测试结构的制作方法

技术特征：
1.一种测试结构，其特征在于，所述测试结构包括间隔排布的多个测试焊盘组，所述多个测试焊盘组位于衬底的切割道上，每个所述测试焊盘组包括间隔设置的两个测试焊盘，每个所述测试焊盘中具有一间隔开口，所述间隔开口在厚度方向上贯穿所述测试焊盘。2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试焊盘用于与测试探针电连接，所述间隔开口在水平方向上的截面面积等于或者大于所述测试探针与所述测试焊盘之间的接触面积。3.如权利要求1或2所述的测试结构，其特征在于，所述间隔开口在所述水平方向上的截面呈矩形，所述间隔开口在长度方向上的尺寸为45μm～55μm，在宽度方向上的尺寸为4μm～6μm。4.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括一连接焊盘，所述连接焊盘设置于所述多个测试焊盘中的相邻的两个测试焊盘组之间。5.如权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括位于所述衬底的切割道上的多个互连结构，每个所述测试焊盘组的所述两个测试焊盘之间设有一个所述互连结构，所述互连结构与所述两个测试焊盘电连接，并且所述连接焊盘与所述测试焊盘之间设有一个所述互连结构。6.如权利要求5所述的测试结构，其特征在于，所述互连结构包括第一金属线、位于所述第一金属线上的第二金属线以及位于所述第一金属线与所述第二金属线之间的多个接触结构，所述第一金属线与所述第二金属线之间通过所述多个接触结构电连接，其中，所述第一金属线的两端通过两个所述接触结构与所述两个测试焊盘电连接。7.如权利要求6所述的测试结构，其特征在于，所述第一金属线包括多个间隔设置的第一金属段，所述第二金属线包括多个间隔设置的第二金属段，所述第一金属段与所述第二金属段相错设置，每个所述第一金属段的两端分别通过一个所述接触结构连接于相邻的两个所述第二金属段，多个所述接触结构构成链状接触结构。8.如权利要求5所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括第三金属线，所述第三金属线与所述多个测试焊盘组和所述互连结构间隔设置，且每个所述互连结构通过所述第三金属线电连接至所述连接焊盘。9.如权利要求8所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括位于所述衬底的切割道自下而上依次层叠的第一层间介质层、第二层间介质层和第三层间介质层，所述第一金属线钳设于所述第一层间介质层中，所述第二金属线和所述多个接触结构嵌设于所述第二层间介质层中，所述连接焊盘、所述第三金属线和所述多个焊盘组均嵌设于所述第三层间介质层中。10.如权利要求9所述的测试结构，其特征在于，所述第一层间介质层的材质、所述第二层间介质层的材质和所述第三层间介质层的材质均为氧化硅。

技术总结
本发明提供一种测试结构，所述测试结构包括间隔排布的多个测试焊盘组，所述多个测试焊盘组位于衬底的切割道上，每个所述测试焊盘组包括间隔设置的两个测试焊盘，每个所述测试焊盘中具有一间隔开口，所述间隔开口在厚度方向上贯穿所述测试焊盘，由于所述测试焊盘中具有一间隔开口，当与所述测试焊盘接触的测试探针在所述测试焊盘表面发生滑动时，所述间隔开口可以阻挡所述测试探针的滑动，由此避免测试探针滑动至邻近的金属线，从而避免邻近的测试焊盘之间的短接，进而解决因邻近的测试焊盘之间的短接而造成的测试数据不真实的问题。的短接而造成的测试数据不真实的问题。的短接而造成的测试数据不真实的问题。


技术研发人员：陈宏
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2021.09.29
技术公布日：2022/1/6