金属线栅偏振器及其制作方法、显示装置与流程

技术特征：
1.一种金属线栅偏振器的制作方法，其特征在于，包括：在基底上制备第一子线栅结构，所述第一子线栅结构包括相互平行的多条第一子线栅，所述第一子线栅采用金属材料；在形成有所述第一子线栅结构的基底上沉积一层厚度小于第一阈值的金属薄膜，所述金属薄膜沉积于所述第一子线栅远离所述基底的一侧形成多条第二子线栅，所述第二子线栅与对应的第一子线栅组成所述金属线栅偏振器的线栅。2.根据权利要求1所述的金属线栅偏振器的制作方法，其特征在于，沉积所述金属薄膜后，部分金属薄膜位于所述第一子线栅之间的间隔区域，所述方法还包括：对所述基底上的金属薄膜进行整体刻蚀，去除所述第一子线栅之间间隔区域的金属薄膜，刻蚀厚度小于所述金属薄膜的沉积厚度。3.根据权利要求1所述的金属线栅偏振器的制作方法，其特征在于，所述金属薄膜包括：al、ag、cu或ir薄膜。4.根据权利要求1所述的金属线栅偏振器的制作方法，其特征在于，所述金属薄膜的厚度大于第二阈值，所述第一阈值为500nm，所述第二阈值为30nm。5.根据权利要求2所述的金属线栅偏振器的制作方法，其特征在于，所述金属薄膜的沉积厚度为40-50nm。6.根据权利要求5所述的金属线栅偏振器的制作方法，其特征在于，刻蚀厚度为25-30nm。7.根据权利要求1所述的金属线栅偏振器的制作方法，其特征在于，所述第一子线栅在垂直于自身延伸方向上的纵截面为矩形；所述第二子线栅在垂直于自身延伸方向上的纵截面的轮廓为椭圆形的一部分。8.根据权利要求1所述的金属线栅偏振器的制作方法，其特征在于，所述在基底上制备第一子线栅结构包括：采用纳米压印技术制备所述第一子线栅结构。9.根据权利要求1所述的金属线栅偏振器的制作方法，其特征在于，所述在形成有所述第一子线栅结构的基底上沉积一层厚度小于第一阈值的金属薄膜包括：利用溅射方式在所述第一子线栅结构上覆盖一层金属薄膜。10.一种金属线栅偏振器，其特征在于，包括：基底；位于所述基底上的第一子线栅结构，所述第一子线栅结构包括相互平行的多条第一子线栅，所述第一子线栅采用金属材料；第二子线栅结构，所述第二子线栅结构包括多条第二子线栅，所述第二子线栅与所述第一子线栅一一对应，每一所述第二子线栅位于对应的第一子线栅远离所述基底的一侧，所述第二子线栅与对应的第一子线栅组成所述金属线栅偏振器的线栅。11.根据权利要求10所述的金属线栅偏振器，其特征在于，相邻两条第一子线栅之间的间距均等于d1；相邻两条线栅之间的最小间距等于d2，d2小于d1。12.根据权利要求10所述的金属线栅偏振器，其特征在于，所述第一子线栅在垂直于自身延伸方向上的纵截面为矩形；所述第二子线栅在垂直于自身延伸方向上的纵截面的轮廓为椭圆形的一部分。
13.根据权利要求11所述的金属线栅偏振器，其特征在于，d1的取值范围为50-500nm，d2的取值范围为20-450nm。14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10-13中任一项所述的金属线栅偏振器。

技术总结
本公开提供了一种金属线栅偏振器及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，金属线栅偏振器包括：基底；位于所述基底上的第一子线栅结构，所述第一子线栅结构包括相互平行的多条第一子线栅，所述第一子线栅采用金属材料；第二子线栅结构，所述第二子线栅结构包括多条第二子线栅，所述第二子线栅与所述第一子线栅一一对应，每一所述第二子线栅位于对应的第一子线栅远离所述基底的一侧，所述第二子线栅与对应的第一子线栅组成所述金属线栅偏振器的线栅。本公开的技术方案能够制备高偏振度的金属线栅偏振器。度的金属线栅偏振器。度的金属线栅偏振器。


技术研发人员：王国强
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2020.06.29
技术公布日：2022/1/13