一种异质结太阳能电池及太阳能电池组件的制作方法

1.本实用新型涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种异质结太阳能电池及太阳能电池组件。


背景技术：

2.能源是现代社会发展的基石，随着全球经济社会的不断发展，能源消费也持续增长，随着时间的变迁，化石能源越来越来稀缺，在化石能源紧张的背景下，大规模的开发和发明可再生资源已成为未来能源的重要战略，太阳能是最洁净的清洁能源，可再生能源。太阳能电池是太阳能发电的核心部分，异质结太阳能电池作为新型的太阳能电池，如何提高异质结太阳能电池的光电转换效率是如今的重点研究方向。
3.现有技术中，异质结太阳能电池的正面一般采用本征非晶硅层叠加一层厚度均匀的掺杂非晶硅层，掺杂非晶硅层整面覆盖本征非晶硅层，通常本征非晶硅层有着很好的钝化效果，而掺杂非晶硅层的厚度必须达到一定值或者掺杂浓度达到一定值，才能起到好的效果。但由于掺杂非晶硅层存在对光较大的寄生吸收效应，其厚度必须控制在比较低的范围，但是由于还需要兼备电子选择性传输的属性，使掺杂非晶硅层厚度始终无法进一步降低，导致电池对光的寄生吸收效应大，电流损失较大，从而影响异质结太阳能电池的光电转换效率。


技术实现要素：

4.本实用新型提供一种异质结太阳能电池，旨在解决现有技术中的异质结太阳能电池对光寄生吸收效应大，从而影响异质结太阳能电池光电转换效率的问题。
5.本实用新型是这样实现的，提供一种异质结太阳能电池，包括晶体硅片，所述晶体硅片的正面依次设置第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一tco导电层和第一电极，所述晶体硅片的背面依次设置第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅层、第二tco导电层和第二电极；
6.所述第一掺杂非晶硅层包括轻掺杂非晶硅层、以及设置于所述轻掺杂非晶硅层上的重掺杂非晶硅层，所述重掺杂非晶硅层包括通过间隔区域形成间隔的多个重掺区域，多个所述重掺区域分别与所述第一电极的位置相对应，且所述第一tco导电层填充所述间隔区域。
7.优选的，所述第一电极为依次相互间隔设置的多个，多个所述第一电极沿第一方向设置，所述重掺区域及所述间隔区域沿所述第一方向同时贯穿所述晶体硅片的正面，每个所述重掺区域的宽度大于对应所述第一电极的宽度。
8.优选的，所述间隔区域的宽度为1mm-2mm；所述重掺区域的宽度为30-150um；和/或，所述轻掺杂非晶硅层的厚度为2-4nm，所述重掺杂非晶硅层的厚度为1-3nm。
9.优选的，所述晶体硅片为n型，所述第一掺杂非晶硅层为n型，第二掺杂非晶硅层为p型；或，所述晶体硅片为p型，所述第一掺杂非晶硅层为p型，第二掺杂非晶硅层为n型。
10.本实用新型还提供一种异质结太阳能电池，包括晶体硅片，所述晶体硅片的正面依次设置第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一tco导电层和第一电极，所述晶体硅片的背面依次设置第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅层、第二tco导电层和第二电极；
11.所述第二掺杂非晶硅层包括轻掺杂非晶硅层、以及设置于所述轻掺杂非晶硅层上的重掺杂非晶硅层，所述重掺杂非晶硅层包括通过间隔区域形成间隔的多个重掺区域，多个所述重掺区域分别与所述第二电极的位置相对应，且所述第二tco导电层填充所述间隔区域。
12.优选的，所述第二电极为依次相互间隔设置的多个，多个所述第二电极沿第一方向设置，所述重掺区域及所述间隔区域沿所述第一方向同时贯穿所述晶体硅片的背面，每个所述重掺区域的宽度大于对应所述第二电极的宽度。
13.优选的，所述间隔区域的宽度为1mm-2mm；所述重掺区域的宽度为30-150um；和/或，所述轻掺杂非晶硅层的厚度为2-4nm，所述重掺杂非晶硅层的厚度为1-3nm。
14.本实用新型还提供一种异质结太阳能电池，包括晶体硅片，所述晶体硅片的正面依次设置第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一tco导电层和第一电极，所述晶体硅片的背面依次设置第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅层、第二tco导电层和第二电极；
15.所述第一掺杂非晶硅层和所述第二掺杂非晶硅层均包括轻掺杂非晶硅层、以及设置于所述轻掺杂非晶硅层上的重掺杂非晶硅层，所述第一掺杂非晶硅层及所述第二掺杂非晶硅层的所述重掺杂非晶硅层均包括通过间隔区域形成间隔的多个重掺区域，所述第一掺杂非晶硅层的多个所述重掺区域分别与所述第一电极的位置相对应，且所述第一tco导电层填充所述第一掺杂非晶硅层的所述间隔区域；所述第二掺杂非晶硅层的多个所述重掺区域分别与所述第二电极的位置相对应，且所述第二tco导电层填充所述第二掺杂非晶硅层的所述间隔区域。
16.优选的，所述第一电极为依次间隔设置的多个，多个所述第一电极沿第一方向设置，所述第一掺杂非晶硅层的所述重掺区域及所述间隔区域沿所述第一方向同时贯穿所述晶体硅片的正面，所述第一掺杂非晶硅层的每个所述重掺区域的宽度大于对应所述第一电极的宽度；和/或，所述第二电极为依次间隔设置的多个，多个所述第二电极沿第一方向设置，所述第二掺杂非晶硅层的所述重掺区域及所述间隔区域沿所述第一方向同时贯穿所述晶体硅片的背面，所述第二掺杂非晶硅层的每个所述重掺区域的宽度大于对应所述第二电极的宽度。
17.优选的，所述间隔区域的宽度为1mm-2mm；所述重掺区域的宽度为30-150um；和/或，所述轻掺杂非晶硅层的厚度为2-4nm，所述重掺杂非晶硅层的厚度为1-3nm。
18.本实用新型还提供一种太阳能电池组件，包括上述的异质结太阳能电池。
19.本实用新型提供的一种异质结太阳能电池通过将第一掺杂非晶硅层和/或第二掺杂非晶硅层设置成包括轻掺杂非晶硅层以及重掺杂非晶硅层，重掺杂非晶硅层包括通过间隔区域形成间隔的多个重掺区域，多个重掺区域分别与电极位置相对应，且tco导电层填充所述间隔区域，使重掺杂非晶硅层采用非整面覆盖本征非晶硅层，相比传统的异质结太阳能电池采用一层掺杂非晶硅层整面覆盖本征非晶硅层，可以减小对本征非晶硅层的整体钝化影响，从而提升电池钝化效果；而且，由于重掺杂非晶硅层的间隔区域位置为单层掺杂非晶硅层，与具有相同厚度掺杂非晶硅层的传统异质结太阳能电池相比，由于间隔区域位置
的掺杂非晶硅层厚度大大降低，使得此区域对光的寄生吸收减小，从而减小电池对光的寄生吸收效应，增大光生电流，提升太阳能电池的转换效率。
附图说明
20.图1为本实用新型实施例一提供的一种异质结太阳能电池的结构示意图；
21.图2为本实用新型实施例一提供的一种异质结太阳能电池的第一掺杂非晶硅层的结构示意图；
22.图3为本实用新型实施例二提供的一种异质结太阳能电池的结构示意图；
23.图4为本实用新型实施例三提供的一种异质结太阳能电池的结构示意图.
具体实施方式
24.为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
25.本实用新型实施例提供的一种异质结太阳能电池通过将第一掺杂非晶硅层和/或第二掺杂非晶硅层设置成包括轻掺杂非晶硅层以及重掺杂非晶硅层，重掺杂非晶硅层包括通过间隔区域形成间隔的多个重掺区域，多个重掺区域分别与电极位置相对应，且利用tco导电层填充间隔区域，使重掺杂非晶硅层采用非整面覆盖本征非晶硅层，相比传统的异质结太阳能电池采用一层掺杂非晶硅层整面覆盖本征非晶硅层，可以减小对本征非晶硅层的整体钝化影响，从而提升电池钝化效果；而且，由于重掺杂非晶硅层的间隔区域位置为单层掺杂非晶硅层，与具有相同厚度的掺杂非晶硅层的传统异质结太阳能电池相比，由于间隔区域位置的掺杂非晶硅层厚度大大降低，使得此区域对光的寄生吸收减小，从而减小电池对光的寄生吸收效应，增大光生电流，提升太阳能电池的转换效率。
26.实施例一
27.请参照图1-图2，本实用新型实施例提供的一种异质结太阳能电池，包括晶体硅片1，晶体硅片1的正面依次设置第一本征非晶硅层2、第一掺杂非晶硅层3、第一tco导电层4和第一电极5；n型晶体硅片1的背面依次设置第二本征非晶硅层6、第二掺杂非晶硅层7、第二tco导电层8和第二电极9；
28.第一掺杂非晶硅层3包括轻掺杂非晶硅层31、以及设置于轻掺杂非晶硅层31上的重掺杂非晶硅层32，重掺杂非晶硅层32包括通过间隔区域322形成间隔的多个重掺区域321，多个重掺区域321分别与第一电极5的位置相对应，且第一tco导电层4填充间隔区域322。其中，重掺区域321即为沉积重掺杂非晶硅层的区域，间隔区域322则为无需沉积重掺杂非晶硅层的区域，间隔区域322可以具体为间隔槽。
29.作为本实用新型的一个实施例，第一本征非晶硅层29(i-a:si)及第二本征非晶硅层6(i-a:si)的厚度分别为3-8nm，以使第一本征非晶硅层2及第二本征非晶硅层6保持良好的钝化效果。
30.本实用新型实施例中，晶体硅片1为n型，第一掺杂非晶硅层3为n型，第二掺杂非晶硅层7为p型；或，晶体硅片1为p型，第一掺杂非晶硅层3为p型，第二掺杂非晶硅层7为n型。其中，当第一掺杂非晶硅层3为n型时，即轻掺杂非晶硅层31及重掺杂非晶硅层32均为n型掺杂
非晶硅层；当第一掺杂非晶硅层3为p型时，即轻掺杂非晶硅层31及重掺杂非晶硅层32均为p型掺杂非晶硅层。
31.作为本实用新型的一个优选实施例，晶体硅片1为n型(n-si)，第一掺杂非晶硅层3为n型，第二掺杂非晶硅层7为p型。在本实施例中，第一掺杂非晶硅层3由n型轻掺杂非晶硅层31(n-a:si)及n型重掺杂非晶硅层32(n
-a:si)组成，第二掺杂非晶硅层7为一层p型掺杂非晶硅(p-a:si)，既确保电池对光的寄生效应吸小，且使电池结构更加简单。
32.本实用新型实施例中，轻掺杂非晶硅层31的掺杂浓度为0-1％；重掺杂非晶硅层32的掺杂浓度为3-5％，确保良好的载流子收集能力，有利于提升电池效率。轻掺杂非晶硅层31及掺杂非晶硅层32的掺杂浓度可以根据实际需要设定。
33.本实用新型实施例中，通过将第一掺杂非晶硅层3设置成轻掺杂非晶硅层31以及设置于轻掺杂非晶硅层31上的重掺杂非晶硅层32，重掺杂非晶硅层32包括通过间隔区域322形成间隔的多个重掺区域321，相邻重掺区域321通过间隔区域322相间隔，多个重掺区域321分别与第一电极5的位置相对应，并利用第一tco导电层4填充间隔区域322，使重掺杂非晶硅层32采用非整面覆盖第一本征非晶硅层2，相比传统的异质结太阳能电池采用一层掺杂非晶硅层整面覆盖第一本征非晶硅层2，可以减小对第一本征非晶硅层2的整体钝化影响，从而提升电池钝化效果；而且，由于重掺杂非晶硅层32的间隔区域322位置为单层非晶硅层，与具有相同厚度的掺杂非晶硅层的传统异质结太阳能电池相比，由于第一掺杂非晶硅层的间隔区域322位置厚度大大降低，使得此区域对光的寄生吸收减小，从而增大光生电流，提升太阳能电池的转换效率。
34.作为本实用新型的一个实施例，轻掺杂非晶硅层31的厚度为2-4nm，使轻掺杂非晶硅层31具有良好的电子选择传输效果。
35.作为本实用新型的一个实施例，重掺杂非晶硅层32的厚度为1-3nm，使第一掺杂非晶硅层3的总厚度可以确保非晶硅层31具有良好的电子选择传输效果，且同时确保第一掺杂非晶硅层3对光的寄生吸收效应较小。
36.作为本实用新型的一个实施例，第一电极5为依次间隔设置的多个，多个第一电极5沿第一方向设置，重掺区域321及间隔区域322沿第一方向同时贯穿晶体硅片1的正面，每个重掺区域321的宽度a大于对应第一电极5的宽度b。其中，第一电极5呈条形设置，重掺区域321及间隔区域322沿第一方向呈条形设置。第一方向为沿晶体硅片1的长度方向，多个第一电极5沿晶体硅片1的宽度方向依次间隔设置。除此之外，第一电极5还可以设置成其它形状，且重掺区域321及间隔区域322的形状与第一电极5的形状相匹配。
37.本实施例中，第一电极5沿第一方向贯穿晶体硅片1的正面，即第一电极5的长度等于晶体硅片1的长度，以使重掺区域321与第一电极5更好的接触。每个重掺区域321的设置位置与每条第一电极5的位置一一对应，且由于每个重掺区域321的宽度大于对应第一电极5的宽度，使重掺区域321与第一电极5形成更好的接触，确保具有良好的电子选择传输效果。
38.作为本实用新型的一个优选实施例，间隔区域322的宽度为1mm-2mm。除本实施例外，间隔区域322的宽度还可以根据实际需要进行设置。
39.作为本实用新型的一个实施例，重掺区域321的宽度为30-150um。除本实施例外，重掺区域321的宽度还可以根据实际需要进行设置。
40.作为本实用新型的一个实施例，第二掺杂非晶硅层7的厚度为8-15nm。
41.作为本实用新型的一个实施例，第一tco导电层4和第二tco导电层8均为透明ito(锡掺杂氧化铟)薄膜，第一tco导电层4和第二tco导电层8具有良好的导电性和光学性能，提高了异质结太阳能电池的性能。其中，tco为透明导电氧化物(transparent conductive oxide，简称tco)。除此之外，第一tco导电层4和第二tco导电层8还可以是fto(氟掺杂氧化锡)薄膜或azo(铝掺杂氧化锌)薄膜。
42.本实用新型实施例的异质结太阳能电池的具体制备过程如下：
43.(1)、选取经制绒的晶体硅片1；
44.(2)、在步骤(1)制得的硅片正面进行第一本征非晶硅层2的沉积，再进行轻掺杂非晶硅层31的沉积；
45.(3)、在步骤(2)制得的硅片正面采用硬掩模版方法进行重掺杂非晶硅层32的沉积；
46.(4)、在步骤(3)制得的硅片正面进行第二本征非晶硅层6的沉积，再进行第二掺杂非晶硅层7的沉积；
47.(5)、在步骤(4)制得的硅片的正面及背面分别进行第一tco导电层4和第二tco导电层8的沉积；
48.(6)、在步骤(5)制得的硅片的正面及背面利用丝网印刷技术进行第一电极5、第二电极9的制备。
49.本实用新型实施例提供的一种异质结太阳能电池通过将第一掺杂非晶硅层设置成包括轻掺杂非晶硅层以及重掺杂非晶硅层，重掺杂非晶硅层包括与第一电极位置相对应的多个重掺区域，相邻两个重掺区域通过间隔区域形成间隔，并利用第一tco导电层填充间隔区域，使重掺杂非晶硅层采用非整面覆盖第一本征非晶硅层，相比传统的异质结太阳能电池采用一层掺杂非晶硅层整面覆盖第一本征非晶硅层，可以减小对第一本征非晶硅层的整体钝化影响，从而提升电池钝化效果；而且，由于重掺杂非晶硅层的间隔区域位置为单层非晶硅层，与具有相同厚度非晶硅层的传统异质结太阳能电池相比，由于第一掺杂非晶硅层的间隔区域位置的厚度大大降低，使得此区域对光的寄生吸收减小，从而增大光生电流，提升太阳能电池的转换效率。
50.实施例二
51.请结合参照图2和图3，本实用新型实施例提供的一种异质结太阳能电池，包括晶体硅片1，晶体硅片1的正面依次设置第一本征非晶硅层2、第一掺杂非晶硅层3、第一tco导电层4和第一电极5；n型晶体硅片1的背面依次设置第二本征非晶硅层6、第二掺杂非晶硅层7、第二tco导电层8和第二电极9；
52.第二掺杂非晶硅层7包括轻掺杂非晶硅层31、以及设置于轻掺杂非晶硅层31上的重掺杂非晶硅层32，重掺杂非晶硅层32包括通过间隔区域322形成间隔的多个重掺区域321，多个重掺区域321分别与第二电极9的位置相对应，且第二tco导电层8填充间隔区域322。
53.本实用新型实施例中，晶体硅片1为n型，第一掺杂非晶硅层3为n型，即，第二掺杂非晶硅层7为p型；或，晶体硅片1为p型，第一掺杂非晶硅层3为p型，第二掺杂非晶硅层7为n型。
54.作为本实用新型的一个实施例，第二电极9为依次相互间隔设置的多个，多个第二电极9沿第一方向设置，重掺区域321及间隔区域322沿第一方向同时贯穿晶体硅片1的背面，每个重掺区域321的宽度a大于对应第二电极9的宽度c。
55.本实施例中，第二电极9呈条形设置，第二电极9沿第一方向贯穿晶体硅片1的背面，即第二电极9的长度等于晶体硅片1的长度，以使重掺区域321与第二电极9更好的接触。第二掺杂非晶硅层7的每个重掺区域321的设置位置与每条第二电极9的位置一一对应。其中，第一方向为沿晶体硅片1的长度方向，多个第二电极9沿晶体硅片1的宽度方向依次间隔设置。除此之外，第二电极9还可以设置成其它形状，且重掺区域321及间隔区域322的形状与第二电极9的形状相匹配。
56.作为本实用新型的一个优选实施例，间隔区域322的宽度为1mm-2mm。除本实施例外，间隔区域322的宽度还可以根据实际需要进行设置。
57.作为本实用新型的一个实施例，重掺区域321的宽度为30-150um。除本实施例外，重掺区域321的宽度还可以根据实际需要进行设置。
58.其中，第二掺杂非晶硅层7的重掺区域322的宽度及第二电极9的宽度可以根据实际需要进行设置。
59.作为本实用新型的一个实施例，轻掺杂非晶硅层31的厚度为2-4nm，使轻掺杂非晶硅层31具有良好的电子选择传输效果。
60.作为本实用新型的一个实施例，重掺杂非晶硅层32的厚度为1-3nm，使第二掺杂非晶硅层3的总厚度可以确保具有良好的电子选择传输效果，且同时确保第一掺杂非晶硅层3对光的寄生吸收效应较小。
61.作为本实用新型的一个实施例，第一本征非晶硅层2及第二本征非晶硅层6的厚度分别为3-8nm，以使第一本征非晶硅层2及第二本征非晶硅层6保持良好的钝化效果。
62.本实用新型实施例中，轻掺杂非晶硅层31的掺杂浓度为0-1％；重掺杂非晶硅层32的掺杂浓度为3-5％。轻掺杂非晶硅层31及掺杂非晶硅层32的掺杂浓度可以根据实际需要设定。
63.本实施例提供的一种异质结太阳能电池通过将第二掺杂非晶硅层设置成包括轻掺杂非晶硅层以及重掺杂非晶硅层，重掺杂非晶硅层包括与第二电极位置相对应的多个重掺区域，相邻两个重掺区域通过间隔区域形成间隔，并利用第二tco导电层填充间隔区域，使重掺杂非晶硅层采用非整面覆盖第二本征非晶硅层，相比传统的异质结太阳能电池采用一层掺杂非晶硅层整面覆盖第二本征非晶硅层，可以减小对第二本征非晶硅层的整体钝化影响，从而提升电池钝化效果；而且，由于重掺杂非晶硅层的间隔区域位置为单层非晶硅层，与具有相同厚度非晶硅层的传统异质结太阳能电池相比，由于第二掺杂非晶硅层的间隔区域位置厚度大大降低，使得此区域对光的寄生吸收减小，从而增大光生电流，提升太阳能电池的转换效率。
64.实施例三
65.请结合参照图2和图4，本实用新型实施例提供的一种异质结太阳能电池，包括晶体硅片1，晶体硅片1的正面依次设置第一本征非晶硅层2、第一掺杂非晶硅层3、第一tco导电层4和第一电极5；n型晶体硅片1的背面依次设置第二本征非晶硅层6、第二掺杂非晶硅层7、第二tco导电层8和第二电极9；
66.第一掺杂非晶硅层3和第二掺杂非晶硅层7均包括轻掺杂非晶硅层31、以及设置于轻掺杂非晶硅层31上的重掺杂非晶硅层32，第一掺杂非晶硅层3和第二掺杂非晶硅层7的重掺杂非晶硅层32包括通过间隔区域322形成间隔的多个重掺区域321，第一掺杂非晶硅层3的多个重掺区域321分别与第一电极5的位置相对应，且第一tco导电层4填充第一掺杂非晶硅层31的间隔区域322；第二掺杂非晶硅层7的多个重掺区域322分别与第二电极9的位置相对应，且第二tco导电层8填充第二掺杂非晶硅层7的间隔区域322。
67.本实施例中，第一掺杂非晶硅层3和第二掺杂非晶硅层7完全相同，且第一掺杂非晶硅层3和第二掺杂非晶硅层7的结构均与实施例一的第一掺杂非晶硅层3相同。
68.作为本实用新型的一个实施例，第一电极5为相邻间隔设置的多个，第一掺杂非晶硅层3的重掺区域322的宽度a大于对应第一电极5的宽度b，使重掺区域321与第一电极5形成更好的接触，确保第一掺杂非晶硅层3良好的电子选择传输效果。其中，第一掺杂非晶硅层3的重掺区域322的宽度及第一电极5的宽度可以根据实际需要进行设置。
69.作为本实用新型的一个实施例，第一电极5为依次间隔设置的多个，多个第一电极5沿第一方向设置，重掺区域321及间隔区域322沿第一方向同时贯穿晶体硅片1的正面，即重掺区域321及间隔区域322的长度与晶体硅片1的长度相等，每个重掺区域321的宽度a大于对应第一电极5的宽度b。其中，第一电极5呈条形分布，第一方向为沿晶体硅片1的长度方向，多个第一电极5沿晶体硅片1的宽度方向依次间隔设置。
70.作为本实用新型的一个实施例，所述第二电极9为依次相互间隔设置的多个，多个所述第二电极9沿第一方向设置，所述重掺区域321及所述间隔区域322沿所述第一方向同时贯穿所述晶体硅片1的背面，每个所述重掺区域321的宽度a大于对应所述第二电极9的宽度c，使第二掺杂非晶硅层7的重掺区域322与第二电极9形成更好的接触，确保第二掺杂非晶硅层7良好的电子选择传输效果。本实施例中，所述第二电极9呈条形分布，第二掺杂非晶硅层7的每个重掺区域321的设置位置与每条第二电极9的位置一一对应。其中，第一方向为沿晶体硅片1的长度方向，多个所述第二电极9沿晶体硅片1的宽度方向依次间隔设置。
71.作为本实用新型的一个优选实施例，间隔区域322的宽度为1mm-2mm，即第一掺杂非晶硅层3和第二掺杂非晶硅层7的间隔区域322的宽度均为1mm-2mm。除本实施例外，间隔区域322的宽度还可以根据实际需要进行设置。
72.作为本实用新型的一个实施例，重掺区域321的宽度为30-150um，即第一掺杂非晶硅层3和第二掺杂非晶硅层7的重掺区域321的宽度为30-150um。除本实施例外，重掺区域321的宽度还可以根据实际需要进行设置。
73.其中，第一掺杂非晶硅层3及第二掺杂非晶硅层7的重掺区域322的宽度及第一电极5、第二电极9的宽度可以根据实际需要进行设置。
74.作为本实用新型的一个实施例，轻掺杂非晶硅层31的厚度为2-4nm，使轻掺杂非晶硅层31具有良好的电子选择传输效果。
75.作为本实用新型的一个实施例，重掺杂非晶硅层32的厚度为1-3nm，使第二掺杂非晶硅层3的总厚度可以确保具有良好的电子选择传输效果，且同时确保第一掺杂非晶硅层3对光的寄生吸收效应较小。
76.本实用新型实施例提供的一种异质结太阳能电池通过将第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层同时设置成包括轻掺杂非晶硅层以及重掺杂非晶硅层，重掺杂非晶硅层包
括通过间隔区域形成间隔的多个重掺区域，多个重掺区域分别与对应的电极位置相对应，且tco导电层填充间隔区域，使重掺杂非晶硅层采用非整面覆盖本征非晶硅层，相比传统的异质结太阳能电池采用一层掺杂非晶硅层整面覆盖本征非晶硅层，可以减小对本征非晶硅层的整体钝化影响，从而提升电池钝化效果；而且，由于第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层的重掺杂非晶硅层的间隔区域位置为单层掺杂非晶硅层，与具有相同厚度非晶硅层的传统异质结太阳能电池相比，第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层的间隔区域位置的厚度大大降低，使得此区域对光的寄生吸收减小，因而利用第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层可以同时减小电池正面及背面对光的寄生吸收效应，从而进一步增大光生电流，进一步提升太阳能电池的转换效率。
77.实施例四
78.本实施例还提供一种太阳能电池组件，包括上述实施例一、实施例二或实施例三的异质结太阳能电池。本实用新型实施例的太阳能电池组件通过设置上述实施例的异质结太阳能电池，可以有效提升太阳能电池的转换效率。
79.以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。