对准标记的制备方法和鳍式场效应晶体管的制备方法与流程

1.本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种对准标记的制备方法和鳍式场效应晶体管的制备方法。


背景技术：

2.半导体集成电路(ic)制造涉及在半导体晶圆上形成具有图案的多个材料层，每一层都必须与先前的层对准，使得形成的电路适当地工作。因此，设计有多种对准标记，例如有一种对光标记，用于光掩模与半导体晶圆之间的对准，另一种迭对标记，用于半导体中层与层之间的对准。
3.随着半导体技术向着具有更小的部件尺寸的电路不断进步，对准要求变得更加严格。目前，鳍式场效应晶体管被广泛运用于芯片的制程中，以形成微缩图案。
4.因此，在鳍式场效应晶体管中制备对准标记，能够使对准标记的图形更加清晰，提高信号强度和测量准确性，这是目前急需解决的技术问题。


技术实现要素：

5.本发明的目的包括提供了一种对准标记的制备方法和鳍式场效应晶体管的制备方法，其能够使对准标记的图形更加清晰，提高信号强度和测量准确性。
6.本发明的实施例可以这样实现：
7.第一方面，本发明的实施例提供一种对准标记的制备方法，制备方法包括：在衬底上形成鳍部；在鳍部上形成标记参照部，标记参照部之间形成标记形成区；在标记形成区的鳍部上形成对准标记。
8.在一种可选地实施例中，对准标记的材料为sip或sige。
9.在一种可选地实施例中，在鳍部上形成标记参照部，标记参照部之间形成标记形成区包括：在衬底和鳍部上形成第一抗反射层；对第一抗反射层图案化，其中，图案化的第一抗反射层中，实体部分作为标记参照部，镂空部分作为标记形成区。
10.在一种可选地实施例中，在衬底和鳍部上形成第一抗反射层之后，方法还包括：在第一抗反射层上依次形成第一旋涂式玻璃层和第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行曝光、显影，以形成多个第一光刻遮挡部；对第一抗反射层图案化包括：去除第一旋涂式玻璃层和第一抗反射层对应于无第一光刻遮挡部的投影位置的材料，形成标记形成区。
11.在一种可选地实施例中，去除第一旋涂式玻璃层和第一抗反射层对应于无第一光刻遮挡部的投影位置的材料，形成标记形成区之后，方法还包括：去除第一光刻遮挡部和第一光刻遮挡部覆盖的第一旋涂式玻璃层的材料，形成标记参照部。
12.在一种可选地实施例中，标记参照部位包覆于鳍部的表面。
13.在一种可选地实施例中，标记参照部位于鳍部的顶端。
14.在一种可选地实施例中，对准标记包括位于鳍部上的竖向部和由竖向部横向延伸的延伸部。
15.在一种可选地实施例中，相邻两个鳍部上的对准标记通过延伸部相互连接。
16.第二方面，本发明的实施例提供一种鳍式场效应晶体管的制备方法，制备方法包括第一方面的对准标记的制备方法。
17.本发明实施例提供的对准标记的制备方法和鳍式场效应晶体管的制备方法的有益效果包括：
18.该制备方法通过在形成对准标记之前，先形成标记参照部和标记形成区，从而清晰地限定出对准标记形成的区域，使形成的对准标记的图形更加清晰，能够提高信号强度和测量准确性，有利于在半导体制程中形成微缩图案；该制备方法只是在现有鳍式场效应晶体管的制程中增加了形成标记参照部和标记形成区的步骤，使该制备方法能够适用于现有的鳍式场效应晶体管的制程中，具有良好的运用前景。
附图说明
19.为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
20.图1为本发明第一实施例提供的对准标记的制备方法的流程图；
21.图2a～图2g为本发明第一实施例提供的对准标记的制备过程的结构示意图；
22.图3a为对准标记作为迭对标记的示意图；
23.图3b为对准标记作为对光标记的示意图；
24.图4为本发明第二实施例提供的对准标记的制备方法的流程图；
25.图5a～图5o为本发明第一实施例提供的对准标记的制备过程的结构示意图。
26.图标：1-衬底；2-鳍部；3-沟槽；4-第一抗反射层；5-第一旋涂式玻璃层；6-第一光刻胶层；7-第一光刻遮挡部；8-标记参照部；9-标记形成区；10-对准标记；11-基底；12-刻蚀停止层；13-硬掩模层；14-牺牲材料层；15-第二抗反射层；16-第二旋涂式玻璃层；17-第二光刻胶层；18-第二光刻遮挡部；19-核心部；20-衬垫层；21-侧壁。
具体实施方式
27.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
28.因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
29.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
30.在本发明的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方
位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
31.此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
32.需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明的实施例中的特征可以相互结合。
33.随着半导体技术向着具有更小的部件尺寸的电路不断进步，对准要求变得更加严格。本发明的实施例提供一种对准标记的制备方法和鳍式场效应晶体管的制备方法，其能够使对准标记的图形更加清晰，提高信号强度(alignment wafer quality)和测量准确性，详细技术方案见以下实施例。
34.第一实施例
35.请参考图1，本实施例提供了一种对准标记的制备方法，制备方法包括以下步骤：
36.s101：在衬底1上形成鳍部2。
37.请参阅图2a，衬底1可以是半导体衬底，例如，体半导体、绝缘体上半导体(soi)衬底等，其可以是掺杂的，例如使用p型或n型掺杂剂，也可以是未掺杂的。衬底1可以是晶圆，例如，硅晶圆。通常，soi衬底1包括在绝缘体层上形成的半导体材料层。绝缘体层可以是例如掩埋氧化物(box)层、氧化硅层等。绝缘体层设置在衬底1上，衬底1通常是硅或玻璃衬底1。也可以使用其他衬底1，例如，多层或梯度衬底1。在一些实施例中，衬底1的半导体材料可包括硅、锗、化合物半导体或合金半导体。其中，化合物半导体包括碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟；合金半导体包括sige、gaasp、alinas、algaas、gainas、gainp和/或gainasp。
38.在一些实施例中，通过使用例如反应离子蚀刻(rie)、中性束蚀刻(nbe)等或其组合在鳍部2之间形成沟槽3。蚀刻工艺可以是各向异性的。在一些实施例中，沟槽3可以是彼此平行的条带，并且相对于彼此紧密间隔。在一些实施例中，沟槽3可以是连续的并围绕鳍部2。
39.鳍部2的材料与衬底1的材料相同，鳍部2间隔均匀地突出在衬底1上。鳍部2的形成可以通过光刻和蚀刻技术衬底1进行案化图而成。总之，可以通过任何合适的方法图案化形成鳍部2。例如，可以使用一个或多个光刻工艺来图案化形成鳍部2，包括双图案化或多图案化工艺。通常，双图案化或多图案化工艺组合光刻和自对准工艺，允许创建具有例如比使用单个直接光刻工艺可获得的间距更小的间距的图案。例如，在一个实施例中，在衬底1上方形成牺牲层并使用光刻工艺进行图案化。使用自对准工艺在图案化牺牲层旁边形成间隔件，然后移除牺牲层，最后可以使用剩余的间隔件或心轴来图案化形成鳍部2。
40.在其它实施例中，可以在衬底1单独形成后，再在衬底1上形成鳍部2，与衬底1类似，鳍部2可以包括：硅或其他的元素半导体，诸如锗；化合物半导体，包括碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟；合金半导体，包括sige、gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp；或它们的组合。可以使用包括光刻和蚀刻工艺的合适的工艺来制造鳍部2。
41.s102：在鳍部2上形成标记参照部8，标记参照部8之间形成标记形成区9。
42.首先，请参阅图2b，在衬底1和鳍部2上依次形成第一抗反射层4、第一旋涂式玻璃
层5和第一光刻胶层6。其中，第一抗反射层4可以采用soc(全称：spin on carbon)，第一旋涂式玻璃层5也称为sog(全称：spin on glass)层。
43.其次，请参阅图2c，对第一光刻胶层6进行曝光、显影，以形成多个第一光刻遮挡部7，也就是说，剩余的第一光刻胶层6的材料作为第一光刻遮挡部7。其中，第一光刻遮挡部7的作用在于为后续形成标记参照部8做准备。第一光刻遮挡部7位于鳍部2的正上方，第一光刻遮挡部7之间的区域位于标记形成区9的正上方。
44.然后，请参阅图2d，去除第一旋涂式玻璃层5和第一抗反射层4对应于无第一光刻遮挡部7的投影位置的材料，形成标记形成区9，也就是说，蚀刻掉无第一光刻遮挡部7遮挡的第一旋涂式玻璃层5和第一抗反射层4的材料，其中，第一抗反射层4中镂空的区域形成标记形成区9，同时，保留第一光刻遮挡部7及其正下方的材料。
45.最后，请参阅图2e，去除第一光刻遮挡部7和第一光刻遮挡部7覆盖的第一旋涂式玻璃层5的材料，形成标记参照部8，也就是说，蚀刻掉第一光刻遮挡部7及其正下方的第一旋涂式玻璃层5的材料，剩余的第一抗反射层4的材料形成标记参照部8。
46.本实施例中，标记参照部8位包覆于鳍部2的表面，也就是说，鳍部2的底面与衬底1相连，鳍部2的顶面和侧面由标记参照部8包覆。这样，标记参照部8的位置更加稳固，有利于后续形成位置精准的对准标记10。
47.在其它实施例中，标记参照部8也可以位于鳍部2的顶端，也就是说，标记参照部8位于鳍部2的上方、且与鳍部2的顶面相连。
48.s103：请参阅图2f，在标记形成区9的鳍部2上形成对准标记10。
49.其中，采用epi长晶工艺在标记形成区9的鳍部2上形成对准标记10，对准标记10的材料为sip或sige。因为磊晶的材料只会在鳍部2上生长，所以对准标记10的形成为自对准(self-aligned)生长，不会影响对准测量的结果。而且，在epi光罩下，对准标记10的图形为整片形成，成形形貌清晰。
50.形成的对准标记10可以为多边形，本实施例中，对准标记10的形状为六边形，具体的，对准标记10包括位于鳍部2上的竖向部和由竖向部横向延伸的延伸部，其中，竖向部呈矩形，延伸部呈三角形，并且，相邻两个鳍部2上的对准标记10通过延伸部相互连接，从而使形成的对准标记10的图形更加清晰，能够提高信号强度和测量准确性，有利于在半导体制程中形成微缩图案。
51.在其它实施例中，相邻两个鳍部2之间可以间隔一定距离，同样，能够使形成的对准标记10的图形更加清晰。对准标记10的形状还可以有其它选择，例如：延伸部呈椭圆形、矩形等。
52.s104：请参阅图2g，去除标记参照部8。
53.具体的，形成对准标记10之后，则洗掉标记参照部8，完成对准标记10的制备工艺。在一些实施例中，使用合适的蚀刻剂，例如，稀释氢氟酸(dhf)或包含二离子水和臭氧(dio3)的溶液，来执行湿法蚀刻工艺。在一些实施例中，湿法蚀刻工艺移除了标记参照部8。
54.请参阅图3a，本实施例提供的制备方法形成的对准标记10，可以作为迭对标记(英文名：overlay mark)，用于半导体中层与层之间的对准。迭对标记的整体形式可以是：有多组标记排布形成，相邻两组标记相互垂直，每组标记包括间隔均匀设置的多列标记。
55.请参阅图3b，本实施例提供的制备方法形成的对准标记10，可以作为对光标记(英
文名：alignment mark)，用于光掩模与半导体晶圆之间的对准。对光标记的整体形式可以是：由多层标记间隔均匀排布，每层标记包括呈预设角度连接的两行标记，这里的预设角度可以是90
°
，每层标记的角平分线共线设置。
56.本实施例提供的对准标记的制备方法的有益效果包括：
57.1.该制备方法通过在形成对准标记10之前，先形成标记参照部8和标记形成区9，从而清晰地限定出对准标记10形成的区域，使形成的对准标记10的图形更加清晰，能够提高信号强度和测量准确性，有利于在半导体制程中形成微缩图案；
58.2.该制备方法只是在现有鳍式场效应晶体管的制程中增加了形成标记参照部8和标记形成区9的步骤，使该制备方法适用于现有的鳍式场效应晶体管的制程中，具有良好的运用前景。
59.第二实施例
60.请参阅图4，本实施例提供一种鳍式场效应晶体管的制备方法，其包括第一实施例提供的对准标记的制备方法。本实施例提供的鳍式场效应晶体管的制备方法包括以下步骤：
61.s201：请参阅图5a，在基底11上依次形成刻蚀停止层12、硬掩模层13、牺牲材料层14、第二抗反射层15、第二旋涂式玻璃层16和第二光刻胶层17。
62.其中，基底11可以是半导体基底11，例如，体半导体、绝缘体上半导体(soi)基底11等，其可以是掺杂的，例如使用p型或n型掺杂剂，也可以是未掺杂的。基底11可以是晶圆，例如，硅晶圆。通常，soi基底11包括在绝缘体层上形成的半导体材料层。绝缘体层可以是例如掩埋氧化物(box)层、氧化硅层等。绝缘体层设置在基底11上，基底11通常是硅或玻璃基底11。也可以使用其他基底11，例如，多层或梯度基底11。在一些实施例中，基底11的半导体材料可包括硅、锗、化合物半导体或合金半导体。其中，化合物半导体包括碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟；合金半导体包括sige、gaasp、alinas、algaas、gainas、gainp和/或gainasp。
63.本实施例中，刻蚀停止层12可以是通过化学汽相沉积(cvd)或等离子体增强的化学汽相沉积(pecvd)形成的氮化硅层。在其它一些实施例中，刻蚀停止层12的材料包括氧化硅锗(sigeo)、硅锗(sige)、氧化硅(sio)、磷化硅(sip)、磷酸硅(sipo)或它们的组合。
64.本实施例中，硬掩模层13(英文名：“hard mask”)可以是通过化学汽相沉积(cvd)或原子层沉积方法(ald)形成。其中，硬掩模层13可以为氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种。
65.本实施例中，牺牲材料层14的材料可以是多晶硅、氧化硅、无定形碳、sico或sicoh等。牺牲材料层14可以通过旋涂工艺形成，从而其上表面齐平。
66.第二抗反射层15可以采用soc(全称：spin on carbon)。第二旋涂式玻璃层16也称为sog(全称：spin on glass)层。
67.s202：请参阅图5b，对第二光刻胶层17进行曝光、显影，以形成多个第二光刻遮挡部18。
68.也就是说，剩余的第二光刻胶层17的材料作为第二光刻遮挡部18。其中，第二光刻遮挡部18的作用在于保护其覆盖的下层材料，以形成所需的材料图案。
69.s203：请参阅图5c，去除第二旋涂式玻璃层16、第二抗反射层15和牺牲材料层14对
应于无第二光刻遮挡部18的投影位置的材料，形成核心部19。
70.也就是说，蚀刻掉无第二光刻遮挡部18遮挡的第二旋涂式玻璃层16、第二抗反射层15和牺牲材料层14的材料，其中，剩余的牺牲材料层14的材料形成核心部19，核心部19的作用在于为后续形成侧壁21提供基准。
71.其中，第二旋涂式玻璃层16、第二抗反射层15和牺牲材料层14的材料可以采用干法刻蚀、湿法刻蚀或两种刻蚀的结合进行去除。
72.s204：请参阅图5d，去除第二光刻遮挡部18和第二光刻遮挡部18覆盖的第二旋涂式玻璃层16、第二抗反射层15的材料，露出核心部19。
73.也就是说，蚀刻掉第二光刻遮挡部18及其正下方的第二旋涂式玻璃层16、第二抗反射层15的材料，剩余的牺牲材料层14的材料形成核心部19，并裸露出来。其中，可以采用灰化方法去除第二光刻遮挡部18。
74.s205：请参阅图5e，在硬掩模层13和核心部19上形成衬垫层20。
75.其中，衬垫层20可以是例如使用热氧化工艺形成的包括氧化硅的薄膜。在一些实施例中，衬垫层20可以由氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅等、或其组合形成，并且可以使用低压化学气相沉积(lpcvd)或等离子体增强化学气相沉积(pecvd)形成。
76.s206：请参阅图5f，去除核心部19顶面上的衬垫层20的材料，形成侧壁21。
77.也就是说，蚀刻掉核心部19上方的衬垫层20的材料，保留核心部19两侧的衬垫层20的材料，保留的衬垫层20的材料形成侧壁21。
78.s207：请参阅图5g，去除核心部19，露出侧壁21。
79.也就是说，蚀刻掉核心部19，剩余的衬垫层20的材料形成核心部19，并裸露出来。侧壁21间隔设置在硬掩模层13上，侧壁21的作用在于保护其覆盖的下层材料，以便于在基底11上形成鳍部2。所以，侧壁21的图案与所需鳍部2的图案相同。
80.s208：请参阅图5h，去除第二抗反射层15、刻蚀停止层12对应于无侧壁21的投影位置的材料以及去除基底11对应于无侧壁21的投影位置的部分材料，形成衬底1和鳍部2。
81.也就是说，蚀刻掉无侧壁21遮挡的第二抗反射层15、刻蚀停止层12的材料，并蚀刻掉无侧壁21遮挡的基底11的部分材料。基底11厚度方向上的材料有所保留，从而形成衬底1，衬底1上的基底11的材料形成鳍部2。
82.其中，第二抗反射层15、刻蚀停止层12和基底11的材料可以采用干法刻蚀、湿法刻蚀或两种刻蚀的结合进行去除。在一些实施例中，通过使用例如反应离子蚀刻(rie)、中性束蚀刻(nbe)等或其组合在基底11中蚀刻沟槽3来形成鳍部2。蚀刻工艺可以是各向异性的。在一些实施例中，沟槽3可以是彼此平行的条带，并且相对于彼此紧密间隔。在一些实施例中，沟槽3可以是连续的并围绕鳍部2。
83.由于插入刻蚀停止层12，可以严格地控制基底11上沟槽3的蚀刻深度和间隔，从而，因此，最终形成的鳍部2的形貌也比较好，从而提高了半导体器件的电学性能。
84.s209：请参阅图5i，去除侧壁21和侧壁21覆盖的硬掩模层13、刻蚀停止层12，露出衬底1和鳍部2。
85.也就是说，蚀刻掉侧壁21及其正下方的硬掩模层13、刻蚀停止层12的材料，使衬底1和鳍部2裸露出来。
86.s210：请参阅图5j，在衬底1和鳍部2上依次形成第一抗反射层4、第一旋涂式玻璃
层5和第一光刻胶层6。
87.其中，第一抗反射层4可以采用soc(全称：spin on carbon)，第一旋涂式玻璃层5也称为sog(全称：spin on glass)层。
88.s211：请参阅图5k，对第一光刻胶层6进行曝光、显影，以形成多个第一光刻遮挡部7。
89.也就是说，剩余的第一光刻胶层6的材料作为第一光刻遮挡部7。其中，第一光刻遮挡部7的作用在于为后续形成标记参照部8做准备。第一光刻遮挡部7位于鳍部2的正上方，第一光刻遮挡部7之间的区域位于标记形成区9的正上方。
90.s212：请参阅图5l，去除第一旋涂式玻璃层5和第一抗反射层4对应于无第一光刻遮挡部7的投影位置的材料，形成标记形成区9。
91.也就是说，蚀刻掉无第一光刻遮挡部7遮挡的第一旋涂式玻璃层5和第一抗反射层4的材料，其中，第一抗反射层4中镂空的区域形成标记形成区9，同时，保留第一光刻遮挡部7及其正下方的材料。
92.s213：请参阅图5m，去除第一光刻遮挡部7和第一光刻遮挡部7覆盖的第一旋涂式玻璃层5的材料，形成标记参照部8。
93.也就是说，蚀刻掉第一光刻遮挡部7及其正下方的第一旋涂式玻璃层5的材料，剩余的第一抗反射层4的材料形成标记参照部8。
94.s214：请参阅图5n，在标记形成区9的鳍部2上形成对准标记10。
95.其中，采用epi长晶工艺在标记形成区9的鳍部2上形成对准标记10，对准标记10的材料为sip或sige。形成的对准标记10的形状为六边形，具体的，对准标记10包括位于鳍部2上的竖向部和由竖向部横向延伸的延伸部，并且，相邻两个鳍部2上的对准标记10通过延伸部相互连接。
96.由于鳍部2的形貌比较好，并且利用标记参照部8限定出清晰的标记形成区9，因此，能够形成形貌清晰的对准标记10。此外，对准标记10采用的材料为sip或sige，能够使对准标记10的轮廓保持稳定，可以进一步保证对准标记10的形貌清晰，提高信号强度和测量准确性，有利于在半导体制程中形成微缩图案。
97.s215：请参阅图5o，去除标记参照部8。
98.也就是说，形成对准标记10之后，则洗掉标记参照部8，完成对准标记10的制备工艺。
99.本实施例提供的制备方法形成的对准标记10，可以作为迭对标记，也可以作为对光标记。
100.本实施例中，s210～s215的内容与第一实施例中的s101～s104的内容相近，具体可参看第一实施例。
101.本实施例提供的鳍式场效应晶体管的制备方法的有益效果包括：
102.该制备方法通过在形成对准标记10之前，先形成标记参照部8和标记形成区9，从而清晰地限定出对准标记10形成的区域，使形成的对准标记10的图形更加清晰，能够提高信号强度和测量准确性，有利于在半导体制程中形成微缩图案。
103.本实施例的制备方法形成的半导体器件还可以经受处理，以形成本领域己知的各种部件和区域。例如，随后的处理可以在衬底1上形成配置为连接各个部件以形成可以包括
一个或多个finfet器件的功能电路的层间介电(ild)层、接触开口、接触金属以及各种接触件/通孔/线和多层互连部件(如金属层和层间电介质)。在又一实例中，多层互连件可以包括诸如通孔或接触件的垂直互连件以及诸如金属线的水平互连件。各种互连部件可以使用包括铜、钨和/或硅化物的各种导电材料。在一个实例中，镶嵌和/或双镶嵌工艺用于形成铜相关的多层互连结构。
104.本实施例提供的鳍式场效应晶体管的制备方法适用于制备鳍式多栅极晶体管(也称为：finfet器件)，这种器件可以是双栅极器件、三栅极器件、块状器件、绝缘体上硅(soi)器件和/或其他的配置。受益于本发明的各方面，本领域普通技术人员可以认识到半导体器件的其他实例。例如，本文中描述的一些实施例也可以应用于全环栅(gaa)器件、欧米茄栅极(栅极)器件或pi栅极(ii栅极)器件。
105.应该理解，本实施例提供的制备方法包括具有互补金属氧化物半导体(cmos)技术工艺流程的特征的步骤，并且因此，本文中仅简要描述。可以在制备方法之前、之后和/或期间实施附加的步骤。而且，应该注意，包括参考图5a至图5o给出的对应方法的结构示意图仅是示例性的并且不旨在限制所附权利要求明确列举的内容之外的内容。
106.以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。