测试装置、射频装置及检测系统的制作方法

1.本技术涉及射频技术领域，尤其涉及一种测试装置、射频装置及检测系统。


背景技术：

2.通常情况下，具有射频功能的电子设备在产线中，均需要利用测试机柜互传射频信号，实现电子设备的射频性能测试。
3.在测试过程中，测试机柜的探针和电子设备的射频座需要连接，以便于实现射频信号在测试机柜和电子设备的传输。然而，在上述射频性能的测试过程中，射频座和探针之间可能出现接触不良的问题。一旦出现接触不良的问题，若测试人员未及时察觉，将导致测试效率下降、测试结果不可靠，从而无法保证最终出厂的电子设备的射频性能。


技术实现要素：

4.为了解决射频性能测试过程中，射频座和探针接触异常导致的测试效率下降、测试结果不可靠的问题，本技术提供了一种测试装置、射频装置及检测系统，用于在射频性能测试的过程中检测测试装置和射频装置的电连接状态，以便于当射频座和探针接触不良时可以及时察觉并及时调整测试。
5.第一方面，本技术提供一种测试装置。该测试装置用于对具有接收和发送射频信号的功能的射频装置的射频性能进行测试。射频装置包括射频座，射频座用于连接天线。该测试装置包括测试电路、探针以及第一检测电路。其中，测试电路与探针的第一端连接，探针的第二端用于和射频座连接。第一检测电路，与探针的第一端连接，用于在探针的第二端和射频座连接时，输出与探针和射频座连接时的等效电阻对应的检测参数，检测参数用于表征探针和射频座的电连接状态。
6.需要说明的是，当需要测试时，将测试装置的探针和射频装置的射频座连接，探针和射频座连接后可以等效为一个滑动变阻器，该滑动变阻器在探针和射频座处于不同的电连接状态时具有不同的等效电阻。当利用第一检测电路和探针连接时，可以检测到该等效电阻的不同，并输出和该等效电阻对应的检测参数。由于电连接状态和等效电阻具有对应关系，检测参数和等效电阻也具有对应关系，因此，该检测参数可以表征探针和射频座的电连接状态。基于该检测参数，测试人员可以在射频座和探针接触不良时及时调整其连接，从而避免射频座和探针接触不良导致测试结果不可靠的问题，保证最终出厂的电子设备的射频性能。
7.此外，在射频测试过程中，可以通过第一检测电路实时输出可以表征探针和射频座之间的电连接状态的检测参数，基于该检测参数可以第一时间获知探针和射频座之间的电连接状态。一旦在射频测试开始时或测试过程中出现射频座和探针接触不良的问题，可以第一时间察觉并处理，从而有利于避免测试效率下降。
8.一种可能的设计方案，射频装置包括第一电感。第一电感的第一端与射频座连接，第一电感的第二端连接到地。第一检测电路包括第一直流电源、限流单元、第二电感、以及
获取单元。第二电感的第一端与探针的第一端连接，第二电感的第二端与限流单元的第一端连接，限流单元的第二端与第一直流电源连接。获取单元的输入端与第二电感的第二端连接，用于在探针和射频座连接时，获取第二电感的第二端的电压，获取单元用于根据第二电感的第二端的电压确定检测参数，并通过获取单元的输出端输出检测参数。
9.该设计方案中，第一电感和第二电感具有隔交通直的作用，从而使得第一直流电源流出的电流可以依次通过第二电感，并分别经第一电感和滑动变阻器所在的支路，以及测试电路的等效电阻所在的支路流入至地，形成电流对地的直流通路，从而在第二电感的第二端形成直流电压。需要说明的是，滑动变阻器为直流通道的组成部分，其等效电阻的大小直接影响第二电感的第二端的电压，因此根据其确定的检测参数自然也就与等效电阻具有对应关系，而等效电阻的大小与电连接状态对应，因此，根据第二电感的第二端的电压确定的检测参数可以表征探针和射频座的电连接状态。
10.可选地，检测参数为第二电感的第二端的电压。当第二电感的第二端的电压小于或等于第一电压阈值时，第二电感的第二端的电压用于表征探针和射频座的电连接状态属于接触良好。当第二电感的第二端的电压大于第一电压阈值时，第二电感的第二端的电压用于表征探针和射频座的电连接状态属于接触不良。
11.应理解，第二电感的第二端的电压与滑动变阻器的等效电阻的大小对应，而等效电阻的大小与电连接状态对应，因此，第二电感的第二端的电压可以表征探针和射频座的电连接状态。此外，当第二电感的第二端的电压小于或等于第一电压阈值时，表示滑动变阻器的等效电阻较小，探针和射频座之间的插损较小，在此情况下，第二电感的第二端的电压自然可以表征探针和射频座接触良好；当第二电感的第二端的电压大于第一电压阈值时，表示滑动变阻器的等效电阻较大，探针和射频座之间的插损较大，在此情况下，第二电感的第二端的电压自然可以表征探针和射频座接触不良。
12.示例性地，获取单元为模数转换器。
13.可选地，当第二电感的第二端的电压小于或等于第二电压阈值时，检测参数为第一指示信号，第一指示信号用于指示探针和射频座之间的电连接状态属于接触良好。当第二电感的第二端的电压大于第二电压阈值时，检测参数为第二指示信号，第二指示信号用于指示探针和射频座之间接触不良。
14.应理解，当第二电感的第二端的电压小于或等于第二电压阈值时，表示滑动变阻器的等效电阻较小，探针和射频座之间的插损较小，在此情况下输出的第一指示信号自然可以表征探针和射频座接触良好；当第二电感的第二端的电压大于第二电压阈值时，表示滑动变阻器的等效电阻较大，探针和射频座之间的插损较大，在此情况下输出的第二指示信号自然可以表征探针和射频座接触不良。
15.示例性地，获取单元包括比较器、基准单元。基准单元的输出端，用于输出第二电压阈值。比较器的第一输入端与基准单元的输出端连接，用于接收第二电压阈值。比较器的第二输入端为获取单元的输入端。比较器的输出端为获取单元的输出端。
16.应理解，第二电压阈值越大，那么，大于第二电压阈值的第二电感的第二端的电压也越大，在此情况下，比较器输出的第一指示信号所表征的探针和射频座之间的虚接程度越大。本实施例中，可以通过调节基准单元输出的第二电压阈值的大小，可以检测出探针和射频座之间的虚接程度。
17.具体地，基准单元包括第一分压单元和第二分压单元。第一分压单元的第一端和第一直流电源连接。第一分压单元的第二端和第二分压单元的第一端连接，形成基准单元的输出端；第二分压单元的第一端连接到地。其中，串联在第一直流电源和地之间的第一分压单元和第二分压单元，用于对第一直流电源输出的电压进行分压，并通过基准单元的输出端输出第二电压阈值。
18.该示例中，通过配置第一分压单元和第二分压单元的分压占比，可以实现第二电压阈值的调节，从而可以检测出探针和射频座之间的虚接程度。
19.在一些实施例中，第一分压单元为第一电阻单元。限流单元为第二电阻单元。第一电阻单元和第二电阻单元具有相同的阻值。
20.从上述分析可知，通过调节基准单元输出的第二电压阈值，可以检测出探针和射频座之间的虚接程度。本实施例中，通过设置第一电阻单元和第二电阻单元的电阻相同，使得基准单元形成镜像分压电路。如此，在调节基准单元输出的第二电压阈值时，只需要配置第二分压单元，无需配置第一电阻单元，配置过程更简便、快捷。
21.在另一些实施例中，第一分压单元为第一电流源。限流单元为第二电流源。第一电流源和第二电流源具有相同的输出电流。
22.本实施例中，通过设置第一电流源和第二电流源的输出电流相同，使得基准单元形成镜像分压电路。如此，在调节基准单元输出的第二电压阈值时，只需要配置第二分压单元，无需配置第一电流源，配置过程更简便、快捷。
23.第二方面，本技术提供一种检测系统。该检测系统包括射频装置以及如第一方面任一实施例所述的测试装置。
24.可以理解地，上述提供的第二方面的检测系统和第一方面的测试装置相关联，因此，第二方面的检测系统所能达到的有益效果，可参考如第一方面的测试装置的有益效果，此处不再赘述。
25.第三方面，本技术提供一种射频装置。该射频装置为具有接收和发送射频信号的功能的电路。该射频装置用于通过测试装置进行射频性能测试。测试装置包括探针。该射频装置包括射频座以及检测电路。其中，射频座用于连接天线，并在射频性能测试的过程中和探针连接。检测电路与射频座连接，用于在探针和射频座连接时输出与探针和射频座连接时的等效电阻对应的检测参数，检测参数用于表征探针和射频座的电连接状态。
26.需要说明的是，当需要测试时，将测试装置的探针和射频装置的射频座连接，探针和射频座连接后可以等效为一个滑动变阻器，该滑动变阻器在探针和射频座处于不同的电连接状态时具有不同的等效电阻。当利用检测电路和射频座连接时，可以检测到该等效电阻的不同，并输出和该等效电阻对应的检测参数。由于电连接状态和等效电阻具有对应关系，检测参数和等效电阻也具有对应关系，因此，该检测参数可以表征探针和射频座的电连接状态。基于该检测参数，测试人员可以在射频座和探针接触不良时及时调整其连接，从而避免射频座和探针接触不良导致测试结果不可靠的问题，保证最终出厂的电子设备的射频性能。
27.此外，在射频测试过程中，可以通过检测电路实时输出可以表征探针和射频座之间的电连接状态的检测参数，基于该检测参数可以第一时间获知探针和射频座之间的电连接状态。一旦在射频测试开始时或测试过程中出现射频座和探针接触不良的问题，可以第
一时间察觉并处理，从而有利于避免测试效率下降。
28.一种可能的设计方案，检测电路包括第一直流电源、限流单元、第二电感、以及获取单元。第二电感的第一端与射频座的第二端连接。第二电感的第二端与限流单元的第一端连接，限流单元的第二端与第一直流电源连接。获取单元的输入端与第二电感的第二端连接，用于在探针和射频座连接时，获取第二电感的第二端的电压，获取单元的输出端用于根据第二电感的第二端的电压，输出检测参数。
29.该设计方案中，第二电感具有隔交通直的作用，从而使得第一直流电源流出的电流可以依次通过限流单元、第二电感、滑动变阻器、测试电路的等效电阻流入至地，形成电流对地的直流通路，从而在第二电感的第二端形成直流电压。需要说明的是，滑动变阻器为直流通道的组成部分，其等效电阻的大小直接影响第二电感的第二端的电压，因此根据其确定的检测参数自然也就与等效电阻具有对应关系，而等效电阻的大小与电连接状态对应，因此，根据第二电感的第二端的电压确定的检测参数可以表征探针和射频座的电连接状态。
30.可选地，检测参数为第二电感的第二端的电压。当第二电感的第二端的电压小于或等于第三电压阈值时，第二电感的第二端的电压用于表征探针和射频座接触良好。当第二电感的第二端的电压大于第三电压阈值时，第二电感的第二端的电压用于表征探针和射频座接触不良。该实施例的效果可以参照第一方面相关实施例的效果，此处不再赘述。
31.示例性地，获取单元为模数转换器。
32.可选地，当第二电感的第二端的电压小于或等于第四电压阈值时，检测参数为第一指示信号，第一指示信号用于指示探针和射频座接触良好。当第二电感的第二端的电压大于第四电压阈值时，检测参数为第二指示信号，第二指示信号用于指示探针和射频座接触不良。该实施例的效果可以参照第一方面相关实施例的效果，此处不再赘述。
33.示例性地，获取单元包括比较器、基准单元。基准单元的输出端，用于输出第四电压阈值。比较器的第一输入端与基准单元的输出端连接，用于接收第四电压阈值。比较器的第二输入端为获取单元的输入端。比较器的输出端为获取单元的输出端。该实施例的效果可以参照第一方面相关实施例的效果，此处不再赘述。
34.具体地，基准单元包括第一分压单元和第二分压单元。第一分压单元的第一端和第一直流电源连接。第一分压单元的第二端和第二分压单元的第一端连接，形成基准单元的输出端。第二分压单元的第二端连接到地。其中，串联在第一直流电源和地之间的第一分压单元和第二分压单元，用于对第一直流电源输出的电压进行分压，并通过基准单元的输出端输出第四电压阈值。该实施例的效果可以参照第一方面相关实施例的效果，此处不再赘述。
35.在一些实施例中，第一分压单元为第一电阻单元。限流单元为第二电阻单元。第一电阻单元和第二电阻单元具有相同的阻值。该实施例的效果可以参照第一方面相关实施例的效果，此处不再赘述。
36.在另一些实施例中，第一分压单元为第一电流源。限流单元为第二电流源。第一电流源和第二电流源具有相同的输出电流。该实施例的效果可以参照第一方面相关实施例的效果，此处不再赘述。
37.第四方面，本技术提供一种检测系统。该检测系统包括测试装置、以及如第三方面
任一实施例所述的射频装置。
38.可以理解地，上述提供的第四方面的检测系统和第三方面的射频装置相关联，因此，第四方面的检测系统所能达到的有益效果，可参考如第三方面的射频装置的有益效果，此处不再赘述。
39.第五方面，本技术提供一种检测系统。该检测系统包括：射频装置、检测电路、以及测试装置。射频装置为具有接收和发送射频信号的功能的电路。射频装置包括射频座，射频座用于连接天线。测试装置包括测试电路和探针。其中，测试电路和探针的第一端连接，探针的第二端用于和射频装置连接，对射频装置的射频性能进行测试。检测电路与射频座以及探针的第一端连接，或，检测电路与射频座连接，用于在探针和射频座连接时，输出与探针和射频座连接时的等效电阻对应的检测参数，检测参数用于表征探针和射频座的电连接状态。
40.一种可能的设计方案，当检测电路与射频座连接时，检测电路包括第一直流电源、限流单元、第二电感、以及获取单元。其中，第二电感的第一端与探针的第一端连接，第二电感的第二端和限流单元的第一端连接，限流单元的第二端与第一直流电源连接，探针的第一端为探针连接测试电路的一端。获取单元的输入端与第二电感的第二端连接，用于在探针和射频座连接时，获取第二电感的第二端的电压，获取单元用于根据第二电感的第二端的电压确定检测参数，并通过获取单元的输出端输出检测参数。
41.另一种可能的设计方案，当检测电路与射频座以及探针的第一端连接时，检测电路包括第一电感和第一检测电路。第一电感的第一端与射频座连接，第一电感的第二端连接到地。第一检测电路包括第一直流电源、限流单元、第二电感、以及获取单元。其中，第二电感的第一端与探针的第一端连接，第二电感的第二端和限流单元的第一端连接，限流单元的第二端与第一直流电源连接，探针的第一端为探针连接测试电路的一端。获取单元的输入端与第二电感的第二端连接，用于在探针和射频座连接时，获取第二电感的第二端的电压，获取单元用于根据第二电感的第二端的电压确定检测参数，并通过获取单元的输出端输出检测参数。
42.可选地，当检测电路与射频座以及探针的第一端连接时，检测参数为第二电感的第二端的电压。当第二电感的第二端的电压小于或等于第一电压阈值时，第二电感的第二端的电压用于表征探针和射频座接触良好。当第二电感的第二端的电压大于第一电压阈值时，第二电感的第二端的电压用于表征探针和射频座接触不良。
43.示例性地，获取单元为模数转换器。
44.可选地，当检测电路与射频座以及探针的第一端连接时，当第二电感的第二端的电压小于或等于第二电压阈值时，检测参数为第一指示信号，第一指示信号用于指示探针和射频座接触良好。当第二电感的第二端的电压大于第二电压阈值时，检测参数为第二指示信号，第二指示信号用于指示探针和射频座接触不良。
45.示例性地，获取单元包括比较器、基准单元。基准单元的输出端，用于输出第二电压阈值。比较器的第一输入端与基准单元的输出端连接，用于接收第二电压阈值。比较器的第二输入端为获取单元的输入端。比较器的输出端为获取单元的输出端。
46.具体地，基准单元包括第一分压单元和第二分压单元。第一分压单元的第一端和第一直流电源连接。第一分压单元的第二端和第二分压单元的第一端连接，形成基准单元
的输出端。第二分压单元的第二端连接到地。其中，串联在第一直流电源和地之间的第一分压单元和第二分压单元，用于对第一直流电源输出的电压进行分压，并通过基准单元的输出端输出第二电压阈值。
47.在一些实施例中，第一分压单元为第一电阻单元。限流单元为第二电阻单元。第一电阻单元和第二电阻单元具有相同的阻值。
48.在另一些实施例中，第一分压单元为第一电流源。限流单元为第二电流源。第一电流源和第二电流源具有相同的输出电流。
49.可选地，当检测电路与射频座连接时，检测参数为第二电感的第二端的电压。当第二电感的第二端的电压小于或等于第三电压阈值时，第二电感的第二端的电压用于表征探针和射频座接触良好。当第二电感的第二端的电压大于第三电压阈值时，第二电感的第二端的电压用于表征探针和射频座接触不良。
50.示例性地，获取单元为模数转换器。
51.可选地，当检测电路与射频座连接时，当第二电感的第二端的电压小于或等于第四电压阈值时，检测参数为第一指示信号，第一指示信号用于指示探针和射频座接触良好。当第二电感的第二端的电压大于第四电压阈值时，检测参数为第二指示信号，第二指示信号用于指示探针和射频座接触不良。
52.示例性地，获取单元包括比较器、基准单元。基准单元的输出端，用于输出第四电压阈值。比较器的第一输入端与基准单元的输出端连接，用于接收第四电压阈值。比较器的第二输入端为获取单元的输入端。比较器的输出端为获取单元的输出端。
53.具体地，基准单元包括第一分压单元和第二分压单元。第一分压单元的第一端和第一直流电源连接。第一分压单元的第二端和第二分压单元的第一端连接，形成基准单元的输出端。第二分压单元的第二端连接到地。其中，串联在第一直流电源和地之间的第一分压单元和第二分压单元，用于对第一直流电源输出的电压进行分压，并通过基准单元的输出端输出第四电压阈值。
54.在一些实施例中，第一分压单元为第一电阻单元。限流单元为第二电阻单元。第一电阻单元和第二电阻单元具有相同的阻值。
55.在另一些实施例中，第一分压单元为第一电流源。限流单元为第二电流源。第一电流源和第二电流源具有相同的输出电流。
56.可以理解地，上述提供的第五方面的检测系统中，检测电路分别与射频座以及探针的第一端连接的方案和第二方面的检测系统的区别在于，第五方面的检测电路和射频装置和测试装置分开设置，而第二方面将检测电路集成在射频装置和测试装置中，检测原理并不区别。上述提供的第五方面的检测系统中，检测电路与射频座连接的方案和第四方面的检测系统的区别在于，第五方面的检测电路和射频装置分开设置，而第四方面将检测电路集成在射频装置中，检测原理并不区别。因此，第五方面的检测系统所能达到的有益效果，可分别参考如第二方面和第四方面的检测系统的有益效果，此处不再赘述。
附图说明
57.图1为本技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图；
58.图2a为一种可能的设计方案中检测系统在未连接进行测试时的结构示意图；
59.图2b为图2a所示的检测系统在连接进行测试时的结构示意图；
60.图3为图2b所示的检测系统的等效电路图；
61.图4为本技术一些实施例提供的检测系统的结构示意图；
62.图5为图4所示的检测系统的等效电路图；
63.图6为图5所示的等效电路在通直流时的简化图；
64.图7a为本技术另一些实施例提供的检测系统的结构示意图；
65.图7b为图7a所示的第一检测电路的内部电路连接图；
66.图7c为图7a所示的检测系统的等效电路在通直流时的简化图；
67.图8a为本技术另一些实施例提供的检测系统的结构示意图；
68.图8b为本技术另一些实施例提供的检测系统的结构示意图；
69.图8c为图8a所示的第一检测电路的内部电路连接图；
70.图9a为本技术另一些实施例提供的检测系统的结构示意图；
71.图9b为本技术另一些实施例提供的检测系统的结构示意图；
72.图9c为本技术另一些实施例提供的检测系统的结构示意图；
73.图9d为本技术另一些实施例提供的检测系统的结构示意图；
74.图10为本技术另一些实施例提供的检测系统的结构示意图；
75.图11为图10所示的检测系统的等效电路图；
76.图12为图11所示的等效电路在通直流时的简化图；
77.图13为本技术另一些实施例提供的检测系统的结构示意图；
78.图14为本技术另一些实施例提供的检测系统的结构示意图；
79.图15为本技术另一些实施例提供的检测系统的结构示意图；
80.图16a为本技术另一些实施例提供的检测系统的结构示意图；
81.图16b为本技术另一些实施例提供的检测系统的结构示意图；
82.图16c为本技术另一些实施例提供的检测系统的结构示意图；
83.图16d为本技术另一些实施例提供的检测系统的结构示意图。
具体实施方式
84.本技术中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b的情况，其中a，b可以是单数或者复数。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，a，b或c中的至少一项(个)，可以表示：a，b，c，a-b，a-c，b-c或a-b-c，其中a、b和c可以是单个，也可以是多个。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。另外，在本技术的实施例中，“第一”、“第二”等字样并不对数量和执行次序进行限定。
85.需要说明的是，本技术中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本技术中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其他实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
86.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”应做广义理解，例如，“连
接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。此外，术语“电连接”可以是直接的电性连接，也可以是通过中间媒介间接的电性连接。
87.图1为本技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图。该电子设备可以是本技术实施例中的终端设备，也可以是基站。如图1所示，该电子设备可包括应用子系统，内存(memory)，大容量存储器(massive storge)，基带子系统，射频集成电路(radio frequency intergreted circuit，rfic)，射频前端(radio frequency front end，rffe)器件，以及天线(antenna，ant)，这些器件可以通过各种互联总线或其他电连接方式耦合。
88.图1中，ant_1表示第一天线，ant_n表示第n天线，n为大于1的正整数。tx表示发射路径，rx表示接收路径，不同的数字表示不同的路径。fbrx表示反馈接收路径，prx表示主接收路径，drx表示分集接收路径。hb表示高频，lb表示低频，两者是指频率的相对高低。bb表示基带。应理解，图1中的标记和组件仅为示意目的，仅作为一种可能的实现方式，本技术实施例还包括其他的实现方式。
89.其中，应用子系统可作为电子设备的主控制系统或主计算系统，用于运行主操作系统和应用程序，管理整个电子设备的软硬件资源，并可为用户提供用户操作界面。应用子系统可包括一个或多个处理核心。此外，应用子系统中也可包括与其他子系统(例如基带子系统)相关的驱动软件。基带子系统也可包括以及一个或多个处理核心，以及硬件加速器(hardware accelerator，hac)和缓存等。
90.图1中，rffe器件，rfic 1(以及可选的rfic 2)可以共同组成射频子系统。射频子系统可以进一步分为射频接收通道(rf receive path)和射频发射通道(rf transmit path)。射频接收通道可通过天线接收射频信号，对该射频信号进行处理(如放大、滤波和下变频)以得到基带信号，并传递给基带子系统。射频发射通道可接收来自基带子系统的基带信号，对基带信号进行射频处理(如上变频、放大和滤波)以得到射频信号，并最终通过天线将该射频信号辐射到空间中。具体地，射频子系统可包括天线开关，天线调谐器，低噪声放大器(low noise amplifier，lna)，功率放大器(power amplifier，pa)，混频器(mixer)，本地振荡器(local oscillator，lo)、滤波器(filter)等电子器件，这些电子器件可以根据需要集成到一个或多个芯片中。天线有时也可以认为是射频子系统的一部分。
91.基带子系统可以从基带信号中提取有用的信息或数据比特，或者将信息或数据比特转换为待发射的基带信号。这些信息或数据比特可以是表示语音、文本、视频等用户数据或控制信息的数据。例如，基带子系统可以实现诸如调制和解调，编码和解码等信号处理操作。对于不同的无线接入技术，例如5g nr和4g lte，往往具有不完全相同的基带信号处理操作。因此，为了支持多种移动通信模式的融合，基带子系统可同时包括多个处理核心，或者多个hac。
92.此外，由于射频信号是模拟信号，基带子系统处理的信号主要是数字信号，电子设备中还需要有模数转换器件。模数转换器件包括将模拟信号转换为数字信号的模数转换器(analog to digital converter，adc)，以及将数字信号转换为模拟信号的数模转换器(digital to analog converter，dac)。本技术实施例中，模数转换器件可以设置在基带子系统中，也可以设置在射频子系统中。
93.应理解，本技术实施例中，处理核心可表示处理器，该处理器可以是通用处理器，
也可以是为特定领域设计的处理器。例如，该处理器可以是中央处理单元(center processing unit，cpu)，也可以是数字信号处理器(digital signal processor，dsp)。该处理器也可以是微控制器(micro control unit，mcu)，图形处理器(graphics processing unit，gpu)、图像信号处理器(image signal processing，isp)，音频信号处理器(audio signal processor，asp)，以及为人工智能(artificial intelligence，ai)应用专门设计的处理器。ai处理器包括但不限于神经网络处理器(neural network processing unit，npu)，张量处理器(tensor processing unit，tpu)以及被称为ai引擎的处理器。
94.硬件加速器可用于实现一些处理开销较大的子功能，如数据包(data packet)的组装和解析，数据包的加解密等。这些子功能采用通用功能的处理器也可以实现，但是因为性能或成本的考量，采用硬件加速器可能更加合适。因此，硬件加速器的种类和数目可以基于需求来具体选择。在具体的实现方式中，可以使用现场可编程门阵列(field programmable gate array，fpga)和专用集成电路(application specified intergated circuit，asic)中的一种或组合来实现。当然，硬件加速器中也可以使用一个或多个处理核心。
95.存储器可分为易失性存储器(volatile memory)和非易失性存储器(non-volatile memory，nvm)。易失性存储器是指当电源供应中断后，内部存放的数据便会丢失的存储器。目前，易失性存储器主要是随机存取存储器(random access memory，ram)，包括静态随机存取存储器(static ram，sram)和动态随机存取存储器(dynamic ram，dram)。非易失性存储器是指即使电源供应中断，内部存放的数据也不会因此丢失的存储器。常见的非易失性存储器包括只读存储器(read only memory，rom)、光盘、磁盘以及基于闪存(flash memory)技术的各种存储器等。通常来说，内存可以选用易失性存储器，大容量存储器可以选用非易失性存储器，例如磁盘或闪存。
96.本技术实施例中，基带子系统和射频子系统共同组成通信子系统，为电子设备提供无线通信功能。通常，基带子系统负责管理通信子系统的软硬件资源，并且可以配置射频子系统的工作参数。基带子系统的一个或多个处理核心可以集成为一个或多个芯片，该芯片可称为基带处理芯片或基带芯片。类似地，rfic可以被称为射频处理芯片或射频芯片。此外，随着技术的演进，通信子系统中射频子系统和基带子系统的功能划分也可以有所调整。例如，将部分射频子系统的功能集成到基带子系统中，或者将部分基带子系统的功能集成到射频子系统中。在实际应用中，基于应用场景的需要，电子设备可采用不同数目和不同类型的处理核心的组合。
97.本技术实施例中，射频子系统可包括独立的天线，独立的射频前端(rf front end，rffe)器件，以及独立的射频芯片。射频芯片有时也被称为接收机(receiver)、发射机(transmitter)或收发机(transceiver)。天线、射频前端器件和射频处理芯片都可以单独制造和销售。当然，射频子系统也可以基于功耗和性能的需求，采用不同的器件或者不同的集成方式。例如，将属于射频前端的部分器件集成在射频芯片中，甚至将天线和射频前端器件都集成射频芯片中，该射频芯片也可以称为射频天线模组或天线模组。
98.本技术实施例中，基带子系统可以作为独立的芯片，该芯片可被称调制解调器(modem)芯片。基带子系统的硬件组件可以按照modem芯片为单位来制造和销售。modem芯片有时也被称为基带芯片或基带处理器。此外，基带子系统也可以进一步集成在soc芯片中，
以soc芯片为单位来制造和销售。基带子系统的软件组件可以在芯片出厂前内置在芯片的硬件组件中，也可以在芯片出厂后从其他非易失性存储器中导入到芯片的硬件组件中，或者还可以通过网络以在线方式下载和更新这些软件组件。
99.请参阅图2a和图2b，图2a为一种可能的设计方案中的检测系统在未连接测试时的结构示意图，图2b为图2a所示的检测系统在连接测试时的结构示意图。该检测系统中，被测装置a为具有射频功能的装置，即具有接收和发送射频信号的功能的装置，例如可以为图1所示的各子系统集成的soc芯片，也可以为图1中rffe器件，rfic 1(以及可选的rfic 2)可以共同组成射频子系统所集成的芯片等芯片。被测装置a包括射频电路11、以及射频座12。其中，射频电路11用于处理接收和/或发送的射频信号，例如，射频电路11可以包括图1中的天线开关，天线调谐器，lna，pa，混频器，lo、滤波器等一个或多个电子器件。射频座12包括外导体121和内导体122，其中，外导体121接地，内导体122与射频电路11连接。射频电路11通过射频座12的内导体122与天线(图中未示出)连接，并通过天线和其他的电子设备之间进行无线通信。在该被测装置a出厂之前，为了保证其射频性能的可靠性，需要利用测试机柜b对作为被测电路的射频电路11的射频性能进行测试，该测试机柜b包括柜体21、设置于柜体内且用于处理测试过程中射频信号的测试电路22(例如用于改善测试过程中射频信号的驻波的衰减器)、通过导线与测试电路22连接的测试夹具23、以及设置于测试夹具23上的探针24，具体实施过程可以如下：
100.首先，测试夹具23夹持被测装置a到测试位后，测试夹具23上的压合装置(图中未示出)将探针24压合到被测装置a的射频座12上，使探针24连接射频座12的内导体122(图2b示出)，从而实现测试电路22和射频电路11之间的导通连接，进而实现被测装置a和测试机柜b之间的连接。
101.然后，测试电路22和射频电路11之间开始通过连接的射频座12和探针24传输射频信号进行测试。根据测试目标不同，主要分以下测试阶段：
102.校准：对被测装置a在发送或接收射频信号过程中的能量损耗(如线损)进行补偿，使被测装置a的发射功率和接收灵敏度都能满足预期。
103.中测，通常发生于校准之后，目的在于判断经校准的被测装置a的发射功率和接收灵敏度是否满足预期。
104.然而，在上述射频性能的测试过程中，由于各种因素(如测试时间长导致探针24老化、偶然性等)导致射频座12和探针24之间可能出现接触不良的问题。一旦出现接触不良的问题，对于测试过程存在较大的影响。
105.具体而言，在校准的过程中，由于射频座12和探针24接触不良，将导致射频座12和探针24的插损异常，从而导致校准量异常，进而导致经校准的被测装置a的实际发射功率和接收灵敏度，均与期望值相差甚远，无法保证最终出厂的被测装置a的射频性能的问题。
106.举例来讲，假设被测装置a的期望发射功率为-10dbm，射频座12和探针24接触良好时的插损占2dbm，射频座12和探针24接触不良时的插损占5dbm，其他线损占1dbm，即接触良好时的总线损为3dbm，接触不良时的总线损为6dbm。那么，在正常情况的测试过程中(即测试过程中射频座12和探针24接触良好时)，被测装置a发送-10dbm的射频信号，由于线损(3dbm)的存在，被测装置a最终的发射功率为-13dbm。为了使其被测装置a的发射功率满足预期(-10dbm)，在正常情况的测试过程中所得到的线损校准量为3dbm，其中，射频座12和探
针24接触的插损占2dbm，其他线损占1dbm。而在异常情况的测试过程中(即测试过程中射频座12和探针24接触良好时)，被测装置a发送-10dbm的射频信号，由于线损(6dbm)的存在，被测装置a最终的发射功率为-16dbm。为了使其被测装置a的发射功率满足预期(-10dbm)，在异常情况的测试过程中所得到的线损校准量为6dbm，其中，射频座12和探针24的插损占5dbm，其他线损不变。那么，被测装置a出厂后的正常使用过程中，射频座12和天线接触良好，在此情况下，实际的线损为3dbm，被测装置a发送-10dbm的射频信号由于线损的存在使其变为-13dbm，若以线损校准量6dbm对其进行校准，则其最终的实际发射功率为-7dbm，显然不能满足预设发射功率-10dbm的要求，即无法保证被测装置a的射频性能。
107.此外，若在测试过程中，无法第一时间察觉到射频座12和探针24接触不良的问题，还将导致测试效率下降。举例来说，若测试指标要求对被测装置a进行10次测试，但在前9次测试过程中均未察觉到接触异常的问题，而在第10次测试过程中才察觉到该接触问题，在此情况下，前9次的测试过程和测试结果均是无效的，需要重新测试，从而存在测试效率下降的问题。
108.需要说明的是，上述测试过程中，射频座12和探针24之间不同的接触情况，使得射频座12和探针24之间呈现不同阻抗，从而导致上述测试过程中大小不同的插损。也就是说，射频座12和探针24之间，可以等效为一个阻抗可变的器件。
109.示例性的，图3为图2b所示的检测系统的等效电路图。如图3所示，滑动变阻器r1(后续简称为电阻器r1)的电阻等效为射频座12和探针24之间的不同接触情况导致的等效电阻。其中，当射频座12和探针24完全接触时，r1的电阻为0；当射频座12和探针24完全未接触时，电阻器r1的电阻为 ∞；当射频座12和探针24虚接时，电阻器r1的电阻处于(0， ∞)，且射频座12和探针24不同的虚接程度，对应的电阻器r1的电阻有所不同。电阻器r2的电阻等效为测试电路22内衰减器的直流等效电阻，该电阻器r2的电阻随测试机柜b的型号不同而有所差别，一般为50ω。在一些实施例中，测试机柜b也可以不包括衰减器，在此情况下，电阻器r2的电阻为 ∞。
110.可见，射频座12和探针24之间不同的接触情况，对应电阻器r1具有不同的电阻。应理解，当电阻器r1的电阻变化时，整个电路中的电压参数也会跟随变化。也就是说，这些电压参数能够代表电阻器r1的电阻，而不同的电阻器r1电阻代表不同的接触情况，因此，通过对这些电压参数进行检测，可以判定出射频座12和探针24之间的接触情况。
111.基于此，为解决射频性能的测试过程中，由于射频座12和探针24接触异常导致测试效率下降、测试结果不可靠，从而无法保证最终出厂的被测装置a的射频性能的问题，本技术实施例依据上述分析提出了一种改进的检测系统，下面结合图4至图16d本技术提供的检测系统进行详细说明。
112.示例性的，图4为本技术一些实施例提供的检测系统的结构示意图。如图4所示，该检测系统00包括射频装置01、测试装置02。
113.射频装置01为具有射频功能的电路，即具有发送和接收射频信号功能的电路。示例性的，射频装置01相当于图2b中的被测装置a，可以为图1所示的电子设备的soc芯片，也可以为图1中rffe器件，rfic 1(以及可选的rfic 2)可以共同组成射频子系统所集成的芯片等芯片。为了实现射频信号的接收和发送，该射频装置01包括射频电路11、以及射频座12。射频电路11用于处理接收和/或发送的射频信号，例如，射频电路11可以包括图1中的天
线开关，天线调谐器，lna，pa，混频器，lo、滤波器等一个或多个电子器件。射频座12包括外导体121和内导体122，其中，外导体121接地，内导体122与射频电路11连接。射频电路11通过射频座12的内导体122与天线(图中未示出)连接，并通过天线实现射频信号的接收和发送。
114.测试装置02用于对射频装置01的射频性能进行测试。在一些实施例中，测试装置02可以通过图2b所示的测试机柜b实现。在其他实施例中，测试装置02也可以包括比图2b所示的测试机柜b更多或更少的部件，本技术实施例对此不作具体限定。应理解，如图4所示，为了实现测试功能，测试装置02至少包括上述探针24，以及测试电路22，其中，探针24的第一端与测试电路22连接，探针24的第二端用于在测试过程中与射频座12的内导体122连接。当需要测试时，射频电路11为被测电路，探针24的第二端通过和内导体122连接，从而和作为被测电路的射频电路11导通连接，进而可以利用实现测试装置02对射频装置01进行测试。
115.为了在测试过程中监测探针24和射频座12的电连接情况，上述检测系统00还包括检测电路03。该检测电路03包括电感l1(即第一电感)和第一检测电路3。
116.其中，电感l1的第一端与射频座12连接，电感l1的第二端连接到地。
117.第一检测电路3包括直流电源u1(即第一直流电源)、电阻器r3(即限流单元，且该限流单元为第二电阻单元)、电感l2(即第二电感)、以及模数转换器(analog-to-digital converter，adc)(即获取单元)。
118.其中，直流电源u1用于输出电压v
ref
。
119.电感l2的第一端与探针24的第一端连接，电感l2的第二端与电阻器r3的第一端连接，电阻器r3的第二端与直流电源u1连接。
120.adc具有模数转换功能，即将模拟信号转换为数字信号的功能。在该实施例中，adc的输入端与电感l2的第二端连接，用于在探针24和射频座12连接时，获取电感l2的第二端的电压(模拟信号)。在其输入端获取到电感l2的第二端的电压后，adc用于对其进行模数转化，并得到数字信号的电感l2的第二端的电压。adc的输出端用于输出数字信号的电感l2的第二端的电压。应理解，在其他实施例中，用于获取电感l2的第二端的电压，并输出电感l2的第二端的电压的器件也可以通过万用表、集成有adc功能的控制器(如测试装置2的mcu)等器件替代实现，本技术实施例对此不作具体限定。
121.请参阅图5，图5为图4所示的检测系统的等效电路图。其中，开关k1的开合状态等效为射频座12和探针24之间的连接状态。当射频座12和探针24连接时，开关k1闭合；当射频座12和探针24未连接时，开关k1断开。电阻器r1的电阻等效为射频座12和探针24连接时的等效电阻。应理解，当射频座12和探针24连接之间处于不同的电连接状态时，该电阻器r1的电阻也不同。电阻器r2的电阻等效为测试电路22的等效电阻，该电阻可以通过测试而得，或者由厂家提供，通常而言为50ω(欧姆)，为方便说明，后续各实施例均以电阻器r2的电阻为50ω为例进行说明。电容c1为射频装置01已有的隔直电容，电容c2为测试电路22已有的隔直电容。
122.其中，电容c1和电容c2具有隔直流、通交流的作用。针对本实施例而言，电容c1和电容c2对直流电源u1流出的直流的电流呈现断路状态，而对测试过程中的射频信号(通常为交流信号)呈现通路状态。换而言之，测试过程中的射频信号可以通过电容c1和电容c2，
从而在测试电路22和射频装置01之间传输；但自直流电源u1流出的电流，则无法穿过电容c1和电容c2，流入射频装置01和测试电路22中。可见，电容c1和电容c2将直流电源u1流出的直流的电流和交流的射频信号分隔开，一方面可以保证射频信号在射频装置01和测试电路22之间正常传输，以便于实现测试；另一方面，可以对直流的电流信号呈现断路状态，从而使得射频装置01和测试电路22不会耦合至直流通路中，成为直流电流传输过程中的阻抗，也就不会对直流造成影响。
123.电感l1和电感l2具有通直流、阻交流的作用。针对于本实施例而言，电感l1和电感l2对测试过程中的射频信号呈现断路状态，而对直流电源u1流出的直流的电流呈现通路状态。换而言之，测试过程中的射频信号(通常为交流信号)无法穿过电感l1和电感l2，流入电感l1所在的支路以及第一检测电路3所在的支路；而自直流电源u1流出的电流(为直流信号)，则可以依次通过电感l2，并分别经支路s1(电阻器r1和电感l1所在的支路)和支路s2(电阻器r2所在的支路)流入至地。可见，电感l1、电感l2将直流电源u1流出的电流和射频信号分隔开，一方面，可以避免射频信号流入电感l1所在的支路以及第一检测电路3所在的支路，从而可以避免电感l1和第一检测电路3耦合进射频信号的传输通道中，改变射频信号传输过程中的阻抗，对射频信号造成干扰。换而言之，本技术实施例引入检测电路，对探针24和射频座12之间的电连接情况进行监测，将不会对原本的射频性能测试造成影响。另一方面，电感l1、电感l2的设置，使得原本由于电容c1和电容c2隔直作用而无法通直流的电路中，形成了电流对地的直流通路，从而可以在电感l2的第二端形成直流电压。
124.请参阅图6，图6为图5所示的等效电路在通直流时的简化图。其中，电阻器r1和电阻器r2并联后，再和电阻器r3串联，共同对直流电源u1输出的电压v
ref
进行分压。
125.其中，电阻器r3用于限制流经图5中的电感l1和电感l2的电流，避免电感l1和电感l2过流损坏。需要说明的是，受adc器件精度的影响，电感l2的第二端的电压在较小时不易被adc识别。因此，在设置电阻器r3时，应避免电阻器r3的电阻远大于r1和r2的总电阻，原因在于，电阻器r1和电阻器r2的总电阻整体较小，在较大时该总电阻才接近电阻器r2的电阻。若电阻器r3的电阻过大，将使得直流通路中的电流较小，从而使得电感l2的第二端处的电压较低，不易被adc器件采集，从而导致检测电路的灵敏度较低。通常而言，电阻器r2的电阻为50ω，则电阻器r1与电阻器r2的总电阻较大时在50ω附近，因此，电阻器r3的电阻可以在保证电流不损坏电感l1和电感l2的同时，尽量接近50ω。应理解，在其他实施例中，电阻器r3也可以通过多个串联和/或并联的电阻器替代实现，本技术实施例对此不作具体限定。
126.电阻器r1为直流通道的支路s1的组成部分，其电阻大小直接影响电感l2的第二端的电压。具体而言，根据电阻分压原理可得，电感l2的第二端的电压与电阻器r1的电阻之间具有如下关系：
127.等式一：
[0128][0129]
对等式一进行推导，可得等式二：
[0130][0131]
其中，v
ref
为直流电源u1输出的电压；v
out
为电感l2的第二端的电压；r1为电阻器r1
的电阻；r2为电阻器r2的电阻；r3为电阻器r3的阻值。
[0132]
由等式二可见，不同的r1对应不同的v
out
，而探针24和射频座12之间不同的电连接状态对应不同的r1，因此，探针24和射频座12之间不同的电连接状态，对应不同的电感l2的第二端的电压v
out
。基于此，上述adc输出的电感l2的第二端的电压v
out
(即与r1对应的检测参数)可以用于表征探针24和射频座12之间的电连接状态。
[0133]
在一些实施例中，探针24和射频座12之间的电连接状态可以划分为接触良好、接触不良两种状态。其中，接触良好是指探针24和射频座12之间的插损较小的电连接状态，即r1较小的电连接状态，接触不良是指探针24和射频座12之间的插损较大的电连接状态，即r1较大的电连接状态。
[0134]
上述adc输出的电感l2的第二端的电压v
out
中，当电感l2的第二端的电压v
out
小于或等于第一电压阈值时，认为其可以表征探针24和射频座12之间接触良好；当电感l2的第二端的电压v
out
大于第一电压阈值时，认为其可以表征探针24和射频座12之间接触不良，原因在于：
[0135]
由等式二可知，v
out
与r1具有正比关系，即r1越大，v
out
越大；r1越小，v
out
越小。基于此，当电感l2的第二端的电压v
out
小于或等于第一电压阈值时，代表此时的v
out
较小，v
out
对应的r1较小，插损也较小，因此，探针24和射频座12之间接触良好。当电感l2的第二端的电压v
out
大于第一电压阈值时，代表此时的v
out
较大，v
out
对应的r1较大，插损也较大，因此，探针24和射频座12之间接触不良。
[0136]
具体实施过程中，以阻抗阈值r
th1
作为两种状态的电阻分界点，即接触良好是指r1小于或等于r
th1
时的电连接状态；接触不良是指r1大于r
th1
时的电连接状态。以r1＝r
th1
时基于等式二得到的vout为v
th1
。由于v
out
与r1具有正比关系，因此，小于或等于r
th1
的r1，其v
out
小于或等于v
th1
；大于r
th1
的r1，其v
out
大于v
th1
。基于此，上述第一电压阈值可以为v
th1
。需要说明的是，r
th1
的具体取值可以按照设计指标对插损的要求进行确定。
[0137]
示例性的，假设r2＝50ω，r3＝100ω，v
ref
＝3v，插损要求探针24和射频座12之间的等效电阻器r1的阻值不超过3ω，取r
th1
＝3ω。那么，基于等式二可得，当r1＝r
th1
＝3ω时，v
th1
＝v
out
＝0.082v。那么，小于或等于0.082v的v
out
用于表征探针24和射频座12之间接触良好，大于0.08v的v
out
用于表征探针24和射频座12之间接触不良。
[0138]
进一步地，上述接触良好的电连接状态可以进一步细分为实接、虚接程度小两种电连接状态，上述接触不良的电连接状态可以进一步细分为虚接程度大、未电连接两种电连接状态。其中，实接是指r1＝0的完全接触状态，当探针24和射频座12实接时，v
out
＝0v；未电连接是指r1＝ ∞的完全未接触状态，当探针24和射频座12未电连接时，v
out
＝ ∞v；虚接程度小是指r1处于(0，r
th1
]的虚接状态，当探针24和射频座12虚接程度小时，v
out
处于(0，v
th1
]；虚接程度大是指r1处于(r
th1
， ∞)的虚接状态，当探针24和射频座12虚接程度小时，v
out
处于(v
th1
， ∞)。基于此，当v
out
＝0时，用于表征探针24和射频座12之间的电连接状态为实接；当v
out
处于(0， ∞)时，用于表征探针24和射频座12之间的电连接状态为虚接，且当v
out
处于(0，v
th1
]时，用于表征探针24和射频座12之间虚接程度小，当vout处于(v
th1
， ∞)时，用于表征探针24和射频座12之间虚接程度大；当v
out
＝ ∞时，用于表征探针24和射频座12之间的电连接状态为未电连接。
[0139]
在adc输出电感l2的第二端的电压v
out
后，可以利用第一电压阈值和电感l2的第二
端的电压v
out
进行比较，从而对电感l2的第二端的电压的大小进行区分，据此判断探针24和射频座12之间的电连接状态。应理解，对第一电压阈值和电感l2的第二端的电压进行判断，以确定探针24和射频座12之间的电连接状态的可以是人，也可以是控制器。当为控制器时，进一步地，图4所示的检测系统00还可以包括控制器。该控制器和adc的输出端连接，用于接收电感l2的第二端的电压，并将该电感l2的第二端的电压和第一电压阈值进行比较，以获得探针24和射频座12之间的电连接状态。其中，当电感l2的第二端的电压小于或等于第一电压阈值时，确定探针24和射频座12的电连接状态属于接触良好；当电感l2的第二端的电压大于第一电压阈值时，确定探针24和射频座12的电连接状态属于接触不良。具体实施过程中，该控制器可以通过上位机内的处理器实现，也可以通过集成在测试机柜b内实现，或者通过测试机柜b已有的数字射频电路实现，本技术实施例对此不做具体限定。
[0140]
在确定探针24和射频座12的电连接状态后，该检测系统00还可以包括输出装置(图中未示出)，该输出装置用于输出提示信息，该提示信息用于指示探针24和射频座12的电连接状态。例如，该输出装置可以为上位机的显示屏、或测试机柜b的显示屏，对应的，提示信息可以是文本信息；该输出装置还可以为上位机的扬声器、或测试机柜b的扬声器，对应的，提示信息可以是语音信息。
[0141]
请参阅图7a，图7a为本技术另一些实施例提供的检测系统的结构示意图。该检测系统00中，区别于图4，第一检测电路3包括直流电源u1、电阻器r3、电感l2、比较器31、以及基准单元32。可见，该检测系统00中，第一检测电路3不再设置图4的adc获取电感l2的第二端的电压，取而代之，利用比较器31和基准单元32获取电感l2的第二端的电压(即获取单元包括比较器31、基准单元32的情况)。
[0142]
请参照图7b，图7b为图7a中第一检测电路3的内部电路连接图。其中，基准单元32包括电阻器r4(即第一分压单元，且第一分压单元为第一电阻单元)和电阻器r5(即第二分压单元)。其中，电阻器r4的第一端和直流电源u1连接。电阻器r4的第二端和电阻器r5的第一端连接，形成基准单元32的输出端。电阻器r5的第二端连接到地。其中，通过对r4和r5比例进行合理的配置，可以使得串联在直流电源u1和地之间的电阻器r4和电阻器r5，对直流电源u1输出的电压进行分压，并通过基准单元32的输出端输出第二电压阈值。应理解，在其他实施例中，电阻器r4和电阻器r5也可以通过多个串联和/或并联的电阻器替换实现，本技术实施例对此不作具体限定。
[0143]
比较器31的正电源端和直流电源u2连接以获得正电压，比较器31的负电源端和直流电源u3连接以获得负电压，负电源端也可以和地连接。如此，保证比较器31可以正常工作。比较器31的同相输入端( )(即第二输入端)与电感l2的第二端连接，用于在探针24和射频座12连接时，获取电感l2的第二端的电压。需要说明的是，比较器31的同相输入端( )获取的电感l2的第二端的电压的具体值可以参照图4中的等式二，此处不再赘述。
[0144]
比较器31的反相输入端(－)(即第一输入端)与基准单元32的输出端连接，用于接收第二电压阈值；比较器31用于将电感l2的第二端的电压和第二电压阈值进行比较，并在电感l2的第二端的电压大于第二电压阈值时，通过比较器31的输出端输出高电平，用于表征探针24和射频座12之间接触不良，且在电感l2的第二端的电压小于或等于第二电压阈值时，通过比较器31的输出端输出低电平，用于表征探针24和射频座12之间接触良好。
[0145]
根据图6中的分析，当电感l2的第二端的电压v
out
小于或等于第一电压阈值时，认
为其可以表征探针24和射频座12之间接触不良；当电感l2的第二端的电压v
out
大于第一电压阈值时，认为其可以表征探针24和射频座12之间接触良好。同理，比较器31在电感l2的第二端的电压大于第二电压阈值时输出的高电平，也可以用于指示探针24和射频座12之间接触不良，比较器31在电感l2的第二端的电压小于或等于第二电压阈值时输出的低电平，也可以用于指示探针24和射频座12之间接触良好。
[0146]
本实施例中，以阻抗阈值r
th1
作为接触良好和接触不良的电阻分界点，r
th2
的具体取值可以按照设计指标对插损的要求进行确定。以r1＝r
th2
时基于等式二得到的v
out
为v
th2
。那么，上述第二电压阈值可以为v
th2
，具体分析可以参照图6中的相关原因，此处不再赘述。应理解，v
th2
和r
th2
可以分别和v
th1
、r
th1
相同或不同。
[0147]
需要说明的是，在一些实施例中，上述接触良好的电连接状态可以进一步细分为实接、虚接程度小两种电连接状态，上述接触不良的电连接状态可以进一步细分为虚接程度大、未电连接两种电连接状态，具体实施可以参照图6中的相关内容，此处不再赘述。
[0148]
请参照图7c，图7c为图7a所示的检测系统的等效电路图在通直流时的简化图。
[0149]
根据电阻分压原理，基准单元32的输出端的v
th2
和电阻器r4、以及电阻器r5的电阻之间具有如下关系：
[0150]
等式三：
[0151][0152]
其中，v
th2
为基准单元32的输出端的电压；v
ref
为直流电源u1输出的电压；r4为电阻器r4的电阻；r5为电阻器r5的电阻。
[0153]
根据等式三可知，为了在基准单元32的输出端输出所需的v
th2
，可以通过调节电阻器r4和电阻器r5的电阻比例实现。示例性的，继续沿用上述示例，假设为了获得0.082v的v
th2
，那么，需要调节电阻器r4和电阻器r5的电阻比为r4：r5≈35:1，如此，可以使得基准单元32的输出端输出0.082v的电压。
[0154]
应理解，v
th2
越大，大于v
th2
的电感l2的第二端的电压也越大，在此情况下，比较器31输出的高电平所表征的探针24和射频座12之间的虚接程度越大，即插损越大。换而言之，通过调节v
th2
的大小，从而可以检测出探针24和射频座12之间的虚接程度。
[0155]
在一些实施例中，在根据设计指标对插损的要求确定出r
th2
对应的v
th2
后，根据所需v
th2
以及等式三换算电阻器r4和电阻器r5的电阻比例，然后通过配置电阻器r4和电阻器r5的电阻成所需的比例，即可在基准单元32的输出端输出所需的v
th2
，从而检测出探针24和射频座12之间的虚接程度。
[0156]
在另一些实施例中，可以设置电阻器r3和电阻器r4的电阻相同，此时，电阻器r4和电阻器r5组成镜像分压电路。在此情况下，按照设计指标对插损的要求确定出r
th1
后，只需将r5的电阻配置成电阻为r
th1
的电阻器r1和电阻器r2的并联电阻，即可在基准单元32的输出端输出所需的v
th2
，无需根据所需v
th2
以及等式三换算电阻器r4和电阻器r5的电阻比例，然后在将电阻器r4和电阻器r5的电阻调整成所需的比例，显然，该配置过程更简便、快捷，理由如下：
[0157]vth2
是电阻器r1的电阻为r
th2
时电感l2的第二端的电压，即由电阻为r
th2
的电阻器r1和电阻器r2并联后再和电阻器r3串联，共同对直流电压源u1的电压v
ref
分压后，在电感l2
的第二端形成的电压。因此，当将电阻器r3和电阻器r4配置成相同的电阻，且将电阻器r5的电阻配置成电阻为r
th1
的电阻器r1和电阻器r2的并联电阻时，电阻器r5相当于区域33中并联的电阻器r1和电阻器r2，电阻器r3相当于电阻器r4，自然可在基准单元32的输出端输出v
th2
。
[0158]
示例性的，继续沿用上述示例，r1＝r
th2
＝3ω，v
th2
＝0.082v，r2＝50ω，则电阻器r1和电阻器r2的并联电阻为2.83ω，只需将电阻器r5的电阻设置为2.83ω，即可在基准单元32的输出端输出0.082v的v
th2
。
[0159]
在比较器31输出可以表征探针24和射频座12的电连接状态的电平时，为了进一步确定探针24和射频座12的电连接状态，图7a所示的检测系统00还可以包括控制器。该控制器和比较器31的输出端连接，用于接收比较器31输出的电平，并在解析到比较器31输出高电平时，确定探针24和射频座12的电连接状态接触不良，且解析到比较器31输出低电平时，确定探针24和射频座12的电连接状态接触良好。具体实施过程中，该控制器可以通过上位机内的控制器实现，也可以通过集成在测试机柜b内实现，或者通过测试机柜b已有的数字射频电路实现，本技术实施例对此不做具体限定。在确定探针24和射频座12的电连接状态后，该检测系统00还可以包括输出装置，该输出装置用于输出提示信息，该提示信息用于指示探针24和射频座12的电连接状态。例如，该输出装置可以为上位机、测试机柜b的显示屏、扬声器等，提示信息可以是文字、语音等信息。需要说明的是，由于比较器31可以直接输出高电平和低电平，因此，该检测系统00也可以不设置控制器，而是直接在比较器31的输出端接输出装置(如led)进行提示信息的输出。
[0160]
应理解，在其他实施例中，图7b所示的比较器31的同相输入端( )(即第一输入端)也可以和基准单元32的输出端，比较器31的反相输入端(－)(即第二输入端)也可以和电感l2的第二端。如此，当电感l2的第二端的电压大于v
th1
时，通过比较器31的输出端输出低电平，用于指示探针24和射频座12之间接触不良；并当电感l2的第二端的电压小于或等于v
th1
时，通过比较器31的输出端输出高电平，用于指示探针24和射频座12之间接触良好，本技术实施例对此不作具体限定。
[0161]
应理解，图4和图7a所示的检测系统00中，为了进行限流，r3也可以通过电流源替代实现。基于此，在图4和图7a的基础上，本技术实施例还分别提供了图8a和图8b所示的检测系统00。
[0162]
如图8a所示，区别于图4，该检测系统00中，通过电流源i1(即限流单元，且该限流单元为第二电流源)替代图4所示的r3作为限流单元。由于电流源i1具有恒定的输出电流，一方面通过对电流源i1进行选型，可以避免其输出电流过大，造成电感l1和电感l2过流损坏，从而起到限流作用；另一方面在选型时也需要避免其输出电流过小，以避免输出电流过小导致电感l2的第二端处的电压较低，从而造成检测电路03的灵敏度较低的问题。
[0163]
需要说明的是，当使用电流源i1作为限流单元时，电感l2的第二端的电压v
out
与电阻器r1的电阻之间具有如下关系：
[0164]
等式四：
[0165][0166]
其中，i1为电流源i1的输出电流，v
out
为电感l2的第二端的电压；r1为电阻器r1的电
阻；r2为电阻器r2的电阻。
[0167]
根据等式四可知，当图4中的电阻器r3替换成电流源i1实现后，v
out
与r1之间的关系发生了变化，自然，上述两种电连接状态的电压分界点v
th1
也会跟随变化。在本实施例中，v
th1
基于等式四得到。示例性的，假设r2＝50ω，i1＝30ma，插损要求探针24和射频座12之间的等效电阻r1不超过3ω，取r
th1
＝3ω。那么，基于等式四可得，当r1＝r
th1
＝3ω时，v
th1
＝v
out
＝0.084v。那么，小于或等于0.084v的v
out
用于表征探针24和射频座12之间接触良好，大于0.084v的v
out
用于表征探针24和射频座12之间接触不良。
[0168]
请参阅图8b和图8c，图8c为图8b中第一检测电路3的内部电路连接图。图8b所示的检测系统00，在图7a所示的检测系统00的基础上，将第一检测电路3中的电阻器r3和电阻器r4(图7b示出)分别通过电流源i1(即限流单元，且该限流单元为第二电流源)、电流源i2(图8c示出)(即第一分压单元，且该第一分压单元为第一电流源)替代实现。
[0169]
需要说明的是，当使用电流源i1替换电阻器r3后，v
out
与r1之间的关系发生了变化，具体变化如图8a中的等式四，因此，v
th2
的得到过程也相应发生了变化，即通过等式四得到，具体实施可以参照图8a中v
th1
的具体实现，此处不再详述。此外，当使用电流源i2替换电阻器r4后，基准单元32的输出端的电压v
th2
和电流源i2、以及电阻器r5之间具有如下关系：
[0170]
等式五：
[0171]vth2
＝i2*r5[0172]
其中，i2为电流源i2的电流，r5为电阻器r5的电阻。因此，在基于等式四获得v
th2
后，为了在基准单元32的输出端输出所需的v
th2
，需要基于等式五对电流源i2和电阻器r5进行配置。
[0173]
在一些实施例中，请参阅图8c，为了使得配置过程更加简便，电流源i1和电流源i2具有相同的输出电流。如此，电流源i2和电阻器r5形成镜像分压电路，仅需将电阻器r2和电阻器r1(r1＝r
th2
)的并联电阻确定为电阻器r5的电阻，即可在基准单元32的输出端输出所需的v
th2
，配置过程更加简便，具体分析可以参照图7b的相关内容，此处不再详述。
[0174]
上述图4至图8b所示的检测系统00中，检测电路03独立于射频装置01和测试装置02之外，即图4和图8b以电感l1和第一检测电路3分别独立于射频装置01、以及测试装置02进行单独设置为例对检测系统进行了说明。应理解，上述电感l1也可以通过集成在射频装置01中，上述第一检测电路3也可以通过集成在测试装置02中的方式，使得射频装置01和测试装置02自身集成检测探针24和射频座12的电连接状态的功能。基于此，本技术实施例分别在上述实施例的基础上，还提供了图9a至图9d所示的检测系统。
[0175]
示例性的，如图9a所示，区别于图4，该检测系统00不再单独存在独立于射频装置01和测试装置02之外的检测电路，取而代之，测试装置02包括上述第一检测电路3，射频装置01包括电感l1，以使测试装置02和射频装置01自身集成检测探针24和射频座12的电连接状态的功能，检测原理本身并无差别，因此，该检测系统00的实施和效果可以参考图4所示的检测系统00的具体实现和效果，此处不再赘述。
[0176]
如图9b所示，区别于图7a，该检测系统00中，测试装置02包括上述第一检测电路3，射频装置01包括电感l1，即测试装置02和射频装置01自身集成检测探针24和射频座12的电连接状态的功能，因此，该检测系统00的实施和效果可以参考图7a所示的检测系统00的具体实现和效果，此处不再赘述。
[0177]
如图9c所示，区别于图8a，该检测系统00中，测试装置02包括上述第一检测电路3，射频装置01包括电感l1，即测试装置02和射频装置01自身集成检测探针24和射频座12的电连接状态的功能，因此，该检测系统00的实施和效果可以参考图8a所示的检测系统00的具体实现和效果，此处不再赘述。
[0178]
如图9d所示，区别于图8b，该检测系统00中，测试装置02包括第一检测电路3，射频装置01包括电感l1，即测试装置02和射频装置01自身集成检测探针24和射频座12的电连接状态的功能，因此，该检测系统00的实施和效果可以参考图8b所示的检测系统00的具体实现和效果，此处不再赘述。
[0179]
应理解，图9a至图9d所示的检测系统00中，集成有检测探针24和射频座12的电连接状态的功能的测试装置02和射频装置01可以单独进行生产和售卖。
[0180]
请参阅图10，图10为本技术另一些实施例提供的检测系统的结构示意图。该检测系统00包括测试装置02、射频装置01。测试装置02以及射频装置01本身并无改进，其具体定义和实施可以参见图4所示的相关内容。
[0181]
为了实现检测探针24和射频座12的电连接状态的功能，该检测系统00还包括检测电路04。区别于图4中的检测电路03，该检测电路04包括直流电源u1、电阻器r3、电感l2、以及adc。其中，电感l2的第一端与射频座12连接，电感l2的第二端与电阻器r3的第一端连接，电阻器r3的第二端与直流电源u1连接。可见，该检测系统00中，检测电路04不再包括图4所示的检测电路03中和射频座12连接的电感l1。换而言之，该检测电路04相当于图4所示的第一检测电路3，基于此，检测电路04中各器件的连接关系及用途的具体实施可以参见图4中第一检测电路3的相关内容，此处不再赘述。需要说明的是，区别于图4所示的第一检测电路3，该检测电路04不再和探针24的第一端连接，而是和射频座12连接。需要说明的是，检测电路04中各器件的连接关系及用途的具体实施可以参见图4中第一检测电路3的相关内容，此处不再赘述。
[0182]
请参阅图11，图11为图10所示的检测系统的等效电路图。该等效电路中，电感l2具有通直流、阻交流的作用，对测试过程中的射频信号呈现断路状态，而对直流电源u1流出的直流的电流呈现通路状态。换而言之，测试过程中的射频信号(通常为交流信号)无法穿过电感l2，流入检测电路所在的支路；而自直流电源u1流出的电流(为直流信号)，则可以依次通过电感l2，并依次经电阻器r1、开关k1、以及电阻器r2流入至地。可见，电感l2将直流电源u1流出的电流和射频信号分隔开，一方面，可以避免射频信号流入检测电路所在的支路，从而可以避免检测电路耦合进射频信号的传输通道中，改变射频信号传输过程中的阻抗，对射频信号造成干扰。换而言之，本技术实施例引入检测电路，对探针24和射频座12之间的电连接情况进行监测，将不会对原本的射频性能测试造成影响。另一方面，电感l2的设置，使得原本由于电容c1和电容c2隔直作用而无法通直流的电路中，形成了电流对地的直流通路，从而可以在电感l2的第二端形成直流电压。需要说明的是，等效电路和检测系统00之间的对应关系，以及电容c1和电容c2的效果可以参考图5的相关介绍，此处不再详述。
[0183]
应理解，当检测电路04发生变化后，电感l2的第二端的电压与电阻r1的电阻之间的关系也会跟随变化，下面结合图12进行具体分析。
[0184]
请参阅图12，图12为图11所示的等效电路在通直流时的简化图。区别于图6，该图中，电阻器r3、电阻器r1、电阻器r2依次串联，共同对直流电源u1输出的电压v
ref
进行分压。
[0185]
其中，电阻器r3的具体实施可以参考图6中的相关内容，此处不再赘述。
[0186]
电阻器r1为直流通道的组成部分，其电阻大小直接影响电感l2的第二端的电压。具体而言，根据电阻分压原理可得，电感l2的第二端的电压与电阻器r1的电阻之间具有如下关系：
[0187]
等式六：
[0188][0189]
对等式六进行推导，可得等式七：
[0190][0191]
其中，v
ref
为直流电源u1输出的电压；v
out
为电感l2的第二端的电压；r1为电阻器r1的电阻；r2为电阻器r2的电阻；r3为电阻器r3的电阻。
[0192]
由等式七可见，不同的r1对应不同的vout，而探针24和射频座12之间不同的电连接状态对应不同的r1，因此，探针24和射频座12之间不同的电连接状态，对应不同的电感l2的第二端的电压v
out
。基于此，上述adc输出的电感l2的第二端的电压v
out
(即与r1对应的检测参数)可以用于表征探针24和射频座12之间的电连接状态。
[0193]
在一些实施例中，上述adc输出的电感l2的第二端的电压v
out
中，当电感l2的第二端的电压v
out
小于或等于第三电压阈值时，认为其可以表征探针24和射频座12之间接触良好；当电感l2的第二端的电压v
out
大于第三电压阈值时，认为其可以表征探针24和射频座12之间接触不良，具体原因可以参考图6中的相关内容，此处不再赘述。
[0194]
本实施例中，以阻抗阈值r
th3
作为接触良好和接触不良的电阻分界点，r
th3
的具体取值可以按照设计指标对插损的要求进行确定。以r1＝r
th3
时基于等式七得到的v
out
为v
th3
。那么，上述第三电压阈值可以为v
th3
，具体分析可以参照图6中的相关原因，此处不再赘述。
[0195]
示例性的，假设r2＝50ω，r3＝100ω，v
ref
＝3v，插损要求探针24和射频座12之间的等效电阻器r1的阻值不超过3ω，取r
th3
＝3ω。那么，基于等式七可得，当r1＝r
th3
＝3ω时，v
th3
＝v
out
≈1.04v。那么，小于或等于1.04v的v
out
用于表征探针24和射频座12之间接触良好，大于1.04v的v
out
用于表征探针24和射频座12之间接触不良。
[0196]
需要说明的是，在一些实施例中，上述接触良好的电连接状态可以进一步细分为实接、虚接程度小两种电连接状态，上述接触不良的电连接状态可以进一步细分为虚接程度大、未电连接两种电连接状态。具体实施可以参照图6中的相关内容，此处不再赘述。
[0197]
在获得可以表征探针24和射频座12之间的电连接状态的电感l2的第二端的电压v
out
后，至于如何进一步区分电感l2的第二端的电压v
out
的大小，以确定探针24和射频座12之间的电连接状态并进行提示的具体实施可以参考图6所示的相关内容，此处不再赘述。
[0198]
请参阅图13，图13为本技术另一些实施例提供的检测系统的结构示意图。该检测系统00中，检测电路04包括直流电源u1、电阻器r3、电感l2、比较器31、以及基准单元32。可见，区别于图10，该检测系统00中，检测电路04不再设置图10的adc获取电感l2的第二端的电压，取而代之，利用比较器31和基准单元32获取电感l2的第二端的电压。
[0199]
根据图10中的分析，当电感l2的第二端的电压v
out
小于或等于第三电压阈值时，认为其可以表征探针24和射频座12之间接触不良；当电感l2的第二端的电压v
out
大于第三电
压阈值时，认为其可以表征探针24和射频座12之间接触良好。同理，比较器31在电感l2的第二端的电压大于第四电压阈值时输出的高电平，也可以用于指示探针24和射频座12之间接触不良，比较器31在电感l2的第二端的电压小于或等于第四电压阈值时输出的低电平，也可以用于指示探针24和射频座12之间接触良好。
[0200]
本实施例中，以阻抗阈值r
th4
作为接触良好和接触不良的电阻分界点，r
th4
的具体取值可以按照设计指标对插损的要求进行确定。以r1＝r
th4
时基于等式七得到的v
out
为v
th4
。那么，上述第四电压阈值可以为v
th4
，具体分析可以参照图6中的相关原因，此处不再赘述。应理解，v
th4
和r
th4
可以分别和v
th3
、r
th3
相同或不同。
[0201]
需要说明的是，在一些实施例中，上述接触良好的电连接状态可以进一步细分为实接、虚接程度小两种电连接状态，上述接触不良的电连接状态可以进一步细分为虚接程度大、未电连接两种电连接状态，具体实施可以参照图6中的相关内容，此处不再赘述。此外，在比较器31获得电感l2的第二端的电压v
out
后如何区分，以判断探针24和射频座12之间的电连接状态并进行提示的具体实施，也可以参考图7b所示的相关内容，此处不再赘述。
[0202]
基于图8a和图8b相同的发明构思，对于图10以及图13所示的检测系统00，也可以利用电流源替代检测电路4中的电阻器r3。基于此，本技术实施例提供了如下图14和图15所示的检测系统00。
[0203]
请参阅图14，图14为本技术另一些实施例提供的检测系统的结构示意图。区别于图10，该检测系统00中，通过电流源i1替代图10所示的r3作为限流单元。由于电流源i1具有恒定的输出电流，一方面通过对电流源i1进行选型，可以避免其输出电流过大，造成电感l2过流损坏，从而起到限流作用；另一方面在选型时也需要避免其输出电流过小，以避免输出电流过小导致电感l2的第二端处的电压较低，从而造成检测电路04的灵敏度较低的问题。
[0204]
需要说明的是，当使用电流源i1作为限流单元时，电感l2的第二端的电压v
out
与电阻器r1、电阻器r2的阻值之间具有如下关系：
[0205]
等式八：
[0206]vout
＝(r1 r2)*i1[0207]
其中，i1为电流源i1的输出电流，v
out
为电感l2的第二端的电压；r1为电阻器r1的电阻；r2为电阻器r2的电阻。
[0208]
应理解，当图10中的电阻器r3替换成电流源i1实现时，v
out
与r1之间的关系发生了变化，自然，上述两种电连接状态的电压分界点v
th3
也会跟随变化。在本实施例中，上述v
th3
基于等式八得到。示例性的，假设r2＝50ω，i1＝10ma，插损要求探针24和射频座12之间的等效电阻器r1的阻值不超过3ω，取r
th3
＝3ω。那么，基于等式八可得，当r1＝r
th3
＝3ω时，v
th3
＝v
out
＝0.53v。那么，小于或等于0.53v的v
out
用于表征探针24和射频座12之间接触良好，大于0.53v的v
out
用于表征探针24和射频座12之间接触不良。
[0209]
请参阅图15，图15为本技术另一些实施例提供的检测系统的结构示意图。需要说明的是，图15所示的检测系统00中，检测电路4的具体实施可以参照图8c所示的第一检测电路3，此处不再赘述。可见，区别于图13，图15所示的检测系统00，在图13所示的检测系统00的基础上，将检测电路04中的电阻器r3和电阻器r4分别通过电流源i1、电流源i2替代实现。
[0210]
需要说明的是，当使用电流源替代电阻器后，v
out
与r1之间的关系发生了变化，具体变化如图14中的等式八，因此，v
th4
的得到过程也相应发生了变化，即通过等式八得到，具
体实施可以参照图14中v
th3
的具体实现，此处不再详述。
[0211]
上述图10至图15所示的检测系统00中，检测电路独立于射频装置01之外，即图10至图15以检测电路独立于射频装置01进行单独设置为例进行了说明。应理解，上述检测电路也可以通过集成在射频装置01中的方式，使得射频装置01自身集成检测探针24和射频座12的电连接状态的功能。基于此，本技术实施例还提供了图16a至图16d所示的检测系统。
[0212]
示例性的，如图16a所示，区别于图10，该检测系统00不再单独存在独立于射频装置01之外的检测电路04，取而代之，射频装置01包括上述检测电路04，以使射频装置01自身集成检测探针24和射频座12的电连接状态的功能，检测原理本身并无差别，因此，该检测系统00的实施和效果可以参考图10所示的检测系统00的具体实现和效果，此处不再赘述。应理解，图16a所示的检测系统00中，集成有检测探针24和射频座12的电连接状态的功能的射频装置01可以单独进行生产和售卖。
[0213]
如图16b所示，区别于图13，该检测系统00中，射频装置01包括上述检测电路04，即射频装置01自身集成检测探针24和射频座12的电连接状态的功能，因此，该检测系统00的实施和效果可以参考图13所示的检测系统00的具体实现和效果，此处不再赘述。
[0214]
如图16c所示，区别于图14，该检测系统00中，射频装置01包括上述检测电路04，即射频装置01自身集成检测探针24和射频座12的电连接状态的功能，因此，该检测系统00的实施和效果可以参考图14所示的检测系统00的具体实现和效果，此处不再赘述。
[0215]
如图16d所示，区别于图15，该检测系统00中，测试装置02包括上述检测电路04，即射频装置01自身集成检测探针24和射频座12的电连接状态的功能，因此，该检测系统00的实施和效果可以参考图15所示的检测系统00的具体实现和效果，此处不再赘述。
[0216]
应理解，图16a至图16d所示的检测系统00中，集成有检测探针24和射频座12的电连接状态的功能的射频装置01可以单独进行生产和售卖。
[0217]
图4至图16d所示的检测系统00中，在射频测试过程中，可以通过检测电路实时获取电感l2的第二端的电压。由于电感l2的第二端的电压可以表征探针24和射频座12之间的电连接状态，因此，基于该电感l2的第二端的电压可以第一时间获知探针24和射频座12之间的电连接状态。一旦在射频测试开始时或测试过程中出现射频座12和探针24接触不良的问题，可以第一时间察觉并处理，从而有利于避免测试效率下降。
[0218]
通过以上的实施方式的描述，所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，仅以上述各功能模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能模块完成，即将装置的内部结构划分成不同的功能模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。上述描述的系统，装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
[0219]
在本技术实施例各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
[0220]
集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本技术实施例的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算
机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)或处理器执行本技术各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：快闪存储器、移动硬盘、只读存储器、随机存取存储器、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
[0221]
以上，仅为本技术实施例的具体实施方式，但本技术实施例的保护范围并不局限于此，任何在本技术实施例揭露的技术范围内的变化或替换，都应涵盖在本技术实施例的保护范围之内。因此，本技术实施例的保护范围应以权利要求的保护范围为准。