用于将电子构件附接到热沉元件上的适配器元件、具有这种适配器元件的系统以及用于制造这种适配器元件的方法与流程

1.本发明涉及一种用于将电子构件附接到热沉元件上的适配器元件、一种具有这种适配器元件的系统以及一种用于制造这种适配器元件的方法。


背景技术：

2.从现有技术充分已知，借助于对应的热沉元件冷却在运行中发热的电子构件。为此，这种热沉元件例如包括一个或多个通道，在电子构件运行期间通过所述通道输送冷却液。所述热沉元件典型地设在电子构件的下侧处。
3.此外，现有技术熟知具有第一连接区域和第二连接区域的电子构件，其中在第一连接区域和第二连接区域之间构成有有源元件区域。例如通过激光二极管或激光二极管芯片构成有源元件区域，并且第一连接区域和第二连接区域关联有不同的电势，使得电压在电子构件上下降。
4.为了附接这种电子构件，已经证明为有利的是，适配器元件布置在电子构件和热沉元件之间，其中适配器元件首先用于将第一连接区域与第二连接区域电绝缘。如下适配器元件已经证明为是特别有利的：其具有梳状接片元件，梳状接片元件垂直地从绝缘层突出，使得可以在安装状态中分别将系统的第一连接区域和/或第二连接区域设置在各个接片元件上或分别附接在各个接片元件上。通过将第一金属层附接到绝缘层上并且紧接着借助于蚀刻方法实现空区域以形成第一接片元件和/或第二接片元件，制造这种适配器元件。


技术实现要素：

5.基于此，本发明的目的在于，提供这种适配器元件，所述适配器元件尤其在其在系统中的冷却性能方面相对于现有技术中的适配器元件得到改进，所述系统在安装状态中除了电子构件和适配器元件之外还包括热沉元件。
6.所述目的通过根据权利要求1的适配器元件、根据权利要求13的系统和根据权利要求15的方法来来实现。本发明的优选的设计方案在从属权利要求中以及在以下描述中尤其结合附图说明。
7.根据本发明的第一方面，提出一种用于将至少一个电子构件附接在热沉元件上的适配器元件，所述电子构件具有第一连接区域、第二连接区域和设置在第一连接区域和第二连接区域之间的至少一个有源元件区域，所述适配器元件包括：
8.‑
绝缘层，其沿着主延伸平面延伸，以及
9.‑
至少一个第一接片元件和第二接片元件，
10.‑‑
所述第一接片元件和第二接片元件在平行于主延伸平面伸展的方向上并排设置，以构成空区域，
11.‑‑
在安装状态中，所述第一接片元件和第二接片元件在垂直于主延伸平面伸展的方向上设置在绝缘层和电子构件之间，并且
12.‑‑
在安装状态中，电子构件设置在所述第一接片元件和第二接片元件的背向绝缘层的端侧上，
13.其中在第一接片元件和第二接片元件之间的在平行于主延伸平面中测量的间距小于350μm、优选地具有在100μm和300μm之间的值和特别优选地在125μm和200μm之间的值。
14.相对于从现有技术已知的适配器元件，根据本发明提出，相比于以传统蚀刻方法对于现有技术中的适配器元件而言可行的间距相比，实现在第一接片元件和第二接片元件之间的更小间距。为此尤其借助于切削加工，例如利用锯尤其晶圆锯，实现在第一和第二接片元件之间的根据权利要求更小的间距。
15.通过在第一和第二接片元件之间的相对非常小的间距以有利的方式可行的是，增大用于电子构件的各个区域的连接面。在此，在第一接片元件的和/或第二接片元件的背向绝缘层的端侧处形成连接面。换言之：相对于从现有技术已知的接片元件，根据权利要求的第一接片元件和第二接片元件有利地确定尺寸成，使得实现增大的接触面或连接面，经由所述接触面或连接面，第一接片元件例如与第一连接区域接触和/或第二接片元件与中间件或第二连接区域接触。因此，热量散发的效率能够相对于从现有技术已知的适配器元件显著改进。由此能够尤其优化系统的冷却效率，所述系统将根据权利要求的适配器元件用作电子构件和热沉元件之间的环节。
16.优选地，第一接片元件和第二接片元件从绝缘层尤其垂直地从绝缘层突出，其中例如第一接片元件的设为用于附接电子构件的端侧背向绝缘层并且作为用于第一连接区域的连接面提供，而第二端元件的背向绝缘层的端侧例如用于连接第二连接区域和/或中间件。在此，第一接片元件和第二接片元件例如由金属制成并且绝缘层优选地由陶瓷制成。
17.优选地，陶瓷层具有al2o3、si3n4、aln、或hpsx陶瓷(也就是说具有al2o3基质的陶瓷，其包括百分之x的份额的zro2，例如具有9％zro2的al2o3＝hps9或具有25％zro2的al2o3＝hps25)、高密度的mgo(>理论密度的90％)、tsz(四方稳定锆氧化物)或zta作为用于陶瓷的材料。在此也可设想，绝缘层构成为复合陶瓷或混合陶瓷，其中在其材料组成方面分别不同的多个陶瓷层彼此相叠地设置并且拼接成绝缘层以用于组合不同的期望的特性。优选地，使用高导热的陶瓷用于尽可能小的热阻。
18.作为用于包括接片元件的金属层的材料，可设想铜、铝、钼和/或其合金，以及层压材料如cuw、cumo、cual、alcu和/或cucu，尤其具有第一铜层和第二铜层的铜夹层结构，其中第一铜层中的粒径与第二铜层中的粒径不同。
19.此外优选地提出，第一接片元件的、第二接片元件的和/或第三接片元件(平行于第一接片元件和第二接片元件之间的间距的间距测量来测量)的宽度确定尺寸成，使得宽度大致相当于电子构件的贴靠在对应的第一接片元件的、第二接片元件的或第三接片元件的端侧上的那个区域例如第一连接区域、第二连接区域和/或中间件的延伸的0.5至0.95倍、优选地0.6至0.95倍和特别优选地0.75至0.95倍。例如，第一接片元件、第二接片元件和/或第三接片元件的宽度处于0.5mm和3.0mm之间、优选地0.8mm和2.50mm之间和特别优选地1.00mm和2.00mm之间。
20.此外提出，第一接片元件和第二接片元件在适配器元件的截面视图中形成梳状结构，并且各个接片元件，也就是说第一接片元件和/或第二接片元件，在平行于主延伸平面伸展的方向上优选地彼此平行地纵向延伸。特别优选地提出，连接区域、第二连接区域和/
或中间件分别附接到至少第一接片元件和/或第二接片元件上。优选地可设想，第一连接区域、第二连接区域和中间件分别附接到恰好一个第一接片元件和/或第二接片元件和/或第三接片元件上。此外特别优选地提出，在第一接片元件和第二接片元件之间的间距在第一接片元件的和/或第二接片元件的端侧的高度上实现。此外可设想，除了第一接片元件、第二接片元件和/或第三接片元件之外，设有至少一个第四接片元件，在安装状态中，所述第四接片元件保持不被占用，也就是说在其端侧处不设有用于在安装状态中电子构件贴靠的区域。
21.优选地，有源元件区域是通过功能单元的延展定义的那个区域。例如，功能单元是激光二极管和/或激光二极管芯片，激光二极管和/或激光二极管芯片设为用于发射光，并且在运行中经由第一连接区域和第二连接区域供给电压。在此通常提出，有源元件区域不接触第一接片元件和/或第二接片元件或适配器元件或不贴靠在其上。相反提出，有源元件区域在第一接片元件和第二接片元件之间的空区域上方优选地基本上居中地设置。
22.优选地提出，第一接片元件和第二接片元件是金属层的部分和/或其中第一接片元件和第二接片元件在适配器元件的上侧处彼此齐平，也就是说第一接片元件的端侧和第二接片元件的端侧在垂直于主延伸平面伸展的方向上设置在共同的高度上。此外优选地提出，金属层关联有第一厚度并且绝缘层关联有第二厚度。例如，在垂直于主延伸平面伸展的方向上第一厚度处于0.1mm和2mm之间的值并且在同一方向上第二厚度处于0.15mm和1mm之间。特别优选地，设定或实现0.1mm至0.3mm的所谓的剩余金属厚度，也就是说金属层的实心的或闭合的区域的厚度，尤其剩余铜厚度。绝缘层具有0.1mm和1.5mm之间、优选地0.1mm和1mm之间和特别优选地0.1mm和0.6mm之间的第二厚度。此外优选地提出，在适配器元件的下侧处设有热沉元件，其中热沉元件基本上平行于主延伸方向延伸并且包括至少一个冷却通道，所述冷却通道适合于基本上平行于主延伸平面引导冷却液，使得例如可以沿着绝缘层引导冷却液从而可以用于散热。
23.根据一个优选实施方式提出，有源元件区域的平行于主延伸平面测量的延展与在第一接片元件和第二接片元件之间的平行于主延伸测量的间距的比具有在0.7和1之间的值、优选地在0.85和1之间的值和特别优选地基本上0.99的值。由此，以有利的方式可行的是，构造用于绝缘的空区域，使得其与有源元件区域的尺寸或延展相比稍微更大。相应高热效地，第一和第二接片元件的端侧可以构成为接触面。尤其对于0.8的值或在0.75和0.85之间的比，间距在此确定尺寸成，使得可以在将电子构件附接到适配器元件上时确保充分大的制造公差，使得不必担忧在将电子构件附接到适配器元件上时有源元件区域不经意地与第一和/或第二接片元件贴靠。
24.以有利的方式提出，在安装状态中，有源元件区域在垂直于主延伸伸展的方向上设置在空区域上方，尤其提出，有源元件区域在平行于主延伸平面伸展的方向上观察设置在第一接片元件和第二接片元件之间，优选地居中地设置在第一接片元件和第二接片元件之间。
25.优选地提出，在第一接片元件和第二接片元件之间构成的空区域伸入至绝缘层中。例如空区域的在垂直于主延伸平面伸展的方向上(从第一接片元件的端侧观察)测量的深度大于金属层的第一厚度。换言之：空区域的底部处于绝缘层内。由此可以进一步改进适配器元件的绝缘性能。在此，尤其证明为有利的是，在切削制造空区域时，与在其他情况下
必须通过两阶段的蚀刻方法实现的空区域相比，能够更简单地制造所述接入或嵌入至绝缘层中的空区域。
26.在本发明的另一优选实施方式提出，第一接片元件和/或第二接片元件从适配器元件的第一侧延伸至与适配器元件的第一侧相对置的第二侧。换言之：第一接片元件和/或第二接片元件优选地连续地、沿着平行于主延伸平面伸展的方向在适配器元件的完全的横向延伸和/或纵向延伸上，也就是说在总宽度或长度上延伸。这种第一和第二接片元件能够尤其在借助于锯条进行锯切时相对简单地制造，尤其当并排设置多个将来的适配器元件并且然后共同地在锯切过程中实现用于多个适配器元件的空区域时。此外证明为有利的是，并排设置多个这种适配器元件，由此进一步改进系统的冷却性能，因为可以舍弃附加地横向或垂直地伸展的接片元件。优选地提出，适配器元件不具有横向和/或垂直于第一和第二接片元件伸展的接片元件。
27.优选地提出，在安装状态中，第一连接区域设置、尤其贴靠在第一接片元件上并且第二连接区域设置、尤其贴靠在第二接片元件上。换言之：第一接片元件与第一连接区域相关联并且第二接片元件与第二连接区域相关联。对应地，第一接片元件和第二接片元件之间的间距设计成，使得借助在第一接片元件和第二接片元件之间的空区域可以跨接具有有源元件的区域。在此尤其提出，第一接片元件和第二接片元件分别与第一或第二连接区域电连接。
28.尤其在有源元件下方不设置有另外的接片元件或既不设置有第一接片元件也不设置有第二接片元件。由此，有利地在绝缘层和电构件之间构成无接片元件的区域。尤其在电构件和绝缘层之间构成空区域。因此，例如以有利的方式可行的是，简化电构件的附接过程，因为不必考虑在第一接片元件和第二接片元件之间的构件，尤其与有源元件可能的接触。
29.此外优选地提出，第一接片元件的和/或第二接片元件的第一厚度大于第一接片元件的和/或第二接片元件的宽度，其中第一接片元件的和/或第二接片元件的宽度沿着确定第一接片元件和第二接片元件之间的间距的方向测量。由此，给第一接片元件和/或第二接片元件以有利的方式提供充分的热容，所述热容尤其在过载情况中证明为是对于散热的有利缓冲。优选地，第一厚度大于第一接片元件的和/或第二接片元件的宽度的2倍，优选地大于5倍和特别优选地大于8倍。
30.优选地提出，在安装状态中，在第一连接区域下方设置有单个第一接片元件，和/或在安装状态中，在第二连接区域下方设置有单个第二接片元件。由此，第一连接区域或第二连接区域关联有恰好一个第一或第二接片元件。换言之：第一和第二接片元件形成连续的体，其宽度优选地基本上对应于第一连接区域或第二连接区域在同一方向上测量的延展。借此提供尽可能大的和尤其连续的接触面。
31.第一接片元件尤其与第二接片元件直接相邻地设置，也就是说分别与第一连接区域和第二连接区域接触的第一接片元件和第二接片元件之间的空区域不仅邻接第一接片元件而且邻接第二接片元件。
32.此外优选地提出，在安装状态中，在第一连接区域下方设置有单个第一接片元件，和/或在安装状态中，在第二连接区域下方设置有单个第二接片元件。
33.例如提出，第一接片元件的和/或第二接片元件的第一厚度大于绝缘层的厚度。
34.优选地提出，空区域具有在1和25之间、优选地在1和15之间和特别优选地在1.5和3之间的长宽比。
35.借助于切削加工、尤其借助于晶圆锯的制造，能够实现尤其不能够以通常的蚀刻方法实现的非常大的长宽比。尤其如果应实现大约0.2mm的剩余金属厚度，则通过蚀刻最多设定受限的长宽比。至今常见的是减小剩余金属厚度，以便通过如下方式实现更精细的结构：尤其首先将剩余金属厚度减小到0.2mm，随后进行结构蚀刻并且最后以金刚石铣刀将金属层减小到0.1mm。虽然可以产生具有0.3mm深度的沟槽，然而剩余金属厚度的减小以不期望的方式导致热扩散的使用受限。换言之：所提出的方法允许实现相对大的长宽比，而不必舍弃有利地构成充分大地确定尺寸的剩余金属厚度。
36.根据本发明的另一实施方式提出，设有多个空区域，其中两个相邻的空区域之间的间距沿着平行于主延伸平面伸展的方向变化。尤其可设想，两个相邻的空区域之间的间距匹配于第一连接区域的、第二连接区域的和/或中间件的相应的尺寸，由此可以实现在第一和/或第二和/或第三接片元件的相应端侧上的尽可能优化的贴靠面。由此可以整体上进一步优化系统的冷却效率。
37.本发明的另一方面是一种用于冷却电子构件的系统，其包括：
38.‑
根据本发明的适配器元件；以及
39.‑
热沉元件，所述热沉元件在绝缘层的背向第一和第二接片元件的一侧附接在绝缘层上，其中在安装状态中，适配器元件设置在电子构件和热沉元件之间。对于适配器元件描述的所有特征和优点能够类似地转用于用于冷却电子构件的系统，并且反之亦然。
40.根据另一实施方式提出，系统由多个并排设置的适配器元件组成。优选地，适配器元件并排设置成，使得不同适配器元件的第一接片元件彼此齐平地设置，也就是说在不同适配器元件上观察各个接片元件的伸展延续。由此实现用于附接电子构件的大的贴靠面，所述贴靠面通过所述对应的几何形状或设置实现改进的冷却效率。
41.本发明的另一方面是一种用于制造根据本发明的适配器元件的方法，所述方法包括：
42.‑
提供绝缘层，
43.‑
提供金属层，
44.‑
将金属层附接到绝缘层上，优选地借助于直接金属附接方法或活性焊接方法，
45.‑
将空区域引入到金属层中或将空区域引入到金属层和绝缘层中以构成第一接片元件和第二接片元件，
46.其中空区域通过切削加工，优选地通过借助锯条的锯切实现。对于适配器元件和系统描述的所有优点和特征能够类似地转用于用于制造适配器元件的方法，并且反之亦然。
47.例如，锯条是设有金刚石和/或包括硬金属的锯条。
48.特别优选地提出，经由直接金属附接方法或活性焊接方法实现将金属层附接到绝缘层上。
49.根据本发明的一个优选实施方式提出，金属化层借助于dcb方法或活性焊接方法附接到绝缘层上。
50.本领域技术人员将直接金属附接方法，如“dcb方法”(direct
‑
copper
‑
bond
‑
technology)或“dab方法”(direct
‑
aluminium
‑
bond
‑
technology)，理解为如下方法：所述方法例如用于使金属层或金属板(例如铜板或铜箔)彼此连接和/或使金属层或金属板与陶瓷或陶瓷层连接，更确切地说利用在其表面侧处具有层或覆层(熔化层)的金属板或铜板或金属箔或铜箔。在例如在us 3 744 120a中或在de 23 19 854 c2中描述的方法中，所述层或所述覆层(熔化层)形成具有低于金属(例如铜)的熔化温度的熔化温度的共晶体，使得通过将箔放置到陶瓷上以及通过加热所有层，可以使所述层彼此连接，更确切地说通过基本上仅在熔化层或氧化层的区域中熔化金属或铜。
51.于是，dcb方法尤其例如具有如下方法步骤：
52.‑
将铜箔氧化，使得得出均匀的铜氧化层；
53.‑
将铜箔放置到陶瓷层上；
54.‑
将复合物加热到大约1025℃至1083℃之间的工艺温度，例如加热到大约1071℃；
55.‑
冷却到室温。
56.活性焊接方法，例如用于使金属层或金属箔连接，尤其也使铜层或铜箔与陶瓷材料连接，应理解为如下方法：所述方法也专门用于制造金属
‑
陶瓷衬底。在此，在大约650℃
‑
1000℃之间的温度下利用硬焊料在金属箔例如铜箔与陶瓷衬底例如氮化铝陶瓷之间建立连接，所述硬焊料除主成分如铜、银和/或金之外还包括活性金属。例如是hf、ti、zr、nb、ce中的至少一个元素的所述活性金属通过化学反应在焊料与陶瓷之间建立连接，而焊料与金属之间的连接是金属硬焊料连接。
57.替选地，也可设想铝金属化中的dab方法和/或厚膜方法(dickschichtverfahren)以用于附接。
附图说明
58.其他优点和特征从根据本发明的主题的优选实施方式的以下描述参照附图得出。各个实施方式的各个特征在此能够在本发明的范畴内彼此组合。附图示出：
59.图1示出根据现有技术的适配器元件的俯视图(上方)和截面视图(下方)；
60.图2示出根据本发明的一个优选实施方式的用于制造适配器元件的方法；
61.图3示出根据本发明的一个优选实施方式的一个适配器元件；以及
62.图4示出根据本发明的一个优选实施方式的多个适配器元件的设置。
具体实施方式
63.在图1中示出根据现有技术的用于将电子构件30附接到热沉元件20上的适配器元件10。图1尤其在上方示出适配器元件10在主延伸平面hse上的俯视图，而在下方图解说明由适配器元件10、电子构件30和热沉元件20在安装状态中构成的系统1的截面视图。在此，经由适配器元件10附接到热沉元件20上或在安装状态中附接的电子构件30具有第一连接区域31和第二连接区域32。在第一连接区域31和第二连接区域32之间，在此设有至少一个有源元件区域5。在可安装的状态中，在此第一连接区域31、第二连接区域32和有源元件区域5平行于主延伸平面hse并排设置。
64.在图1中示出的实施方式中，除了有源元件区域5之外，还设有另外的有源元件区域5’，其中有源元件区域5和另外的有源元件区域5’设置在第一连接区域31和第二连接区
域32之间并且彼此通过中间件33分隔。在安装状态中，尤其在电子构件30运行中，在此提出，第一连接区域31和第二连接区域32处于不同电势，使得构成在电子构件30上下降的电压。适配器元件10的任务是，将电子构件30的各个区域，也就是说第一连接区域31、第二连接区域32和/或中间件33彼此电绝缘。为此，适配器元件10包括优选地由陶瓷制成的基本上沿着主延伸平面hse延伸的绝缘层15。从绝缘层15，在垂直于主延伸平面hse伸展的方向上突出有至少一个第一接片元件11和第二接片元件12，其中第一接片元件11和/或第二接片元件12由金属制成。在安装状态中，电子构件30设置尤其附接在第一接片元件11的和第二接片元件12的端侧18上，其中优选地第一连接区域31附接在第一接片元件11的端侧18上并且中间件33附接在第二接片元件12的端侧18上。此外提出，第二连接区域32附接在第三接片元件23上。电子构件30尤其贴靠在适配器元件10的上侧os上。由此可行的是，将第一连接区域31，中间件33和第三连接区域分别彼此电绝缘，尤其通过适配器元件10的绝缘层15和彼此间隔开的第一接片元件11、第二接片元件12和/或第三接片元件23。
65.此外，在此提出，第一接片元件11、第二接片元件12和第三接片元件23是金属层16的部分，所述金属层例如经由dcb方法和/或活性焊接方法附接到绝缘层15上。在安装状态中还提出，在适配器元件10的下侧us处，也就是说尤其在与第一接片元件11和第二接片元件12相对置的一侧处，附接有热沉元件20。优选地以冷却液穿流所述热沉元件20，其中冷却液经由对应的开口7在由适配器元件10、电子构件30和热沉元件20构成的系统1的上侧os处引入并且首先沿着平行于堆叠方向s(朝向下侧us)伸展的方向在一端导入到热沉元件20中。在热沉元件20内，冷却液优选地基本上平行于主延伸平面hse流动，以便在另一端沿着堆叠方向s(朝向上侧os)流动到适配器元件10的上侧os处，以便经由开口7又离开适配器元件10或系统1。
66.在图2中示出根据本发明的一个优选实施方案的用于制造适配器元件10的方法。所述方法尤其包括提供金属层16和绝缘层15。在优选地借助于直接金属方法，例如dcb或dab方法，和/或活性焊接方法将金属层16附接到绝缘层15上之后，在此尤其提出，通过切削加工将空区域13引入到适配器元件10中。如在图2中示出，借助于锯条9，尤其晶圆锯，在适配器元件10中实现空区域13。空区域13在制成的适配器元件10中将第一接片元件11与第二接片元件12分隔。
67.此外提出，借助于切削加工，空区域13延伸直至进入绝缘层15中。换言之：空区域13的底部17或终止部处于绝缘层15内。此外可设想，只要借助于锯条9实现空区域13，则在绝缘层15的下侧us处设有或已经附接有热沉元件20。借助于在制造空区域13时的切削加工，以有利的方式可行的是，实现第一接片元件11和第二接片元件12之间的小于350μm的间距a。优选地，间距a具有在100μm和300μm之间的值和特别优选地在125μm和200μm之间的值。
68.在图3中示出根据本发明的一个优选实施方式的适配器元件10。图3尤其在上方示出适配器元件10在主延伸方向hse上的俯视图，而在下方图解说明由适配器元件10、电子构件30和热沉元件20在安装状态中构成的系统1的截面视图。通过切削加工以有利的方式可行的是，实现相对于现有技术中的空区域明显更窄的空区域13。对应地，可以实现第一接片元件11或第二接片元件12，其在其端侧18提供用于第一连接区域31、中间件33和/或第二连接区域32的更大的贴靠面。由此，以有利的方式可行的是，与借助于相对薄的接片元件12、12、23接触电子构件30的各个区域的适配器元件10相比，可以提高散热。尤其提出，适配器
元件10在此由具有第一厚度d1的金属层16和具有第二厚度d2的绝缘层15组成，其中引入到适配器元件10中的空区域13具有深度t，所述深度大于第一厚度d1，使得各个空区域13伸入直至绝缘层中。此外优选地提出，第二厚度d2与第一厚度d1的比具有在0.3和0.8之间且优选地在0.5和0.75之间且特别优选地在0.6和0.7之间的值。
69.此外优选地提出，第一厚度与深度t的比具有在0.6和0.95之间、优选地在0.7和0.9之间和特别优选地在0.75和0.85之间的值。
70.此外优选地提出，有源元件区域5的平行于主延伸平面hse测量的延展51构造成，使得有源元件区域5设置在适配器元件10的空区域13上方。换言之：在第一接片元件11和第二接片元件12之间的间距a的尺寸确定成，使得有源元件区域5的延展51与第一接片元件11的间距a和第二接片元件12的比具有在0.7和0.9之间的值、优选地在0.75和0.85之间的值和特别优选地基本上0.8的值。由此能够以有利的方式可行的是，实现用于第一连接区域31、第二连接区域32和/或中间件33的尽可能大的贴靠面或接触面，并且同时确保可以实现有源元件区域5在空区域13上方的可相对简单实现的设置。在此尤其提出，有源元件区域55不接触适配器元件10，尤其不接触第一接片元件11和/或第二接片元件12。换言之：在平行于主延伸平面hse伸展的方向上，有源元件区域5设置在第一接片元件11和第二接片元件12之间。
71.此外提出，梳状的第一接片元件11和/或第二接片元件12从适配器元件10的第一侧s1延伸直至与第一侧s1相对置的第二侧s2。在此，第一接片元件11和第二接片元件12彼此平行地伸展并且上侧os从一侧s1填充直至第二侧s2，也就是说不存在垂直或倾斜于第一接片元件s11和第二接片元件s12伸展的另外的接片元件，所述另外的接片元件在第一侧s1和/或第二侧s2处形成终止部(参见图1)。
72.在图4中示出用于冷却电子构件30的系统1，其中多个适配器元件10并排设置。在此，适配器元件10并排设置成，使得适配器元件10的第一接片元件11和相邻的适配器元件10的第一接片元件12彼此齐平地设置。通过并排地，尤其在彼此关于第一接片元件11和/或第二接片元件12的齐平设置中直接设置各个适配器元件10，以有利的方式可行的是，进一步改进热沉元件或用于冷却电子构件30的整个系统1的性能。
73.附图标记列表：
[0074]1ꢀꢀꢀꢀ
系统
[0075]5ꢀꢀꢀꢀ
有源元件区域
[0076]5’ꢀꢀ
另外的有源元件区域
[0077]7ꢀꢀꢀꢀ
开口
[0078]9ꢀꢀꢀꢀ
锯条
[0079]
10
ꢀꢀꢀ
适配器元件
[0080]
11
ꢀꢀꢀ
第一接片元件
[0081]
12
ꢀꢀꢀ
第二接片元件
[0082]
13
ꢀꢀꢀ
空区域
[0083]
15
ꢀꢀꢀ
绝缘层
[0084]
16
ꢀꢀꢀ
金属层
[0085]
17
ꢀꢀꢀ
底部
[0086]
18
ꢀꢀꢀ
端侧
[0087]
20
ꢀꢀꢀ
热沉元件
[0088]
23
ꢀꢀꢀ
第三接片元件
[0089]
30
ꢀꢀꢀ
电子构件
[0090]
31
ꢀꢀꢀ
第一连接区域
[0091]
32
ꢀꢀꢀ
第二连接区域
[0092]
33
ꢀꢀꢀ
中间件
[0093]
51
ꢀꢀꢀ
延展
[0094]
a
ꢀꢀꢀꢀ
间距
[0095]
s1
ꢀꢀꢀ
第一侧
[0096]
s2
ꢀꢀꢀ
第二侧
[0097]
d1
ꢀꢀꢀ
第一厚度
[0098]
d2
ꢀꢀꢀ
第二厚度
[0099]
os
ꢀꢀꢀ
上侧
[0100]
us
ꢀꢀꢀ
下侧
[0101]
t
ꢀꢀꢀꢀ
深度
[0102]
hes
ꢀꢀ
主延伸平面
[0103]
s
ꢀꢀꢀꢀ
堆叠方向