半导体结构的形成方法及半导体结构与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有分立的位线结构；在所述位线结构侧壁形成第一牺牲层；形成填充相邻所述位线结构之间间隙的第一介质层；图形化所述第一介质层形成通孔，所述通孔暴露出所述基底中的有源区，且在沿所述位线结构延伸的方向上，所述通孔与剩余的所述第一介质层交替排布；在所述通孔的侧壁形成第二牺牲层，并填充所述通孔形成接触插塞；在所述接触插塞上形成接触结构；去除所述第一牺牲层形成第一空气间隙，去除所述第二牺牲层形成第二空气间隙。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述位线结构侧壁形成第一牺牲层之后，且所述形成填充所述位线结构之间间隙的第一介质层之前，还包括：在所述第一牺牲层侧壁形成隔离层；形成的所述第一空气间隙以及所述第二空气间隙分别位于所述隔离层相对的两侧。3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述位线结构侧壁形成第一牺牲层以及所述在所述第一牺牲层侧壁形成隔离层，包括：在所述位线结构侧壁以及所述基底表面形成第一牺牲膜；去除所述基底表面的所述第一牺牲膜，形成所述第一牺牲层；在所述第一牺牲层的侧壁以及所述基底表面形成隔离膜；去除所述基底表面的所述隔离膜，形成所述隔离层。4.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述位线结构侧壁形成第一牺牲层以及所述在所述第一牺牲层侧壁形成隔离层，包括：在所述位线结构侧壁以及所述基底表面形成第一牺牲膜；在所述第一牺牲膜的侧壁和所述基底表面上的所述第一牺牲膜表面形成隔离膜；去除所述基底表面的所述第一牺牲膜以及所述隔离膜，形成所述隔离层以及所述第一牺牲层，所述第一牺牲层还位于所述隔离层底部；其中，形成的所述第一空气间隙还位于所述隔离层底部，且所述第一空气间隙与所述第二空气间隙相连通。5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述填充所述通孔形成接触插塞之后，且所述在所述接触插塞上形成接触结构之前，还包括：去除所述第一介质层形成介质开口；形成填充所述介质开口的第二介质层。6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图形化所述第一介质层形成通孔，包括：在所述位线结构以及所述第一介质层上形成第一掩膜层；图形化位于所述第一介质层上的第一掩膜层，形成第一刻蚀开口，在所述位线结构延伸的方向上，所述第一掩膜层与所述第一刻蚀开口交替排布；以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一刻蚀开口暴露出的所述第一介质层形成所述通孔。
7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一刻蚀开口暴露出的所述第一介质层形成所述通孔还包括：刻蚀所述第一介质层底部的部分所述基底，形成所述通孔。8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二牺牲层的厚度大于所述第一牺牲层的厚度。9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述填充所述通孔形成接触插塞，包括：形成填充所述通孔的底导电层；刻蚀部分所述底导电层形成所述接触插塞，所述接触插塞表面的高度低于所述位线结构表面的高度。10.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述填充所述通孔形成接触插塞之后，且所述在所述接触插塞上形成接触结构之前，还包括：在所述接触插塞上形成电连接层。11.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：对所述第一空气间隙和所述第二空气间隙进行封口处理，形成位于所述空气间隙表面的封口层。12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述对所述空气间隙进行封口处理之前，还包括：在所述接触结构的侧壁形成阻挡层。13.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底以及位于所述基底上分立的位线结构；介质层以及接触插塞，所述介质层与所述接触插塞位于分立的位线结构之间的间隙中，且于所述位线结构延伸的方向上，所述接触插塞与所述介质层交替排布；接触结构，位于所述接触插塞上；第一空气间隙，位于所述位线结构与所述介质层之间，还位于所述位线结构与所述接触插塞之间；第二空气间隙，环绕所述接触插塞，且部分所述第二空气间隙位于所述位线结构与所述接触插塞之间。14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，位于所述接触插塞与所述位线结构间的所述第一空气间隙与所述第二空气间隙相连通。15.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，还包括隔离层，所述隔离层与所述位线结构平行设置，所述第一空气间隙位于所述位线结构与所述隔离层之间，所述第二空气间隙位于所述隔离层与所述接触插塞之间以及所述接触插塞与所述介质层之间，且所述第一空气间隙以及所述第二空气间隙分别位于所述隔离层相对的两侧。16.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述第一空气间隙还位于所述隔离层底部，且位于所述隔离层底部的所述第一空气间隙与所述第二空气间隙相连通。17.根据权利要求16所述的半导体结构，其特征在于，所述第二空气间隙的宽度大于所述第一空气间隙的宽度。18.根据权利要求17所述的半导体结构，其特征在于，所述第一空气间隙的宽度范围为0.1nm-5nm。19.根据权利要求18所述的半导体结构，其特征在于，所述第二空气间隙的宽度范围为
1nm-6nm。20.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述接触结构和所述接触插塞在所述基底上的投影部分相交。21.根据权利要求20所述的半导体结构，其特征在于，所述接触插塞呈对齐阵列分布，所述接触结构呈交错阵列分布。22.根据权利要求21所述的半导体结构，其特征在于，所述接触结构部分位于所述位线结构之间的所述间隙中。

技术总结
本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有分立的位线结构；在位线结构侧壁形成第一牺牲层；形成填充相邻位线结构之间间隙的第一介质层；图形化第一介质层形成通孔，通孔暴露出基底中的有源区，且在沿位线结构延伸的方向上，通孔与剩余的第一介质层交替排布；在通孔的侧壁形成第二牺牲层，并填充通孔形成接触插塞；在接触插塞上形成接触结构；去除第一牺牲层形成第一空气间隙，去除第二牺牲层形成第二空气间隙。通过形成第一空气间隙和第二空气间隙，降低寄生电容的效果较好，且形成的空气间隙容易进行密封。且形成的空气间隙容易进行密封。且形成的空气间隙容易进行密封。


技术研发人员：廖楚贤 朱煜寒 应战
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2020.07.14
技术公布日：2022/1/14