用于测量微结构中的横向深度的方法和装置与流程

技术特征：
1.一种用于测量位于衬底上的微结构中的横向凹陷深度的方法，所述结构具有相对于所述衬底处于直立位置的细长侧壁，所述结构包括从所述侧壁向内形成并与所述衬底的表面基本上平行地延伸的至少一个凹陷，所述方法包括以下步骤：将能量束定向在所述结构处，测量由入射束与所述结构之间的相互作用产生的光谱响应，检测所述响应中的一个或多个峰值并从所述一个或多个峰值中导出表示凹陷深度的参数值，所述参数具有先前确立的与所述凹陷深度的一对一关系，使用先前确立的所述关系来从检测到的参数值中导出所述凹陷深度。2.如权利要求1所述的方法，其中所述结构包括与所述衬底的表面基本上平行定向的至少一个第一层，该层被夹在两个相邻层之间，并且其中所述第一层相对于所述相邻层是凹陷的，所述凹陷是从所述侧壁向内形成的。3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一层是由第一材料形成的，而所述相邻层是由不同于所述第一材料的第二材料形成的。4.如权利要求3所述的方法，其中：所述衬底是硅衬底，所述结构是具有两个细长侧壁的鳍形结构，并且其中所述第一层和所述相邻层在所述两个侧壁之间延伸，所述第一材料是sige并且所述第二材料是si，所述能量束是激光束并且所述光谱响应是拉曼响应，所述鳍结构包括与所述衬底一致的硅基底部分，以及所述基底部分上的硅纳米片的堆叠，所述硅纳米片通过相对于所述硅纳米片凹陷的sige层彼此隔开并与所述基底部分隔开，所述参数是拉曼光谱中与硅原子在所述sige层中的振动相关的强度峰值和与硅原子在所述硅衬底、所述基底部分和/或所述硅纳米片中的振动相关的强度峰值之间的比值，先前确立的所述关系是线性的。5.如权利要求2所述的方法，其中所述凹陷深度是蚀刻深度，所述蚀刻深度在其中相对于所述相邻层渐进地蚀刻所述第一层的工艺中形成，所述蚀刻工艺从所述侧壁向内进展。6.如权利要求1所述的方法，其中所述能量束是激光束，所述激光束的光在所述侧壁的长度方向上极化，并且其中所述光谱响应是拉曼光谱响应。7.如权利要求1所述的方法，其中所述能量束是电子束，并且其中所述光谱响应是能量色散x射线光谱响应。8.如权利要求1所述的方法，其中所述能量束是x射线束，并且其中所述光谱响应是x射线光电子光谱响应。9.如权利要求1所述的方法，其中所述能量束是离子束，并且其中所述光谱响应是二次离子质谱响应。10.如权利要求1所述的方法，其中先前确立的所述关系是线性关系。11.一种用于执行如前述权利要求中的任一项所述的方法的装置，包括：能量束源，检测器，
处理单元，所述处理单元被配置成在对结构应用如权利要求1所述的方法时执行以下步骤：获取来自所述检测器的所述光谱响应，在所述光谱响应的基础上确定所述参数的值，从所获取的参数值并从先前确立的所述一对一关系中导出所述凹陷深度。12.如权利要求11所述的装置，其中所述源是激光源并且所述检测器和所述处理单元被配置成用于拉曼光谱。13.一种存储指令的计算机可读存储介质，所述指令被配置成在处理单元上运行并执行如权利要求11所述的步骤。14.如权利要求1到10中的任一项所述的方法的用途，所述方法用于在半导体加工线中执行对横向凹陷深度的在线测量。15.如权利要求11或12所述的装置的用途，所述装置用于在半导体加工线中执行对凹陷深度的在线测量。

技术总结
本发明的方法应用光谱测量来确定微结构的侧壁中的横向凹陷深度。该结构被形成在更大的衬底上且该侧壁相对于该衬底处于直立位置，并且该凹陷与该衬底基本上平行地延伸。该凹陷可以是蚀刻深度。能量束被定向在该结构处。落在该结构上的入射束产生光谱响应。该响应包括与该衬底以及该结构的一个或多个材料相关的一个或多个峰值。从所述一个或多个峰值中导出表示横向凹陷深度的参数，所述参数具有先前确立的与所述深度的一对一关系。使用先前确立的关系来从所测得的参数中导出该深度。关系来从所测得的参数中导出该深度。关系来从所测得的参数中导出该深度。


技术研发人员：T
受保护的技术使用者：IMEC非营利协会
技术研发日：2021.07.13
技术公布日：2022/1/14