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一种异质结太阳能电池及太阳能电池组件的制作方法

2022-02-20 04:29:32 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种异质结太阳能电池,其特征在于,包括晶体硅片,所述晶体硅片的正面依次设置第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一tco导电层和第一电极,所述晶体硅片的背面依次设置第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅层、第二tco导电层和第二电极;所述第一掺杂非晶硅层包括轻掺杂非晶硅层、以及设置于所述轻掺杂非晶硅层上的重掺杂非晶硅层,所述重掺杂非晶硅层包括通过间隔区域形成间隔的多个重掺区域,多个所述重掺区域分别与所述第一电极的位置相对应,且所述第一tco导电层填充所述间隔区域。2.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池,其特征在于,所述第一电极为依次相互间隔设置的多个,多个所述第一电极沿第一方向设置,所述重掺区域及所述间隔区域沿所述第一方向同时贯穿所述晶体硅片的正面,每个所述重掺区域的宽度大于对应所述第一电极的宽度。3.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池,其特征在于,所述间隔区域的宽度为1mm-2mm;所述重掺区域的宽度为30-150um;和/或,所述轻掺杂非晶硅层的厚度为2-4nm,所述重掺杂非晶硅层的厚度为1-3nm。4.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池,其特征在于,所述晶体硅片为n型,所述第一掺杂非晶硅层为n型,第二掺杂非晶硅层为p型;或,所述晶体硅片为p型,所述第一掺杂非晶硅层为p型,第二掺杂非晶硅层为n型。5.一种异质结太阳能电池,其特征在于,包括晶体硅片,所述晶体硅片的正面依次设置第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一tco导电层和第一电极,所述晶体硅片的背面依次设置第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅层、第二tco导电层和第二电极;所述第二掺杂非晶硅层包括轻掺杂非晶硅层、以及设置于所述轻掺杂非晶硅层上的重掺杂非晶硅层,所述重掺杂非晶硅层包括通过间隔区域形成间隔的多个重掺区域,多个所述重掺区域分别与所述第二电极的位置相对应,且所述第二tco导电层填充所述间隔区域。6.根据权利要求5所述的一种异质结太阳能电池,其特征在于,所述第二电极为依次相互间隔设置的多个,多个所述第二电极沿第一方向设置,所述重掺区域及所述间隔区域沿所述第一方向同时贯穿所述晶体硅片的背面,每个所述重掺区域的宽度大于对应所述第二电极的宽度。7.根据权利要求5所述的一种异质结太阳能电池,其特征在于,所述间隔区域的宽度为1mm-2mm;所述重掺区域的宽度为30-150um;和/或,所述轻掺杂非晶硅层的厚度为2-4nm,所述重掺杂非晶硅层的厚度为1-3nm。8.一种异质结太阳能电池,其特征在于,包括晶体硅片,所述晶体硅片的正面依次设置第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一tco导电层和第一电极,所述晶体硅片的背面依次设置第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅层、第二tco导电层和第二电极;所述第一掺杂非晶硅层和所述第二掺杂非晶硅层均包括轻掺杂非晶硅层、以及设置于所述轻掺杂非晶硅层上的重掺杂非晶硅层,所述第一掺杂非晶硅层及所述第二掺杂非晶硅层的所述重掺杂非晶硅层均包括通过间隔区域形成间隔的多个重掺区域,所述第一掺杂非晶硅层的多个所述重掺区域分别与所述第一电极的位置相对应,且所述第一tco导电层填充所述第一掺杂非晶硅层的所述间隔区域;所述第二掺杂非晶硅层的多个所述重掺区域分别与所述第二电极的位置相对应,且所述第二tco导电层填充所述第二掺杂非晶硅层的所述间隔区域。
9.根据权利要求8所述的一种异质结太阳能电池,其特征在于,所述第一电极为依次间隔设置的多个,多个所述第一电极沿第一方向设置,所述第一掺杂非晶硅层的所述重掺区域及所述间隔区域沿所述第一方向同时贯穿所述晶体硅片的正面,所述第一掺杂非晶硅层的每个所述重掺区域的宽度大于对应所述第一电极的宽度;和/或,所述第二电极为依次间隔设置的多个,多个所述第二电极沿第一方向设置,所述第二掺杂非晶硅层的所述重掺区域及所述间隔区域沿所述第一方向同时贯穿所述晶体硅片的背面,所述第二掺杂非晶硅层的每个所述重掺区域的宽度大于对应所述第二电极的宽度。10.根据权利要求8所述的一种异质结太阳能电池,其特征在于,所述间隔区域的宽度为1mm-2mm;所述重掺区域的宽度为30-150um;和/或,所述轻掺杂非晶硅层的厚度为2-4nm,所述重掺杂非晶硅层的厚度为1-3nm。11.一种太阳能电池组件,其特征在于,包括如权利要求1-10任意一项所述的异质结太阳能电池。

技术总结
本实用新型适用太阳能电池技术领域,提供了一种异质结太阳能电池及太阳能电池组件,该异质结太阳能电池包括晶体硅片,晶体硅片的正面依次设置第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一TCO导电层和第一电极,晶体硅片的背面依次设置第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅层、第二TCO导电层和第二电极;第一掺杂非晶硅层包括轻掺杂非晶硅层、以及设置于轻掺杂非晶硅层上的重掺杂非晶硅层,重掺杂非晶硅层包括通过间隔区域形成间隔的多个重掺区域,多个重掺区域分别与第一电极的位置相对应,且第一TCO导电层填充间隔区域。本实用新型提供的异质结太阳能电池可提升电池钝化效果,减小电池对光的寄生吸收效应,增大光生电流,提升太阳能电池的转换效率。能电池的转换效率。能电池的转换效率。


技术研发人员:吴智涵 王永谦 林纲正 陈刚
受保护的技术使用者:浙江爱旭太阳能科技有限公司
技术研发日:2021.08.31
技术公布日:2022/1/7
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