半导体纳米粒子复合体组合物、稀释组合物、半导体纳米粒子复合体固化膜、半导体纳米粒子复合体图案化膜、显示元件和半导体纳米粒子复合体分散液的制作方法

技术特征：
1.一种半导体纳米粒子复合体组合物，其是将半导体纳米粒子复合体分散在分散介质中而得到的半导体纳米粒子复合体组合物，其中，所述半导体纳米粒子复合体具有半导体纳米粒子和配位至所述半导体纳米粒子的表面的配体，所述配体包含有机基团，所述分散介质为单体或预聚物，所述半导体纳米粒子复合体组合物还包含交联剂，所述半导体纳米粒子复合体组合物中的所述半导体纳米粒子的质量分数为30质量％以上。2.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子复合体组合物，其中，所述半导体纳米粒子复合体组合物中的所述半导体纳米粒子的质量分数为40质量％以上。3.根据权利要求1或2所述的半导体纳米粒子复合体组合物，其中，所述半导体纳米粒子复合体组合物的荧光量子效率为60％以上。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体纳米粒子复合体组合物，其中，所述配体相对于所述半导体纳米粒子的质量比(配体/半导体纳米粒子)为0.05～0.50。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体纳米粒子复合体组合物，其中，所述配体包含配位性基团和可具有取代基、杂原子的烃基。6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体纳米粒子复合体组合物，其中，所述配体具有选自醚基、酯基和酰胺基中的一种以上的基团。7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体纳米粒子复合体组合物，其中，所述配体还包含配位性基团，所述有机基团具有乙烯基和/或乙烯叉基。8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体纳米粒子复合体组合物，其中，所述半导体纳米粒子的平均粒径为10nm以下。9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体纳米粒子复合体组合物，其中，所述配体具有1个以上的巯基。10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体纳米粒子复合体组合物，其中，所述配体具有2个以上的巯基。11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体纳米粒子复合体组合物，其中，所述配体为2种以上。12.根据权利要求1～11中任一项所述的半导体纳米粒子复合体组合物，其中，所述半导体纳米粒子包含in和p。13.根据权利要求1～12中任一项所述的半导体纳米粒子复合体组合物，其中，在所述半导体纳米粒子的表面含有zn。14.根据权利要求1～13中任一项所述的半导体纳米粒子复合体组合物，其中，所述半导体纳米粒子复合体的荧光量子效率为80％以上。15.根据权利要求1～14中任一项所述的半导体纳米粒子复合体组合物，其中，
所述半导体纳米粒子复合体的发射光谱的半值宽度为38nm以下。16.一种稀释组合物，其通过将权利要求1～15中任一项所述的半导体纳米粒子复合体组合物用有机溶剂稀释而得到。17.根据权利要求16所述的稀释组合物，其中，所述有机溶剂为二醇醚类和/或二醇醚酯类。18.一种半导体纳米粒子复合体固化膜，其通过将权利要求1～15中任一项所述的半导体纳米粒子复合体组合物或权利要求16或17所述的稀释组合物固化而得到。19.一种半导体纳米粒子复合体图案化膜，其通过将权利要求1～15中任一项所述的半导体纳米粒子复合体组合物或权利要求16或17所述的稀释组合物进行图案形成而得到。20.一种显示元件，其包含权利要求19所述的半导体纳米粒子复合体图案化膜。21.一种半导体纳米粒子复合体分散液，其为将在半导体纳米粒子的表面配位有配体的半导体纳米粒子复合体分散在分散介质中而得到的分散液，其中，将所述分散液中的所述半导体纳米粒子复合体的无机成分的浓度设为1mg/ml时，对于波长450nm的光，光路长度设为1cm时的吸光度为0.6以上，所述配体包含有机基团。22.根据权利要求21所述的半导体纳米粒子复合体分散液，其中，所述分散介质的sp值为8.5以上。23.根据权利要求21或22所述的半导体纳米粒子复合体分散液，其中，所述分散介质是选自二醇醚类和二醇醚酯类中的1种或2种以上的混合分散介质。24.一种半导体纳米粒子复合体固化膜，其为将半导体纳米粒子复合体分散在高分子基体中而得到的半导体纳米粒子复合体固化膜，其中，所述半导体纳米粒子复合体具有半导体纳米粒子和配位至所述半导体纳米粒子的表面的配体，所述配体包含有机基团，所述高分子基体通过交联剂进行了交联，所述半导体纳米粒子复合体固化膜中的所述半导体纳米粒子的质量分数为30质量％以上。25.根据权利要求24所述的半导体纳米粒子复合体固化膜，其中，所述半导体纳米粒子复合体固化膜还包含散射剂。26.根据权利要求24或25所述的半导体纳米粒子复合体固化膜，其中，所述半导体纳米粒子复合体固化膜中的所述半导体纳米粒子的质量分数为40质量％以上。27.根据权利要求24～26中任一项所述的半导体纳米粒子复合体固化膜，其中，将所述半导体纳米粒子复合体固化膜设为厚度10μm时，所述半导体纳米粒子复合体固化膜沿法线方向对于波长450nm的光的吸光度为1.0以上。28.根据权利要求24～27中任一项所述的半导体纳米粒子复合体固化膜，其中，将所述半导体纳米粒子复合体固化膜设为厚度10μm时，所述半导体纳米粒子复合体固化膜沿法线方向对于波长450nm的光的吸光度为1.5以上。29.根据权利要求25～28中任一项所述的半导体纳米粒子复合体固化膜，其中，
所述散射剂为金属氧化物。30.根据权利要求24～29中任一项所述的半导体纳米粒子复合体固化膜，其中，所述半导体纳米粒子复合体固化膜的荧光量子效率为70％以上。

技术总结
本发明提供以高浓度分散有半导体纳米粒子复合体，并且具有较高的荧光量子效率的半导体纳米粒子复合体组合物。本发明的实施方式的半导体纳米粒子复合体组合物是将半导体纳米粒子复合体分散在分散介质中而得到的半导体纳米粒子复合体组合物，其中，所述半导体纳米粒子复合体具有半导体纳米粒子和配位至所述半导体纳米粒子的表面的配体，所述配体包含有机基团，所述分散介质为单体或预聚物，所述半导体纳米粒子复合体组合物还包含交联剂，所述半导体纳米粒子复合体组合物中的所述半导体纳米粒子的质量分数为30质量％以上。纳米粒子的质量分数为30质量％以上。


技术研发人员：城户信人 森山乔史 佐佐木洋和
受保护的技术使用者：昭荣化学工业株式会社
技术研发日：2020.05.29
技术公布日：2022/1/14