具有垂直结构的存储器装置的制作方法

技术特征：
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：单元晶圆，所述单元晶圆包括存储器单元阵列；以及外围晶圆，所述外围晶圆包括行控制电路、列控制电路和外围电路，所述外围晶圆在第一方向上层叠在所述单元晶圆上并接合到所述单元晶圆，所述外围晶圆包括：第一基板，所述第一基板具有在所述第一方向上彼此背对的第一表面和第二表面；第一逻辑结构，所述第一逻辑结构设置在所述第一基板的所述第一表面上，所述第一逻辑结构包括所述行控制电路和所述列控制电路；以及第二逻辑结构，所述第二逻辑结构设置在所述第一基板的所述第二表面上，所述第二逻辑结构包括所述外围电路。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一表面在所述第一方向上比所述第二表面更靠近所述单元晶圆。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述单元晶圆在所述单元晶圆的接合到所述外围晶圆的一个表面上包括联接到所述存储器单元阵列的字线和位线的多个第一接合焊盘，并且其中，所述外围晶圆在所述外围晶圆的接合到所述单元晶圆的一个表面上包括接合到所述多个第一接合焊盘的多个第二接合焊盘，所述多个第二接合焊盘中的每一个联接到所述行控制电路或所述列控制电路。4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述行控制电路和所述列控制电路中的每一个通过穿过所述第一基板的通孔联接到所述外围电路。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述存储器单元阵列包括：多条字线和多个层间电介质层，所述多条字线和所述多个层间电介质层交替层叠在第二基板上；以及多个垂直沟道，所述多个垂直沟道穿过所述多条字线和所述多个层间电介质层。6.一种存储器装置，该存储器装置包括：逻辑电路部件，所述逻辑电路部件包括行控制电路、列控制电路和外围电路；以及单元部件，所述单元部件在第一方向上层叠在所述逻辑电路部件上，并且包括存储器单元阵列，所述逻辑电路部件包括：基板，所述基板具有在所述第一方向上彼此背对的第一表面和第二表面；第一逻辑电路部件，所述第一逻辑电路部件设置在所述基板的所述第一表面上，并且包括所述行控制电路和所述列控制电路；以及第二逻辑电路部件，所述第二逻辑电路部件设置在所述基板的所述第二表面上，并且包括所述外围电路。7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述第一表面在所述第一方向上比所述第二表面更靠近所述单元部件。8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述行控制电路和所述列控制电路中的每一个通过穿过所述基板的通孔联接到所述外围电路。9.根据权利要求7所述的存储器装置，
其中，所述第一逻辑电路部件还包括覆盖所述行控制电路和所述列控制电路的第一电介质层以及在所述第一电介质层中限定的第一布线，其中，所述第二逻辑电路部件还包括覆盖所述外围电路的第二电介质层以及在所述第二电介质层中限定的第二布线，并且其中，所述第二布线由电阻率低于所述第一布线的电阻率的材料形成。10.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述存储器单元阵列包括：源极板，所述源极板层叠在所述第一逻辑电路部件上；多条字线和多个层间电介质层，所述多条字线和所述多个层间电介质层交替层叠在所述源极板上；以及多个垂直沟道，所述多个垂直沟道穿过所述多条字线和所述多个层间电介质层。11.一种存储器装置，该存储器装置包括：单元晶圆，所述单元晶圆包括存储器单元阵列；第一外围晶圆，所述第一外围晶圆包括行控制电路和列控制电路；以及第二外围晶圆，所述第二外围晶圆包括外围电路，其中，所述第一外围晶圆和所述第二外围晶圆在第一方向上层叠在所述单元晶圆上，并且所述行控制电路、所述列控制电路和所述外围电路控制所述存储器单元阵列。12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，所述第一外围晶圆在所述第一方向上比所述第二外围晶圆更靠近所述单元晶圆。13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，所述第一外围晶圆还在所述第一外围晶圆的接合到所述第二外围晶圆的一个表面上包括联接到所述行控制电路或所述列控制电路的多个第一接合焊盘，并且其中，所述第二外围晶圆还在所述第二外围晶圆的另一表面上包括联接到所述外围电路并且接合到所述多个第一接合焊盘的多个第二接合焊盘。14.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，所述第一外围晶圆还在所述第一外围晶圆的接合到所述单元晶圆的一个表面上包括多个第一接合焊盘，每个第一接合焊盘联接到所述行控制电路或所述列控制电路，并且其中，所述单元晶圆还在所述单元晶圆的接合到所述第一外围晶圆的一个表面上包括联接到所述存储器单元阵列并且分别接合到所述多个第一接合焊盘的多个第二接合焊盘。15.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，所述存储器单元阵列包括：多条字线和多个层间电介质层，所述多条字线和所述多个层间电介质层交替层叠在基板上；以及多个垂直沟道，所述多个垂直沟道穿过所述多条字线和所述多个层间电介质层。16.根据权利要求1至15中的任一项所述的存储器装置，其中，所述行控制电路被设置在减薄区域中并且所述列控制电路被设置在单元区域中。17.根据权利要求1至15中的任一项所述的存储器装置，其中，当在所述第一方向上观察时，所述行控制电路被设置在减薄区域中并且将设置在分离的单元区域中的所述列控制电路分开，并且
其中，所述减薄区域和所述单元区域被布置在垂直于所述第一方向的第二方向上。18.根据权利要求1至15中的任一项所述的存储器装置，该存储器装置还包括：当在所述第一方向上观察时，被分为四个象限的矩形单元区域，其中，所述四个象限中的每一个包括所述行控制电路或所述列控制电路的部分。19.根据权利要求18所述的存储器装置，其中，所述行控制电路和所述列控制电路的所述部分被设置在所述矩形单元区域的角部。20.根据权利要求18所述的存储器装置，其中，所述行控制电路和所述列控制电路的所述部分被设置在每个象限的最靠近所述矩形单元区域的中心的角部。

技术总结
本公开涉及具有垂直结构的存储器装置。一种存储器装置包括：单元晶圆，其包括存储器单元阵列；以及外围晶圆，其包括控制存储器单元阵列的行控制电路、列控制电路和外围电路，外围晶圆在第一方向上层叠在单元晶圆上并接合到单元晶圆。外围晶圆包括：第一基板，其具有在第一方向上彼此背对的第一表面和第二表面；第一逻辑结构，其设置在第一基板的第一表面上，并且包括行控制电路和列控制电路；以及第二逻辑结构，其设置在第一基板的第二表面上，并且包括外围电路。包括外围电路。包括外围电路。


技术研发人员：金镇浩 朴光辉 成象铉 吴星来 崔畅云
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2021.02.26
技术公布日：2022/1/6