一种10-50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法与流程

技术特征：
1.一种10-50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将高纯度硝酸铈、高纯度甘氨酸和高纯度peg原料用半导体级超纯水进行溶解，将所得溶液采用密闭式高纯保护气体喷雾干燥器进行干燥，生成微米级的干粉；(2)采用高纯氧气将生成的粉末输运到高温反应炉里，粉末在高温炉里进行爆炸式反应，即可得到粒径为10-50nm、纯度为99.9999wt％以上的纳米氧化铈。2.根据权利要求1所述的高纯度纳米氧化铈的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的甘氨酸与硝酸铈的摩尔比为0-10:1，peg的添加量为甘氨酸和硝酸铈总质量的0-50％。3.根据权利要求1所述的高纯度纳米氧化铈的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的甘氨酸金属含量小于0.001％，peg金属含量小于0.001％，硝酸铈的纯度为99.9999％。4.根据权利要求1所述的高纯度纳米氧化铈的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的peg的分子量为200-2000。5.根据权利要求1所述的高纯度纳米氧化铈的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的半导体级超纯水的电阻率≥10mω﹒cm。6.根据权利要求1所述的10-50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的高纯保护气体为氮气或氩气，纯度≥99.9999wt％。7.根据权利要求1所述的10-50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的高纯氧气的纯度≥99.9999wt％。8.根据权利要求1所述的10-50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的高温反应炉温度为400-2000℃，煅烧时间为0-3600s。

技术总结
本发明属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种10-50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法。一种10-50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法，包括以下步骤：(1)将高纯度硝酸铈、高纯度甘氨酸和高纯度PEG原料用半导体级超纯水进行溶解，将所得溶液采用密闭式高纯保护气体喷雾干燥器进行干燥，生成微米级的干粉；(2)采用高纯氧气将生成的粉末输运到高温反应炉里，粉末在高温炉里进行爆炸式反应，即可得到粒径为10-50nm、纯度为99.9999wt％以上的纳米氧化铈。本发明10-50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法简单且稳定，工序少，生产效率高，产生易于吸收处理的尾气，生产成本低，生产的纳米氧化铈为类球形，粒径在10-50nm可控、粒径分布窄、易于分散；可应用于半导体领域的化学机械抛光。可应用于半导体领域的化学机械抛光。可应用于半导体领域的化学机械抛光。


技术研发人员：ꢀ(74)专利代理机构
受保护的技术使用者：广西立之亿新材料有限公司
技术研发日：2020.07.14
技术公布日：2022/1/14