顶发射有机电致发光元件和顶发射有机电致发光器件的制作方法

1.本发明涉及光电器件技术领域，尤其涉及一种顶发射有机电致发光元件和一种顶发射有机电致发光器件。


背景技术：

2.目前，有机电致发光(organic light emission diode，简称oled)元件不仅在电视、电脑、手机、车载显示等视觉显示方面得到快速发展，在固态照明方面也受到日益重视。在主动显示中，oled是由薄膜晶体管(tft)来控制的，如果oled是以底发射形式出光，光经过基板的时候就会被基板上的tft阻挡，从而影响实际的发光面积。如果光线是从oled上方发出，那么基板上的tft就不会影响oled的出光面积，相同亮度下oled的工作电压更低，可以获得更长的使用寿命。因此，顶发射oled是小屏如手机等主动显示的首选，而在顶发射oled中电极的设置最为重要，合适的电极将大幅度提高器件的性能。


技术实现要素：

3.本发明实施例公开一种顶发射有机电致发光元件和一种顶发射有机电致发光器件，可以提升发光效率，延长使用寿命。
4.具体地，本发明实施例公开的一种顶发射有机电致发光元件，包括：第一电极；有机功能层，设置在所述第一电极上；第二电极，设置在所述有机功能层远离所述第一电极的一侧；其中，所述第二电极包括功函数调整层和透明金属氧化物层，所述功函数调整层位于所述有机功能层远离所述第一电极的一侧，所述透明金属氧化物层位于所述功函数调整层远离所述有机功能层的一侧。
5.在本发明的一个实施例中，所述第二电极还包括：电荷产生层，设置在所述功函数调整层和所述透明金属氧化物层之间，其中所述电荷产生层包括第一类型电荷产生层和第二类型电荷产生层，所述第一类型电荷产生层位于所述功函数调整层远离所述有机功能层的一侧，所述第二类型电荷产生层位于所述第一类型电荷产生层与所述透明金属氧化物层之间。
6.在本发明的一个实施例中，所述功函数调整层的厚度取值范围为5nm-50nm，所述透明金属氧化物层的厚度取值范围为10nm-150nm。
7.在本发明的一个实施例中，所述第一类型电荷产生层的厚度取值范围为2nm-10nm，所述第二类型电荷产生层的厚度取值范围为5nm-20nm。
8.在本发明的一个实施例中，所述功函数调整层包括：金属锂、金属钙、金属镁、金属镱、或者透明金属合金，其中所述透明金属合金由至少两个功函数有差异的金属组成。
9.在本发明的一个实施例中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极。
10.在本发明的一个实施例中，所述有机功能层为单色有机功能层，且包括依序堆叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
11.在本发明的一个实施例中，所述有机功能层为多色有机功能层，且包括：依序堆叠
的第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、n型-电荷产生层、p型-电荷产生层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层和第一电子注入层。
12.再者，本发明实施例公开的一种顶发射有机电致发光器件，包括：基板；驱动控制电路层，设置在所述基板上；如前述任意一种顶发射有机电致发光元件，设置在所述驱动控制电路层远离所述基板的一侧，其中所述顶发射有机电致发光元件的所述第一电极设置在所述驱动控制电路层上。
13.在本发明的一个实施例中，所述驱动控制电路层包括：多个晶体管和连接所述多个晶体管的存储电容，所述顶发射有机电致发光元件的所述第一电极连接所述多个晶体管。
14.本发明实施例公开的上述技术方案可以有如下的一个或者多个有益效果：通过将第二电极设置为包括功函数调整层和透明金属氧化物层，功函数调整层位于有机功能层远离第一电极的一侧，透明金属氧化物层位于功函数调整层远离有机功能层的一侧，使得顶发射有机电致发光元件兼具良好的导电性和透光性，提高电子注入有机功能层的效率，降低启亮电压，提升发光效率，避免有机材料受损害，延长使用寿命，使用现有工艺就可以完成第二电极的生成，工艺简单成熟，且生产成本可控；通过将第二电极设置为包括电荷产生层，位于功函数调整层和透明金属氧化物层之间，可以避免在真空溅射制程制作透明金属氧化物层时对功函数调整层的损伤，进一步降低有机功能层中有机材料的氧化伤害，进一步延长使用寿命；不仅适用于单色oled还适用于多色oled，适用范围广。
附图说明
15.为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
16.图1为本发明第一实施例公开的顶发射有机电致发光元件的一种结构示意图；
17.图2为本发明第一实施例公开的顶发射有机电致发光元件的另一种结构路示意图；
18.图3为本发明第一实施例公开的顶发射有机电致发光元件的再一种结构示意图；
19.图4为本发明第二实施例公开的顶发射有机电致发光元件的一种结构示意图；
20.图5为本发明第二实施例公开的顶发射有机电致发光元件的另一种结构示意图；
21.图6为本发明第二实施例公开的顶发射有机电致发光元件的再一种结构示意图；
22.图7为本发明第三实施例公开的顶发射有机电致发光器件的结构示意图；
23.图8为本发明第三实施例公开的顶发射有机电致发光器件中顶发射有机电致发光元件与驱动控制电路层的电路连接示意图；
24.图9为本发明第四实施例公开的顶发射有机电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
25.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其
他实施例，都属于本发明保护的范围。
26.需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应当理解这样使用的术语在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
27.【第一实施例】
28.参见图1，本发明第一实施例公开一种顶发射有机电致发光元件例如顶发射oled。如图1所示，顶发射有机电致发光元件10例如包括：第一电极11、有机功能层12和第二电极13。
29.如图1所示，有机功能层12设置在第一电极11上。第二电极13设置在有机功能层12远离第一电极11的一侧。第二电极13例如包括功函数调整层131和透明金属氧化物层132，功函数调整层131位于有机功能层12远离第一电极11的一侧，透明金属氧化物层132位于功函数调整层131远离有机功能层12的一侧。
30.进一步地，有机功能层12例如设置在第一电极11上，且与第一电极11接触。第二电极13例如设置在有机功能层12远离第一电极11的一侧，且与有机功能层12接触。第二电极13例如包括功函数调整层131和透明金属氧化物层132，功函数调整层131例如位于有机功能层12远离第一电极11的一侧，且与有机功能层12接触。透明金属氧化物层132例如位于功函数调整层131远离有机功能层12的一侧，且与功函数调整层131接触。
31.其中，第一电极11例如为阳极，组成第一电极的材质例如包括：银、铝、金、镁、或者银、铝、金、镁中任意两者组成的金属合金。第一电极11例如通过真空蒸镀工艺形成。
32.有机功能层12例如包括至少一个发光层，可以根据有机材料的种类发射不同颜色的光。有机功能层12例如通过真空蒸镀工艺堆叠至少一个发光层形成。
33.第二电极13例如为阴极。其中，功函数调整层131适用的材料例如包括：金属锂(li)、金属钙(ca)、金属镁(mg)、金属镱(yb)、或者透明金属合金，其中提到的透明金属合金由至少两个功函数有差异的金属组成，举例而言，透明金属合金例如包括钙铝合金、钙银合金、或者镱银合金等。此处可以理解为，功函数调整层131中透明金属合金要求组成的金属功函数存在差异，搭配可形成阶梯型，由此方便电子注入，以及通过调整比例形成高透明(可见光透过率t》85％)，在此实现基础上金属任意组合形成透明金属合金。其中，功函数调整层131具有较低的功函数可以和有机功能层的有机材料进行匹配，其具有较高的金属活泼性，有利于电子的传输。
34.进一步地，功函数调整层131可采用现有的真空蒸镀工艺、或者真空溅射镀膜工艺制备，功函数调整层131的厚度取值范围例如为5nm-50nm。
35.其中，透明金属氧化物层132适用的材料例如包括ito、掺杂zn的in2o3(izo)、或者其他透明金属氧化物，透明金属氧化物层132的可见光透过率例如为t》85％。透明金属氧化物层132具有良好的稳定性和导电性以及透光性。
36.进一步地，透明金属氧化物层132可采用现有的真空溅射镀膜设备制备，透明金属
氧化物层132的厚度取值范围例如为10nm-150nm。
37.通过将第二电极设置为包括功函数调整层和透明金属氧化物层，功函数调整层位于有机功能层远离第一电极的一侧，透明金属氧化物层位于功函数调整层远离有机功能层的一侧，且可以通过调整功函数调整层和透明金属氧化物层的厚度降低功函数，从而降低注入能障，即第二电极和有机功能层之间的电子传输，使电子注入有机功能层的电子传输层更容易，使得顶发射有机电致发光元件兼具良好的导电性和透光性，提高电子注入有机功能层的效率，降低启亮电压，提升发光效率，避免有机材料受损害，延长使用寿命，使用现有工艺设备就可以完成第二电极的生成，制备工艺简单成熟，且生产成本可控。
38.在本发明的其他实施例中，如图2所示，有机功能层12例如为单色有机功能层，其例如包括：依序堆叠的空穴注入层121a、空穴传输层122a、发光层123a、电子传输层124a和电子注入层125a。其中，空穴注入层121a例如设置在第一电极11上，且与第一电极11接触。空穴传输层122a例如设置在空穴注入层121a远离第一电极11的一侧，且与空穴注入层121a接触。发光层123a例如设置在空穴传输层122a远离空穴注入层121a的一侧，且与空穴传输层122a接触。电子传输层124a例如设置在发光层123a远离空穴传输层122a的一侧，且与发光层123a接触。电子注入层125a例如设置在电子传输层124a远离发光层123a的一侧，且一侧与电子传输层124a接触，另一侧与第二电极13的功函数调整层131接触。功函数调整层131与电子注入层125a接触连接，利于电子的传输，且避免真空溅射透明金属氧化物层132时对电子传输层的损坏，提高使用寿命。
39.其中，提到的空穴注入层(hil)121a适用的材料例如包括cupc(29,31氢酞菁基-29,30,31,32,氮)铜和tnata(4,4’,4
”-
三羟基甲基氨基[2-萘氧基乙酸(苯基)氨基]三苯胺)等的一种或多种。提到的空穴传输层(htl)122a适用的材料例如包括适用的材料包括：npb(n,n
’-
双(1-苯乙烯基)-n，n
’-
双-苯基-(1,1
’-
联苯)-4,4’二胺))、tpte(n,n
’-
双苯基-双(n,n-双(苯氨基)联苯-4-苯)联苯胺)、spiro-tad(n,n
’-
双(3-甲苯基)-n,n
’-
双苯基-9,9-螺二芴-2,7-双氨)、bfa-1t(2(2(n,n
’-
双苯基-4,4’双甲基))-苯基噻吩)、tdab(1,3,5-三羟甲基氨基甲基(二苯胺基)苯)、tdapb(1,3,5-三(4-吡啶-3-基苯基)苯))、ptdata(n1-苯基-n4,n4-双(4-苯基(m-甲苯基)氨基)苯基-n1(m-m-甲苯基)苯-1,4-双二胺))、p-dpa-tdab(1,3,5-三[n-(4-二苯氨基苯)苯胺]苯)和mtbdab(4,4’,4
”-
三羟基甲基甲基(n-3-苯甲基-n双苯氨)苯)中的一种或多种。
[0040]
其中，提到的电子注入层(eil)125a适用的材料例如包括：氧化锂、氧化锂硼、硅氧化钾、碳酸钾、碳酸铯、醋酸盐类ch3coor和金属氟化物rf中的一种或多种。提到的电子传输层(etl)124a适用的材料例如包括：金属螯合物、喹啉衍生物、喔啉类衍生物、二氮蒽衍生物和二氮菲衍生物中的一种或多种。
[0041]
通过将有机功能层13设置为单色有机功能层，可以实现顶发射有机电致发光元件10为单色器件。
[0042]
在本发明的其他实施例中，如图3所示，有机功能层12例如为多色有机功能层，其例如包括：依序堆叠的空穴注入层121b、空穴传输层122b、发光层123b、电子传输层124b、n型-电荷产生层125b、p型-电荷产生层126b、空穴传输层127b、发光层128b、电子传输层129b和电子注入层130b。其中，空穴注入层121b例如设置在第一电极11上，且与第一电极11接触。空穴传输层122b例如设置在空穴注入层121b远离第一电极11的一侧，且与空穴注入层
121b接触。发光层123b例如设置在空穴传输层122b远离空穴注入层121b的一侧，且与空穴传输层122b接触。电子传输层124b例如设置在发光层123b远离空穴传输层122b的一侧，且与发光层123b接触。n型-电荷产生层125b设置在电子传输层124b远离发光层123b的一侧，且与电子传输层124b接触。p型-电荷产生层126b设置在n型-电荷产生层125b远离电子传输层124b的一侧，且与n型-电荷产生层125b接触。空穴传输层127b设置在p型-电荷产生层126b远离n型-电荷产生层125b的一侧，且与p型-电荷产生层126b接触。发光层128b设置在空穴传输层127b远离p型-电荷产生层126b的一侧，且与空穴传输层127b接触。电子传输层129b设置在发光层128b远离空穴传输层127b的一侧，且与发光层128b接触。电子注入层130b设置在电子传输层129b远离发光层128b的一侧，且一侧与电子传输层129b接触，另一侧与第二电极13的功函数调整层131接触。
[0043]
提到的空穴注入层(hil)121b适用的材料例如包括cupc(29,31氢酞菁基-29,30,31,32,氮)铜和tnata(4,4’,4
”-
三羟基甲基氨基[2-萘氧基乙酸(苯基)氨基]三苯胺)等的一种或多种。提到的空穴传输层(htl)122b和空穴传输层(htl)127b适用的材料例如包括：npb(n,n
’-
双(1-苯乙烯基)-n，n
’-
双-苯基-(1,1
’-
联苯)-4,4’二胺))、tpte(n,n
’-
双苯基-双(n,n-双(苯氨基)联苯-4-苯)联苯胺)、spiro-tad(n,n
’-
双(3-甲苯基)-n,n
’-
双苯基-9,9-螺二芴-2,7-双氨)、bfa-1t(2(2(n,n
’-
双苯基-4,4’双甲基))-苯基噻吩)、tdab(1,3,5-三羟甲基氨基甲基(二苯胺基)苯)、tdapb(1,3,5-三(4-吡啶-3-基苯基)苯))、ptdata(n1-苯基-n4,n4-双(4-苯基(m-甲苯基)氨基)苯基-n1(m-m-甲苯基)苯-1,4-双二胺))、p-dpa-tdab(1,3,5-三[n-(4-二苯氨基苯)苯胺]苯)和mtbdab(4,4’,4
”-
三羟基甲基甲基(n-3-苯甲基-n双苯氨)苯)中的一种或多种。
[0044]
其中提到的电子注入层(eil)130b适用的材料例如包括：氧化锂、氧化锂硼、硅氧化钾、碳酸钾、碳酸铯、醋酸盐类ch3coor和金属氟化物rf中的一种或多种。提到的电子传输层(etl)129b和电子传输层(etl)124b适用的材料例如包括：金属螯合物、喹啉衍生物、喔啉类衍生物、二氮蒽衍生物和二氮菲衍生物中的一种或多种。
[0045]
其中，n型-电荷产生层125b的适用材料例如包括功函数低的碱金属或者碱土金属以及金属化合物，举例而言包括：li、k、ca、cs、mg、lif、li2co3、csf、cs2co3、csn3、或者rb2co3等。p型-电荷产生层126b的适用材料例如为金属氧化物和有机材料、p型掺杂有机材料，举例而言，金属氧化物例如包括：moo3、wo3、或者v2o5等；有机材料例如包括hatcn等；p型掺杂有机材料例如包括f4-tcnq等。
[0046]
通过将有机功能层13设置为多色有机功能层，可以实现顶发射有机电致发光元件10为多色器件，适用范围广。
[0047]
前述提到的有机功能层13包括两个发光层，其为两色有机功能层。当然本发明并不仅限于此，有机功能层13还可以包括依序堆叠的其他数量n型-电荷产生层、p型-电荷产生层、电子注入层、电子传输层、发光层以及空穴注入层和空穴传输层等，从而实现更多的颜色。
[0048]
综上所述，本实施例公开的顶发射有机电致发光元件提高了电子注入有机功能层的效率，降低启亮电压，提升发光效率，避免有机材料受损害，延长使用寿命，使用现有工艺就可以完成第二电极的生成，工艺简单成熟，且生产成本可控。
[0049]
【第二实施例】
[0050]
参见图4，本发明第二实施例公开一种顶发射有机电致发光元件例如顶发射oled。如图4所示，顶发射有机电致发光元件20例如包括：第一电极21、有机功能层22和第二电极23。
[0051]
其中，如图4所示，有机功能层22设置在第一电极21上。第二电极23设置在有机功能层22远离第一电极21的一侧。第二电极23例如包括功函数调整层231和透明金属氧化物层232，功函数调整层231位于有机功能层22远离第一电极21的一侧，透明金属氧化物层232位于功函数调整层231远离有机功能层22的一侧。
[0052]
如图4所示，本实施例公开的顶发射有机电致发光元件20与第一实施例公开的顶发射有机电致发光元件10的区别在于，本实施例公开的顶发射有机电致发光元件20的第二电极23例如还包括：电荷产生层233设置在功函数调整层231和透明金属氧化物层232之间，其中电荷产生层233例如包括第一类型电荷产生层2331和第二类型电荷产生层2332，第一类型电荷产生层2331位于功函数调整层231远离有机功能层22的一侧，第二类型电荷产生层2332位于第一类型电荷产生层2331与透明金属氧化物层232之间。
[0053]
进一步地，有机功能层22例如设置在第一电极21上，且与第一电极21接触。第二电极23例如设置在有机功能层22远离第一电极21的一侧，且与有机功能层22接触。功函数调整层231例如位于有机功能层22远离第一电极21的一侧，且与有机功能层22接触。第一类型电荷产生层2331例如位于功函数调整层231远离有机功能层22的一侧，且与功函数调整层231接触。第二类型电荷产生层2332例如位于第一类型电荷产生层2331与透明金属氧化物层232之间，且一侧与第一类型电荷产生层2331接触，另一侧与透明金属氧化物层232接触。透明金属氧化物层232例如位于第二类型电荷产生层2332远离第一类型电荷产生层2331的一侧，且第二类型电荷产生层2332接触。
[0054]
其中，第一类型电荷产生层2331例如为n-cgl，其适用的材料例如包括：功函数低的碱金属或者碱土金属以及金属化合物，举例而言包括：li、k、ca、cs、mg、lif、li2co3、csf、cs2co3、csn3、或者rb2co3等。
[0055]
进一步地，第一类型电荷产生层2331其例如采用现有的真空蒸镀工艺制备，第一类型电荷产生层2331的厚度取值范围例如为2nm-10nm。
[0056]
其中，第二类型电荷产生层2332例如为p-cgl，其适用的材料例如为金属氧化物，举例而言包括：ito、moo3、wo3、或者v2o5等。
[0057]
进一步地，第一类型电荷产生层2332例如采用现有的真空蒸镀工艺制备，第二类型电荷产生层2332的厚度取值范围例如为5nm-20nm。
[0058]
通过设置电荷产生层233可以避免在真空溅射制程制备透明金属氧化物层232时对功函数调整层231的损伤，进一步降低对有机功能层22中有机材料的氧化伤害，进一步延长使用寿命。
[0059]
与第一实施例公开的顶发射有机电致发光元件10相似，本实施例公开的顶发射有机电致发光元件20也可以为单色器件或者多色器件，适用范围广。
[0060]
具体地，如图5所示，有机功能层22例如为单色有机功能层，其例如包括：依序堆叠的空穴注入层221a、空穴传输层222a、发光层223a、电子传输层224a和电子注入层225a。其中，空穴注入层221a例如设置在第一电极21上，且与第一电极21接触。空穴传输层222a例如设置在空穴注入层221a远离第一电极21的一侧，且与空穴注入层221a接触。发光层223a例
如设置在空穴传输层222a远离空穴注入层221a的一侧，且与空穴传输层222a接触。电子传输层224a例如设置在发光层223a远离空穴传输层222a的一侧，且与发光层223a接触。电子注入层225a例如设置在电子传输层224a远离发光层223a的一侧，且一侧与电子传输层224a接触，另一侧与第二电极23的功函数调整层231接触连接。
[0061]
在本发明的其他实施例中，如图6所示，有机功能层22例如为多色有机功能层，其例如包括：依序堆叠的空穴注入层221b、空穴传输层222b、发光层223b和电子传输层224b、n型-电荷产生层225b、p型-电荷产生层226b、空穴传输层227b、发光层228b、以及电子传输层229b和电子注入层230b。其中，空穴注入传输层221b例如设置在第一电极21上，且与第一电极21接触。空穴传输层222b例如设置在空穴注入层221b远离第一电极21的一侧，且与空穴注入层221b接触。发光层223b例如设置在空穴传输层222b远离空穴注入层221b的一侧，且与空穴传输层222b接触。电子传输层224b例如设置在发光层223b远离空穴传输层222b1的一侧，且与发光层223b接触。n型-电荷产生层225b设置在电子传输层224b远离发光层2223b的一侧，且与电子传输层224b接触。p型-电荷产生层226b设置在n型-电荷产生层225b远离电子传输层224b的一侧，且与n型-电荷产生层225b接触。空穴传输层227b设置在p型-电荷产生层226b远离n型-电荷产生层225b的一侧，且与p型-电荷产生层226b接触。发光层228b设置在空穴传输层227b远离p型-电荷产生层226b的一侧，且与空穴传输层227b接触。电子传输层229b设置在发光层228b远离空穴传输层227b的一侧，且与发光层228b接触。电子注入层230b设置在电子传输层229b远离发光层228b的一侧，且一侧与电子传输层229b接触，另一侧与第二电极23的功函数调整层231接触。
[0062]
本实施例公开的顶发射有机电致发光元件20其第一电极21、有机功能层22、功函数调整层231以及透明金属氧化物层232等相关描述，可参考前述第一实施例，为了简洁在此不再赘述。
[0063]
综上所述，本实施例公开的顶发射有机电致发光元件可以提高电子注入有机功能层的效率，降低启亮电压，提升发光效率，使用现有工艺就可以完成第二电极的生成，工艺简单成熟，且生产成本可控，可以避免在真空溅射制程制作透明金属氧化物层时对功函数调整层的损伤，降低有机功能层中有机材料的氧化伤害，延长使用寿命，不仅适用于单色oled还适用于多色oled，适用范围广。
[0064]
【第三实施例】
[0065]
参见图7，本发明第三实施例公开一种顶发射有机电致发光器件。如图7所示，顶发射有机电致发光器件30例如包括：基板31、驱动控制电路层32以及如前述第一实施例公开的顶发射有机电致发光元件10。
[0066]
其中，驱动控制电路层32设置在基板31上。顶发射有机电致发光元件10设置在驱动控制电路层32远离基板31的一侧。顶发射有机电致发光元件10的第一电极11设置在驱动控制电路层32上，有机功能层12设置在第一电极11上，第二电极13设置在有机功能层12远离第一电极11的一侧，第二电极13例如包括功函数调整层131和透明金属氧化物层132，功函数调整层131位于有机功能层12远离第一电极11的一侧，透明金属氧化物层132位于功函数调整层131远离有机功能层12的一侧。
[0067]
具体地，基板31可以由透明材料形成。基板31例如为石英基板、人造石英基板、氟化钙基板、掺氟石英基板或钠钙玻璃基板等。可选地，基板31可以由柔性透明材料形成。基
板31例如为聚酰亚胺基板，可以包括第一聚酰亚胺层、阻挡膜层、第二聚酰亚胺层等。
[0068]
其中，驱动控制电路层32例如包括多个晶体管和电连接多个晶体管的存储电容。第一电极11连接多个晶体管。提到的晶体管结构例如是顶栅结构(top gate)、背沟道刻蚀型结构(back channel etch，bce)、刻蚀阻挡层型结构(etch stop layer，esl)等结构。提到的晶体管的有源层的材料例如是氧化物、硅材料或有机物。具体的，有源层的材料例如包括：非晶态氧化铟镓锌材料(amorphous indium gallium zinc oxide，a-igzo)、氮氧化锌(znon)、izto、非晶硅(a-si)、低温多晶硅(p-si)、六噻吩、聚噻吩等。晶体管的各电极及其引线的材料可以是常用的金属材料，如银(ag)、铜(cu)、铝(al)、钼(mo)等，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(alnd)、钼铌合金(monb)等，或多层金属如monb/cu/monb等，也可以是金属和透明导电氧化物如氧化铟锡(ito)、掺铝的氧化锌(azo)等形成的堆栈结构，例如mo/alnd/ito、ito/ag/ito等。buffer、gi、ild、pvx层的材料包括氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)等介质材料，或各种新型的有机绝缘材料，或高介电常数材料如铝的氧化物(alox)、铪的氧化物(hfox)、钽的氧化物(taox)等。驱动控制电路层32例如通过成膜、曝光、蚀刻叠加不同图形不同材质的膜层形成。
[0069]
举例而言，如图8所示，驱动控制电路层32例如包括两个晶体管(321、323)和电连接两个晶体管的存储电容322。顶发射有机电致发光元件10的第一电极电连接晶体管321和晶体管323。如图8所示，将正电压电源elvdd提供给正电源端子，并且可将接地电源电压elvss提供给接地电源端子，驱动晶体管321的状态控制流经顶发射有机电致发光元件10的电流量，因此控制来自顶发射有机电致发光器件10的发光量。为确保晶体管321被保持在数据的连续帧之间的期望状态，存储电容322上的电压在节点a处被施加到晶体管321的栅极以控制晶体管321。可使用一个或多个开关晶体管例如晶体管323将数据加载到存储电容322中。当开关晶体管323关闭时，数据线(dl)从存储电容322隔离，并且节点a上的栅极电压等于被存储在存储电容322中的数据值。当栅极线又称扫描线(gl)被断开时，开关晶体管323将被打开并且数据线dl上的新的数据信号将被加载到存储电容322中。存储电容322上的新信号在节点a处被施加到晶体管321的栅极，从而调节晶体管321的状态并且调节由顶发射有机电致发光元件10发射的光的对应量。
[0070]
需要说明的是，本发明并不限制驱动控制电路层32的具体结构。前述以及图中示意仅为了更好地说明本实施例。
[0071]
关于顶发射有机电致发光元件10的相关描述可参考前述第一实施例，且本实施例的有益效果与前述第一实施例的有益效果相同，为了简洁在此不再赘述。
[0072]
【第四实施例】
[0073]
参见图9，本发明第四实施例公开一种顶发射有机电致发光器件。如图9所示，顶发射有机电致发光器件40例如包括：基板41、驱动控制电路层42以及如前述第二实施例公开的顶发射有机电致发光元件20。
[0074]
其中，驱动控制电路层42设置在基板41上。顶发射有机电致发光元件20设置在驱动控制电路层42远离基板41的一侧。顶发射有机电致发光元件20的第一电极21设置在驱动控制电路层42上，有机功能层22设置在第一电极21上，第二电极23设置在有机功能层22远离第一电极21的一侧，第二电极23例如包括功函数调整层231和透明金属氧化物层232，功函数调整层231位于有机功能层22远离第一电极21的一侧，透明金属氧化物层232位于功函
数调整层231远离有机功能层22的一侧，电荷产生层233设置在功函数调整层231和透明金属氧化物层232之间，其中电荷产生层233例如包括第一类型电荷产生层2331和第二类型电荷产生层2332，第一类型电荷产生层2331位于功函数调整层231远离有机功能层22的一侧，第二类型电荷产生层2332位于第一类型电荷产生层2331与透明金属氧化物层232之间。
[0075]
具体地，基板41例如由透明材料形成。举例而言，基板例如为石英基板、人造石英基板、氟化钙基板、掺氟石英基板或钠钙玻璃基板等。可选地，基板可以由柔性透明材料来形成。基板例如为聚酰亚胺基板，可以包括第一聚酰亚胺层、阻挡膜层、第二聚酰亚胺层等。
[0076]
驱动控制电路层42例如包括多个晶体管和连接晶体管的电容。第一电极21连接多个晶体管。提到的晶体管的结构例如是顶栅结构(top gate)、背沟道刻蚀型结构(back channel etch，bce)或刻蚀阻挡层型结构(etch stop layer，esl)等结构。晶体管的有源层的材料例如可以是氧化物、硅材料或有机物。具体的，有源层的材料例如包括：非晶态氧化铟镓锌材料(amorphous indium gallium zinc oxide，a-igzo)、氮氧化锌(znon)、izto、非晶硅(a-si)、低温多晶硅(p-si)、六噻吩或聚噻吩等。晶体管的各电极及其引线的材料可以是常用的金属材料，如银(ag)、铜(cu)、铝(al)、钼(mo)等，或上述金属的合金材料，例如铝钕合金(alnd)、钼铌合金(monb)等，或多层金属如monb/cu/monb等，也可以是金属和透明导电氧化物如氧化铟锡(ito)、掺铝的氧化锌(azo)等形成的堆栈结构，例如mo/alnd/ito、ito/ag/ito等。buffer、gi、ild、pvx层的材料包括氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)等介质材料，或各种新型的有机绝缘材料，或高介电常数材料如铝的氧化物(alox)、铪的氧化物(hfox)、钽的氧化物(taox)等。驱动控制电路层42例如通过成膜、曝光、蚀刻叠加不同图形不同材质的膜层形成。
[0077]
关于驱动控制电路层42的具体结构举例说明可参考前述第三实施例公开的顶发射有机电致发光器件30的驱动控制电路层32的举例说明，在此不再赘述。
[0078]
关于顶发射有机电致发光元件20的相关描述可参考前述第二实施例，且本实施例的有益效果与前述第二实施例的有益效果相同，为了简洁在此不再赘述。
[0079]
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。