一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

像素电路及其驱动方法、显示基板和显示装置与流程

2022-02-19 07:02:05 来源:中国专利 TAG:


1.本发明属于显示技术领域,具体涉及一种像素电路及其驱动方法、显示基板和显示装置。


背景技术:

2.一般,主动矩阵式发光二极管(active matrix lightemitting diod,am

led)显示屏等涉及数百万颗led芯片,虽然芯片进行过分类处理,但是在低电流密度下芯片个体之间的亮度还是存在较大的差异。
3.因此,如何实现显示屏亮度的均一控制,是本领域技术人员亟待解决的技术问题。


技术实现要素:

4.本发明的主要目的是提供一种像素电路及其驱动方法、显示基板和显示装置,以解决现有技术中现显示屏亮度均一性较差的问题。
5.针对上述问题,本发明提供了一种像素电路,包括脉冲幅度调制子电路、脉冲宽度调制子电路、复位补偿子电路、第一发光控制子电路、第二发光控制子电路和驱动子电路;
6.所述脉冲幅度调制子电路的第一端与脉冲幅度调制信号端电连接,所述脉冲幅度调制子电路的控制端与第一扫描信号端电连接,所述脉冲幅度调制子电路的第二端与所述驱动子电路的第一端以及所述第一发光控制子电路的第一端电连接;
7.所述复位补偿子电路的第一端与所述驱动子电路的第二端以及所述第一发光控制子电路的第二端电连接,所述复位补偿子电路的第二端与所述驱动子电路的控制端电连接,所述复位补偿子电路的控制端与第二扫描信号端电连接;
8.所述第一发光控制子电路的第一控制端与第一发光信号控制端电连接,所述第一发光控制子电路的第二控制端与第二发光信号控制端电连接,所述第一发光控制子电路的第三端与第一电压信号端电连接,所述第一发光控制子电路的第四端与所述第二发光控制子电路的第一端电连接;所述第二发光控制子电路的第二端与发光器件的阳极端电连接;
9.所述脉冲宽度调制子电路的第一端与脉冲宽度调制信号端电连接,所述脉冲宽度调制子电路的第二端与所述第二发光控制子电路的控制端电连接,所述脉冲宽度调制子电路的控制端与第三扫描信号端电连接;
10.所述复位补偿子电路用于在所述第二扫描信号端的控制下,对所述驱动子电路的控制端进行复位或者阈值补偿;
11.所述第一发光控制子电路用于在所述第一发光控制信号端和所述第二发光信号控制端的控制下,将所述驱动子电路产生的驱动电流传输给所述第二发光控制子电路,并控制所述第一电压信号端与所述第二发光控制子电路之间的第一电流通路的导通时长;
12.所述脉冲宽度调制子电路用于在所述第三扫描信号端的控制下,将所述脉冲宽度调制信号端的脉冲宽度调制信号传输给所述第二发光控制子电路,以通过控制所述第二发光控制子电路的导通时长。
13.进一步地,上述所述的像素电路,还包括复位子电路;
14.所述复位子电路的第一端与第二电压信号端电连接,所述复位子电路的第二端与所述第二发光控制子电路的第一端电连接,所述复位子电路的控制端与第四扫描信号端电连接。
15.进一步地,上述所述的像素电路,所述复位子电路包括第八晶体管;
16.所述第八晶体管的第一极作为所述复位子电路的第一端,所述第八晶体管的第二极作为所述复位子电路的第二端,所述第八晶体管的控制极作为所述复位子电路的控制端;
17.所述第八晶体管的第一极与所述第二电压信号端电连接,所述第八晶体管的第二极与所述第二发光控制子电路的第一端电连接,所述第八晶体管的控制极与第四扫描信号端电连接。
18.进一步地,上述所述的像素电路,还包括第一电容;
19.所述第一电容的第一端与所述驱动子电路的控制端电连接;
20.所述第一电容的二端与所述第八晶体管的第二极电连接。
21.进一步地,上述所述的像素电路,还包括阳极放电子电路;
22.所述阳极放电子电路的第一端与第三电压信号端电连接,所述阳极放电子电路的第二端与所述发光器件的阳极端电连接,所述阳极放电电路的控制端与第五扫描信号端电连接。
23.进一步地,上述所述的像素电路,所述阳极放电子电路包括第十晶体管;
24.所述第十晶体管的第一极作为所述阳极放电子电路的第一端,所述第十晶体管的第二极作为所述阳极放电子电路的第二端,所述第十晶体管的控制极作为所述阳极放电子电路的控制端;
25.所述第十晶体管的第一极与第三电压信号端电连接,所述第十晶体管的第二极与所述发光器件的阳极端电连接,所述第十晶体管的控制极与所述第五扫描信号端电连接。
26.进一步地,上述所述的像素电路,所述脉冲幅度调制子电路包括第四晶体管,所述脉冲宽度调制子电路包括第六晶体管和第二电容,所述复位补偿子电路包括第二晶体管,所述第一发光控制子电路包括第一晶体管和第五晶体管,所述第二发光控制子电路包括第七晶体管,所述驱动子电路包括第三晶体管;
27.所述第四晶体管的第一极作为所述脉冲幅度调制子电路的第一端,所述第四晶体管的第二极作为所述脉冲幅度调制子电路的第二端,所述第四晶体管的控制极作为所述脉冲幅度调制子电路的控制端;
28.所述第二晶体管的第一极作为所述复位补偿子电路的第一端,所述第二晶体管的第二极作为所述复位补偿子电路的第二端,所述第二晶体管的控制极作为所述复位补偿子电路的控制端;
29.所述第一晶体管的控制极作为所述第一发光控制子电路的第一控制端,所述第一晶体管的第一极作为所述第一发光控制子电路的第三端,所述第一晶体管的第二极作为所述第一发光控制子电路的第二端;所述第五晶体管的控制极作为所述第一发光控制子电路的第二控制端,所述第五晶体管的第一极作为所述第一发光控制子电路的第一端,所述第五晶体管的第二极作为所述第一发光控制子电路的第四端;
30.所述第六晶体管的控制极作为所述脉冲宽度调制子电路的控制端,所述第六晶体管的第一极作为所述脉冲宽度调制子电路的第一端,所述第六晶体管的第二极作为所述脉冲宽度调制子电路的第二端;
31.所述第七晶体管的第一极作为所述第二发光控制子电路的第一端,所述第七晶体管的第二极作为所述第二发光控制子电路的第二端,所述第七晶体管的控制作为所述第二发光控制子电路的控制端;
32.所述第三晶体管的第一极作为所述驱动子电路的第一端,所述第三晶体管的第二极作为所述驱动子电路的第二端,所述第三晶体管的控制极作为所述驱动子电路的控制端;
33.所述第四晶体管的第一极与所述脉冲幅度调制信号端电连接,所述第四晶体管的控制极与所述第一扫描信号端电连接,所述第四晶体管的第二极与所述第三晶体管的第一极以及所述第五晶体管的第一极电连接;
34.所述第二晶体管的第一极与所述第三晶体管的第二极以及所述第一晶体管的第二极电连接,所述第二晶体管的第二极与所述第三晶体管的控制极电连接,所述第二晶体管的控制极与第二扫描信号端电连接;
35.所述第一晶体管的控制极与第一发光信号控制端电连接,所述第五晶体管的控制极与第二发光信号控制端电连接,所述第一晶体管的第一极与第一电压信号端电连接,所述第五晶体管的第二极与所述第七晶体管的第一极电连接;所述第七晶体管的第二极与发光器件的阳极端电连接;
36.所述第六晶体管的第一极与所述脉冲宽度调制信号端电连接,所述第六晶体管的控制极与第三扫描信号端电连接,所述第六晶体管的第二极与所述第七晶体管的控制极以及所述第二电容的第一端电连接;所述第二电容的第二端与第四电压信号端电连接。
37.进一步地,上述所述的像素电路,所述第一发光控制子电路还包括第九晶体管;
38.所述第九晶体管的控制极和所述第五晶体管的控制极共同作为所述第一发光控制子电路的第二控制端;
39.所述第九晶体管的第二极作为所述第一发光控制子电路的第四端,且所述第九晶体管的第一极与所述第五晶体管的第二极电连接。
40.进一步地,上述所述的像素电路,所述第二晶体管为氧化物晶体管;所述第一晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管、所述第七晶体管、所述第九晶体管均为低温多晶硅晶体管;或者
41.所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管、所述第七晶体管、所述第九晶体管均为氧化物晶体管;或者
42.所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管、所述第七晶体管、所述第九晶体管均为低温多晶硅晶体管。
43.本发明还提供一种如上任一项所述的像素电路的驱动方法,包括:
44.在复位阶段,通过所述第二扫描信号端控制所述复位补偿子电路导通,通过所述第一发光信号控制端控制所述第一发光控制子电路的第二端与所述第一电压信号端导通,使得所述驱动子电路的控制端进行复位;
45.在写入补偿阶段,通过第一扫描信号端控制所述脉冲幅度调制子电路导通,通过
所述第二扫描信号端控制所述复位补偿子电路导通,通过所述第一发光信号控制端控制所述第一发光控制子电路的第二端与所述第一电压信号端断开,向所述驱动子电路的控制端写入脉冲幅度调制信号并进行阈值补偿,通过所述第三扫描信号端控制所述脉冲宽度调制子电路导通,向所述第二发光控制子电路的控制端写入脉冲宽度调制信号,以控制所述第二发光控制子电路导通或者断开;
46.在发光控制阶段,通过所述第一发光控制信号端以及所述第二发光控制信号端,控制第一发光控制电路导通,将所述驱动子电路产生的驱动电流传输给所述第二发光控制子电路;若所述脉冲宽度调制信号能够控制所述第二发光控制子电路导通,控制所述发光器件发光,若所述脉冲宽度调制信号控制所述第二发光控制子电路断开,控制所述发光器件不发光。
47.进一步地,上述所述的像素电路的驱动方法,还包括:
48.在发光控制阶段,通过所述第二发光控制信号端,控制所述第一发光控制子电路按照预设频率导通。
49.本发明还提供一种显示基板,包括如上任一项所述的像素电路。
50.本发明还提供一种显示装置,包括如上所述的显示基板。
51.与现有技术相比,上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果:
52.本发明的像素电路及其驱动方法、显示基板和显示装置,通过脉冲幅度调制(pulse amplitude modulation,pam)子电路能够将与显示灰阶有关的pam数据电压输出至驱动子电路,以使得驱动子电路能够产生用于驱动发光器件发光的驱动电流,通过脉冲宽度调制(pulse width modulation,pwm)子电路将pwm信号传输至第二发光控制子电路,以控制第二发光控制子电路的导通时长,最终实现对第一电压信号端与发光器件之间的电流通路的导通时长的控制,这样一来,在一扫描周期内,通过pam数据电压的大小以及pwm信号可以控制发光器件有效发光亮度,达到调节显示灰阶的目的,提高显示屏亮度的均一性。
53.本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且部分地调节说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
54.附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例共同用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。在附图中:
55.图1为本发明的像素电路一种实施例的拓扑图;
56.图2为图1所示像素电路的一种实施例的时序控制图;
57.图3a为图1在复位阶段的状态图;
58.图3b为图1在写入补偿阶段的状态图;
59.图3c为图1在发光控制阶段的状态图;
60.图4为图1所示像素电路的仿真示意图;
61.图5为图1所示像素电路的另一种实施例的时序控制图;
62.图6为本发明的像素电路另一种实施例的拓扑图;
63.图7为本发明的像素电路再一种实施例的拓扑图。
具体实施方式
64.以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式,借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题,并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是,只要不构成冲突,本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合,所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
65.为解决现有技术中存在的上述技术问题,本发明实施例提供了一种像素电路。
66.为便于描述,下面各实施例中,脉冲幅度调制子电路称为pam子电路,脉冲宽度调制子电路称为pwm子电路。脉冲幅度调制信号端称为pam信号端,脉冲宽度调制信号端称为pwm信号端。
67.图1为本发明的像素电路一种实施例的拓扑图,如图1所示,本实施例的像素电路可以包括pam子电路10、pwm子电路11、复位补偿子电路12、第一发光控制子电路13、第二发光控制子电路14和驱动子电路15。
68.所述pam子电路10的第一端与pam信号端电连接,所述pam子电路10的控制端与第一扫描信号端g1电连接,所述pam子电路10的第二端与所述驱动子电路15的第一端以及所述第一发光控制子电路13的第一端电连接。
69.所述复位补偿子电路12的第一端与所述驱动子电路15的第二端以及所述第一发光控制子电路13的第二端电连接,所述复位补偿子电路12的第二端与所述驱动子电路15的控制端电连接,所述复位补偿子电路12的控制端与第二扫描信号端g2电连接。
70.所述第一发光控制子电路13的第一控制端与第一发光信号控制端e1电连接,所述第一发光控制子电路13的第二控制端与第二发光信号控制端e2电连接,所述第一发光控制子电路13的第三端与第一电压信号端v1电连接,所述第一发光控制子电路13的第四端与所述第二发光控制子电路14的第一端电连接;所述第二发光控制子电路14的第二端与发光器件d的阳极端电连接,发光器件d的阴极端与第四电压信号端v4电连接。
71.所述pwm子电路11的第一端与pwm信号端电连接,所述pwm子电路11的第二端与所述第二发光控制子电路14的控制端电连接,所述pwm子电路11的控制端与第三扫描信号端g3电连接。
72.本发明对于发光器件d的种类不做限定。在一些实施例中,发光器件d可以为次毫米发光二极管(mini light emitting diode,简称mini led),或者,可以为微型发光二极管(micro light emitting diode,简称micro led),也可以是有机发光二极管(organic light emitting diode,简称oled)。
73.在一个具体实现过程中,所述复位补偿子电路12用于在所述第二扫描信号端g2的控制下,对所述驱动子电路15的控制端进行复位或者阈值补偿。
74.所述第一发光控制子电路用于在所述第一发光控制信号端和所述第二发光信号控制端e2的控制下,将所述驱动子电路15产生的驱动电流传输给所述第二发光控制子电路14,并控制所述第一电压信号端v1与所述第二发光控制子电路14之间的电流通路的导通时长。
75.所述pwm子电路11用于在所述第三扫描信号端g3的控制下,将所述pwm信号端的
pwm信号传输给所述第二发光控制子电路14,以通过控制所述第二发光控制子电路14的导通时长,进而控制所述第一电压信号端v1与所述第二发光控制子电路14之间的电流通路的导通时长。
76.在一个具体实现过程中,第一扫描信号端g1和第三扫描信号端g3可以为同一信号端,也可以为不同信号端。
77.图2为图1所示像素电路的一种实施例的时序控制图,其中,第一扫描信号端g1发出的信号可以表示为gate_a,第三扫描信号端g3发出的信号可以表示为gate_b,第二扫描端g2发出的信号可以表示为rst,第一发光信号控制端e1发出的信号可以表示为em,第二发光信号控制端e2发出的信号可以表示为em_pwm。
78.本实施例的像素电路的工作过程如下:
79.在复位阶段t1,通过所述第二扫描信号端g2控制所述复位补偿子电路12导通,通过所述第一发光信号控制端e1控制所述第一发光控制子电路13的第二端与所述第一电压信号端v1导通,使得所述驱动子电路15的控制端进行复位。图3a为图1在复位阶段的状态图。
80.在写入补偿阶段t2,通过第一扫描信号端g1控制所述pam子电路10导通,通过所述第二扫描信号端g2控制所述复位补偿子电路12导通,通过所述第一发光信号控制端e1控制所述第一发光控制子电路13的第二端与所述第一电压信号端v1断开,向所述驱动子电路15的控制端写入pam信号并进行阈值补偿,通过所述第三扫描信号端g3控制所述pwm子电路11导通,向所述第二发光控制子电路14的控制端写入pwm信号,以控制所述第二发光控制子电路14导通或者断开。其中,该pwm信号有两种电平,可以控制所述第二发光控制子电路14导通或者断开,从而可以选择发光器件d的发光时间。图3b为图1在写入补偿阶段的状态图。
81.需要说明的是,第二发光控制子电路14根据pwm信号的电平,导通或断开,图3b中第二发光控制子电路14以导通状态为例,对于关断状态不再示出。
82.在发光控制阶段t3,通过所述第一发光控制信号端以及所述第二发光控制信号端e2,控制第一发光控制电路导通,将所述驱动子电路15产生的驱动电流传输给所述第二发光控制子电路14;若所述pwm信号能够控制所述第二发光控制子电路14导通,控制所述发光器件d发光,若所述pwm信号控制所述第二发光控制子电路14断开,控制所述发光器件d不发光。图3c为图1在发光控制阶段的状态图。
83.需要说明的是,第二发光控制子电路14根据pwm信号的电平,导通或断开,图3c中第二发光控制子电路14以导通状态为例,对于关断状态不再示出。
84.图4为图1所示像素电路的仿真示意图,如图4所示,在写入补偿阶段,若pwm信号为高电平信号,则在发光控制阶段t3,发光器件d流过电流i(d),发光器件d能发光。若pwm信号为低电平信号,则在发光控制阶段t3,发光器件d不发光。图4以第一扫描信号端g1和第三扫描信号端g3发出的信号相同为例,其可以表示为gate。
85.由上述可知,只有当第一发光控制子电路13和第二发光控制子电路14均处于导通状态时,所述第一电压信号端v1与所述第二发光控制子电路14之间的电流通路才能够导通,驱动子电路15产生的驱动电流才能够通过上述电流通路输出至发光器件d。这样一来,发光器件d的有效发光亮度可以受到驱动电流、第一发光控制子电路13以及第二发光控制子电路14的协同控制,增加了影响发光器件d的有效发光亮度的因素,使得具有该像素电路
的亚像素能够显示的灰阶值更加多样化,提高显示屏亮度的均一性。
86.本实施例的像素电路及其驱动方法,通过pam子电路10能够将与显示灰阶有关的pam数据电压输出至驱动子电路15,以使得驱动子电路15能够产生用于驱动发光器件d发光的驱动电流,通过pwm子电路11将pwm信号传输至第二发光控制子电路14,以控制第二发光控制子电路14的导通时长,最终实现对第一电压信号端v1与发光器件d之间的电流通路的导通时长的控制,这样一来,在一扫描周期内,通过pam数据电压的大小以及pwm信号可以控制发光器件d有效发光亮度,达到调节显示灰阶的目的,提高显示屏亮度的均一性。
87.图5为图1所示像素电路的另一种实施例的时序控制图,本实施例的像素电路的时序控制图与图2所示实施例的时序控制图的区别在于,第二发光控制信号端e2输出的高电平方波中可以包括多个低电平的子方波,这样,在发光控制阶段,可以通过所述第二发光控制信号端e2,控制所述第一发光控制子电路13按照预设频率导通,以通过增加亮度开关频率,降低闪烁风险。
88.如图1所示,本实施例的像素电路还可以包括复位子电路16。所述复位子电路16的第一端与第二电压信号端v2电连接,所述复位子电路16的第二端与所述第二发光控制子电路14的第一端电连接,所述复位子电路16的控制端与第四扫描信号端电连接。
89.在一个具体实现过程中,第四扫描信号端与第二扫描信号端g2可以为同一信号端,也可以为不同信号端。第二电压信号端v2可以输入vint信号。
90.在一个具体实现过程中,如图1所示,所述pam子电路10包括第四晶体管t4,所述pwm子电路11包括第六晶体管t6和第二电容,所述复位补偿子电路12包括第二晶体管t2,所述第一发光控制子电路13包括第一晶体管t1和第五晶体管t5,所述第二发光控制子电路14包括第七晶体管t7,所述驱动子电路15包括第三晶体管t3,所述复位子电路16包括第八晶体管t8。
91.所述第四晶体管t4的第一极作为所述pam子电路10的第一端,所述第四晶体管t4的第二极作为所述pam子电路10的第二端,所述第四晶体管t4的控制极作为所述pam子电路10的控制端。
92.所述第二晶体管t2的第一极作为所述复位补偿子电路12的第一端,所述第二晶体管t2的第二极作为所述复位补偿子电路12的第二端,所述第二晶体管t2的控制极作为所述复位补偿子电路12的控制端。
93.所述第一晶体管t1的控制极作为所述第一发光控制子电路13的第一控制端,所述第一晶体管t1的第一极作为所述第一发光控制子电路13的第三端,所述第一晶体管t1的第二极作为所述第一发光控制子电路13的第二端;所述第五晶体管t5的控制极作为所述第一发光控制子电路13的第二控制端,所述第五晶体管t5的第一极作为所述第一发光控制子电路13的第一端,所述第五晶体管t5的第二极作为所述第一发光控制子电路13的第四端。
94.所述第六晶体管t6的控制极作为所述pwm子电路11的控制端,所述第六晶体管t6的第一极作为所述pwm子电路11的第一端,所述第六晶体管t6的第二极作为所述pwm子电路11的第二端。
95.所述第七晶体管t7的第一极作为所述第二发光控制子电路14的第一端,所述第七晶体管t7的第二极作为所述第二发光控制子电路14的第二端,所述第七晶体管t7的控制作为所述第二发光控制子电路14的控制端。
96.所述第三晶体管t3的第一极作为所述驱动子电路15的第一端,所述第三晶体管t3的第二极作为所述驱动子电路15的第二端,所述第三晶体管t3的控制极作为所述驱动子电路15的控制端。
97.所述第八晶体管t8的第一极作为所述复位子电路16的第一端,所述第八晶体管t8的第二极作为所述复位子电路16的第二端,所述第八晶体管t8的控制极作为所述复位子电路16的控制端。第八晶体管t8可以为低温多晶硅晶体管。
98.在一个具体实现过程中,所述第四晶体管t4的第一极与所述pam信号端电连接,所述第四晶体管t4的控制极与所述第一扫描信号端g1电连接,所述第四晶体管t4的第二极与所述第三晶体管t3的第一极以及所述第五晶体管t5的第一极电连接。
99.所述第二晶体管t2的第一极与所述第三晶体管t3的第二极以及所述第一晶体管t1的第二极电连接,所述第二晶体管t2的第二极与所述第三晶体管t3的控制极电连接,所述第二晶体管t2的控制极与第二扫描信号端g2电连接。
100.所述第一晶体管t1的控制极与第一发光信号控制端e1电连接,所述第五晶体管t5的控制极与第二发光信号控制端e2电连接,所述第一晶体管t1的第一极与第一电压信号端v1电连接,所述第五晶体管t5的第二极与所述第七晶体管t7的第一极电连接;所述第七晶体管t7的第二极与发光器件d的阳极端电连接。
101.所述第六晶体管t6的第一极与所述pwm信号端电连接,所述第六晶体管t6的控制极与第三扫描信号端g3电连接,所述第六晶体管t6的第二极与所述第七晶体管t7的控制极以及所述第二电容的第一端电连接;所述第二电容的第二端与第四电压信号端电连接。
102.所述第八晶体管t8的第一极与所述第二电压信号端v2电连接,所述第八晶体管t8的第二极与所述第二发光控制子电路14的第一端电连接,所述第八晶体管t8的控制极与第四扫描信号端电连接。
103.如图1所示,本实施例的像素电路还可以包括第一电容。所述第一电容的第一端与所述驱动子电路15的控制端电连接;所述第一电容的二端与所述第八晶体管t8的第二极电连接。
104.在一个具体实现过程中,该电路的的工作过程如下:
105.在复位阶段t1:t1/t2/t8打开,n2/n4节点复位;
106.在写入补偿阶段t2:t2/t3/t4打开,n2节点写入pam vth,进行vth补偿;t6打开,t7栅极写入pwm信号,pwm有两种电平,控制t7是否打开,从而可以选择发光时长;
107.在发光控制阶段t3:t1/t3/t5/t7打开,n4节点电压变为v(d),n2节点电压耦合,电压变为pam vth v(d)

vint,发光器件d在vdd的驱动下发光。或者,t1/t3/t5打开,t7关闭,n4节点电压变为v(d),n2节点电压耦合,电压变为pam vth v(d)

vint,发光器件d不发光。
108.各阶段的节点n1

n4的电压如表1:
109.表1
[0110][0111]
图6为本发明的像素电路另一种实施例的拓扑图,如图6所示,本实施例的像素电路与图1所示实施例的区别在于所述第一发光控制子电路13还包括第九晶体管t9。所述第九晶体管t9的控制极和所述第五晶体管t5的控制极共同作为所述第一发光控制子电路13的第二控制端;所述第九晶体管t9的第二极作为所述第一发光控制子电路13的第四端,且所述第九晶体管t9的第一极与所述第五晶体管t5的第二极电连接。所述第八晶体管t8的第二极通过所述第九晶体管t9与所述第二发光控制子电路14的第一端电连接。
[0112]
在一个具体实现过程中,所述第二晶体管t2为氧化物晶体管;所述第一晶体管t1、所述第三晶体管t3、所述第四晶体管t4、所述第五晶体管t5、所述第六晶体管t6、所述第七晶体管t7、所述第九晶体管t9均为低温多晶硅晶体管。或者,所述第一晶体管t1、所述第二晶体管t2、所述第三晶体管t3、所述第四晶体管t4、所述第五晶体管t5、所述第六晶体管t6、所述第七晶体管t7、所述第九晶体管t9均为氧化物晶体管;所述第一晶体管t1、所述第二晶体管t2、所述第三晶体管t3、所述第四晶体管t4、所述第五晶体管t5、所述第六晶体管t6、所述第七晶体管t7、所述第九晶体管t9均为低温多晶硅晶体管。
[0113]
图7为本发明的像素电路再一种实施例的拓扑图,本实施例与图1以及图2所示像素电路的区别在于,该像素电路还包括阳极放电子电路17。其中,本实施例的像素电路仅示出了pwm子电路11、第二发光控制子电路14和阳极放电子电路17。其他结构及连接关系,请参考图1和图2,在此不再赘述。
[0114]
所述阳极放电子电路17的第一端与第三电压信号端v3电连接,所述阳极放电子电路17的第二端与所述发光器件d的阳极端电连接,所述阳极放电电路的控制端与第五扫描信号端电连接。第三电压信号端v3可以输入vint信号。
[0115]
在一个具体实现过程中,所述阳极放电子电路17包括第十晶体管t10。所述第十晶体管t10的第一极作为所述阳极放电子电路17的第一端,所述第十晶体管t10的第二极作为所述阳极放电子电路17的第二端,所述第十晶体管t10的控制极作为所述阳极放电子电路17的控制端。第十晶体管t10可以为低温多晶硅晶体管。
[0116]
所述第十晶体管t10的第一极与第三电压信号端v3电连接,所述第十晶体管t10的第二极与所述发光器件d的阳极端电连接,所述第十晶体管t10的控制极与所述第五扫描信号端电连接。
[0117]
在一个具体实现过程中,所述第五扫描信号端与所述第二扫描信号端g2可以为同一信号端,也可以为不同信号端。
[0118]
本发明实施例还提供了一种上述实施例的像素电路的驱动方法,该像素电路的驱动方法可以包括如下步骤:
[0119]
在复位阶段,通过所述第二扫描信号端g2控制所述复位补偿子电路12导通,通过所述第一发光信号控制端e1控制所述第一发光控制子电路13的第二端与所述第一电压信号端v1导通,使得所述驱动子电路15的控制端进行复位;
[0120]
在写入补偿阶段,通过第一扫描信号端g1控制所述pam子电路10导通,通过所述第二扫描信号端g2控制所述复位补偿子电路12导通,通过所述第一发光信号控制端e1控制所述第一发光控制子电路13的第二端与所述第一电压信号端v1断开,向所述驱动子电路15的控制端写入pam信号并进行阈值补偿,通过所述第三扫描信号端g3控制所述pwm子电路11导通,向所述第二发光控制子电路14的控制端写入pwm信号,以控制所述第二发光控制子电路14导通或者断开;
[0121]
在发光控制阶段,通过所述第一发光控制信号端以及所述第二发光控制信号端e2,控制第一发光控制电路导通,将所述驱动子电路15产生的驱动电流传输给所述第二发光控制子电路14;若所述pwm信号能够控制所述第二发光控制子电路14导通,控制所述发光器件d发光,若所述pwm信号控制所述第二发光控制子电路14断开,控制所述发光器件d不发光。
[0122]
在一个具体实现过程中,该像素电路的驱动方法,其特征在于,还包括:
[0123]
在发光控制阶段,通过所述第二发光控制信号端e2,控制所述第一发光控制子电路13按照预设频率导通。
[0124]
本发明实施例还提供了一种显示基板,该显示基板可以包括上述实施例的像素电路。
[0125]
本发明实施例还提供了一种显示装置,该显示装置可以包括上述实施例的显示基板。
[0126]
可以理解的是,上述各实施例中相同或相似部分可以相互参考,在一些实施例中未详细说明的内容可以参见其他实施例中相同或相似的内容。
[0127]
本领域技术人员可以理解,本发明所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。由于这里采用的晶体管的源极、漏极是对称的,所以其源极、漏极可以互换。在本发明实施例中,将栅极成为控制极,为区分晶体管除栅极之外的两极,将其中一个电极称为第一极,另一电极称为第二极,第一极可以为源极或者漏极,第二极可以为漏极或源极。
[0128]
需要说明的是,在本发明的描述中,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外,在本发明的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是指至少两个。
[0129]
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0130]
虽然本发明所公开的实施方式如上,但所述的内容只是为了便于理解本发明而采
用的实施方式,并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员,在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下,可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化,但本发明的保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
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