tr2根据扫描信号sk(k是1以上的整数)而被导通，从而执行将数据信号dj(j是1以上的整数)传递至第一晶体管tr1的栅电极的开关操作。78.电容器cst的第一电极可以与第一电源线elvdl及第一晶体管tr1的第一源/漏电极连接，电容器cst的第二电极可以与第一晶体管tr1的栅电极及第二晶体管tr2的第二源/漏电极连接。电容器cst可以起到将施加到第一晶体管tr1的栅电极的数据电压维持一定的作用。79.发光元件oled可以根据第一晶体管tr1的驱动电流而发光。发光元件oled可以是包括阳极、有机发光层以及阴极(或第二电极)的有机发光二极管(organiclightemittingdiode)。发光元件oled的阳极可以与第一晶体管tr1的第二源/漏电极连接，阴极可以与施加比第一电源电压elvdd低的第二电源电压elvss的第二电源线elvsl连接。80.以下，详细说明上述的像素px的截面结构。81.图4是一实施例涉及的显示装置的剖视图。82.参照图4，一实施例涉及的显示装置1可以包括下部覆盖部件cpl、显示面板100、触摸部件tsp、防反射部件arm以及盖窗win，下部覆盖部件cpl、显示面板100、触摸部件tsp、防反射部件arm以及盖窗win可以依次被层叠。在各层叠部件之间可以配置如粘接层或粘合层这样的至少一个结合部件来结合相邻的层叠部件。但是，并不限于此，在各层之间还可以配置其他层，也可以省略各层叠部件中的一部分。83.显示面板100可以包括基底基板sub、阻挡层110、缓冲层120、半导体层130、第一绝缘层il1、第一栅极导电层140、第二绝缘层il2、第二栅极导电层150、第三绝缘层il3、数据导电层160、第四绝缘层il4、阳极ano、包括使阳极ano露出的开口部的像素定义膜pdl、配置在像素定义膜pdl的开口部内的发光层eml、配置在发光层eml和像素定义膜pdl上的阴极cat以及配置在阴极cat上的薄膜封装层en。上述的各层可以由单一膜形成，但是也可以由包括多个膜的层叠膜形成。在各层之间还可以配置其他层。84.基底基板sub支承配置在其上的各层。基底基板sub可以由高分子树脂等绝缘物质形成。作为所述高分子树脂的例，可以列举聚醚砜(polyethersulphone，pes)、聚丙烯酸酯(polyacrylate，pa)、聚芳酯(polyarylate，par)、聚醚酰亚胺(polyetherimide，pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate，pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate，pet)、聚苯硫醚(polyphenylenesulfide，pps)、聚烯丙基化物(polyallylate)、聚酰亚胺(polyimide，pi)、聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、三乙酸纤维素(cellulosetriacetate，cat)、醋酸(乙酸)丙酸纤维素(celluloseacetatepropionate，cap)或它们的组合。基底基板sub也可以由玻璃、石英等无机物质形成。但是，并不限于此，基底基板sub可以是透明的板或透明的膜。此外，基底基板sub也可以包括多个有机层以及位于其间的无机层。85.基底基板sub也可以是可实现弯曲(bending)、折叠(folding)、卷曲(rolling)等的柔性(flexible)基板，但是并不限于此，基底基板sub可以是刚性(rigid)基板。86.在基底基板sub上配置阻挡层110。阻挡层110可以防止杂质离子的扩散，且可以防止水分或外气的渗透，并且可以执行表面平坦化功能。阻挡层110可以包括硅氧化物(siox)。但是，并不限于此，可以包括硅氮化物(sinx)或硅氮氧化物(sioxny)等。阻挡层110也可以根据基底基板sub的种类或工序条件等而被省略。87.阻挡层110和缓冲层120可以分别分离来成膜，在已执行使阻挡层110成膜的工序且执行使缓冲层120成膜的工序之前，在阻挡层110的表面可能会粘接有杂质。所述杂质可以包括碳(c)和氟(f)等，但是并不限于此。残留在阻挡层110的上表面的碳(c)和氟(f)等可能会通过使半导体层130结晶化的工序(例如，ela(excimerlaserannealing，准分子激光退火)工序)而朝向上部扩散。88.可以在形成阻挡层110之后，且在形成缓冲层120之前，通过紫外线uv(ultravioletrays)(参照图12等)处理阻挡层110，对此将后述。在利用紫外线uv处理阻挡层110的情况下，可以去除残留在阻挡层110的表面的碳(c)和氟(f)。即，通过紫外线uv的处理，可以减少残留在阻挡层110的表面的碳(c)和氟(f)的量。对此的详细说明将后述。在阻挡层110上配置缓冲层120。缓冲层120可以包括硅氮化物(sinx)、硅氧化物(siox)或硅氮氧化物(sioxny)等。缓冲层120可以包括包含彼此不同的物质的两个层。缓冲层120可以包括包含硅氮化物(sinx)的第一缓冲层121以及包含硅氧化物(siox)的第二缓冲层122。可以在第一缓冲层121上配置第二缓冲层122。以下，为了区分第一缓冲层121及第二缓冲层122和包括它们的缓冲层120，将第一缓冲层121称为第一缓冲膜121，将第二缓冲层122称为第二缓冲膜122。89.通过调节配置第二缓冲膜122的速度(沉积速度(depositionrate))，可以减少由第二缓冲膜122所包括的氢(h)引起的释气(out-gassing)。同时，通过对缓冲层120进行等离子体处理(plasmatreatment)，可以减少由缓冲层120产生的释气(out-gassing)。对此的详细说明将后述。90.在缓冲层120上配置半导体层130。半导体层130形成像素(图3的“px”)的薄膜晶体管的沟道。半导体层130可以包括多晶硅。在半导体层130由多晶硅形成的情况下，所述多晶硅可以通过rta(rapidthermalannealing，快速热退火)法、spc(solidphasecrystallization，固相晶化)法、ela(excimerlaserannealing，准分子激光退火)法、mic(metalinducedcrystallization，金属诱导晶化)法、milc(metalinducedlateralcrystallization，金属诱导横向晶化)法、sls(sequentiallateralsolidification，顺序横向凝固)法等结晶化方法使非晶硅结晶化来形成。但是，并不限于此，半导体层130也可以包括单晶硅、低温多晶硅、非晶硅、氧化物半导体中的至少一个。91.半导体层130可以是使配置在对象基板的所有区域的非晶硅全部结晶化之后对其进行了图案化的层，也可以是先对非晶硅薄膜进行图案化之后使图案化的非晶硅薄膜结晶化的层。但是，并不限于此，虽然未图示，但是也可以仅使非晶硅薄膜的部分区域结晶化，从而半导体层130包括配置有非晶硅的非晶硅区域(未图示)以及配置有多晶硅的多晶硅区域(未图示)。92.半导体层130在结晶化的过程中可能会因由配置在下部的阻挡层110及缓冲层120产生的释气(out-gassing)以及半导体层130内部的释气(out-gassing)而产生半导体层130的膜破裂的不良，这可能会引发显示装置(图1的“1”)的污渍等不良。因此，有必要调节配置在半导体层130的下部的各构成的释气(out-gassing)。对此的详细说明将后述。93.在半导体层130上配置第一绝缘层il1。第一绝缘层il1可以是具有栅极绝缘功能的第一栅极绝缘膜。第一绝缘层il1可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，第一绝缘层il1可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铝氧化物、钽氧化物、铪氧化物、锆氧化物、钛氧化物等。94.在第一绝缘层il1上配置第一栅极导电层140。第一栅极导电层140可以包括像素的薄膜晶体管的栅电极gat及与其连接的扫描线以及维持电容器的第一电极ce1。95.第一栅极导电层140可以包括选自钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)以及铜(cu)中的一种以上的金属。96.在第一栅极导电层140上可以配置第二绝缘层il2。第二绝缘层il2可以是层间绝缘膜或第二栅极绝缘膜。第二绝缘层il2可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铪氧化物、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、锌氧化物等无机绝缘物质。97.在第二绝缘层il2上配置第二栅极导电层150。第二栅极导电层150可以包括维持电容器的第二电极ce2。第二栅极导电层150可以包括选自钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)以及铜(cu)中的一种以上的金属。第二栅极导电层150可以由与第一栅极导电层140相同的物质形成，但是并不限于此。98.在第二栅极导电层150上配置第三绝缘层il3。第三绝缘层il3可以是层间绝缘膜。第三绝缘层il3可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铪氧化物、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、锌氧化物等无机绝缘物质。99.在第三绝缘层il3上配置数据导电层160。数据导电层160可以包括像素(图3的“px”)的薄膜晶体管的第一电极sd1和第二电极sd2以及第一电源电压电极elvdde。薄膜晶体管的第一电极sd1和第二电极sd2可以通过贯通第三绝缘层il3、第二绝缘层il2和第一绝缘层il1的接触孔而与半导体层130的源极区域及漏极区域电连接。第一电源电压电极elvdde可以通过贯通第三绝缘层il3的接触孔而与维持电容器的第二电极ce2电连接。100.数据导电层160可以包括选自铝(al)、钼(mo)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)以及铜(cu)中的一种以上的金属。数据导电层160可以是单一膜或多层膜。例如，数据导电层160可以由ti/al/ti、mo/al/mo、mo/alge/mo、ti/cu等层叠结构形成。101.在数据导电层160上配置第四绝缘层il4。第四绝缘层il4覆盖数据导电层160。第四绝缘层il4可以是过孔层。在第四绝缘层il4包括有机物质的情况下，即便下部存在高低差，上表面也可以大致是平坦的。第四绝缘层il4可以包括丙烯酸系树脂(acrylatesresin)、环氧树脂(epoxyresin)、酚醛树脂(phenolicresin)、聚酰胺系树脂(polyamidesresin)、聚酰亚胺系树脂(polyimidesrein)、不饱和聚酯系树脂(unsaturatedpolyestersresin)、聚苯醚树脂(polyphenylenethersresin)、聚苯硫醚系树脂(polyphenylenesulfidesresin)或苯并环丁烯(benzocyclobutene，bcb)等有机绝缘物质。102.在第四绝缘层il4上配置阳极ano。阳极ano可以是在每个像素(图3的“px”)中配备的像素电极。阳极ano可以通过贯通第四绝缘层il4的接触孔而与薄膜晶体管的第二电极sd2连接。阳极ano可以与像素(图3的“px”)的发光区域ema至少部分重叠。103.阳极ano可以具有铟锡氧化物(indium-tin-oxide，ito)、铟锌氧化物(indium-zinc-oxide，izo)、氧化锌(zincoxide，zno)、氧化铟(indiumoxide，in2o3)的功函数大的物质层和如银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、铅(pb)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或它们的混合物等这样的反射性物质层被层叠而成的层叠膜结构，但是并不限于此。功函数大的层可以配置在比反射性物质层更靠上的上层，从而被配置成更靠近发光层eml。阳极ano可以具有ito/mg、ito/mgf、ito/ag、ito/ag/ito的多层结构，但是并不限于此。104.在阳极ano上可以配置像素定义膜pdl。像素定义膜pdl可以配置在阳极ano上，并且包括使阳极ano露出的开口部。通过像素定义膜pdl及其开口部，可以划分发光区域ema和非发光区域nem。像素定义膜pdl可以包括丙烯酸系树脂(acrylatesresin)、环氧树脂(epoxyresin)、酚醛树脂(phenolicresin)、聚酰胺系树脂(polyamidesresin)、聚酰亚胺系树脂(polyimidesrein)、不饱和聚酯系树脂(unsaturatedpolyestersresin)、聚苯醚树脂(polyphenylenethersresin)、聚苯硫醚系树脂(polyphenylenesulfidesresin)或苯并环丁烯(benzocyclobutene，bcb)等有机绝缘物质。像素定义膜pdl也可以包括无机物质。105.在像素定义膜pdl上可以配置隔离物sp。隔离物sp可以直接配置在像素定义膜pdl上。隔离物sp可以在厚度方向上与像素定义膜pdl重叠。隔离物sp可以起到维持与配置在上部的结构物之间的间隔的作用。例如，隔离物sp可以在通过精细金属掩模(fmm)沉积发光层eml的有机物质时起到防止精细金属掩模下沉的作用。根据情况，隔离物sp还可以起到支承层叠在上部的结构物的作用，在向显示面板100加压时可以起到缓和因应力的压力引起的变形的作用。隔离物sp可以具有比像素定义膜pdl窄的宽度。隔离物sp也可以仅配置在像素定义膜pdl的部分区域上，由此可能会与不存在隔离物sp的部分引起高低差。106.隔离物sp可以与像素定义膜pdl同样地包括有机绝缘物质而形成。隔离物sp可以由独立于像素定义膜pdl的层形成，但是也可以由同一物质通过一个工序形成。例如，可以在涂布光敏性有机物质之后，通过利用缝隙掩模或半色调掩模进行曝光和显影的工序，经由一个工序形成具有彼此不同的高度的像素定义膜pdl和隔离物sp。107.在像素定义膜pdl所露出的阳极ano上配置发光层eml。发光层eml可以包括有机物质层。发光层的有机物质层可以包括有机发光层，并且还可以包括空穴注入/传输层和/或电子注入/传输层。108.在发光层eml上可以配置阴极cat。阴极cat可以是无像素区别地配置在整个面的公共电极。阳极ano、发光层eml和阴极cat分别可以构成发光元件(图3的“oled”)。109.阴极cat不仅可以与发光层eml相接，还可以与像素定义膜pdl的上表面相接。此外，在形成有隔离物sp的区域，阴极cat可以与隔离物sp的表面相接并且覆盖隔离物sp的表面。阴极cat可以相对于下部结构物形成为等角，使得反映下部结构物的高低差。110.阴极cat可以包括如li、ca、lif/ca、lif/al、al、mg、ag、pt、pd、ni、au、nd、ir、cr、baf、ba或者它们的化合物或混合物(例如，ag与mg的混合物等)这样的功函数小的物质层。阴极cat还可以包括配置在所述功函数小的物质层上的透明金属氧化物层。111.在阴极cat的上部配置包括第一无机膜en1、第一有机膜en2以及第二无机膜en3的薄膜封装层en。在薄膜封装层en的端部，第一无机膜en1和第二无机膜en3可以彼此相接。第一有机膜en2可以通过第一无机膜en1和第二无机膜en3被密封。112.第一无机膜en1和第二无机膜en3分别可以包括硅氮化物、硅氧化物或硅氮氧化物等。第一有机膜en2可以包括有机绝缘物质。113.在显示面板100上可以配置触摸部件tsp。触摸部件tsp可以感知触摸输入。如图所示，触摸部件tsp可以被提供成与显示面板100分开的面板或膜而被附着在显示面板100上，但是也可以在显示面板100的内部被提供成触摸层的形态。114.在触摸部件tsp上可以配置防反射部件arm。防反射部件arm可以使通过的光产生偏振或者选择性地使特定波长的光透过。防反射部件arm可以起到减小外光反射的作用。115.在防反射部件arm上可以配置盖窗win。盖窗win覆盖显示面板100而起到保护的作用。盖窗win可以由透明的物质形成。盖窗win例如可以包括玻璃或塑料而形成。116.在显示面板100的下部可以配置下部覆盖部件cpl。下部覆盖部件cpl可以执行遮光作用。即，下部覆盖部件cpl可以阻断光从外部朝向显示面板100的射入。同时，下部覆盖部件cpl也可以执行遮光功能以外的冲击吸收功能等。117.以下，参照图5至图11，具体说明可以抑制或防止半导体层130的膜破裂不良的阻挡层110、缓冲层120和半导体层130。118.首先，为了说明对阻挡层110进行紫外线uv的处理时的第一缓冲膜121的碳(c)和氟(f)的浓度，参照图5至图7。119.图5是放大了一实施例涉及的缓冲层的周边的截面的放大图。图6是表示一实施例涉及的显示装置的缓冲层和阻挡层的氟(f)浓度的图表。图7是表示一实施例涉及的显示装置的缓冲层和阻挡层的碳(c)浓度的图表。120.图5简单示出了在阻挡层110、缓冲层120和半导体层130的周边，氢(h)、碳(c)和氟(f)向上部扩散的情况。在图6和图7中，a的图表表示未对阻挡层110的表面进行紫外线uv的处理时的图表，b的图表表示对阻挡层110的表面进行了紫外线uv的处理时的图表。图6和图7的横轴表示在厚度方向上的深度(depth(nm))，图6的纵轴表示氟(f)的浓度(concentration(atom/cm3))，图7的纵轴表示碳(c)的浓度(concentration(atom/cm3))。图6和图7是利用二次离子质谱分析(secondaryionmassspectrometry，sims)测量的结果。121.首先，进一步参照图5和图6，在对阻挡层110的表面进行了紫外线uv的处理的情况b下，第一缓冲膜121内的氟(f)的浓度可以比未对阻挡层110的表面进行紫外线uv的处理的情况a减少。122.具体而言，第一缓冲膜121可以将从与阻挡层110的界面if1至与第二缓冲膜122的界面if2之间的区域在厚度方向(第三方向dr3)上进行三等分。对于将第一缓冲膜121进行了三等分的区域而言，从与阻挡层110相邻的区域开始可以称为第一区域ar1、第二区域ar2和第三区域ar3。123.作为第一缓冲膜121内的氟(f)浓度最高的地点的峰值pk1、pk2可以位于第一区域ar1内。a的图表在第一区域ar1具有第一峰值pk1，b的图表在第一区域ar1具有第二峰值pk2。第二峰值pk2处的氟(f)浓度可以低于第一峰值pk1处的氟(f)浓度。例如，第一峰值pk1和第二峰值pk2可以位于第一缓冲膜121的第一界面if1，但是并不限于此。124.第二峰值pk2处的氟(f)浓度可以大于第一界面if1与第二界面if2之间的中间地点的氟(f)浓度，并且可以在所述中间地点的氟(f)浓度的2.5倍以下。第二峰值pk2处的氟(f)浓度可以大于所述中间地点的氟(f)浓度，并且可以在所述中间地点的氟(f)浓度的2.0倍以下，但是并不限于此。例如，所述中间地点的氟(f)浓度可以在1e20atom/cm3以下，或者可以在1e18至1e20atom/cm3的范围内，但是并不限于此。所述中间地点可以位于第二区域ar2内。同时，从所述中间地点到第一界面if1为止的距离和从所述中间地点到第二界面if2为止的距离可以相同。125.或者，第二峰值pk2处的氟(f)浓度可以大于第二区域ar2的氟(f)浓度的平均浓度，并且可以在第二区域ar2的氟(f)浓度的平均浓度的2.5倍以下。第二区域ar2的氟(f)浓度的平均浓度可以在1e20atom/cm3以下，或者可以在1e18至1e20atom/cm3的范围内。126.或者，第二峰值pk2处的氟(f)浓度可以在第二区域ar2的任意地点处的氟(f)浓度的2.5倍以下。即，第二峰值pk2处的氟(f)浓度可以大于第二区域ar2的任意地点处的氟(f)浓度，并且可以在第二区域ar2的任意地点处的氟(f)浓度的2.5倍以下。127.接着，参照图5和图7，在对阻挡层110的表面进行了紫外线uv的处理的情况b下，第一缓冲膜121内的碳(c)浓度可以比未对阻挡层110的表面进行紫外线uv的处理的情况a减少。128.具体而言，第一缓冲膜121可以将与阻挡层110的第一界面if1至与第二缓冲膜122的第二界面if2之间的区域在厚度方向(第三方向dr3)上进行三等分。对于将第一缓冲膜121三等分的区域而言，可以从与阻挡层110相邻的区域开始称为第一区域ar1、第二区域ar2和第三区域ar3。129.a的图表在第一区域ar1具有第三峰值pk3，b的图表在第一区域ar1具有第四峰值pk4。第四峰值pk4处的碳(c)浓度可以低于第三峰值pk3处的碳(c)浓度。第三峰值pk3和第四峰值pk4实质上可以位于相同的位置处。例如，第三峰值pk3和第四峰值pk4可以位于第一缓冲膜121的第一界面if1，但是并不限于此。130.在第三峰值pk3处，碳(c)浓度可以在第一缓冲膜121中处于最高的地点或者在第一缓冲膜121及其周边处于最高的地点。例如，在第三峰值pk3处，碳(c)浓度可以在阻挡层110、第一缓冲膜121和第二缓冲膜122中处于最高的地点，但是并不限于此。131.第四峰值pk4处的碳(c)浓度可以在第一界面if1与第二界面if2之间的中间地点的碳(c)浓度的2.5倍以下。同时，第四峰值pk4处的碳(c)浓度可以小于第一界面if1与第二界面if2之间的中间地点的碳(c)浓度。但是，并不限于此，第四峰值pk4处的碳(c)浓度也可以在所述中间地点的碳(c)浓度的2.0倍以下。所述中间地点可以位于第二区域ar2内。同时，从所述中间地点到第一界面if1为止的距离和从所述中间地点到第二界面if2为止的距离可以相同。132.所述中间地点的碳(c)浓度可以在1e20atom/cm3以下，或者在1e19atom/cm3以下，但是并不限于此。或者，所述中间地点的碳(c)浓度可以在1e17atom/cm3至1e20atom/cm3的范围或者1e18atom/cm3至1e19atom/cm3的范围内。或者，第四峰值pk4处的碳(c)浓度可以在第二区域ar2的碳(c)浓度的2.5倍以下。同时，第四峰值pk4处的碳(c)浓度可以小于第二区域ar2的碳(c)浓度的平均浓度。133.或者，第四峰值pk4处的碳(c)浓度可以在第二区域ar2的任意地点处的碳(c)浓度的2.5倍以下。即，第四峰值pk4处的碳(c)浓度可以在第二区域ar2的任意地点处的碳(c)浓度的2.5倍以下。同时，第四峰值pk4处的碳(c)浓度可以小于第二区域ar2的任意地点处的碳(c)浓度。134.即，随着利用紫外线uv处理阻挡层110的表面，残留在阻挡层110的表面的碳(c)和氟(f)的量可以减少。因此，可以减少从阻挡层110的表面向第一缓冲膜121扩散的碳(c)和氟(f)的量，由此在使半导体层130结晶化的过程中，可以抑制或防止可能因碳(c)和氟(f)产生的释气(out-gassing)。因此，可以抑制或防止因半导体层130的膜破裂等而引起的不良。135.但是，并不限于此，阻挡层110和第一缓冲膜121可以连续地成膜，第一缓冲膜121和第二缓冲膜122也可以分开成膜。在该情况下，上述的杂质可能会粘接到第一缓冲膜121的表面，对第一缓冲膜121的表面可以进行紫外线uv的处理。同时，对于第一峰值pk1和第二峰值pk2的说明不仅可以适用于第一区域ar1和第一界面if1，还可以适用于第三区域ar3和第二界面if2。136.除了对阻挡层110进行紫外线uv(ultravioletrays)的处理的方法外，通过减小使第二缓冲膜122成膜的速度(沉积速度(depositionrate))也可以减小第二缓冲膜122所包括的氢(h)的浓度。对此的详细说明将后述。根据使第二缓冲膜122成膜的条件，可以抑制或防止可能在使半导体层130结晶化的过程中产生的释气(out-gassing)。137.为了对此进行详细说明，参照图8至图10。138.图8是表示一实施例涉及的显示装置的第一绝缘层、半导体层和缓冲层的氢(h)浓度的图表。图9是表示一实施例涉及的显示装置的半导体层、缓冲层和阻挡层的氢(h)浓度的图表。图10是表示随着加热一实施例涉及的缓冲层而释放的氢(h)气的量的图表。139.图8是利用二次离子质谱分析(secondaryionmassspectrometry，sims)测量的结果。图9的图表是利用卢瑟福背散射分析(rbs，rutherfordbackscatteringspectrometry)测量的结果。图10的图表是利用热脱附谱(tds，thermaldesorptionspectroscopy)测量的结果。140.图8和图9的横轴表示一实施例涉及的半导体层130、缓冲层120和阻挡层110的厚度方向(第三方向dr3)上的深度(depth)，纵轴表示氢(h)的浓度(atom/cm3，at％)。图10的横轴表示第二缓冲膜122的温度，纵轴表示从第二缓冲膜122释放的氢(h)气的量。图10表示从通过彼此不同的沉积速度形成的第二缓冲膜122释放的氢(h)气的量。141.在图8和图10中，a的图表作为比较例表示从沉积速度约为的第二缓冲膜122释放的氢(h)气的量，c的图表作为实施例表示从通过比所述a的图表的沉积速度小的沉积速度形成的第二缓冲膜122释放的氢(h)气的量。例如，c的图表的沉积速度可以在至的范围或至的范围中，或者可以是但是并不限于此。142.首先，参照图5和图8，在第二缓冲膜122的沉积速度相对低的情况c下，第二缓冲膜122和半导体层130的氢(h)浓度可以比沉积速度相对高的情况a还低。在半导体层130与第二缓冲膜122之间的第三界面if3，氢(h)浓度可以最高，并且在第三界面if3，在第二缓冲膜122的沉积速度相对低的情况c下氢(h)浓度可以更低。143.第二缓冲膜122的氢(h)浓度可以在1.0e18至3.0e21atom/cm3的范围或1.0e19至3.0e20atom/cm3的范围内。144.即，在第三界面if3的周边，氢(h)浓度可以是第二缓冲层122的沉积速度越低就越减小，由此可以减少氢(h)引起的释气(out-gassing)。145.参照图5和图9，一实施例涉及的第二缓冲膜122和阻挡层110可以包括相同的物质。例如，第二缓冲膜122和阻挡层110可以包括硅氧化物(siox)。第二缓冲膜122和阻挡层110其沉积各层的沉积速度可以彼此不同。第二缓冲膜122的沉积速度可以小于阻挡层110的沉积速度。第二缓冲膜122的沉积速度可以在至的范围或至的范围，可以是阻挡层110的沉积速度可以如图10的a图表那样约为但是并不限于此。146.第二缓冲膜122和阻挡层110可以具有彼此不同的膜密度。第二缓冲膜122的膜密度可以大于阻挡层110的膜密度。第二缓冲膜122的膜密度例如可以在2.2g/cm3至2.25g/cm3的范围内，或者可以在2.15g/cm3至2.40g/cm3的范围内，但是并不限于此。第二缓冲膜122的膜密度可以通过测量每单位体积的重量来计算出。147.第二缓冲膜122和阻挡层110可以具有彼此不同的氢(h)浓度。第二缓冲膜122的氢(h)浓度可以小于阻挡层110的氢(h)浓度。例如，第二缓冲膜122的氢(h)浓度可以在3至5at％的范围或3.5至4.5at％的范围内，可以是4at％，但是并不限于此。148.接着，进一步参照图10，沉积速度相对低的c的情况下，与沉积速度相对高的a的情况相比，从第二缓冲膜122释放的氢(h)气的量可以少。即，在降低沉积第二缓冲膜122的沉积速度的情况下，从第二缓冲膜122释放的氢(h)气的量可以减少。149.即，即便第二缓冲膜122和阻挡层110包括相同的物质(例如，硅氧化物(siox))，在减小第二缓冲膜122被沉积的速度的情况下，可以增加第二缓冲膜122的膜密度，并且可以减小第二缓冲膜122的内部的氢(h)浓度。随着内部的氢(h)浓度减小，即便进行使半导体层130结晶化的工序，也可以减少从第二缓冲膜122释放的氢(h)气的量，可以抑制或防止可能因氢(h)产生的释气(out-gassing)。因此，可以抑制或防止半导体层130的污渍或膜破裂等引起的不良。150.除了降低阻挡层110的紫外线uv的处理和第二缓冲膜122的沉积速度外，还可以对缓冲层120进行等离子体处理(plasmatreatment)，从而去除缓冲层120的表面的杂质，可以减少因所述杂质引起的释气(out-gassing)。151.例如，在已沉积缓冲层120且在沉积半导体层130之前，通过清洗(cleaning)缓冲层120的表面的工序，杂质可能会粘接到缓冲层120的表面。所述杂质可以包括氟(f)等。残留在缓冲层120的上表面的氟(f)等可能会通过使半导体层130结晶化的工序(例如，ela(excimerlaserannealing，准分子激光退火)工序)朝向上部扩散。在沉积缓冲层120并进行清洗之后对缓冲层120进行等离子体处理的情况下，可以去除残留在缓冲层120的表面的氟(f)，对此将后述。即，通过等离子体处理，可以减少残留在缓冲层120的表面的氟(f)的量。所述等离子体处理可以通过氩(at)等离子气体进行，但是并不限于此。152.为了说明对缓冲层120进行等离子体处理所涉及的半导体层130的氟(f)浓度，参照图11。153.图11是表示一实施例涉及的显示装置的半导体层及其周边的氟(f)浓度的图表。图11是通过二次离子质谱分析(secondaryionmassspectrometry，sims)测量的结果。在图11中，a的图表表示未对缓冲层120的表面进行等离子体处理的情况，d的图表表示对缓冲层120的表面进行了等离子体处理的情况。图11的横轴表示溅射(sputtering)时间，纵轴表示氟(f)的分布。同时，图11的横轴可以看作是第一绝缘层il1、半导体层130和缓冲层120的厚度方向(第三方向dr3)上的深度(depth)。154.参照图5和图11，在对缓冲层120的表面进行了等离子体处理的情况d下，半导体层130和缓冲层120内的氟(f)浓度与未对缓冲层120的表面进行等离子体处理的情况a相比可以减少。155.具体而言，半导体层130可以将从与缓冲层120的第三界面if3到与第一绝缘层il1的第四界面if4之间的区域在厚度方向(第三方向dr3)上进行三等分。对于将半导体层130进行了三等分的区域而言，从与缓冲层120相邻的区域开始可以称为第一区域at1、第二区域at2和第三区域at3。此外，半导体层130可以将从与缓冲层120的第三界面if3到与第一绝缘层il1的第四界面if4之间的区域在厚度方向(第三方向dr3)上进行二等分。对于将半导体层130进行了二等分的区域而言，从与缓冲层120相邻的区域开始可以称为第四区域at4和第五区域at5。156.d的图表可以在第一区域at1和第四区域at4具有第六峰值pk6，在第三区域at3和第五区域at5可以包括第八峰值pk8。第六峰值pk6可以位于第三界面if3，第八峰值pk8可以位于第四界面if4，但是并不限于此。第六峰值pk6处的半导体层130的氟(f)浓度可以小于第八峰值pk8处的半导体层130的氟(f)浓度。第六峰值pk6处的半导体层130的氟(f)浓度可以在第八峰值pk8处的半导体层130的氟(f)浓度的30％以下或20％以下，但是并不限于此。157.d的图表还可以包括作为在第六峰值pk6与第八峰值pk8之间具有最低的浓度值的地点的低点lk。低点lk处的半导体层130的氟(f)浓度可以等于或小于第六峰值pk6处的半导体层130的氟(f)浓度。低点lk处的半导体层130的氟(f)浓度可以在1e20atom/cm3以下，但是并不限于此。此外，例如，低点lk处的半导体层130的氟(f)浓度可以在1e18至1e19atom/cm3的范围或1e18至1e20atom/cm3的范围内，但是并不限于此。158.此外，例如，低点lk可以位于第二区域at2内的同时位于第四区域at4内，但是并不限于此。159.比较d的图表和a的图表时，在对缓冲层120的表面进行等离子体处理的情况下，d的图表与a的图表相比氟(f)浓度大致低，尤其是在第三界面if3的周边区域，氟(f)浓度可以低。图表a的第五峰值pk5处的氟(f)浓度可以大于图表d的第六峰值pk6处的氟(f)浓度。同时，图表a的第七峰值pk7处的氟(f)浓度可以小于图表d的第八峰值pk8处的氟(f)浓度。160.因此，在对缓冲层120的表面进行等离子体处理的情况下，可以抑制或防止可能会在半导体层130的下部产生的由氟(f)引起的释气(out-gassing)，可以减少半导体层130的膜破裂等，可以抑制或防止由此引起的不良。161.以下，说明一实施例涉及的显示装置的制造方法。162.图12至图16是用于说明一实施例涉及的显示装置的制造方法的剖视图。图13放大示出了图12的阻挡层110的表面。图15放大示出了图14的第二缓冲膜122的表面。163.首先，参照图12和图13，在基底基板sub上层叠阻挡层110。阻挡层110可以配置在基底基板sub的整个面。阻挡层110可以通过化学气相沉积法(chemicalvapordeposition，cvd)、等离子体化学气相沉积法(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，pecvd)等形成，但是并不限于此。164.层叠阻挡层110之后，通过紫外线uv对阻挡层110的表面进行紫外线处理。在该情况下，可以去除粘接到阻挡层110的表面的杂质，并且可以减少残留在阻挡层110的表面的杂质的量。例如，在阻挡层110的表面可能会粘接有碳(c)和氟(f)等，可以通过紫外线处理去除碳(c)和氟(f)等，但是并不限于此。165.因此，通过紫外线处理，可以减少残留在阻挡层110的表面的碳(c)和氟(f)等的量，即便后续进行使半导体层130结晶化的工序(例如，ela(excimerlaserannealing，准分子激光退火)工序)，也可以减少从阻挡层110的表面朝向上部扩散的碳(c)气和氟(f)气等的量。即，可以抑制或防止从阻挡层110的表面产生的释气(out-gassing)，进一步地可以抑制或防止半导体层130的膜破裂等不良。166.接着，参照图14和图15，在阻挡层110上层叠缓冲层120。缓冲层120可以配置在阻挡层110的整个面。缓冲层120可以依次层叠有第一缓冲膜121和第二缓冲膜122。可以在层叠第一缓冲膜121之后，层叠第二缓冲膜122。缓冲层120的第一缓冲膜121和第二缓冲膜122分别可以通过化学气相沉积法(chemicalvapordeposition、cvd)、等离子体化学气相沉积法(plasmaenhancedchemicalvapordeposition、pecvd)等形成，但是并不限于此。167.第二缓冲膜122可以包括与阻挡层110相同的物质，并且可以通过比阻挡层110的沉积速度低的沉积速度形成。例如，第二缓冲膜122的沉积速度可以在至的范围或至的范围，或者可以是但是并不限于此。168.沉积第二缓冲膜122的沉积条件的电源(power)可以在7000至8000w(watt)的范围或7400至7600w(watt)的范围内。在沉积第二缓冲膜122的沉积条件下，沉积源与沉积基板之间的距离(spacing)可以在500至700mils的范围或550至650mils的范围内。沉积第二缓冲膜122的压力可以在800至900mtorr的范围或830至870mtorr的范围内。在沉积第二缓冲膜122的过程中提供的一氧化二氮(n2o)可以在50000至60000sccm(standardcubiccentimeterperminute)的范围或54000至55000sccm的范围内。在沉积第二缓冲膜122的过程中提供的硅烷(sih4)可以在2000至2500sccm(standardcubiccentimeterperminute)的范围或2100至2300sccm的范围内。169.例如，沉积第二缓冲膜122的沉积条件的电源(power)可以是7520w，沉积源与沉积基板之间的距离(spacing)可以是600mils，沉积第二缓冲膜122的压力可以是850mtorr，所提供的一氧化二氮(n2o)可以是54700sccm，并且所提供的硅烷(sih4)可以是2200sccm，但是并不限于此。170.随着将第二缓冲膜122的沉积速度设定成比阻挡层110的沉积速度低，第二缓冲膜122的膜密度可以大于阻挡层110的膜密度，并且包括于第二缓冲膜122的氢(h)的浓度可以低于包括于阻挡层110的氢(h)的浓度。171.同时，可以在层叠缓冲层120之后，作为向上部露出的缓冲层120的表面的第二缓冲膜122的表面通过氩(ar)的等离子气体被进行等离子体处理(plasmatreatment)。但是，并不限于此，所述等离子体处理也可以通过氦(he)和氢(h2)中的任一种的等离子气体来进行。在该情况下，可以去除粘接到第二缓冲膜122的表面的杂质，可以减少残留在第二缓冲膜122的表面的杂质的量。例如，在第二缓冲膜122的表面可能会粘接有氟(f)等，氟(f)等可通过等离子体处理被去除，但是并不限于此。172.因此，通过等离子体处理，可以减少残留在缓冲层120的表面的氟(f)等的量，即便后续进行使半导体层130结晶化的工序(例如，ela(excimerlaserannealing，准分子激光退火)工序)，也可以减少从缓冲层120的表面朝向上部扩散的氟(f)气等的量。即，可以抑制或防止从缓冲层120的表面产生的释气(out-gassing)，进一步地可以抑制或防止半导体层130的膜破裂等不良。173.同时，通过基于氩(ar)的等离子体处理，缓冲层120可能会包括氩(ar)。氩(ar)可以位于缓冲层120的表面和缓冲层120的内部中的至少任一个区域。氩(ar)是惰性气体，即便氩(ar)位于缓冲层120，也不会影响缓冲层120的绝缘膜特性等，而且也不会影响上部的半导体层130的电特性等。174.接着，参照图16，在缓冲层120上形成半导体层130。半导体层130可以仅配置在缓冲层120的部分区域上。可以在缓冲层120上在整个面沉积半导体层用物质之后，通过光刻工序，对所述半导体层用物质进行图案化来形成如图16所示的半导体层130。175.然后，可以依次形成第一栅极导电层140(参照图4)、第二栅极导电层150(参照图4)、数据导电层160(参照图4)、像素定义膜pdl(参照图4)、发光层eml(参照图4)以及阴极cat(参照图4)等。所述的构成的形成方法是公知的技术，因此在本说明书中省略对其的说明。176.以下，说明其他实施例。在以下的实施例中，对于与之前已说明的构成相同的构成，省略或简化重复说明，主要说明区别点。177.图17表示说明其他实施例涉及的显示装置的制造方法的剖视图。178.参照图17，本实施例涉及的显示装置的制造方法与图12至图16的实施例的区别在于，通过连续成膜形成阻挡层110和缓冲层120。179.具体而言，在本实施例涉及的显示装置的制造方法中，可以连续地使阻挡层110和缓冲层120成膜。可以在基底基板sub上层叠阻挡层110之后，连续地在阻挡层110上层叠第一缓冲膜121，并且在层叠第一缓冲膜121之后连续地在第一缓冲膜121上层叠第二缓冲膜122。即，阻挡层110和缓冲层120可以在同一真空腔体内成膜。由此，可以减少可能会粘接到在基底基板sub上层叠的阻挡层110的表面的杂质的量。180.因此，在该情况下也可以抑制或防止可能会从阻挡层110的表面产生的释气(out-gassing)，可以抑制或防止半导体层(图4的“130”)的膜破裂等不良。181.以上，参照附图说明了本发明的各实施例，但是本领域技术人员应当能够理解在不变更本发明的技术思想或必要特征的情况下可以以其他具体形态实施本发明。因此，应理解以上记载的各实施例在所有方面都是例示性的，并不是限定性的。当前第1页12当前第1页12
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