一种稳定锆捣打料及其制备方法与流程

1.本发明涉及锆耐火材料的制备技术领域，具体而言，涉及一种稳定锆捣打料及其制备方法。


背景技术：

2.锆质捣打料是一种流动性强，可塑性强，容易施工的耐火材料。它是具有一定级配的耐火骨料、粉料、结合剂、外加剂加水或其他液体经过混炼而成。目前锆质捣打料存在以下问题：
3.1、抗热震能力较弱，降低其使用寿命；
4.2、产品原料来源比较单一，不利于企业的大规模生产应用；
5.3、在高温氧化气氛下，耐压强度较低，减小了产品使用范围。


技术实现要素：

6.为了克服上述现有技术的缺陷，本发明所要解决的技术问题是：提供一种抗震耐压的稳定锆捣打料及其制备方法。
7.为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：提供一种稳定锆捣打料的制备方法，包括如下步骤：
8.步骤1、将稳定锆空心球或颗粒使用破碎研磨设备分别加工成40目、100目、325目的粒度；所述稳定锆的二氧化硅含量≤0.35％；所述稳定锆为钙稳定锆，镁稳定锆，铝稳定锆或钇稳定锆；
9.步骤2、将步骤1中所得40目、100目、325目的稳定锆与石英石混合搅拌，得第一混合料；所述第一混合料中40目、100目、325目的稳定锆与石英石中二氧化硅含量的质量比为1：2-2.5：2-2.5：1；
10.步骤3、按照步骤2石英石中二氧化硅质量的1-2％向所述第一混合料中加入硼酸进行混合搅拌，得第二混合料；
11.步骤4、按照第二混合料中稳定锆的质量的8-13％，向第二混合料中加入磷酸二氢铝溶液，混合搅拌得第三混合料，然后使用捣固器捣筑结实，阴干；
12.所述磷酸二氢铝溶液由如下重量份原料配制而成：水100份，磷酸二氢铝45-55份；
13.步骤5、步骤4所得第三混合料进行烧结，得稳定锆捣打料。
14.进一步的，上述稳定锆捣打料的制备方法中，所述钙稳定锆中氧化钙的质量百分数为3.0-4.5％。
15.进一步的，上述稳定锆捣打料的制备方法中，所述镁稳定锆中氧化镁的质量百分数为2.5％-3.5％。
16.进一步的，上述稳定锆捣打料的制备方法中，所述铝稳定锆中氧化铝的质量百分数为22％-23％。
17.进一步的，上述稳定锆捣打料的制备方法中，所述钇稳定锆中氧化钇的质量百分
数为7％-9％。
18.进一步的，上述稳定锆捣打料的制备方法中，所述步骤5中的烧结具体为：加热升温180min升温至1200℃，保温4-6h；180min内降温至室温。
19.进一步的，上述稳定锆捣打料的制备方法中，所述步骤2中的石英石的粒度为200目，二氧化硅的质量百分含量为：55-60％。
20.本发明的另一技术方案为提供一种上述稳定锆捣打料的制备方法制备的稳定锆捣打料。
21.本发明的有益效果在于：本发明稳定锆捣打料及其制备方法中，使用稳定锆制作捣打料，能够明显提升普通氧化锆捣打料的硬度强度以及耐腐性能，使最终烧结成型的稳定氧化锆成为优良的耐火材料。同时整个操作过程不产生废弃废料，安全环保。具体的，本发明稳定锆捣打料是使用复合稳定锆、石英、硼酸按一定比例混合，以磷酸铝为结合剂烧结而成。它的优势在于高温下导热率较低，抗热震性较强，化学性稳定，对熔融的二氧化硅及液态金属都具有良好的耐蚀性。能在氧化气氛下稳定工作，不与熔融金属发生化学反应，是一种优良的耐火材料。广泛应用在三项电弧炉炉盖，循环硫化床锅炉等领域。
具体实施方式
22.为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式予以说明。
23.实施例1
24.一种稳定锆捣打料的制备方法，包括如下步骤：
25.步骤1、将稳定锆空心球或颗粒使用破碎研磨设备分别加工成40目、100目、325目的粒度；所述稳定锆的二氧化硅含量≤0.35％；所述稳定锆为钙稳定锆，镁稳定锆，铝稳定锆或钇稳定锆；具体如下表1所示。
26.表1
[0027][0028]
步骤2、将步骤1中所得40目、100目、325目的稳定锆与石英石混合搅拌，得第一混合料；第一混合料中40目、100目、325目的稳定锆与石英石中二氧化硅含量的质量比为1：2-2.5：2-2.5：1；石英石使用破碎研磨设备加工成200目的粒度。加入石英石可以有效提升捣打料的抗热震性。
[0029]
步骤3、按照步骤2石英石中二氧化硅质量的1-2％向所述第一混合料中加入硼酸进行混合搅拌，得第二混合料；加入硼酸可以有效提升捣打料的耐压强度。
[0030]
步骤4、按照第二混合料中稳定锆的质量的8-13％，向第二混合料中加入磷酸二氢
铝溶液，混合搅拌得第三混合料，混合均匀后静置10-15分钟，然后使用捣固器捣筑结实，阴干；在室温下阴干待物料结实有一定强度后，准备下一步烧结。
[0031]
配制磷酸二氢铝溶液，配方如下：水100份，磷酸二氢铝45-55份，充分搅拌后确认无不溶物待用；
[0032]
上述捣筑过程可以手动使用铁棒等反复轻击压实；上述干燥需在室温下自然阴干，不可升温烘干或吹干，以免影响烧结；
[0033]
步骤5、步骤4所得第三混合料进行烧结，得稳定锆捣打料。
[0034]
所述烧结具体为：加热升温180min升温至1200℃，保温4-6h；180min内降温至室温。
[0035]
设定马弗炉升温阶梯，参数如表2所示。
[0036]
表2
[0037]
温度/℃601002004505501200时间/min306090120150180
[0038]
到达1200℃后持续保温烧结4-6小时。
[0039]
设定马弗炉的降温阶梯，参数如表3所示。
[0040]
表3
[0041]
温度/℃1200800600400200室温时间/min306090120150180
[0042]
降至室温后取出制作好的稳定锆捣打料，烧结结束。
[0043]
上述稳定锆捣打料的制备方法具有以下优点：够明显提升普通氧化锆捣打料的硬度强度以及耐腐性能，使最终烧结成型的稳定氧化锆成为优良的耐火材料。同时整个操作过程不产生废弃废料，安全环保。
[0044]
实施例2
[0045]
与实施例1的制备方法相同，但以下参数设定为：
[0046]
稳定锆选择钙稳定锆，其氧化钙含量为：cao：3.0％；
[0047]
使用连续球磨机研磨至40目、100目、325目；
[0048]
石英石的含量为：sio2：55％；
[0049]
磷酸二氢铝溶液配比：水：磷酸二氢铝＝100:45；
[0050]
钙稳定锆40目：100目：325目：石英石中二氧化硅的质量的比＝1:2.5:2.5:1；
[0051]
硼酸加入量为石英石中二氧化硅的质量的1.0％，磷酸二氢铝溶液的加入量为钙稳定锆质量的8％；
[0052]
室温阴干时间：8h；
[0053]
加热升温180min升温至1200℃，保温4h；180min内降温至室温。
[0054]
经上述处理后，得到最终的钙稳定锆捣打料产品。
[0055]
产品性能如下表4。
[0056]
表4
[0057][0058]
实施例3
[0059]
与实施例1的制备方法相同，但以下参数设定为：
[0060]
稳定锆选择镁稳定锆，其氧化镁含量为：mgo：3.5％；
[0061]
使用连续球磨机研磨至40目、100目、325目；
[0062]
石英石氧化硅的含量为：sio2：60％；
[0063]
磷酸二氢铝溶液配比：水：磷酸二氢铝＝100:45；
[0064]
镁稳定锆40目：100目：325目：石英石中二氧化硅的质量比＝1:3:2:1；
[0065]
硼酸加入量为石英石中二氧化硅的质量的1.5％，磷酸二氢铝溶液的加入量为镁稳定锆的9％；
[0066]
室温阴干时间：12h；
[0067]
加热升温180min升温至1200℃，保温5h；180min内降温至室温。
[0068]
经上述处理后，得到最终的镁稳定锆捣打料产品。
[0069]
产品性能如下表5。
[0070]
表5
[0071][0072][0073]
实施例4
[0074]
与实施例1的制备方法相同，但以下参数设定为：
[0075]
稳定锆选择铝稳定锆氧化铝含量为：al2o3：23％；
[0076]
使用连续球磨机研磨至40目、100目、325目；
[0077]
石英石二氧化硅的含量为：sio2：60％；
[0078]
磷酸二氢铝溶液配比：水：磷酸二氢铝＝100:55；
[0079]
铝稳定锆40目：100目：325目：石英石中二氧化硅的质量的比＝1:2:3:1；
[0080]
硼酸加入量为石英石中二氧化硅的质量的1.0％，磷酸二氢铝溶液的加入量为钙稳定锆的13％；
[0081]
室温阴干时间：10h；
[0082]
加热升温180min升温至1200℃，保温6h；180min内降温至室温。
[0083]
经上述处理后，得到最终的铝稳定锆捣打料产品。
[0084]
产品性能如下表6。
[0085]
表6
[0086][0087]
实施例5
[0088]
与实施例1的制备方法相同，但以下参数设定为：
[0089]
稳定锆选择钇稳定锆，其氧化钇含量为：7％；使用连续球磨机研磨至40目、100目、325目；
[0090]
石英石二氧化硅的含量为：sio2：60％；
[0091]
磷酸二氢铝溶液配比：水：磷酸二氢铝＝100:45；
[0092]
钇稳定锆40目：100目：325目：石英石中二氧化硅的质量的比＝1:2.5:3:1.5；
[0093]
硼酸加入量为石英石中二氧化硅的质量的1.5％，磷酸二氢铝溶液的加入量为钇稳定锆质量的13％；
[0094]
室温阴干时间：12h；
[0095]
加热升温180min升温至1200℃，保温6h；180min内降温至室温。
[0096]
经上述处理后，得到最终的钇稳定锆捣打料产品。
[0097]
产品性能如下表7。
[0098]
表7
[0099][0100]
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。