不对称板的制作方法

1.本技术涉及电路板技术领域，特别涉及一种不对称板。


背景技术：

2.随着pcb(printed circuit board，印制电路板，又称印刷线路板)技术的不断发展，出现了由不同材料混压和/或不对称叠构形成的不对称板。例如，由高频芯板配合fr4芯板压合而成的不对称板，其通常应用于雷达板的设计中，外层的高频芯板可以保证高的信号传输效率以及低的损耗。
3.此类型的不对称存在的问题是，高频芯板通常包含ptfe(polytetrafluoroethylene，聚四氟乙烯)材料，ptfe的热膨胀系数较大，且产品是以拼板交货，单元与单元之间存在连接位；pcb板在装配期间需要通过回流焊的方式进行焊接，焊接过程中温度可达到260℃。该混压不对称叠构结构中高频芯板本身在热压合后容易出现翘曲，进一步在装配期间受到热应力作用而导致翘曲更加严重，通常地，拼板上从中心至边缘的翘曲逐渐严重，相应地，位于边缘的单元的翘曲相对更严重。最终，因整个不对称板的翘曲会导致pcb板装配后出现虚焊、脱焊现象，尤其是位于边缘的单元，严重影响产品装配效果及产品的性能。


技术实现要素：

4.本技术实施例的目的在于提供一种不对称板，旨在解决现有的不对称板边缘翘曲严重的技术问题。
5.本技术实施例是这样实现的，一种不对称板，包括：
6.第一母板，所述第一母板包括至少两个第一铜层，以及夹置于相邻两个所述第一铜层之间的第一绝缘层；
7.第二母板，所述第二母板包括至少两个第二铜层，以及夹置于相邻两个所述第二铜层之间的第二绝缘层；其中，所述第二绝缘层的材料的热膨胀系数大于所述第一绝缘层的材料的热膨胀系数；
8.设置于所述第一母板和所述第二母板之间的半固化片；
9.其中，所述不对称板上设有多个单元，相邻所述单元之间设有连接区域，所述连接区域内设有连接位，所述连接位上设有由所述第二母板的表面向所述第一母板方向延伸的控深槽；
10.所述单元按照相互垂直的第一方向和第二方向排列为至少一行和至少一列；设，位于同一行的所述连接区域内的所述控深槽的数量为n，位于同一列的所述连接区域内的所述控深槽的数量为m；n和m均为大于或等于0的整数；
11.当n＜3时，所述控深槽的深度相等；当n≥3时，所述控深槽的深度由所述不对称板的中心至边缘依次增大；当m＜3时，所述控深槽的深度相等；当m≥3时，所述控深槽的深度由所述不对称板的中心至边缘依次增大。
12.在一个实施例中，所述控深槽的底壁的最高位为与所述半固化片的朝向所述第二母板的一侧表面平齐；所述控深槽的底壁的最低位为与所述半固化片的朝向所述第一母板的一侧表面平齐。
13.在一个实施例中，所述控深槽具有深度最小值hmin和深度最大值hmax；hmin＝h1
‑
h4 δx，hmax＝h1
‑
h4 h3
‑
δx；或者，所述第二母板的表面上设有阻焊层，hmin＝h1
‑
h4 l’ δx，hmax＝h1
‑
h4 h3 l
’‑
δx；其中，所述h1为所述第二母板的厚度，所述h3为所述半固化片的厚度，所述h4为所述第二铜层的厚度，所述δx为形成所述控深槽时所使用的机械控深锣机的精度公差；所述l’为所述阻焊层的厚度。
14.在一个实施例中，所述控深槽的纵截面呈矩形或v形。
15.在一个实施例中，所述第二母板为双层板；所述控深槽具有深度最小值hmin和深度最大值hmax；hmin＝h1
‑
h4 δx，hmax＝h1
‑
h4 h3；或者，所述第二母板的表面上设有阻焊层，hmin＝h1
‑
h4 l’ δx，hmax＝h1
‑
h4 h3 l’；其中，所述h1为所述第二母板的厚度，所述h3为所述半固化片的厚度，所述h4为所述第二铜层的厚度，所述δx为形成所述控深槽时所使用的镭射控深锣机的精度公差；所述l’为所述阻焊层的厚度。
16.在一个实施例中，当n＜3时，所述控深槽的深度为大于或等于hmin且小于或等于hmax；和/或，当m＜3时，所述控深槽的深度为大于或等于hmin且小于或等于hmax。
17.在一个实施例中，当n≥3时，位于最边缘的所述控深槽的深度为hmax，位于中心的所述控深槽的深度为hmin；和/或，当m≥3时，位于最边缘的所述控深槽的深度为hmax，位于中心的所述控深槽的深度为hmin。
18.在一个实施例中，当n≥3时，由所述不对称板的中心至任意一侧边缘，所述控深槽的深度为等差数列；和/或，当m≥3时，由所述不对称板的中心至任意一侧边缘，所述控深槽的深度为等差数列。
19.在一个实施例中，当n≥3时，第p个所述控深槽的深度等于第n 1
‑
p个所述控深槽的深度，其中，p为小于或等于n的正整数；和/或，第q个所述控深槽的深度等于第n 1
‑
q个所述控深槽的深度，其中，q为小于或等于m的正整数。
20.在一个实施例中，相邻两个所述单元之间通过一个或多个所述连接位相连，每一所述连接位内设有一个或多个所述控深槽。
21.本技术实施例提供的不对称板的有益效果在于：
22.本技术实施例提供的不对称板，包括第一母板、第二母板，以及夹置于第一母板和第二母板内的第二半固化片，不对称板上单元与单元之间的连接位内、第二母板的表面上设有向第一母板侧延伸的控深槽，控深槽能够为第二母板的膨胀让出空间，减少单元的应力，降低第二母板的翘曲，并且，当不对称板的第一方向/第二方向上控深槽的数量小于3个时，控深槽的深度相等；当不对称板的第一方向/第二方向上控深槽的数量大于或等于3个时，各连接位内的控深槽的深度由不对称板的中心至边缘依次增大，不对称板的边缘的控深槽深度更大，因而对翘曲的改善作用更加明显，从而，不对称板边缘的翘曲程度较低，最终使得整个不对称板的平整度在合格范围内。
附图说明
23.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的
附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
24.图1是不对称板的层叠示意图；
25.图2是不对称板于第二母板侧的平面示意图；
26.图3是本技术实施例提供的不对称板中第一母板的平面示意图，其中，是在第二次热压合前；
27.图4是图3中t处的放大图；
28.图5至图7分别是控深槽的三种结构示意图；
29.图8是不对称板的翘曲示意图；
30.图9和图10分别是控深槽的两种分布示意图。
31.图中标记的含义为：
[0032]1‑
第一母板，11
‑
第一铜层，12
‑
第一绝缘层，13
‑
第一半固化片，15
‑
阻焊层；14
‑
第二半固化片；
[0033]2‑
第二母板，21
‑
第二铜层，22
‑
第二绝缘层，211
‑
铺铜区；
[0034]
30
‑
连接区域，31
‑
连接位；
[0035]4‑
不对称板，41
‑
单元，410
‑
单元成型边，42
‑
板边；
[0036]
50
‑
控深槽。
具体实施方式
[0037]
为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0038]
需说明的是，当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件，它可以直接或者间接在该另一个部件上。当一个部件被称为是“连接于”另一个部件，它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利的限制。术语“第一”、“第二”仅用于便于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明技术特征的数量。“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0039]
为了说明本技术所述的技术方案，以下结合具体附图及实施例进行详细说明。
[0040]
请参阅图1，本技术实施例首先提供一种不对称板4，其包括第一母板1、第二母板2、夹置于第一母板1和第二母板2之间的至少一张第二半固化片14；第一母板1包括至少两个第一铜层11以及夹置于相邻两个第一铜层11之间的第一绝缘层12，第二母板2包括至少两个第二铜层21以及夹置于相邻两个第二铜层21之间的第二绝缘层22。
[0041]
其中，第一绝缘层12和第二绝缘层22的材料不同，因而热膨胀系数不同。在本实施例中，第二绝缘层22的材料的热膨胀系数大于第一绝缘层12的材料的膨胀系数。
[0042]
每一不对称板4包括多个单元41(图2和图3中pcs1～pcs4组成一个不对称板4)；如图4、图5至图7所示，单元41与单元41之间设有连接区域30，连接区域30内设有连接位31，单
元41与单元41之间即通过连接位31相互连接，请结合参阅图5至图7。可以理解，连接区域30为在制作过程中为便于制作而设置于单元41外周的额外区域。每一单元41为一个不对称电路板单元。
[0043]
请参阅图5至图7，在连接位31内，第二母板2的表面上设有朝向第一母板1方向延伸的控深槽50；
[0044]
请参阅图9和图10，每一不对称板4内的单元41按照相互垂直的第一方向(如行方向)和第二方向(如列方向)排列，呈至少一行和至少一列，连接区域30呈至少一行和/或至少一列排列，设位于同一行的连接区域30内的控深槽50的数量为n，位于同一列的连接区域30内的控深槽50的数量为m；当n＜3时，控深槽50的深度相等，当n≥3时，控深槽50的深度由不对称板4的中心至边缘依次增大；当m＜3时，控深槽50的深度相等，当m≥3时，控深槽50的深度由不对称板4的中心至边缘依次增大。
[0045]
具体地，请结合参阅图1和图8，在不对称板中，一方面，由于第一母板1中的第一绝缘层12和第二母板2中的第二绝缘层22的材料不同，二者在热膨胀系数上具有差异，受热后容易往热膨胀系数大的一侧翘曲；另一方面，第一母板1的厚度和第二母板2的厚度还可能因层数(指铜层的层数)不同等而不同，这会使得翘曲进一步加剧。
[0046]
通常地，不对称板4在第一母板1和第二母板2热压合后朝向第二母板2一侧翘曲，且边缘的翘曲程度大于中心的翘曲程度。因此，本技术中控深槽50的深度由边缘至中心递减是基于翘曲程度而定，翘曲大的位置控深槽50的深度大。可以理解的是，如若在特殊情况下不对称板4发生了边缘翘曲小于中心翘曲的情况，则控深槽50的深度按照翘曲变化趋势而变化。
[0047]
本技术实施例提供的不对称板，其包括相互压合的第一母板1和第二母板2，第二母板2的表面上于单元41与单元41之间的连接位31内设有朝向第一母板1方向延伸的控深槽50，控深槽50能够为第二母板2在后续制作过程如贴装过程中的涨缩让出空间，减少单元41在第二母板2一侧的应力，降低第二母板2的翘曲，并且，当不对称板4的第一方向/第二方向上控深槽50小于3个时，各控深槽50的深度相等；当不对称板4的第一方向/第二方向上控深槽50的数量大于或等于3个时，各控深槽50的深度由不对称板4的中心至边缘依次增大，不对称板4的边缘的控深槽50深度更大，因而对翘曲的改善作用更加明显，从而，不对称板4边缘的翘曲程度较低，该不对称板4的平整度在合格范围内，并且，还能够保证不对称板4内连接位31的刚性，使各单元41在贴装前不易折断。
[0048]
每一连接区域30可设有一个连接位31。当然，根据具体需要，如单元41的边长尺寸较大时，每一连接区域30内设有多个连接位31也是可以的。每一连接位31内可选设置一个控深槽50，同样地，每一连接位31内设置多个控深槽50也是可以的。请结合参阅图9和图10所示，每一连接区域30内形成3个控深槽50，其中，为清楚表示，图9和图10中省略每一连接区域30内的3个连接位31的标示。
[0049]
在一个实施例中，第一母板1可为双层板、4层板、6层板等。第二母板2也可以为双层板、4层板等。如图1所示，在本实施中，该第二母板2为双层板。
[0050]
在一个可选实施例中，该第二母板2为高频芯板，其第二绝缘层22为ptfe材料。第一母板1可为fr4芯板，其第一绝缘层12材料为环氧树脂。当然，不限于此，根据具体需要，第二母板2可以为其他类型板，第二绝缘层22可以为其他材料，此处仅为示例。
[0051]
以下，以第二母板2为双层板、第一母板1为4层板为例进行说明，如图1所示。则，该不对称板上每一个单元41即为6层不对称电路板。
[0052]
如图1所示，由第二母板2一侧开始，将各铜层标记为l1层、l2层
……
l6层。本实施例中，l1层为第二母板2的远离第一母板1一侧的第二铜层21，l2层为第二母板2的靠近第一母板1的第二铜层21，l3层至l6层为第一母板的第一铜层11，其中l6层为第一母板1的远离第二母板2一侧的外层的第一铜层11。l1层和l6层分别为保护层。
[0053]
在此，简述制作第一母板1的步骤如下：
[0054]
开料：将整张大的覆铜板按设计要求裁成需要的工作板，将裁切好的工作板过隧道炉，减少板内应力；工作板包括绝缘层和两侧的铜层；
[0055]
工作板内层图形的转移：在工作板的至少一侧的铜层上涂覆一层光敏聚合物，采用曝光机(如4ccd对位镜头半自动)对其进行照射，将第一母板1所需的内层图形转移至光敏聚合物上；
[0056]
显影：将覆有光敏聚合物的工作板置入显影液中，没有发生聚合反应的光敏聚合物被显影掉，而发生聚合反应的光敏聚合物则不会显影(以负型光敏聚合物为例)，工作板的铜层上不需要保留的铜材料暴露出；
[0057]
蚀刻：通过蚀刻液，将暴露出的铜材料蚀刻掉，有光敏聚合物保护的铜材料则保留下来，得到所需的内层图形；
[0058]
退膜：通过退膜液把铜层上的光敏聚合物退掉，得到第一子板；第一子板两侧的铜层分别为第一铜层11，第一铜层11之间为第一绝缘层12；
[0059]
光学检查：对做好的第一子板进行光学检查，确认品质；
[0060]
冲孔，采用冲孔机在第一子板上冲出多个定位孔(如，8个定位孔，包括4个熔合定位孔和4个铆和定位孔)；
[0061]
棕化：通过棕化液对第一子板的相对两侧的第一铜层11进行棕化，以粗化铜导体的表面；
[0062]
第一次热压合(对应地，前述所提及的第一母板1与第二母板2之间的热压合则对应为第二次热压合)：按照客户叠构需求在棕化后的第一子板两侧叠合半固化片(这里定义为第一半固化片13，如图1、图5至图7所示)，并在该第一半固化片13上下各放置一张铜箔，然后在高温环境进行热压合。可选地，第一母板1也可以按照客户叠构需求，直接使用多张第一子板11叠合至少一张第一半固化13片并热压合形成指定层数的第一母板1。
[0063]
第一次热压合后处理工序：包括打靶、锣边、钻孔、沉铜、板电、线路制作、全自动光学检查等。
[0064]
其中，在该第一母板1中，内层铜层(l3层至l5层)的连接区域30上设有铺铜区211。也即，除最远离第二母板2的一个第一铜层11(l6层)外，于其他第一铜层11(l3层至l5层)上的连接区域30中设有铺铜区211，如图3和图4所示。
[0065]
对应地，在上述的工作板内层图形的转移的步骤中，所得到的内层图形为，在第一子板的第一铜层11上，对应单元41与单元41之间的连接区域30内形成铺铜区211。在上述线路制作的步骤中，在其中一个铜箔上，对应单元41与单元41之间的连接区域30的区域内形成铺铜区211，该铜箔作为l3层，另一个外层的第二铜层21上制作工具孔等对应的板边图形，该铜箔作为l6层。
[0066]
可选地，如图3和图4所示，对应单元41与单元41之间的铺铜区211为间隔设置，铺铜区211的设置能够提高第一母板1的强度，进而减少第一子板和第一母板1的翘曲。
[0067]
如图3和图4所示，第二母板2的内层铜层上的连接区域30内，铺铜区211与单元成型边410之间的距离为b，b≥0.2mm。这样设置的目的在于，因后续第二次热压合步骤中存在对位误差且对后续需要对不对称板4的多个单元41进行分板锣板，锣机存在精度公差，铺铜区211与单元成型边410之间的距离大于或等于0.2mm能够避免分板后单元41的边缘露出内层的铜；由于单元41与单元41之间的连接区域30为部分去除，剩余的则为连接位31，如图4所示，后续单元41与单元41之间进行分板时，锣板位可以与部分铺铜区211相对应。因此，为了避免不对称板4内单元41与单元41之间在分板后露出内层铜层，相邻两个铺铜区211之间的距离为c，c≥0.2mm。
[0068]
简述第二母板2的步骤如下：
[0069]
开料：将整张大的覆铜板按设计要求裁成需要的工作板，将裁切好的工作板过隧道炉，减少板内应力；
[0070]
工作板内层图形的转移：在工作板的两侧的铜层上分别涂覆一层光敏聚合物，采用曝光机(如4ccd对位镜头半自动)对其进行照射，将第二母板2所需的内层图形转移至光敏聚合物上；
[0071]
显影：将覆有光敏聚合物的工作板置入显影液中，没有发生聚合反应的光敏聚合物被显影掉，而发生聚合反应的光敏聚合物则不会显影(以负型光敏聚合物为例)，工作板的两侧铜层上不需要保留的铜材料暴露出；
[0072]
蚀刻：通过蚀刻液，将暴露出的铜材料蚀刻掉，有光敏聚合物保护的铜材料则保留下来，得到至少一侧铜层上所需的图形；
[0073]
退膜：通过退膜液把铜层上的光敏聚合物退掉，得到第二子板；第二子板两侧的铜层为第二铜层21，第二铜层21之间为第二绝缘层22；
[0074]
针对该双层板的第二母板2，在该内层图形的制作步骤中，其中一个第二铜层21(l1层)上仅制作后续所需要的工具孔等对应的板边图形，而另一个第二铜层21(l2层)作为内层铜层并按照上述步骤正常制作内层线路图形。至此，所得到的内层线路图形是，作为内层铜层的第二铜层21(l2层)上的单元41的内层线路图形，以及作为外层铜层的第二铜层21(l1层)上的工具孔等板边图形。
[0075]
光学检查：对做好的第二子板进行光学检查，确认品质；
[0076]
冲孔，采用冲孔机在第二子板上冲出多个定位孔。
[0077]
棕化：通过棕化液对第二子板的表面进行棕化，以粗化铜导体的表面。
[0078]
然后，第一母板1和第二母板2通过至少一张第二半固化片14层叠在一起，并进行第二次热压合。
[0079]
第二次热压合后还需要包括钻孔、沉铜、板电加厚、外层线路制作、全自动光学检查等。特别地，经该外层线路制作后，l1层上仅保留对应单元41的线路图形，第二母板2的l1层和l2层的连接位31上均无铜。
[0080]
在一个实施例中，不对称板4的两侧还具有阻焊层15，阻焊层15能够将l1层和l6层上需要焊接电子元器件的位置暴露，而将其它区域进行保护。
[0081]
控深槽50设置为在厚度方向上贯穿第二母板2但不到达第一母板1上的最靠近第
二母板2一侧的铜层(l3层)。也即，控深槽50为由第二母板2在厚度上完全被去除，且第一母板1完全保留而得到，从而，第二母板2的由热膨胀带来的翘曲变形能够得到最大程度的改善，而第一母板1的翘曲变形得到最小程度的改善(仅就此控深槽50的作用而言)，最终使得二者的翘曲变形能够大体接近，所得到的不对称板4整体上不发生明显的翘曲甚至不发生翘曲。对应地，控深槽50的深度具有最大值hmax，此时，控深槽50的底壁与l3层的朝向l2层的表面平齐，也即与第二半固化片14的朝向l3层的表面平齐，以及具有最小值hmin，此时，控深槽50的底壁与l2层的朝向l3层的表面平齐，也即与第二半固化片14的朝向l2层的表面平齐。
[0082]
在此基础上，第一母板1与第二母板2之间的第二半固化片14被控深槽50在厚度方向完全贯穿时其翘曲变形被最大程度地改善，从而，能够进一步避免引起第一母板1的第二母板2之间翘曲变形的不平衡性。因此，控深槽50的深度越大，对第一母板1与第二母板2之间翘曲变形的平衡作用更大，如此，行方向上和列方向上位于边缘的控深槽50的深度更大则能够明显地改善不对称板4的边缘翘曲严重的问题。
[0083]
根据形成于该控深槽50的方式的不同，hmax和hmin不同。
[0084]
在一个实施例中，控深槽50可采用一种机械控深的方式实现，具体工作方式为刀具旋转铣削方式，具体是呈柱状的多刃刀具围绕垂直于不对称大板的表面的直线高速旋转后，沿着控深槽50的深度方向行进而将不需要的材料铣除，进一步沿着不对称大板的表面行进可以得到所需要的控深槽50的图形。如图5所示，在该实施例中，控深槽50的纵截面呈矩形，控深槽50的内侧壁与底壁垂直。
[0085]
在该方式中，控深槽50的深度最小值hmin＝h1
‑
h4 l’ δx，控深槽50的深度最大值hmax＝h1
‑
h4 h3 l
’‑
δx；其中，h1为第二母板2的厚度，可以理解，指各第二铜层21和第二绝缘层22的厚度之和，h3为第二半固化片14(第二次热压合后)的厚度，h4为第二母板2的外层的第二铜层21(l1层)的厚度，δx为该铣削控深锣机的精度公差；l’为第二母板2表面的阻焊层15的厚度。
[0086]
以上述的六层板为例，h1为0.186mm，l1的厚度h4为0.018mm，l’为0.03mm，h3为0.08mm，δx为0.05mm，则，hmin为0.223mm，hmax为0.278mm。
[0087]
可以理解的是，若不对称板4上没有阻焊层15，或者说在形成该控深槽50时尚未形成阻焊层15，则控深槽50的深度不需要考虑阻焊层15的厚度，控深槽50的深度最小值hmin＝h1
‑
h4 δx，控深槽50的深度最大值hmax＝h1
‑
h4 h3
‑
δx。
[0088]
在一个实施例中，控深槽50可采用另一种机械控深的方式实现，即采用v
‑
cut控深锣机进行v
‑
cut控深锣来实现，其具体工作方式为v型刀切割方式，具体是多个呈v型的刀具沿着不对称板4的表面行进并将不需要的材料割除。v型刀可以沿平行于不对称大板表面的直线前进，也可以围绕平行于不对称大板表面的直线旋转后划过不对称大板的表面。如图6所示，该方式所得到的控深槽50的纵截面倒锥形(v形)，控深槽50的底部尺寸较上部尺寸小。
[0089]
在该方式中，控深槽50的深度最小值hmin＝h1
‑
h4 l’ δx’，控深槽50的深度最大值hmax＝h1
‑
h4 h3 l
’‑
δx’；其中，h1为第二母板2的厚度，h3为第二半固化片14(第二次热压合后)的厚度，h4为第二母板2的外层的第二铜层21(l1层)的厚度，δx’为该机械控深锣机的精度公差；l’为第二母板2表面的阻焊层15的厚度。
[0090]
以上述的六层板为例，h1为0.186mm，l1的厚度h4为0.018mm，l’为0.03mm，h3为0.08mm，δx’为0.025mm，则，hmin为0.223mm，hmax为0.253mm。
[0091]
可以理解的是，若不对称板4上没有阻焊层15，或者说在形成该控深槽50时尚未形成阻焊层15，则控深槽50的深度不需要考虑阻焊层15的厚度，控深槽50的深度最小值hmin＝h1
‑
h4 δx’，控深槽50的深度最大值hmax＝h1
‑
h4 h3
‑
δx’。
[0092]
在一个实施例中，控深槽50还可以采用镭射方式实现。与上述两种机械制作方式的不同之处在于，镭射机在一定的参数条件下，所发射的激光只能烧蚀去除非金属介质层而不会损伤铜层。因此，hmax无需考虑镭射机的精度公差，并且，只有当第二母板2为双层板时，可用该镭射方式完全去除连接位31内第二母板2的部分，因为在形成该控深槽50之前，l1层和l2层上连接位31均无铜。如图7所示，该种方式下所形成的控深槽50的上端尺寸大于下端尺寸，大体呈倒梯形。
[0093]
在该方式中，控深槽50的深度最小值hmin＝h1
‑
h4 l’ δx”，控深槽50的深度最大值hmax＝h1
‑
h4 h3 l’；其中，h1为第二母板2的厚度，h3为第二半固化片14(压合后)的厚度，h4为第二铜层21的厚度，δx”为镭射机的精度公差；l’为第二子板表面的阻焊层15的厚度。
[0094]
以上述的六层板为例，h1为0.186mm，h4为0.018mm，l’为0.03mm，h3为0.08mm，δx”为0.025mm，则，hmin为0.223mm，hmax为0.278mm。
[0095]
可以理解的是，若不对称板4上没有阻焊层15，或者说在形成该控深槽50时尚未形成阻焊层15，则控深槽50的深度不需要考虑阻焊层15的厚度，控深槽50的深度最小值hmin＝h1
‑
h4 δx”，控深槽50的深度最大值hmax＝h1
‑
h4 h3。
[0096]
在一个实施例中，如图5至图7所示，控深槽50的槽边单边超出第一母板1上内层铜层的连接位31内铺铜区211的距离为d，0.075mm≤d。这样设置的目的在于，在不对称板4上多个单元41之间进行分板锣板时可以避免露出第二母板2上的内层铜。
[0097]
在一个实施例中，如图5至图7所示，控深槽50的边缘(v形和倒梯形的控深槽50则指其上端的边缘)与单元41的单元成型边410之间的距离为e，0.075mm≤e。由于形成该控深槽50时控深锣机与不对称板4存在对位偏差，这样设置可以避免控深槽50的内壁影响到单元41，尤其是对于呈矩形的控深槽50。
[0098]
当n小于3、m小于3时，控深槽50的深度可以选择hmin至hmax的闭区间的任意值，如为最大值，或为最小值，或者是其他值。为了保证控深槽50释放应力的效果，应尽可能加大控深槽50的深度。因此，虽然在行方向或列方向上控深槽50的数量只有1个或2个，但也可以取控深槽50的深度最大值。
[0099]
在一个实施例中，当n≥3时，由不对称板4的中心至任意一侧边缘，相邻两个控深槽50的深度之差可为等值，也可以为不等值。当m≥3时，由不对称板4的中心至任意一侧边缘，相邻两个控深槽50的深度之差可为等值，也可以为不等值。
[0100]
在一个实施例中，当n≥3且n为偶数时，在第一方向上，第1个控深槽50至第n/2个控深槽50的深度呈递减的等差数列；第n/2 1个控深槽50至第n个控深槽50的深度呈递增的等差数列。当m≥3且m为偶数时，在第一方向上，第1个控深槽50至第m/2个控深槽50的深度呈递减的等差数列；第m/2 1个控深槽50至第m个控深槽50的深度呈递增的等差数列。
[0101]
在一个实施例中，当n≥3且n为奇数时，在第一方向上，第1个控深槽50至第(n 1)/
2个控深槽50的深度呈递减的等差数列；第(n 1)/2个控深槽50至第n个控深槽50的深度呈递增的等差数列。当m≥3且m为奇数时，在第一方向上，第1个控深槽50至第(m 1)/2个控深槽50的深度呈递减的等差数列；第(m 1)/2个控深槽50至第m个控深槽50的深度呈递增的等差数列。
[0102]
在一个实施例中，第p个控深槽50的深度等于第n 1
‑
p个控深槽50的深度，其中，p≤n。第q个控深槽50的深度等于第n 1
‑
q个控深槽50的深度，其中，q≤n。这样设置的目的是，从不对称板4的中心至相对的两侧边缘，控深槽50和控深槽50的深度都是对称的，这有利于保证不对称板4上关于中心对称的各处的翘曲一致。
[0103]
在本技术的一个实施例中，拼版4内设有2
×
1个单元41，行方向上没有连接区域30，连接区域30为一列。若该列连接区域30内设有5个控深槽50，则位于中心的(第3个)控深槽50的深度最小，可为hmin，位于两侧边缘的(第1个和第5个)控深槽50的深度最大，可为hmax，第2个和第4个控深槽50的深度介于hmin和hmax之间。
[0104]
以下，以每一连接区域30内设有一个连接位31，以及每一连接位31内设置一个控深槽50为例进行举例说明。
[0105]
在本技术的一个实施例中，拼板4内设有2
×
2个单元41，连接区域30呈一行和一列排列，且该行连接区域30内控深槽50的数量为2个，该列连接区域30内控深槽50的数量为2个。则，在行方向上，两个控深槽50的深度相等，且可以选择hmin至hmax的闭区间的任意值，如为最大值，或为最小值，或者是其他值；在列方向上，两个控深槽50的深度相等，且可以选择hmin至hmax的闭区间的任意值，如为最大值，或为最小值，或者是其他值。
[0106]
在本技术的一个实施例中，拼板4内设有3
×
3个单元41，连接区域30呈两行和两列排列，且每一行连接区域30内控深槽50的数量为3个，该每一列连接区域30内控深槽50的数量为3个。则，任一行上，位于中间的控深槽50的深度小于其两侧的两个控深槽50的深度，其中，位于中间的控深槽50的深度可为hmin，位于两侧的两个控深槽50的深度可为hmax。任一列上同理。
[0107]
在本技术一个实施例中，拼板4内设有6
×
2个单元41，连接区域30呈一行和五列排列，且该一行连接区域30内控深槽50的数量为6个，每一列连接区域30内控深槽50的数量为2个。
[0108]
则，在行方向上，位于中间的两个(第3个和第4个)控深槽50至两侧的控深槽50的深度依次增加，其中，位于中间的两个(第3个和第4个)控深槽50的深度为hmin，位于最外侧的两个(第1个和第6个)控深槽50的深度可为hmax，第2个和第5个控深槽50的深度介于hmin和hmax之间。
[0109]
每一列内两个控深槽50的深度相同，可为hmin，或为hmax，也可以为介于hmin和hmax之间的任意值。进一步地，不同列内控深槽50的深度可以相同，也可以不同，如，不同列内控深槽50也按照从中心至边缘依次增加的方式设置，第3列中两个控深槽50的深度最小，为hmin，第1列和第5列中两个控深槽50的深度最大，为hmax，而第2列和第4列中的两个控深槽50的深度则介于hmin和hmax之间。
[0110]
在本技术一个实施例中，拼板4内设有9
×
3个单元41，连接区域30呈两行和八列排列，且每一行连接区域30内控深槽50的数量为9个，每一列连接区域30内控深槽50的数量为3个。
[0111]
则，每一行内，第1个控深槽50至第5个控深槽50的深度依次减小，第5个控深槽50的深度至第9个控深槽50的深度依次增加。其中，第5个的控深槽50的深度可为hmin，第1个和第9个控深槽50的深度可为hmax，其他控深槽50的深度介于hmin和hmax之间。
[0112]
进一步地，不同行内位于同一列的两个控深槽50的深度可以相等。例如，分别位于两行内的第1个控深槽50的深度可以相等，分别位于两行内第2个控深槽50的深度可以相等，
……
，第9个控深槽50的深度可以相等。
[0113]
每一列内，位于中心的(第2个)控深槽50最小，例如可为hmin，位于两侧的两个(第1个和第3个)控深槽50的深度最大，例如可为hmax。
[0114]
以下，以每一连接区域30内设有3个连接位31，以及每一连接位31内设置一个控深槽50为例进行举例说明。
[0115]
如图9所示，在本技术一个实施例中，拼板4内设有6
×
2个单元41，连接区域30呈一行和五列排列，且该一行连接区域30内控深槽50的数量为18个，每一列连接区域30内控深槽50的数量为6个。
[0116]
则，在行方向上，位于中间的两个(第9个和第10个)控深槽50至两侧的控深槽50的深度依次增加，其中，位于中间的两个(第9个和第10个)控深槽50的深度为hmin，位于最外侧的两个(第1个和第18个)控深槽50的深度可为hmax，其他控深槽50的深度介于hmin和hmax之间。
[0117]
在每一列内，位于中间的两个(第3个和第4个)控深槽50至两侧的控深槽50的深度依次增加，其中，位于中间的两个(第3个和第4个)控深槽50的深度为hmin，位于最外侧的两个(第1个和第6个)控深槽50的深度可为hmax，其他控深槽50的深度介于hmin和hmax之间。
[0118]
如图10所示，在本技术一个实施例中，拼板4内设有9
×
3个单元41，连接区域30呈两行和八列排列，且每一行连接区域30内控深槽50的数量为27个，每一列连接区域30内控深槽50的数量为9个。
[0119]
则，每一行内，第1个控深槽50至第14个控深槽50的深度依次减小，第14个控深槽50的深度至第27个控深槽50的深度依次增加。其中，第14个的控深槽50的深度可为hmin，第1个和第27个控深槽50的深度可为hmax，其他控深槽50的深度介于hmin和hmax之间。
[0120]
进一步地，不同行内位于同一列的两个控深槽50的深度可以相等。例如，分别位于两行内的第1个控深槽50的深度可以相等，分别位于两行内第2个控深槽50的深度可以相等，
……
，第27个控深槽50的深度可以相等。
[0121]
每一列内，第1个控深槽50至第5个控深槽50的深度依次减小，第5个控深槽50的深度至第9个控深槽50的深度依次增加。其中，第5个的控深槽50的深度可为hmin，第1个和第9个控深槽50的深度可为hmax，其他控深槽50的深度介于hmin和hmax之间。
[0122]
以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。