不对称板的制作方法

技术特征：
1.不对称板，其特征在于，包括：第一母板，所述第一母板包括至少两个第一铜层，以及夹置于相邻两个所述第一铜层之间的第一绝缘层；第二母板，所述第二母板包括至少两个第二铜层，以及夹置于相邻两个所述第二铜层之间的第二绝缘层；其中，所述第二绝缘层的材料的热膨胀系数大于所述第一绝缘层的材料的热膨胀系数；设置于所述第一母板和所述第二母板之间的半固化片；其中，所述不对称板上设有多个单元，相邻所述单元之间设有连接区域，所述连接区域内设有连接位，所述连接位上设有由所述第二母板的表面向所述第一母板方向延伸的控深槽；所述单元按照相互垂直的第一方向和第二方向排列为至少一行和至少一列；位于同一行的所述连接区域内的所述控深槽的数量为n，位于同一列的所述连接区域内的所述控深槽的数量为m；n和m均为大于或等于0的整数；当n＜3时，所述控深槽的深度相等；当n≥3时，所述控深槽的深度由所述不对称板的中心至边缘依次增大；当m＜3时，所述控深槽的深度相等；当m≥3时，所述控深槽的深度由所述不对称板的中心至边缘依次增大。2.如权利要求1所述的不对称板，其特征在于，所述控深槽的底壁的最高位为与所述半固化片的朝向所述第二母板的一侧表面平齐；所述控深槽的底壁的最低位为与所述半固化片的朝向所述第一母板的一侧表面平齐。3.如权利要求2所述的不对称板，其特征在于，所述控深槽具有深度最小值hmin和深度最大值hmax；hmin＝h1
‑
h4 δx，hmax＝h1
‑
h4 h3
‑
δx；或者，所述第二母板的表面上设有阻焊层，hmin＝h1
‑
h4 l’ δx，hmax＝h1
‑
h4 h3 l
’‑
δx；其中，所述h1为所述第二母板的厚度，所述h3为所述半固化片的厚度，所述h4为所述第二铜层的厚度，所述δx为形成所述控深槽时所使用的机械控深锣机的精度公差；所述l’为所述阻焊层的厚度。4.如权利要求3所述的不对称板，其特征在于，所述控深槽的纵截面呈矩形或v形。5.如权利要求2所述的不对称板，其特征在于，所述第二母板为双层板；所述控深槽具有深度最小值hmin和深度最大值hmax；hmin＝h1
‑
h4 δx，hmax＝h1
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h4 h3；或者，所述第二母板的表面上设有阻焊层，hmin＝h1
‑
h4 l’ δx，hmax＝h1
‑
h4 h3 l’；其中，所述h1为所述第二母板的厚度，所述h3为所述半固化片的厚度，所述h4为所述第二铜层的厚度，所述δx为形成所述控深槽时所使用的镭射控深锣机的精度公差；所述l’为所述阻焊层的厚度。6.如权利要求3至5中任一项所述的不对称板，其特征在于，当n＜3时，所述控深槽的深度为大于或等于hmin且小于或等于hmax；和/或，当m＜3时，所述控深槽的深度为大于或等于hmin且小于或等于hmax。7.如权利要求3至5中任一项所述的不对称板，其特征在于，当n≥3时，位于最边缘的所述控深槽的深度为hmax，位于中心的所述控深槽的深度为hmin；和/或，当m≥3时，位于最边缘的所述控深槽的深度为hmax，位于中心的所述控深槽的深度为hmin。8.如权利要求1至5中任一项所述的不对称板，其特征在于，当n≥3时，由所述不对称板的中心至任意一侧边缘，所述控深槽的深度为等差数列；和/或，当m≥3时，由所述不对称板的中心至任意一侧边缘，所述控深槽的深度为等差数列。
9.如权利要求1至5中任一项所述的不对称板，其特征在于，当n≥3时，第p个所述控深槽的深度等于第n 1
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p个所述控深槽的深度，其中，p为小于或等于n的正整数；和/或，第q个所述控深槽的深度等于第n 1
‑
q个所述控深槽的深度，其中，q为小于或等于m的正整数。10.如权利要求1至5中任一项所述的不对称板，其特征在于，相邻两个所述单元之间通过一个或多个所述连接位相连，每一所述连接位内设有一个或多个所述控深槽。

技术总结
本申请适用于电路板技术领域，提供了一种不对称板，该不对称板包括第一母板、第二母板，以及夹置于第一母板和第二母板内的第二半固化片，不对称板上单元与单元之间的连接位内、第二母板的表面上设有向第一母板侧延伸的控深槽，控深槽能够为第二母板的膨胀让出空间，减少单元的应力，降低第二母板的翘曲；且，当不对称板第一方向/第二方向上控深槽的数量小于3个时，各连接位内控深槽深度相等；当不对称板第一方向/第二方向上控深槽的数量大于或等于3个时，各连接位内控深槽的深度由不对称板的中心至边缘依次增大，不对称板的边缘的控深槽深度更大，因而对翘曲的改善作用更加明显，从而，不对称板边缘的翘曲程度较低。不对称板边缘的翘曲程度较低。不对称板边缘的翘曲程度较低。


技术研发人员：王俊 陈晓青 陈前
受保护的技术使用者：深圳市景旺电子股份有限公司
技术研发日：2021.05.27
技术公布日：2022/1/4