量子点发光二极管及其制备方法与流程

1.本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。


背景技术：

2.由于量子点(semiconductor quantum dots，qds)具有发光线宽窄、发光波长可调、发光色饱和度高、发光色域广等优点，加上无机纳米晶体理论寿命较长、器件稳定性好等优势，以量子点作为发光中心的量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes，qled)成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。
3.为了促进qled器件的发展，人们通过改变电荷传输层材料，优化器件结构不断提升qled器件性能。目前红光qled器件的外量子效率高达20％以上，可以与有机发光二极管(organicelectroluminesence display，oled)器件性能相媲美，但qds材料多采用含cd的量子点，cd的重金属属性限制了其使用和发展。对于绿色环保的inp量子点qled器件性能与含cd量子点qled尚有一定差距，不能满足商业化需求。在倒置qled中，空穴传输层的溶剂如氯苯、二氯苯、环己基苯、甲苯等对qd层溶解，影响了器件的发光效率和使用寿命；另外，qled器件中存在较大的电子注入势垒，空穴注入多于电子注入，导致了空穴和电子注入不平衡，进一步影响器件的发光效率和使用寿命。


技术实现要素：

4.本技术的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有量子点发光二极管发光效率和使用寿命有待提高的问题。
5.为实现上述申请目的，本技术采用的技术方案如下：
6.第一方面，本技术提供一种量子点发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，以及设置在所述空穴传输层和所述量子点发光层之间的空穴阻挡层；其中，所述空穴阻挡层的材料选自氯化钾、氯化钠、溴化钾中的至少一种。
7.第二方面，本技术提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
8.提供含有氯化钾、氯化钠、溴化钾中的至少一种的卤盐溶液，以及阴极基板；
9.在所述阴极基板的表面制备量子点发光层；
10.在所述量子点发光层背离所述阴极基板的表面沉积所述氯化钾和/或氯化钠的溶液，热处理，制备空穴阻挡层；
11.在所述空穴阻挡层背离所述量子点发光层的表面沉积空穴传输材料，制备空穴传输层；
12.在所述空穴传输层背离所述空穴阻挡层的表面制备阳极。
13.本技术提供的量子点发光二极管，通过采用氯化钾、氯化钠、溴化钾中的至少一种作为空穴阻挡层的材料，来增加量子点发光二极管的电子和空穴注入平衡，有效降低器件漏电流，提高量子点发光二极管的发光效率和使用寿命。
14.本技术提供的量子点发光二极管的制备方法，在所述量子点发光层背离所述阴极基板的表面沉积所述含有氯化钾、氯化钠、溴化钾中的至少一种的卤盐溶液，制备空穴阻挡层，以增加量子点发光二极管的电子和空穴注入平衡，有效降低器件漏电流，提高量子点发光二极管的发光效率和使用寿命。
附图说明
15.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
16.图1是本技术实施例提供的一种量子点发光二极管的结构示意图；
17.图2是本技术实施例提供的另一种量子点发光二极管的结构示意图；
18.图3是本技术实施例提供的量子点发光二极管的制备工艺流程图。
具体实施方式
19.为了使本技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
20.本技术中，术语“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b的情况。其中a，b可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
21.本技术中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，“a,b,或c中的至少一项(个)”，或，“a,b,和c中的至少一项(个)”，均可以表示：a,b,c,a-b(即a和b),a-c,b-c,或a-b-c，其中a,b,c分别可以是单个，也可以是多个。
22.应理解，在本技术的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，部分或全部步骤可以并行执行或先后执行，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本技术实施例的实施过程构成任何限定。
23.在本技术实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本技术。在本技术实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
24.术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，用来将目的如物质、界面、消息、请求和终端彼此区分开，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。例如，在不脱离本技术实施例范围的情况下，第一xx也可以被称为第二xx，类似地，第二xx也可以被称为第一xx。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
25.本技术实施例说明书中所提到的相关成分的重量不仅仅可以指代各组分的具体含量，也可以表示各组分间重量的比例关系，因此，只要是按照本技术实施例说明书相关组分的含量按比例放大或缩小均在本技术实施例说明书公开的范围之内。具体地，本技术实
施例说明书中所述的质量可以是μg、mg、g、kg等化工领域公知的质量单位。
26.如图1所示，本技术实施例第一方面提供一种量子点发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，设置在阴极和阳极之间的量子点发光层，设置在阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，以及设置在空穴传输层和量子点发光层之间的空穴阻挡层；其中，空穴阻挡层的材料选自氯化钾、氯化钠、溴化钾中的至少一种。
27.本技术实施例提供的量子点发光二极管，氯化钾、氯化钠、溴化钾对空穴的迁移具有良好的阻挡效果，同时，成膜后的透光性较好，因此，本技术实施例通过采用氯化钾、氯化钠、溴化钾中的至少一种作为空穴阻挡层的材料，来增加量子点发光二极管的电子和空穴注入平衡，有效降低器件漏电流，提高量子点发光二极管的发光效率和使用寿命。
28.本技术实施例提供的空穴阻挡层的材料选自氯化钾、氯化钠中的至少一种，包括四种情形。在第一种实施情形中，空穴阻挡层的材料选自氯化钠，即空穴阻挡层为氯化钠层；在第二种实施情形中，空穴阻挡层的材料选自氯化钾，即空穴阻挡层为氯化钾层；在第三种实施情形中，空穴阻挡层的材料选自溴化钾，即空穴阻挡层为溴化钾层；在第四种实施情形中，空穴阻挡层的材料选自氯化钾、氯化钠和溴化钾中的至少两种的混合材料，即空穴阻挡层为氯化钾、氯化钠和溴化钾其中的至少两种的混合材料层。
29.在一些实施例中，空穴阻挡层的厚度为2nm～7nm。在这种情况下，空穴阻挡层能够增加量子点发光二极管的电子和空穴注入平衡，有效降低器件漏电流，提高量子点发光二极管的发光效率和使用寿命；而且空穴阻挡层的透光率大于或等于90％，可以满足量子点发光二极管的透光性能。此外，合适的厚度，避免开启电压增加，从而增加量子点发光二极管器件的工作能耗。
30.在一些实施例中，量子点发光二极管还包括在阴极和量子点发光层之间设置的电子功能层；在一些实施例中，量子点发光二极管还包括在阳极和空穴传输层之间设置的空穴注入层；在一些实施例中，量子点发光二极管包括在阴极和量子点发光层之间设置的电子功能层，以及在阳极和空穴传输层之间设置的空穴注入层。
31.本技术实施例中，量子点发光二极管还可以包括衬底，阳极或阴极设置在衬底上。
32.本技术实施例提供的量子点发光二极管分为正型结构量子点发光二极管和反型结构量子点发光二极管。特别的，当量子点发光二极管为反型结构量子点发光二极管时，溶液法制备器件中，由于氯化钾、氯化钠、溴化钾的溶剂为大极性溶剂，如水，对量子点发光层的量子点溶解性较低甚至基本不溶解，因此，不会影响量子点发光层的界面性能；而当制备空穴传输层时，由于空穴阻挡层的阻挡，也能避免空穴传输材料溶剂对量子点发光层的影响。
33.在一种实施方式中，正型结构量子点发光二极管包括包括相对设置的阳极和阴极，设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，设置在阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，以及设置在空穴传输层和量子点发光层之间的空穴阻挡层，且阳极设置在衬底上。进一步的，阴极和量子点发光层之间可以设置电子传输层、电子注入层等电子功能层；在阳极和空穴传输层之间可以设置空穴注入层。在一些正型结构量子点发光二极管的实施例中，量子点发光二极管包括衬底，设置在衬底表面的阳极，设置在阳极表面的空穴注入层，设置在空穴注入层表面的空穴传输层，设置在空穴传输层表面的空穴阻挡层，设置在空穴阻挡层表面的量子点发光层，设置在量子点发光层表面的电子传输层和设置在电子传输层表面的
阴极。
34.在一种实施方式中，反型结构量子点发光二极管包括包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，设置在阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，以及设置在空穴传输层和量子点发光层之间的空穴阻挡层，且阴极设置在衬底上。进一步的，阴极和量子点发光层之间可以设置电子注入层、电子传输层等电子功能层；在阳极和量子点发光层之间可以设置空穴传输层。在一些反型结构量子点发光二极管的实施例中，量子点发光二极管包括衬底，设置在衬底表面的阴极，设置在阴极表面的电子传输层，设置在电子传输层表面的量子点发光层，设置在量子点发光层表面的空穴阻挡层，设置在空穴阻挡层表面的空穴传输层，设置在空穴传输层表面的空穴注入层和设置在空穴注入层表面的阳极。
35.上述实施例中，衬底可包括刚性衬底如玻璃、金属箔片等常用的刚性衬底，或柔性衬底如聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)、聚苯乙烯(ps)、聚乙烯(pe)、聚氯乙烯(pv)、聚乙烯吡咯烷酮(pvp)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)等类似材料，其主要起到支撑作用。
36.阳极可以采用常见的阳极材料和厚度，本技术实施例不作限定。例如，阳极材料可以为氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)导电玻璃或氧化铟锡、氧化铟锌电极，也可以是其他金属材料例如金、银、铝等。在一些实施例中，阴极的厚度为20-80nm。
37.本技术实施例中，阴极可以采用常见的阴极材料和厚度，本技术实施例不作限定。在一些实施例中，阴极的材料选自导电碳材料、导电金属氧化物材料和金属材料中的一种或多种。其中，导电碳材料包括但不限于掺杂或非掺杂碳纳米管、掺杂或非掺杂石墨烯、掺杂或非掺杂氧化石墨烯、c60、石墨、碳纤维和多孔碳中的一种或多种；导电金属氧化物材料包括但不限于ito、fto、ato和azo中的一种或多种；金属材料包括但不限于al、ag、cu、mo、au、ba、ca、mg或它们的合金。金属材料中，其形态包括但不限于致密薄膜、纳米线、纳米球、纳米棒、纳米锥和纳米空心球中的一种或多种。其中，使用纳米ag线或者cu线等材料，具有较小的电阻使得载流子能更顺利的注入。阴极的厚度小于或等于100nm，在一些实施例中，阴极的厚度为15-30nm。
38.量子点发光层的量子点为具备发光能力的直接带隙化合物半导体，可以按照常规的量子点类型，选择常规的量子点材料。如量子点发光层的量子点可以为红色量子点、绿色量子点、蓝色量子点、黄色量子点中的一种；量子点材料中可以含镉，也可以不含镉；量子点可以为油溶性量子点包括二元相、三元相、四元相量子点。本技术实施例提供的量子点发光层的材料，包括但不限于ii-vi族化合物、iii-v族化合物、ii-v族化合物、iii-vi化合物、iv-vi族化合物、i-iii-vi族化合物、ii-iv-vi族化合物或iv族单质中的一种或多种。在一些实施例中，量子点发光层使用的半导体材料包括但不限于ii-vi半导体的纳米晶，比如cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、hgs、hgse、hgte、pbs、pbse、pbte和其他二元、三元、四元的ii-vi化合物；iii-v族半导体的纳米晶，比如gap、gaas、inp、inas和其他二元、三元、四元的iii-v化合物；还不限于ii-v族化合物、iii-vi化合物、iv-vi族化合物、i-iii-vi族化合物、ii-iv-vi族化合物、iv族单质等。在一些实施例中，量子点发光层的材料还可以为掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、和/或有机-无机杂化钙钛矿型半导体。具体地，无机钙钛矿型半导体的结构通式为amx3，其中a为cs

离子，m为二价金属阳离子，包括但不限于pb
2
、sn
2
、cu
2
、ni
2
、cd
2
、cr
2
、mn
2
、co
2
、fe
2
、ge
2
、yb
2
、eu
2
，x为卤素阴离子，包括但不限于cl-、br-、
i-；有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为bmx3，其中b为有机胺阳离子，包括但不限于ch3(ch2)
n-2nh
3
(n≥2)或ch3(ch2)nnh
32
(n≥2)。当n＝2时，无机金属卤化物八面体mx
64-通过共顶的方式连接，金属阳离子m位于卤素八面体的体心，有机胺阳离子b填充在八面体间的空隙内，形成无限延伸的三维结构；当n＞2时，以共顶的方式连接的无机金属卤化物八面体mx
64-在二维方向延伸形成层状结构，层间插入有机胺阳离子双分子层(质子化单胺)或有机胺阳离子单分子层(质子化双胺)，有机层与无机层相互交叠形成稳定的二维层状结构；m为二价金属阳离子，包括但不限于pb
2
、sn
2
、cu
2
、ni
2
、cd
2
、cr
2
、mn
2
、co
2
、fe
2
、ge
2
、yb
2
、eu
2
；x为卤素阴离子，包括但不限于cl-、br-、i-。
39.在一些实施例中，量子点选用inp/znse/zns核壳结构量子点。在这种情况下，inp/znse/zns核壳结构量子点能够降低空穴的迁移；加上量子点发光二极管在量子点发光层和空穴传输层之间设置有以氯化钾、氯化钠、溴化钾中的至少一种为材料的空穴阻挡层，由此可以进一步提高载流子注入平衡，从而提高器件的发光效率和使用寿命，使其有望替代传统的硒化镉量子点作为发光材料的发光二极管。
40.空穴注入层的材料可采用本领域常规的空穴注入材料，包括但不限于peodt：pss、cupc、hatcn、wo3、moo3、cro
x
、nio、cuo、v2o5、cus、mos2、mose2、ws2、wse2中的一种，但不限于此。在一些实施例中，空穴注入层的厚度为5nm-10nm。
41.空穴传输层的材料可采用本领域常规的空穴传输材料制成，包括但不限于：聚(9,9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(n,n'双(4-丁基苯基)-n,n'-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-n,n-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4
”-
三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、n,n
’-
二苯基-n,n
’-
二(3-甲基苯基)-1,1
’-
联苯-4,4
’-
二胺、15n,n
’-
二苯基-n,n
’-
(1-萘基)-1,1
’-
联苯-4,4
’-
二胺、石墨烯、c60中的至少一种。作为另一个实施例，所述空穴传输层选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于nio
x
、moo
x
、wo
x
、cro
x
、cuo、mos
x
、mose
x
、ws
x
、wse
x
、cus中的至少一种。空穴传输层的厚度为20nm-30nm。
42.电子传输层的材料可采用具有电子传输能力的带隙大于发光材料带隙的氧化物半导体纳米颗粒材料，包括但不限于zno、tio2、sno2、ta2o3、zro2、nio、tilio、znalo、znmgo、znsno、znlio、insno中的一种或多种。
43.如图2所示，量子点发光二极管包括相对设置的阴极和阳极，设置在阴极和阳极之间的量子点发光层，设置在阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，以及设置在空穴传输层和量子点发光层之间的空穴阻挡层，在阴极和量子点发光层之间设置的电子传输层，以及在阳极和空穴传输层之间设置的空穴注入层；其中，阴极为ito阴极；电子传输层的材料为氧化锌纳米颗粒，厚度为30～70nm；量子点发光层的材料为inp量子点，厚度为10～30nm；空穴阻挡层的材料为氯化钠，厚度为2～7nm；空穴传输层的材料为tfb，厚度为20～30nm；空穴注入层的材料为氧化钼，厚度为5～10nm；阳极的材料为金或银，厚度为20～80nm。在一些实施例中，量子点发光二极管为反型量子点发光二极管，即阴极设置在衬底上。
44.本技术实施例提供的量子点发光二极管，可以通过下属方法制备获得。
45.如图3所示，本技术实施例第二方面提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
46.s01.提供含有氯化钾、氯化钠、溴化钾中的至少一种的卤盐溶液，以及阴极基板；
47.s02.在阴极基板的表面制备量子点发光层；
48.s03.在量子点发光层背离阴极基板的表面沉积卤盐溶液，热处理，制备空穴阻挡层；
49.s04.在空穴阻挡层背离量子点发光层的表面沉积空穴传输材料，制备空穴传输层；
50.s05.在空穴传输层背离空穴阻挡层的表面制备阳极。
51.本技术实施例提供的量子点发光二极管的制备方法，在量子点发光层背离阴极基板的表面沉积卤盐溶液，制备空穴阻挡层，以增加量子点发光二极管的电子和空穴注入平衡，有效降低器件漏电流，提高量子点发光二极管的发光效率和使用寿命。
52.在上述步骤s01中，阴极基板为设置有阴极的基板，且阴极通常为图案化阴极。卤盐溶液，是指溶质为含有氯化钾、氯化钠、溴化钾中的至少一种的溶液。卤盐溶液，采用将含有氯化钾、氯化钠、溴化钾中的至少一种溶解中溶剂中制备获得。所得到的溶液中，溶质可以为一种，如氯化钾或氯化钠或溴化钾；也可以为两种，即氯化钾、氯化钠和溴化钾中的任意两种组合。在一些实施例中，卤盐溶液中，溶剂选自甘油、水中的一种。在这种情况下，上述溶剂不仅不会对量子点发光层中的量子点造成破坏，而且该溶剂对氯化钾、氯化钠、溴化钾有较好的溶解性能，且在热处理过程中容易去除，不易残留，从而可以避免对器件性能的影响。
53.在一些实施例中，卤盐溶液中，溶质即卤盐的浓度为0.5～5mg/ml。对应的，当卤盐溶液为氯化钾溶液时，氯化钾的浓度为0.5～5mg/ml；当卤盐溶液为氯化钠溶液时，氯化钠的浓度为0.5～5mg/ml；当卤盐溶液为溴化钾溶液时，溴化钾的浓度为0.5～5mg/ml；当卤盐溶液的溶质同时含有氯化钠和氯化钾和溴化钾其中至少两种时，氯化钾和氯化钾和溴化钾其中至少两种的总浓度为0.5～5mg/ml。在这种情况下，通过溶液加工法制备的空穴阻挡层具有合适的厚度，在2～7nm的范围内。
54.在上述步骤s02中，在阴极基板的表面制备量子点发光层，是指在阴极基板的阴极表面制备量子点发光层。在阴极基板的表面制备量子点发光层的方法，可以采用常规方法实现。在一些实施例中，采用溶液加工法制备量子点发光层。在一些实施例中，将量子点溶解在甲苯或正己烷中，配置量子点溶液或量子点墨水。在一些实施例中，采用旋涂的方法在阴极基板的表面制备量子点发光层，其中，量子点溶液的浓度为20-30mg/ml，旋涂的转速为2000-4000rpm；在一些实施例中，采用印刷的方法在阴极基板的表面制备量子点发光层，其中，量子点墨水的浓度3-10mg/ml。在一些实施例中，量子点材料为inp/znse/zns核壳结构量子点，量子点发光层的厚度为10-30nm。
55.在一些实施例中，在制备量子点发光层之前，包括在阴极基板的表面制备电子传输层。即在阴极基板的表面制备电子传输层，然后在电子传输层背离阴极基板的表面制备量子点发光层。电子传输层的材料如上文所述，为了节约篇幅，此处不再赘述。
56.在一些实施例中，电子传输层的材料为氧化锌纳米颗粒。在一些实施例中，采用溶液加工法在阴极基板表面沉积氧化锌纳米颗粒，制备电子传输层。在一些实施例中，将氧化锌纳米颗粒溶解在乙醇或正丁醇中，配置氧化锌纳米颗粒溶液或氧化锌纳米颗粒墨水。在一些实施例中，采用旋涂的方法在阴极基板的表面制备电子传输层，其中，氧化锌纳米颗粒溶液的浓度为20-30mg/ml，旋涂的转速为2000-4000rpm；在一些实施例中，采用印刷的方法
在阴极基板的表面制备电子传输层，其中，氧化锌纳米颗粒墨水的浓度3-10mg/ml。在一些实施例中，采用溶液加工法在阴极基板表面沉积氧化锌纳米颗粒后，加热处理，加热处理的温度为80～120℃，时间为20～40分钟。在一些实施例中，电子传输层的厚度为30-70nm。
57.在上述步骤s03中，在量子点发光层背离阴极基板的表面沉积氯化钾和/或氯化钠的溶液，可以采用旋涂、刮涂、印刷、喷墨打印等方式实现。在量子点发光层背离阴极基板的表面沉积卤盐溶液的步骤之后，进行热处理，去除卤盐溶液中的溶剂，制备致密的空穴阻挡层。在一些实施例中，热处理的温度为80～120℃，时间为5～30分钟。
58.在上述步骤s04中，在空穴阻挡层背离量子点发光层的表面沉积空穴传输材料，可以采用常规的方式实现。在一些实施例中，在空穴阻挡层背离量子点发光层的表面沉积空穴传输材料的步骤，采用溶液加工法实现。在该实施例中，通过在在量子点发光层背离阴极基板的表面沉积卤盐溶液，制备空穴阻挡层，可以有效防止空穴传输材料对量子点发光层中量子点的溶解，从而进一步提高量子点发光二极管的性能。
59.在上述步骤s05中，在空穴传输层背离空穴阻挡层的表面制备阳极，可以采用常规的方式实现。在一些实施例中，在空穴传输层背离空穴阻挡层的表面制备阳极之前，还包括在空穴传输层背离空穴阻挡层的表面制备电子注入层。
60.下面结合具体实施例进行说明。
61.实施例1
62.一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
63.在透明衬底上ito阴极；
64.将zno纳米颗粒溶解在乙醇或正丁醇中配置浓度为20mg/ml的zno纳米颗粒溶液，在ito上旋涂zno纳米颗粒溶液，在温度为80℃的条件下加热30分钟，制备电子传输层；
65.将inp/znse/zns核壳结构量子点溶解在甲苯或正己烷中配置浓度为20mg/ml的量子点溶液，在电子传输层上旋涂量子点溶液，制备量子点发光层；
66.氯化钠(nacl)溶解在甘油中配置氯化钠溶液，在量子点发光层上旋涂浓度为1.0mg/ml氯化钠溶液，100℃热处理5min，制备空穴阻挡层；
67.在空穴阻挡层上旋涂浓度为8mg/ml的tfb，150℃热处理20min，制备空穴传输层；
68.在空穴传输层表面蒸镀空穴注入层moo
x
，空穴注入层的厚度为10nm；
69.在空穴注入层表面蒸镀au阳极，厚度为30nm。
70.实施例2
71.一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
72.在透明衬底上ito阴极；
73.将zno纳米颗粒溶解在乙醇或正丁醇中配置浓度为10mg/ml的zno纳米颗粒墨水，在ito上印刷zno纳米颗粒墨水，在温度为100℃的条件下加热30分钟，制备电子传输层；
74.将inp/znse/zns核壳结构量子点溶解在甲苯或正己烷中配置浓度为10mg/ml的量子点墨水，在电子传输层上印刷量子点墨水，制备量子点发光层；
75.氯化钾(kcl)溶解在甘油中配置氯化钾溶液，在量子点发光层上旋涂浓度为1.5mg/ml氯化钾溶液，90℃热处理5min，制备空穴阻挡层；
76.在空穴阻挡层上旋涂浓度为8mg/ml的tfb，150℃热处理20min，制备空穴传输层；
77.在空穴传输层表面蒸镀空穴注入层moo
x
，空穴注入层的厚度为8nm；
78.在空穴注入层表面蒸镀ag阳极，厚度为70nm。
79.实施例3
80.一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
81.在透明衬底上ito阴极；
82.将zno纳米颗粒溶解在乙醇或正丁醇中配置浓度为10mg/ml的zno纳米颗粒墨水，在ito上印刷zno纳米颗粒墨水，在温度为100℃的条件下加热30分钟，制备电子传输层；
83.将inp/znse/zns核壳结构量子点溶解在甲苯或正己烷中配置浓度为10mg/ml的量子点墨水，在电子传输层上印刷量子点墨水，制备量子点发光层；
84.溴化钾(kbr)溶解在甘油中配置溴化钾溶液，在量子点发光层上旋涂浓度为1.5mg/ml溴化钾溶液，90℃热处理5min，制备空穴阻挡层；
85.在空穴阻挡层上旋涂浓度为8mg/ml的tfb，150℃热处理20min，制备空穴传输层；
86.在空穴传输层表面蒸镀空穴注入层moo
x
，空穴注入层的厚度为8nm；
87.在空穴注入层表面蒸镀ag阳极，厚度为70nm。
88.实施例4
89.一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
90.在透明衬底上ito阴极；
91.将zno纳米颗粒溶解在乙醇或正丁醇中配置浓度为30mg/ml的zno纳米颗粒溶液，在ito上旋涂zno纳米颗粒溶液，在温度为90℃的条件下加热30分钟，制备电子传输层；
92.将inp/znse/zns核壳结构量子点溶解在甲苯或正己烷中配置浓度为30mg/ml的量子点溶液，在电子传输层上旋涂量子点溶液，制备量子点发光层；
93.氯化钠(nacl)和氯化钾(kcl)和溴化钾(kbr)其中至少两种溶解在甘油中配置氯化钠和氯化钾和溴化钾(kbr)其中至少两种的溶液，在量子点发光层上旋涂浓度为2.0mg/ml氯化钠和氯化钾和溴化钾其中至少两种的溶液，120℃热处理5min，制备空穴阻挡层；
94.在空穴阻挡层上旋涂浓度为8mg/ml的tfb，150℃热处理20min，制备空穴传输层；
95.在空穴传输层表面蒸镀空穴注入层moo
x
，空穴注入层的厚度为5nm；
96.在空穴注入层表面蒸镀au阳极，厚度为50nm。
97.对比例1
98.一种量子点发光二极管的制备方法，与实施例1-3的不同之处在于：不含有制备空穴阻挡层的步骤(例如实施例1中“氯化钠(nacl)溶解在甘油中配置氯化钠溶液，在量子点发光层上旋涂浓度为1.5mg/ml氯化钠溶液，90℃热处理5min，制备空穴阻挡层”，实施例2中“氯化钾(kcl)溶解在甘油中配置氯化钾溶液，在量子点发光层上旋涂浓度为1.5mg/ml氯化钾溶液，90℃热处理5min，制备空穴阻挡层”，实施例3中“溴化钾(kbr)溶解在甘油中配置溴化钾溶液，在量子点发光层上旋涂浓度为1.5mg/ml溴化钾溶液，90℃热处理5min，制备空穴阻挡层”)，直接在量子点发光层上制备空穴传输层。
99.对比例2
100.一种量子点发光二极管的制备方法，与实施例1的不同之处在于：不含有制备空穴阻挡层的步骤“氯化钠(nacl)溶解在甘油中配置氯化钠溶液，在量子点发光层上旋涂浓度为1.5mg/ml氯化钠溶液，90℃热处理5min，制备空穴阻挡层”，直接在量子点发光层上制备空穴传输层；且量子点发光层的材料为硒化镉量子点。
101.对实施例1-4和对比例1-2提供的量子点发光二极管进行性能测试，测试指标和测试方法如下：
102.(1)外量子效率(eqe)：采用eqe光学测试仪器测定。
103.测试结果如下表1所示。
104.表1
[0105][0106]
由表1可见，本技术实施例1提供的量子点发光二极管，设置选自氯化钾、氯化钠、溴化钾的空穴阻挡层后，外量子效率提高。
[0107]
以上仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。