研磨方法、研磨装置及计算机可读取的记录介质与流程

技术特征：
1.一种研磨方法，其特征在于，一边对基板进行研磨，一边生成来自所述基板上的多个测定点的反射光的多个光谱，基于各光谱的形状，将所述多个光谱分类为属于第一群的多个一次光谱和属于第二群的二次光谱，通过所述多个一次光谱确定所述基板的多个膜厚，使用所述一次光谱或者所述多个膜厚来确定与所述二次光谱对应的测定点处的膜厚。2.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，确定与所述二次光谱对应的测定点处的膜厚的工序是如下工序：生成与所述二次光谱对应且属于所述第一群的推定光谱，根据所述推定光谱来确定所述基板的膜厚。3.如权利要求2所述的研磨方法，其特征在于，生成所述推定光谱的工序是从所述多个一次光谱通过内插或者外插而生成所述推定光谱的工序。4.如权利要求2所述的研磨方法，其特征在于，生成所述推定光谱的工序是将所述多个一次光谱输入光谱生成模型，并且从所述光谱生成模型输出所述推定光谱的工序。5.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，确定与所述二次光谱对应的测定点处的膜厚的工序是从所述多个膜厚通过内插或者外插来确定与所述二次光谱对应的测定点处的膜厚的工序。6.如权利要求1至5中任一项所述的研磨方法，其特征在于，将所述多个光谱分类为属于所述第一群的所述一次光谱和属于所述第二群的所述二次光谱的工序是如下工序：将在所述基板的研磨过程中生成的所述多个光谱分别输入分类模型，根据从所述分类模型输出的分类结果而将所述多个光谱分类为属于所述第一群的所述一次光谱和属于所述第二群的所述二次光谱。7.如权利要求6所述的研磨方法，其特征在于，还包括如下工序：一边对样品基板进行研磨，一边生成来自所述样品基板的反射光的多个训练用光谱，将所述多个训练用光谱分类为所述第一群和所述第二群，使用包含所述多个训练用光谱和所述多个训练用光谱的分类结果的分类训练数据，通过机器学习来确定所述分类模型的参数。8.一种研磨方法，其特征在于，一边对参照基板进行研磨，一边生成来自所述参照基板上的多个测定点的反射光的多个光谱，基于各光谱的形状，将所述多个光谱分类为属于第一群的多个一次光谱和属于第二群的二次光谱，生成与所述二次光谱对应且属于所述第一群的推定光谱，将所述多个一次光谱和所述推定光谱与膜厚分别关联，将所述多个一次光谱和所述推定光谱作为参照光谱追加至数据库，该数据库具有包括所述多个一次光谱和所述推定光谱的多个参照光谱，
一边对基板进行研磨，一边生成来自该基板的反射光的光谱，确定与来自所述基板的反射光的光谱形状最接近的参照光谱，确定与确定了的所述参照光谱相关联的膜厚。9.一种研磨装置，其特征在于，具备：研磨台，该研磨台支承研磨垫；研磨头，该研磨头将基板按压于所述研磨垫并对该基板进行研磨；光学传感器头，该光学传感器头将光导向所述基板上的多个测定点，并且接受来自所述多个测定点的反射光；以及处理系统，该处理系统生成所述反射光的多个光谱，所述处理系统构成为：基于各光谱的形状，将所述多个光谱分类为属于第一群的多个一次光谱和属于第二群的二次光谱，通过所述多个一次光谱来确定所述基板的多个膜厚，使用所述一次光谱或者所述多个膜厚来确定与所述二次光谱对应的测定点处的膜厚。10.如权利要求9所述的研磨装置，其特征在于，所述处理系统构成为：生成与所述二次光谱对应且属于所述第一群的推定光谱，通过所述推定光谱来确定所述基板的膜厚。11.如权利要求10所述的研磨装置，其特征在于，所述处理系统构成为从所述多个一次光谱通过内插或外插来生成所述推定光谱。12.如权利要求10所述的研磨装置，其特征在于，所述处理系统具有光谱生成模型，所述处理系统构成为将所述多个一次光谱输入所述光谱生成模型，并且从所述光谱生成模型输出所述推定光谱。13.如权利要求9所述的研磨装置，其特征在于，所述处理系统构成为从所述多个膜厚通过内插或外插来确定与所述二次光谱对应的测定点处的膜厚。14.如权利要求9至13中任一项所述的研磨装置，其特征在于，所述处理系统具备分类模型，所述处理系统构成为：将在所述基板的研磨过程中生成的所述多个光谱分别输入所述分类模型，根据从所述分类模型输出的分类结果而将所述多个光谱分类为属于所述第一群的所述一次光谱和属于所述第二群的所述二次光谱。15.如权利要求14所述的研磨装置，其特征在于，所述处理系统具备存储装置，所述存储装置储存来自样品基板的反射光的多个训练用光谱，所述处理系统构成为：将所述多个训练用光谱分类为所述第一群和所述第二群，使用包括所述多个训练用光谱和所述多个训练用光谱的分类结果，通过机器学习来确
定所述分类模型的参数。16.一种研磨装置，其特征在于，具备：研磨台，该研磨台支承研磨垫；研磨头，该研磨头将基板按压于所述研磨垫并对该基板进行研磨；光学传感器头，该光学传感器头将光导向所述基板上的多个测定点，并且接受来自所述多个测定点的反射光；以及处理系统，该处理系统具有存储装置，在所述存储装置的内部储存有包括多个参照光谱的数据库和来自参照基板上的多个测定点的反射光的多个光谱，所述处理系统构成为：基于各光谱的形状，将所述反射光的多个光谱分类为属于第一群的多个一次光谱和属于第二群的二次光谱，生成与所述二次光谱对应且属于所述第一群的推定光谱，将所述多个一次光谱和所述推定光谱与膜厚分别关联，将所述多个一次光谱和所述推定光谱作为参照光谱追加至所述数据库。17.一种计算机可读取的记录介质，其特征在于，记录了用于使计算机执行如下步骤的程序：在基板的研磨过程中，生成来自该基板上的多个测定点的反射光的多个光谱的步骤；基于各光谱的形状，将所述多个光谱分类为属于第一群的多个一次光谱和属于第二群的二次光谱的步骤；通过所述多个一次光谱来确定所述基板的多个膜厚的步骤；以及使用所述一次光谱或者所述多个膜厚来确定与所述二次光谱对应的测定点处的膜厚的步骤。18.如权利要求17所述的计算机可读取的记录介质，其特征在于，确定与所述二次光谱对应的测定点处的膜厚的步骤是如下步骤：生成与所述二次光谱对应且属于第一群的推定光谱的步骤，通过所述推定光谱来确定所述基板的膜厚的步骤。19.如权利要求18所述的计算机可读取的记录介质，其特征在于，生成所述推定光谱的步骤是从所述多个一次光谱通过内插或外插来生成所述推定光谱的步骤。20.如权利要求18所述的计算机可读取的记录介质，其特征在于，生成所述推定光谱的步骤是将所述多个一次光谱输入光谱生成模型，并且从所述光谱生成模型输出所述推定光谱的步骤。21.如权利要求17所述的计算机可读取的记录介质，其特征在于，确定与所述二次光谱对应的测定点处的膜厚的步骤是从所述多个膜厚通过内插或外插来确定与所述二次光谱对应的检测点处的膜厚的步骤。22.如权利要求17至21中任一项所述的计算机可读取的记录介质，其特征在于，将所述多个光谱分类为属于所述第一群的所述一次光谱和属于所述第二群的所述二次光谱的步骤是如下步骤：
将在所述基板的研磨过程中生成的所述多个光谱分别输入分类模型的步骤，根据从所述分类模型输出的分类结果而将所述多个光谱分类为属于所述第一群的所述一次光谱和属于所述第二群的所述二次光谱的步骤。23.如权利要求22所述的计算机可读取的记录介质，其特征在于，所述程序构成为进一步使所述计算机执行如下的步骤：在样品基板的研磨过程中，生成来自该样品基板的反射光的多个训练用光谱的步骤；将所述多个训练用光谱分类为所述第一群和所述第二群的步骤；以及使用包括所述多个训练用光谱和所述多个训练用光谱的分类结果的分类训练数据，通过机器学习来确定所述分类模型的参数的步骤。24.一种计算机可读取的记录介质，其特征在于，记录了用于使计算机执行如下步骤的程序：在参照基板的研磨过程中，生成来自该参照基板上的多个测定点的反射光的多个光谱的步骤；基于各光谱的形状，将所述多个光谱分类为属于第一群的多个一次光谱和属于第二群的二次光谱的步骤；生成与所述二次光谱对应且属于所述第一群的推定光谱的步骤；将所述多个一次光谱和所述推定光谱与膜厚分别关联的步骤；将所述多个一次光谱和所述推定光谱作为参照光谱追加至数据库的步骤，该数据库具有包括所述多个一次光谱和所述推定光谱的多个参照光谱；一边对基板进行研磨，一边生成来自该基板的反射光的光谱的步骤；确定与来自所述基板的反射光的光谱形状最接近的参照光谱的步骤；以及确定与确定了的所述参照光谱相关联的膜厚的步骤。

技术总结
提供一种能够以高的精度来测定在表面具有各种构造要素的半导体晶片等基板的膜厚的研磨方法、研磨装置及计算机可读取的记录介质。研磨方法生成来自基板(W)上的多个测定点的反射光的多个光谱，基于各光谱的形状将多个光谱分类为属于第一群的多个一次光谱和属于第二群的二次光谱，并且通过多个一次光谱来确定基板(W)的多个膜厚，使用一次光谱或者多个膜厚来确定与二次光谱对应的检测点处的膜厚。膜厚来确定与二次光谱对应的检测点处的膜厚。膜厚来确定与二次光谱对应的检测点处的膜厚。


技术研发人员：盐川阳一 八木圭太 渡边夕贵 纳齐格塔
受保护的技术使用者：株式会社荏原制作所
技术研发日：2021.06.28
技术公布日：2022/1/13