研磨剂和研磨方法与流程

技术特征：
1.一种研磨剂，含有磨粒和下式(1)表示的化合物，r－o－(ao)
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式(1)其中，r为包含共轭体系的有机基团，在碳骨架中可以具有杂原子，在将构成该碳骨架的原子中的构成共轭体系的原子的数量设为c1、将不构成共轭体系的原子的数量设为c2时，c1/(c1 c2)≥0.4，ao表示氧化亚烷基，多个存在的ao彼此可以相同，也可以不同，n为2～200的整数。2.根据权利要求1所述的研磨剂，其中，所述r具有芳基。3.根据权利要求2所述的研磨剂，其中，所述式(1)的r－o键中，r侧的原子为构成所述芳基的碳原子。4.根据权利要求1～3中任一项所述的研磨剂，其中，所述r为烃基。5.根据权利要求1～4中任一项所述的研磨剂，其中，所述式(1)表示的化合物的hlb值为12～20。6.根据权利要求1～5中任一项所述的研磨剂，其中，所述磨粒为金属氧化物粒子。7.根据权利要求1～6中任一项所述的研磨剂，其中，进一步含有聚合物。8.根据权利要求7所述的研磨剂，其中，所述聚合物包含阴离子性聚合物。9.根据权利要求8所述的研磨剂，其中，所述阴离子性聚合物具有芳基。10.根据权利要求1～9中任一项所述的研磨剂，其中，ph为2～7。11.根据权利要求1～10中任一项所述的研磨剂，用于在表面露出包含硅面的图案面。12.一种研磨方法，其特征在于，是一边供给研磨剂一边使研磨垫与被研磨面接触、通过两者的相对运动而进行研磨的研磨方法，作为所述研磨剂，使用权利要求1～11中任一项所述的研磨剂，对半导体基板的包含由氧化硅构成的面的被研磨面进行研磨。13.根据权利要求12所述的研磨方法，其中，在所述半导体基板的表面露出包含硅面的图案面。

技术总结
本发明提供一种硅面的研磨速度得到抑制的研磨剂。该研磨剂含有磨粒和下式(1)表示的化合物。式(1)：R－O－(AO)


技术研发人员：冈村有造
受保护的技术使用者：AGC株式会社
技术研发日：2021.06.28
技术公布日：2022/1/13