天线叠层结构的制作方法

天线叠层结构
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年7月24日向韩国知识产权局(kipo)提交的韩国专利申请第10-2020-0092579号的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本发明涉及一种天线叠层结构。更特别地，本发明涉及一种包括天线层和接地层的天线叠层结构。


背景技术：

4.随着移动通信技术的发展，用于实现高频段或超高频段通信的天线被应用于诸如智能手机的显示装置、诸如车辆、建筑等的各种物体或结构。
5.显示装置中可以包括诸如偏振板的光学结构和各种传感器结构。因此，当显示装置中包括天线时，需要适当布置和构造天线以避免光学结构与传感器结构之间的干扰。
6.另外，可以应用天线的空间可能受到光学结构和传感器结构的限制。如果形成用于插入天线的额外的薄膜或结构，则可能增加显示装置的整体厚度和体积。
7.因此，需要一种在有限空间内获得天线的足够的辐射和增益特性的天线构造。
8.例如，韩国公开专利申请第10-2013-0113222号公开了一种嵌入到便携式终端中的天线结构，但没有充分公开考虑到上述的显示装置中的光学和辐射特性的天线设计。


技术实现要素：

9.根据本发明的一个方面，提供了一种具有改进的辐射特性的天线叠层结构。
10.(1)一种天线叠层结构，其包括：天线基板层；设置在天线基板层的一个表面上的天线单元，该天线单元包括辐射图案和天线垫；以及在天线基板层的与所述一个表面相对的对向表面上设置在同一水平处的垫接地部和绝缘层，其中天线垫在厚度方向上叠加在垫接地部上。
11.(2)根据上述(1)的天线叠层结构，其中天线垫包括电连接至辐射图案的信号垫以及形成在信号垫周围的接地垫。
12.(3)根据上述(1)的天线叠层结构，其中天线叠层结构具有辐射区域和天线垫所在的垫区域，并且垫接地部形成在垫区域中。
13.(4)根据上述(1)的天线叠层结构，其还包括设置在天线单元上的覆盖窗。
14.(5)根据上述(1)的天线叠层结构，其还包括设置在绝缘层的底表面上的辐射接地部，其中辐射图案在厚度方向上叠加在辐射接地部上。
15.(6)根据上述(5)的天线叠层结构，其中垫接地部和辐射接地部彼此电连接。
16.(7)根据上述(6)的天线叠层结构，其中垫接地部的厚度大于绝缘层的厚度，并且垫接地部与辐射接地部侧向接触。
17.(8)根据上述(5)的天线叠层结构，其还包括设置在绝缘层的底表面上的显示面
板，并且显示面板用作辐射接地部。
18.(9)根据上述(8)的天线叠层结构，其中显示面板包括具有电极层的显示装置，并且显示装置的电极层用作辐射接地部，其中天线基板层或绝缘层用作覆盖显示装置的封装层。
19.(10)根据上述(1)的天线叠层结构，其中垫接地部与天线基板层接触。
20.(11)根据上述(1)的天线叠层结构，其中辐射图案具有网状结构。
21.(12)根据上述(11)的天线叠层结构，其中天线单元还包括围绕辐射图案设置的虚设网状图案。
22.根据本发明的实施方式的天线叠层结构可以包括在厚度方向上与天线垫重叠的垫接地部。可以使用天线垫来实现谐振频率匹配和阻抗优化，从而可以改进特定频率下的增益和辐射特性。此外，天线垫和垫接地部可以彼此相邻，以进一步提高天线增益。
23.在一些实施方式中，显示面板的电极层可以用作辐射接地部，并且可以提供与显示面板集成的天线叠层结构。
附图说明
24.图1是示出根据示例性实施方式的天线叠层结构的示意性剖视图。
25.图2是示出根据示例性实施方式的天线单元和接地层的叠层结构的示意性俯视平面图。
26.图3是示出根据比较例的天线叠层结构的示意性剖视图。
27.图4是示出根据示例性实施方式的显示面板的示意性剖视图。
28.图5是示出根据示例性实施方式的天线叠层结构的示意性剖视图。
29.图6和图7是示出实施例1和比较例的天线叠层结构的辐射分布的辐射图。
具体实施方式
30.根据本发明的示例性实施方式，提供了一种天线叠层结构，其中天线单元的垫和垫接地部可以在厚度方向上彼此重叠。
31.天线叠层结构可以包括例如制造成透明薄膜形式的微带贴片天线。天线叠层结构可以应用于例如与3g、4g、5g或更高的移动通信对应的高频段或超高频段的移动通信、wi-fi、蓝牙、nfc、gps等的通信装置。
32.在下文中，将参照附图详细描述本发明。然而，本领域技术人员应理解，提供参照附图描述的这些实施方式是为了进一步理解本发明的精神，并非是对详细说明和所附权利要求中公开的要保护的主题进行限制。
33.图1是示出根据示例性实施方式的天线叠层结构的示意性剖视图。图2是示出根据示例性实施方式的天线单元和接地层的叠层结构的示意性俯视平面图。例如，图1是沿着图2的线a-a’截取的剖视图。为便于描述，图2中省略了插在天线单元120与垫接地部130之间和天线单元120与辐射接地部190之间的天线基板层110和下绝缘层160的图示。图2仅图示了一个天线单元，但是可以在天线基板层110上以阵列形式设置多个天线单元。
34.参照图1，天线叠层结构10可以包括天线基板层110、天线单元120、垫接地部130和下绝缘层160。天线叠层结构10还可以包括上绝缘层140、覆盖窗150和/或辐射接地部190。
35.天线基板层110可以设置在天线单元120与垫接地部130和辐射接地部190中的至少一个之间，以用作天线的介电层。
36.天线基板层110例如可以包括透明树脂材料。例如，天线基板层110可以包括聚酯类树脂，诸如聚对苯二甲酸乙二酯、聚间苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯和聚对苯二甲酸丁二酯；纤维素类树脂，诸如二乙酰基纤维素和三乙酰基纤维素；聚碳酸酯类树脂；丙烯酸树脂，诸如聚(甲基)丙烯酸甲酯和聚(甲基)丙烯酸乙酯；苯乙烯类树脂，诸如聚苯乙烯和丙烯腈-苯乙烯共聚物；聚烯烃类树脂，诸如聚乙烯、聚丙烯、环烯烃或具有降冰片烯结构的聚烯烃和乙烯-丙烯共聚物；氯乙烯类树脂；酰胺类树脂，诸如尼龙和芳族聚酰胺；酰亚胺类树脂；聚醚砜类树脂；砜类树脂；聚醚醚酮类树脂；聚苯硫醚树脂；乙烯醇类树脂；偏二氯乙烯类树脂；乙烯醇缩丁醛类树脂；烯丙基化物类树脂；聚甲醛类树脂；环氧类树脂；聚氨酯或丙烯酸聚氨酯类树脂；有机硅类树脂等。它们可以单独使用或两种以上组合使用。
37.在一些实施方式中，在天线基板层110中可以包括诸如光学透明粘合剂(oca)或光学透明树脂(ocr)的粘合膜。
38.在一些实施方式中，天线基板层110可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、玻璃等的无机绝缘材料。
39.在一些实施方式中，天线基板层110可以被设置为基本上单一的层。在一些实施方式中，天线基板层110可以包括具有至少两个或更多的层的多层结构。
40.可以通过天线基板层110在天线单元120与垫接地部130和/或辐射接地部190之间形成电容或电感，从而可以调节天线叠层结构10可以操作的频段。
41.在一些实施方式中，可以将天线基板层110的介电常数调节到大约1.5至大约12的范围内。当介电常数超过大约12时，驱动频率可能被过度降低，因而可能无法实现期望的高频段或超高频段下的驱动。例如，如果天线基板层110包括玻璃，则天线基板层110可以具有3.5至8的介电常数。
42.在示例性实施方式中，天线基板层110的厚度可以为5μm至200μm。在该范围内，可以提高天线的增益和效率。
43.天线单元120可以设置在天线基板层110的一个表面上(例如，顶表面)。例如，天线单元120可以直接形成在天线基板层110的顶表面上。
44.天线单元120可以包括辐射图案122、传输线124和/或天线垫。
45.例如，天线单元120可以包括银(ag)、金(au)、铜(cu)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、铬(cr)、钛(ti)、钨(w)、铌(nb)、钽(ta)、钒(v)、铁(fe)、锰(mn)、钴(co)、镍(ni)、锌(zn)、锡(sn)、钼(mo)、钙(ca)或包含其中至少一种金属的合金。它们可以单独使用或组合使用。
46.例如，天线单元120可以包括银(ag)或银合金(例如，银-钯-铜(apc))或者铜(cu)或铜合金(例如，铜-钙(cuca))来实现低电阻和细线宽图案。
47.在一些实施方式中，天线单元120可以包括透明导电氧化物，例如铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、锡氧化物(snox)、锌氧化物(znox)、铟锌锡氧化物(izto)等。
48.在一些实施方式中，天线单元120可以包括透明导电氧化物层和金属层的叠层结构。例如，天线单元120可以包括透明导电氧化物层-金属层的双层结构，或透明导电氧化物层-金属层-透明导电氧化物层的三层结构。在这种情况下，可以通过金属层来提高柔性，并且还可以通过金属层的低电阻来提高信号传输速度。可以通过透明导电氧化物层来提高耐
腐蚀性和透明度。
49.在一些实施方式中，天线单元120的厚度可以为大约以下，优选为大约至在该范围内，可以在防止天线单元120的电阻增大的同时抑制来自天线叠层结构的观看表面的色移现象。
50.辐射图案122可以具有例如多边形平板形状，并且传输线124可以从辐射图案122的一个侧部伸出以电连接至信号垫126。传输线124可以形成为基本上与辐射图案122成为一体的单一构件。
51.在一些实施方式中，天线垫可以包括信号垫126并且还可以包括接地垫128。例如，可以设置中间插有信号垫126的一对接地垫128。接地垫128可以与信号垫126和传输线124电气地分离。
52.在一个实施方式中，可以省略接地垫128。信号垫126可以在传输线124的端部处形成为整体构件。
53.在一些实施方式中，天线单元120的端部可以电连接至电路连接结构。该电路连接结构例如可以包括柔性印刷电路板(fpcb)。
54.天线垫可以通过诸如柔性印刷电路板的电路连接结构而电连接至天线驱动集成电路(ic)芯片。因此，可以通过天线驱动ic芯片来执行天线单元的馈电和驱动控制。
55.驱动ic芯片可以直接设置在柔性电路板上。例如，柔性电路板(fpcb)还可以包括将驱动ic芯片和天线单元电连接的电路或触头。柔性电路板(fpcb)和驱动ic芯片可以设置为彼此靠近，从而可以缩短信号发送/接收路径并且可以抑制信号损失。
56.在一个实施方式中，天线单元120可以形成为网状结构。例如，天线单元120可以通过溅射工艺直接形成在天线基板层110的顶表面上。
57.在示例性实施方式中，辐射图案122可以具有网状结构。在一些实施方式中，连接至辐射图案122的传输线124也可以具有网状结构。
58.辐射图案122可以包括网状结构，使得即使在辐射图案122设置在显示装置的显示区域(da)中时也可以提高透光度，从而防止在视觉上识别出电极并防止图像质量变差。
59.可以在辐射图案122和传输线124周围设置虚设网状图案。虚设网状图案可以通过分离区域而与辐射图案122和传输线124电气地和物理地间隔开。
60.例如，可以在天线基板层110上形成包括上述金属或合金的导电层。可以沿着辐射图案122和传输线124的轮廓部分地蚀刻导电层，以在形成网状结构的同时形成分离区域。因此，通过分离区域隔离开的天线单元120和虚设网状图案可以形成在天线基板层110上。
61.在一些实施方式中，信号垫126可以形成为实心结构以减小馈电电阻。例如，信号垫126可以设置在显示装置的非显示区域(nda)或遮光区域中，以接合或连接至柔性电路板和/或天线驱动ic芯片。
62.因此，信号垫126可以设置在用户的观看区域的外部。在一个实施方式中，信号垫126可基本上由金属或合金组成。
63.垫接地部130可以设置在天线基板层110的对向表面上(例如，底表面)。垫接地部130可以形成在天线单元120的与天线基板层110相对的一侧上。天线垫可以在天线叠层结构10的厚度方向上叠加在垫接地部130上。在这种情况下，可以使用天线垫来调节谐振频率和阻抗。因此，可以改进天线增益和辐射特性。
64.在示例性实施方式中，垫接地部130可以接触天线基板层110的表面。例如，垫接地部130可以直接形成在天线基板层110的表面上(例如，底表面)。在这种情况下，可以减小垫接地部130与天线单元120的天线垫之间的距离。因此，可以进一步提高天线增益并且可以有效地匹配阻抗。
65.在示例性实施方式中，天线叠层结构10可以包括天线垫所在的垫区域pa和除垫区域pa外的辐射区域ra。辐射图案122可以形成在辐射区域ra中。在一些实施方式中，垫接地部130可以仅形成在垫区域pa中并且可以不延伸到辐射区域ra。
66.例如，垫接地部130可以包括导电层。该导电层可以包括金属或导电金属化合物。优选地，垫接地部130可以由低电阻金属形成，从而可以有效地调节和匹配频率和阻抗。
67.例如，可以在不考虑透明度的情况下使用银(ag)、金(au)、铜(cu)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、铬(cr)、钛(ti)、钨(w)、铌(nb)、钽(ta)、钒(v)、铁(fe)、锰(mn)、钴(co)、镍(ni)、锌(zn)、钼(mo)、锡(sn)、钙(ca)或它们的合金。优选地，低电阻金属可以包括铜、铝、银-钯-铜合金和/或铜-钙合金。
68.在示例性实施方式中，垫接地部130的厚度可以为100nm至25μm。例如，如果通过金属沉积工艺(例如，溅射工艺)在天线基板层110的垫区域pa中形成垫接地部130，则垫接地部130的厚度可以为100nm至1μm。例如，如果通过诸如金属印刷或涂覆的机械方法形成垫接地部130，则垫接地部130的厚度可以为5μm至25μm。
69.在示例性实施方式中，垫接地部130可以电连接至天线单元120的接地垫128。例如，垫接地部130和天线单元120的接地垫128可以通过贯穿天线基板层110的过孔或触头而连接。
70.在一些实施方式中，垫接地部130可以通过绕过天线基板层110的侧表面的旁路的接地线被电连接至天线单元120的接地垫128。在这种情况下，可以提高天线增益。
71.下绝缘层160可以与垫接地部130形成在同一层或同一水平处。例如，下绝缘层160可以与天线基板层110的底表面接触。在一些实施方式中，下绝缘层160可以覆盖垫接地部130的底表面或垫接地部的不与天线基板层110接触的表面。
72.在示例性实施方式中，下绝缘层160可以包括有机绝缘层和无机绝缘层中的至少一种。
73.有机绝缘层可以包括聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯(例如pmma)、聚酰亚胺、聚酰胺、聚乙烯醇、聚酰胺酸、聚烯烃(例如pe、pp)、聚苯乙烯、聚降冰片烯、苯基马来酰亚胺共聚物、聚偶氮苯、聚邻苯二酰苯二胺、聚酯(例如，pet、pbt)、聚芳酯、肉桂酸酯类聚合物、香豆素类聚合物、苯并[c]吡咯酮类聚合物、查耳酮类聚合物、芳族乙炔类聚合物等。它们可以单独使用或组合使用。
[0074]
例如，有机绝缘层可以通过涂覆和干燥包括上述聚合物材料的组合物来形成。有机绝缘层的厚度可为大约1μm至5μm，优选为大约1.5μm至2.5μm。
[0075]
无机绝缘层可以包括单层或多层结构，并且可以由金属氧化物或金属氮化物形成。例如，无机绝缘层可以包括sinx、sion、al2o3、sio2和tio2中的至少一种。
[0076]
例如，无机绝缘层可以形成为sion层或sio2层，或者sion层和sio2层的双层。
[0077]
例如，可以通过诸如化学气相沉积(cvd)工艺的沉积工艺来形成无机绝缘层。无机绝缘层的厚度可为大约100nm至1000nm，优选为大约200nm至400nm。
[0078]
在示例性实施方式中，下绝缘层160还可包括诸如光学透明粘合剂(oca)层、光学透明树脂(ocr)层等的粘合层。例如，可以使用粘合层将辐射接地部190附接至有机/无机绝缘层或天线基板层110。
[0079]
在示例性实施方式中，粘合层的厚度可以为大约25μm至300μm。
[0080]
图3是示出根据比较例的天线叠层结构的示意性剖视图。省略与参照图1描述的元件和结构基本相同或相似的元件和结构的详细描述。
[0081]
参照图3，比较例的天线叠层结构20可以不包括设置在天线基板层110的底表面上的垫接地部130，但是可以包括设置在下绝缘层160的底表面上的辐射接地部190。
[0082]
在这种情况下，天线单元120与辐射接地部190之间的距离可能会增加下绝缘层160的厚度。在这种情况下，可能降低天线增益，并且不能有效调节阻抗。
[0083]
例如，如果显示面板200用作辐射接地部190，则显示面板200可以经由包括粘合层的下绝缘层160而附接至天线叠层结构，并且可能增大天线单元120与显示面板200之间的距离。
[0084]
然而，根据示例性实施方式，即使通过用作粘合层的下绝缘层160将显示面板200附接至天线叠层结构，垫接地部130也可以形成在天线基板层110的底表面上。因此，可以减小从垫接地部130到天线单元120和天线垫的距离。因此，可以提高天线增益和阻抗匹配。
[0085]
在示例性实施方式中，辐射接地部190可以设置在下绝缘层160的与天线基板层110相对的表面上(例如，底表面)。例如，辐射接地部190可以设置在垫接地部130的下方。在这种情况下，垫接地部130和辐射接地部190可以电气地和物理地分离。
[0086]
天线单元120的辐射图案122可以在天线叠层结构10的厚度方向上叠加在辐射接地部190上。在这种情况下，可以利用辐射图案122和整个天线垫来调节天线的谐振频率和阻抗。
[0087]
在一个实施方式中，辐射接地部190可以仅形成在辐射区域ra中并且可以不与天线垫重叠。在一个实施方式中，辐射接地部190在平面图中可以完全覆盖天线单元120。
[0088]
在示例性实施方式中，上绝缘层140可以设置在天线单元120上。上绝缘层140可以覆盖天线单元120的顶表面。上绝缘层140可以包括与下绝缘层160所使用的基本相同的有机绝缘层和无机绝缘层中的至少一种。
[0089]
在一些实施方式中，上绝缘层140还可以包括上粘合层，其包括压敏粘合剂(psa)或光学透明粘合剂(oca)，其可以包括丙烯酸树脂、有机硅类树脂、环氧类树脂等。
[0090]
上粘合层可以将覆盖窗150附接至天线单元120或有机/无机绝缘层。在一些实施方式中，可以省略上粘合层，并且有机/无机绝缘层可以直接附接至覆盖窗150。
[0091]
覆盖窗150可以设置在天线单元120上。覆盖窗150可以设置在天线基板层110的相对的一侧上。覆盖窗150可以设置在天线叠层结构10的观看表面或最外侧的表面上。
[0092]
覆盖窗150例如可以包括玻璃或诸如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯(pet)、丙烯酸树脂、有机硅类树脂等的柔性树脂材料。
[0093]
在一些实施方式中，覆盖窗150的厚度可以为大约10μm至100μm。优选地，覆盖窗150的厚度可以为大约30μm至60μm。
[0094]
图4是示出根据示例性实施方式的显示面板的示意性剖视图。
[0095]
参照图4，显示面板200可以包括面板基板205、显示装置以及覆盖显示装置的封装
层250。显示装置可以包括电极层、像素限定层220和显示层230。电极层可以包括像素电极210和对电极240。
[0096]
显示装置和封装层250可以按序地形成在面板基板205上。
[0097]
可以在面板基板205上形成包括薄膜晶体管(tft)的像素电路，并且可以形成覆盖像素电路的绝缘层。像素电极210例如可以电连接至绝缘层上的tft的漏电极。
[0098]
像素限定层220可以形成在绝缘层上以露出像素电极210，从而限定像素区域。显示层230可以形成在像素电极210上，并且显示层230例如可以包括液晶层或有机发光层。优选地，显示层230可以包括有机发光层，并且显示面板200可以是oled面板。
[0099]
对电极240可以设置在像素限定层220和显示层230上。对电极240例如可以用作显示面板200的公共电极或阴极。可以在对电极240上堆叠用于保护显示面板200的封装层250。
[0100]
在示例性实施方式中，显示面板200可以用作辐射接地部190。例如，显示面板200的电极层(像素电极210或对电极240)可以用作辐射接地部190。优选地，具有相对较大的面积的对电极240可以被设置为辐射接地部190。
[0101]
在示例性实施方式中，封装层250可以用作天线基板层110或下绝缘层160。在这种情况下，可以将显示面板200和天线叠层结构10集成在一起提供薄膜结构。
[0102]
在示例性实施方式中，可以在天线单元120与覆盖窗150之间设置偏振层。例如，偏振层可以形成在天线基板层110的顶表面上。
[0103]
偏振层可以包括涂覆的偏振器或偏振板。覆层型偏振器可包括具有可聚合液晶化合物和二色性染料的液晶覆层。在这种情况下，偏振层还可以包括用于提供液晶覆层的取向的定向层。
[0104]
例如，偏振板可以包括聚乙烯醇类偏振器和附接至聚乙烯醇类偏振器的至少一个表面的保护膜。
[0105]
上绝缘层140可以设置在偏振层与天线单元120之间。例如，上绝缘层140可以形成在天线单元120或偏振层的表面上，然后可以将天线单元120和偏振层彼此附接。
[0106]
在示例实施方式中，天线叠层结构还可以包括触摸感测结构。
[0107]
触摸感测结构例如可以包括电容感测电极。例如，横排方向感测电极和竖列方向感测电极可以彼此交叉设置。触摸感测结构还可包括将感测电极与驱动ic芯片相互连接的迹线。触摸感测结构还可以包括将感测电极和迹线形成在其上的基板。
[0108]
图5是示出根据示例性实施方式的天线叠层结构的示意性剖视图。可以省略与参照图1描述的元件和结构基本相同的元件和结构的详细描述。
[0109]
参照图5，天线叠层结构11的垫接地部131可以比下绝缘层160更厚。在这种情况下，垫接地部131可以从下绝缘层160的一个表面突出。
[0110]
在一些实施方式中，辐射接地部191和垫接地部131可以彼此电连接。例如，辐射接地部191可以接触垫接地部131。在这种情况下，垫接地部131和辐射接地部191可以在形成接地组合结构的同时具有提高的电磁容量。因此，可以提高天线增益，并且可以有效地实现阻抗匹配。
[0111]
在一些实施方式中，当显示面板200用作辐射接地部191时，显示面板200的对电极240可以连接至垫接地部131。
[0112]
在下文中，提出优选实施方式来更具体地描述本发明。然而，给出以下例子仅仅是为了说明本发明，并且相关领域的技术人员显然将理解可以在本发明的范围和精神内做出各种替换和变型。这些替换和变型被适当地包括在所附权利要求中。
[0113]
实施例1
[0114]
使用cu-ca合金在厚度为40μm的cop介电层上形成图2所示的辐射图案122、传输线124、信号垫126和接地垫128。辐射图案122和传输线124由网状图案形成，并且信号垫126和接地垫128由实心图案形成。
[0115]
通过溅射工艺在介电层的底表面上的垫区域pa中沉积apc合金，以形成厚度为大约300nm的垫接地部。具体地，垫接地部形成为在平面图中覆盖信号垫126和接地垫128中的每一个的整个区域。
[0116]
形成覆盖介电层的底表面和垫接地部的厚度为100μm的透明粘合层并随后将其附接至包括金属对电极的oled显示面板，以制备天线叠层结构。
[0117]
实施例2
[0118]
通过印刷银浆来形成厚度为10μm的垫接地部，而不是沉积来自实施例1的apc合金。
[0119]
在介电层的底表面的没有形成垫接地部的部分上形成厚度为大约100μm的透明粘合层。将oled面板附接至透明粘合层的底表面。
[0120]
比较例
[0121]
通过省略实施例1的垫接地部来制造天线叠层结构。
[0122]
实验例1：辐射特性的分析
[0123]
分析实施例1和比较例的天线叠层结构的辐射分布，以分别获得图6和图7的图表。
[0124]
参照图6和图7，实施例1的天线叠层结构提供的辐射分布比比较例更圆，从而表示出关于方向角的相对均匀的辐射特性。
[0125]
实验例2：天线增益的评估
[0126]
在26至30ghz的范围内分析实施例和比较例的天线叠层结构的增益(dbi)。结果在下面的表1中示出。
[0127]
表1
[0128][0129]
参照表1，与比较例相比，实施例的天线叠层结构在28.0ghz的频率附近提供了明显提高的天线增益。此外，实施例的天线叠层结构表示出在26ghz至30ghz的频率范围内具有提高的天线增益的宽带天线辐射。