一种提高半导体有源区杂质激活率的方法及其应用与流程

技术特征：
1.一种提高半导体有源区杂质激活率的方法，其特征在于，包括以下步骤：在第一温度下，向基材有源区注入第一粒子；在第二温度下，向所述有源区再注入第二粒子；所述第一粒子的注入能量小于所述第二粒子的注入能量。2.如权利要求1所述的一种提高半导体有源区杂质激活率的方法，其特征在于，所述第一粒子的注入剂量等于所述第二粒子的注入剂量。3.如权利要求1所述的一种提高半导体有源区杂质激活率的方法，其特征在于，所述第一粒子的注入方式为单次注入或多次注入。4.如权利要求3所述的一种提高半导体有源区杂质激活率的方法，其特征在于，所述第一粒子的注入方式为多次注入的情况下，所述第一粒子本次的注入能量不小于上一次的注入能量。5.如权利要求1所述的一种提高半导体有源区杂质激活率的方法，其特征在于，所述第二粒子的注入方式为单次注入或多次注入。6.如权利要求5所述的一种提高半导体有源区杂质激活率的方法，其特征在于，所述第二粒子的注入方式为多次注入的情况下，所述第二粒子本次的注入能量不小于上一次的注入能量。7.如权利要求5所述的一种提高半导体有源区杂质激活率的方法，其特征在于，所述第二粒子的注入方式为多次注入的情况下，所述第二粒子本次的注入剂量不小于上一次的注入能量。8.如权利要求1至7任一项所述的一种提高半导体有源区杂质激活率的方法，其特征在于，所述第一温度与所述第二温度的范围设置为14-40℃。9.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括权利要求1至8任一项所述的提高半导体有源区杂质激活率的方法。10.一种半导体器件，其特征在于，由权利要求9所述的半导体器件的制备方法制得的。11.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求10所述的半导体器件。

技术总结
涉及半导体基材粒子掺杂技术领域，本申请公开一种提高半导体有源区杂质激活率的方法及其应用。所述一种提高半导体有源区杂质激活率的方法，包括以下步骤：在第一温度下，向基材有源区注入第一粒子；在第二温度下，向所述有源区再注入第二粒子；所述第一粒子的注入能量小于所述第二粒子的注入能量。与现有技术相比，本申请降低了整个掺杂工艺条件及成本，有效提高有源区杂质激活率。效提高有源区杂质激活率。效提高有源区杂质激活率。


技术研发人员：林苡任 陈道坤 曾丹 史波
受保护的技术使用者：珠海格力电器股份有限公司
技术研发日：2020.07.16
技术公布日：2022/1/17