一种3D结构陶瓷基板的制作方法

技术特征：
1.一种3d结构陶瓷基板，包括一瓷片，其特征在于，还包括固定在所述瓷片上方的3d结构的上金属层；所述上金属层包括不同厚度的第一金属层、第二金属层以及第三金属层，所述第一金属层、第二金属层以及所述第三金属层厚度递减；所述第三金属层位于所述瓷片中央区域，所述第三金属层为用于焊接芯片的芯片焊接层；所述第二金属层位于所述第三金属层外围，所述第二金属层与所述第三金属层之间存有沟槽间隙，所述第二金属层用于导线焊接或者引线键合；所述第一金属层位于所述瓷片的外边缘，所述第一金属层用于芯片封装的外层。2.根据权利要求1所述的一种3d结构陶瓷基板，其特征在于：所述第三金属层上用于固定igbt芯片和fwd芯片。3.根据权利要求1所述的一种3d结构陶瓷基板，其特征在于：所述第二金属层包括位于所述第三金属层外围的前方的第一区域、位于所述第三金属层外围左方的第二区域以及位于所述第三金属层外围的右方的第三区域；所述第二区域以及第三区域的外侧均连接有所述第一金属层。4.根据权利要求3所述的一种3d结构陶瓷基板，其特征在于：所述第三金属层上用于固定有igbt芯片；所述第一区域上用于固定fwd芯片。5.根据权利要求1所述的一种3d结构陶瓷基板，其特征在于：所述上金属层的厚度为0.127mm
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1.2mm。6.根据权利要求1所述的一种3d结构陶瓷基板，其特征在于：所述瓷片下方固定有下金属层；所述下金属层厚度为0.127mm
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1.2mm。7.根据权利要求6所述的一种3d结构陶瓷基板，其特征在于：所述上金属层以及所述下金属层真空活性钎焊或者直接键合固定在所述瓷片的表面。8.根据权利要求1所述的一种3d结构陶瓷基板，其特征在于：所述沟槽间隙的宽度为0.5mm
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4mm。9.根据权利要求1所述的一种3d结构陶瓷基板，其特征在于：所述第一金属层、第二金属层以及第三金属层的表面翘曲度为0.01mm
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0.2mm；所述第一金属层的厚度为上金属层总厚度的1.0；所述第二金属层的厚度为上金属层总厚度的0.5
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0.7；所述第三金属层的厚度为上金属层总厚度的0.2
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0.4。10.根据权利要求6所述的一种3d结构陶瓷基板，其特征在于：所述上金属层是铜层或铝层中的一种；所述下金属层是铜层或铝层中的一种。

技术总结
本实用新型涉及半导体技术领域。一种3D结构陶瓷基板，包括一瓷片，还包括固定在瓷片上方的3D结构的上金属层；上金属层包括不同厚度的第一金属层、第二金属层以及第三金属层，第一金属层、第二金属层以及第三金属层厚度递减；第三金属层位于瓷片中央区域，第三金属层为用于焊接芯片的芯片焊接层；第二金属层位于第三金属层外围，第二金属层与第三金属层之间存有沟槽间隙，第二金属层用于导线焊接或者引线键合；第一金属层位于瓷片的外边缘，第一金属层用于芯片封装的外层。本专利通过优化陶瓷基板的结构，增设有3D结构的上金属层，芯片嵌埋在基板中，灌封硅胶时，整个封装模块厚度明显减薄，能够提高芯片的封装密度。能够提高芯片的封装密度。能够提高芯片的封装密度。


技术研发人员：王斌 贺贤汉 周轶靓 葛荘 吴承侃
受保护的技术使用者：江苏富乐德半导体科技有限公司
技术研发日：2021.07.09
技术公布日：2021/12/17