适用于多种电源类IC的老化试验装置的制作方法

适用于多种电源类ic的老化试验装置
技术领域
1.本实用新型涉及一种老化试验装置，尤其是一种适用于多种电源类ic的老化试验装置。


背景技术：

2.随着电子技术的发展，电子产品的集成化成都越来越高，结构越来越精细，工序越来越多，制造工艺越来越复杂，这样在制造过程中产生的缺陷可能也会随之放大。对于一个合格的电子产品，不但要求有较高的性能指标，而且还要有较高的稳定性，电子产品的稳定性取决于设计的合理性、元器件性能以及整机制造工艺等因素。目前，国内外普遍采用高温老化工艺来提高电子产品的稳定性和可靠性，通过高温老化可以使元器件的缺陷、焊接和装配等生产过程中存在的隐患提前暴露，保证出厂的产品能够经得起时间的考验。
3.集成电路芯片在进行批量生产之间，一般都需要经过老化测试以保证品质，然而，由于被测芯片种类繁多，其封装结构以及引脚等的排列不同，而对于电源类ic芯片而言，存在浮地、实地难以兼容等情况，而当老化时电源类ic芯片数量较多时，难以实现大电流老化等问题，即难以满足目前电源类ic芯片的高温老化试验的需求。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种适用于多种电源类ic的老化试验装置，其能适应多种电源类ic的高温老化试验需求，在多个电源类ic芯片同时进行高温老化试验时，能实现大电流老化，提高试验效率，降低试验成本，安全可靠。
5.按照本实用新型提供的技术方案，所述适用于多种电源类ic的老化试验装置，包括位于老化箱内的老化板，在所述老化板上安装有若干待老化试验的电源类ic芯片；还包括与老化板的输出端适配连接的负载电路以及与所述负载电路电连接的负载控制电路，通过负载控制电路能控制负载电路与老化板上相应电源类ic芯片的配合状态，以能适配老化板上相应电源类ic芯片进行所需的小电流老化试验或大电流老化试验。
6.还包括用于控制老化板上相应的电源类ic芯片进行老化试验过程的自动控制系统、用于控制自动控制系统老化试验状态的主上位机以及用于老化试验时供电的电源电路，主上位机、自动控制系统、负载电路、负载控制电路以及电源电路位于老化箱外，所述主上位机还与负载控制电路电连接，通过电源电路能提供主上位机、自动控制系统、老化板上的电源类ic芯片、负载电路以及负载控制电路工作时所需的工作电压。
7.还包括电信号冲击开关电路，负载电路通过电信号冲击开关电路能与老化板适配电连接；
8.所述电信号冲击开关电路包括若干相互独立的负载芯片连接开关，电信号冲击开关电路内负载芯片连接开关的数量不少于老化板上电源类ic芯片的数量；
9.所述负载电路包括若干相互独立的负载单元体，所述负载单元体的数量不少于负载芯片连接开关以及老化板上电源类ic芯片相应的数量；一负载单元体通过一负载芯片连
接开关能与老化板上一相应电源类ic芯片的输出端匹配连接，负载控制电路能控制负载芯片连接开关的开关状态，以能调节负载单元体与老化板上相应电源类ic芯片的连接状态。
10.所述负载单元体包括一恒轻载电路以及一重载电路，所述恒轻载电路、重载电路通过负载切换电路与负载芯片连接开关适配连接；
11.所述负载控制电路包括负载控制上位机，所述负载控制上位机与负载切换电路适配连接；负载控制上位机通过负载切换电路使得仅恒轻载电路与负载芯片连接开关适配连接，或恒轻载电路与重载电路并联后与负载芯片连接开关适配连接；
12.仅利用恒轻载电路与相应的电源类ic芯片连接时，能对所述电源类ic芯片进行所需的小电流老化试验；恒轻载电路与重载电路并联后与负载芯片连接开关适配连接，利用恒轻载电路及重载电路与相应的电源类ic芯片配合，以能对所述电源类ic芯片进行所需的大电流老化试验。
13.负载控制电路还包括输出监控电路，所述输出监控电路与老化板上相应电源类ic芯片的输出端适配电连接，输出监控电路能将对所连接电源类ic芯片老化试验时的电流传输至负载控制上位机内。
14.还包括设置于老化板上的接地连接体，所述接地连接体包括至少三组接地拨码开关，其中，所述三组接地拨码开关分别与agnd、gnd以及earth连接；老化板上电源类ic芯片的接地端能分别与接地连接体内所有的接地拨码开关适配连接。
15.在所述老化板上设置老化板温度传感器，所述老化板温度传感器与主上位机电连接。
16.所述恒轻载电路包括电阻r14以及nmos管q2，nmos管q2的源极端与发光二极管d1的阳极端连接，发光二极管d1的阴极端与电阻r14的一端连接，电阻r14的另一端与gnd100连接，nmos管q2的漏极端与相应的负载芯片连接开关适配连接，nmos管q2的栅极端与负载切换电路适配连接。
17.所述重载电路包括nmos管q1，nmos管q1的栅极端与电阻r4的一端以及负载切换电路连接，nmos管q1的源极端、电阻r4的另一端与电阻r13的一端连接，电阻r13的另一端与gnd100连接；
18.负载切换电路使得重载电路与恒轻载电路并联时，所述nmos管q1导通并处于非饱和区。
19.所述负载切换电路包括控制电路包括运算放大器芯片y1以及运算放大器芯片y2，其中，运算放大器芯片y1、运算放大器芯片y2均采用型号为rs8422的芯片；
20.运算放大器芯片y1的v 端与电压vref1以及电容c17的一端连接，电容c17的另一端接agnd；运算放大器芯片y1的1 端与电阻r2的一端、电阻r1的一端以及运算放大器芯片y2的out1端连接，电阻r2的另一端与gnd100连接；电阻r1的另一端与电阻r3的一端以及运算放大器芯片y2的1
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端连接，电阻r3的另一端与agnd端连接；
21.运算放大器芯片y2的1 端与电阻r6的一端以及电阻r8的一端连接，电阻r8的另一端与gnd100连接，电阻r6的另一端与nmo管q3的源极端连接，nmos管q3的漏极端与电压vin1连接，nmos管q3的栅极端与电阻r11的一端、电阻r12的一端以及nmos管q4的源极端连接，电阻r11的另一端与agnd连接，电阻r12的另一端与nmos管q4的栅极端连接，nmos管q4的漏极端与电压vref2连接；运算放大器芯片y2的v
‑
端与电压vref1连接，运算放大器y2的out2端
与电阻r5的一端以及运算放大器y1的2 端连接，电阻r5的另一端与电阻r7的一端以及运算放大器芯片y2的2
‑
端连接，电阻r7的另一端与agnd连接；
22.运算放大器芯片y2的2
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端与电阻r9的一端以及电阻r10的一端连接，电阻r9的另一端与gnd100连接，电阻r10的另一端与电压vref3连接；运算放大器芯片y1的out1端与nmos管q1的栅极端连接，运算放大器芯片y1的out2端与nmos管q2的栅极端连接，运算放大器芯片y1的2
‑
端与发光二极管d1的阴极端连接，运算放大器y1的1
‑
端与nmos管q1的源极端连接。
23.本实用新型的优点：通过负载电路与老化板的输出端连接，从而负载电路内的负载单元体能与老化板上的电源类ic芯片一一对应的配合连接，负载电路内包括恒轻载电路以及重载电路，通过恒轻载电路与电源类ic芯片配合时，能实现所述电源类ic芯片进行小电流的老化试验；而通过重载开关接入重载电路时，能使得所述电源类ic芯片进行大电流的老化试验；在老化板上设置多组接地拨码开关，通过运算放大器能实现不同电源类ic芯片接地端的转换，从而与接地拨码开关配合后，能解决老化中的浮地、实地等难以共存的难题，即能适应多种电源类ic的高温老化试验需求，在多个电源类ic芯片同时进行高温老化试验时，能实现大电流老化，提高试验效率，降低试验成本，安全可靠。
附图说明
24.图1为本实用新型的系统框图。
25.图2为本实用新型负载电路以及负载控制电路配合的框图。
26.图3为本实用新型重载控制电路与恒轻载电路、重载电路配合的示意图。
27.图4为本实用新型电源类ic芯片与接地连接体配合的电路原理图。
28.附图标记说明：1
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主上位机、2
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自动控制系统、3
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老化板、4
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老化箱、6
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负载控制电路、6
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负载电路、7
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电信号冲击开关电路、8
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电源电路、9
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恒轻载电路、10
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重载电路、11
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重载开关、12
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重载控制电路、13
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负载控制上位机以及14
‑
输出监控电路。
具体实施方式
29.下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
30.如图1所示：为了能适应多种电源类ic的高温老化试验需求，在多个电源类ic芯片同时进行高温老化试验时，能实现大电流老化，提高试验效率，降低试验成本，本实用新型包括位于老化箱4内的老化板3，在所述老化板3上安装有若干待老化试验的电源类ic芯片；还包括与老化板3的输出端适配连接的负载电路6以及与所述负载电路6电连接的负载控制电路5，通过负载控制电路5能控制负载电路6与老化板3上相应电源类ic芯片的配合状态，以能适配老化板3上相应电源类ic芯片进行所需的小电流老化试验或大电流老化试验。
31.具体地，老化箱4、老化板3均可以采用现有常用的形式，具体以能满足具体的老化试验为准，利用老化板3以及老化箱4进行具体老化试验的方式可与现有相一致，具体为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。在老化板3上安装若干待老化试验的电源类ic芯片，电源类ic芯片的具体可以为电源开关类ic、ldo系列ic、拓扑电源类ic和/或电源驱动类ic，电源类ic芯片的具体情况可以根据实际需要选择，此处不再赘述。
32.本实用新型实施例中，为了能匹配老化板3上电源类ic芯片的老化试验，通过负载
电路6与老化板3的输出端连接，即能与老化板3上相应的电源类ic芯片适配连接，而通过负载控制电路5能控制负载电路6与老化板3上相应电源类ic芯片的配合状态，即所述配合状态为满足电源类ic芯片进行小电流老化试验或大电流老化试验，小电流老化试验、大电流老化试验的具体情况可以根据电源类ic芯片的类型，以及具体老化试验的需求确定，在确定小电流老化延时、大电流老化试验后，能确定负载电路6与所述电源类ic芯片的配合情况，从而能通过负载控制电路5调节负载电路6，提高试验效率以及可控性。
33.进一步地，还包括用于控制老化板3上相应的电源类ic芯片进行老化试验过程的自动控制系统2、用于控制自动控制系统2老化试验状态的主上位机1以及用于老化试验时供电的电源电路8，主上位机1、自动控制系统2、负载电路6、负载控制电路5以及电源电路8位于老化箱4外，所述主上位机1还与负载控制电路5电连接，通过电源电路8能提供主上位机1、自动控制系统2、老化板3上的电源类ic芯片、负载电路6以及负载控制电路5工作时所需的工作电压。
34.本实用新型实施例中，自动控制系统2可以采用现有常用的老化试验设备，通过自动控制系统2与老化板3上的电源类ic芯片适配连接后，能实现对一个或多个电源类ic芯片的老化试验，具体与现有相一致，为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。
35.主上位机1能实现总体控制，主上位机1与自动控制系统2、电源电路8以及负载控制电路5连接，即主上位机1能控制自动控制系统2对电源类ic芯片的测试状态，能控制电源电路8的供电过程以及能控制负载控制电路5的工作状态，以能确保整个老化试验的安全与可靠。
36.主上位机1可以采用现有常用的计算机等设备，电源电路8可以采用老化试验常用的电源形式，即通过电源电路8能提供主上位机1、自动控制系统2、老化板3上的电源类ic芯片、负载电路6以及负载控制电路5工作时所需的工作电压。在老化时，为了避免老化箱4内高温高湿等环境的影响，主上位机1、自动控制系统2、负载电路6、负载控制电路5以及电源电路8位于老化箱4外。
37.进一步地，还包括电信号冲击开关电路7，负载电路6通过电信号冲击开关电路7能与老化板3适配电连接；
38.所述电信号冲击开关电路7包括若干相互独立的负载芯片连接开关，电信号冲击开关电路7内负载芯片连接开关的数量不少于老化板3上电源类ic芯片的数量；
39.所述负载电路包括若干相互独立的负载单元体，所述负载单元体的数量不少于负载芯片连接开关以及老化板3上电源类ic芯片相应的数量；一负载单元体通过一负载芯片连接开关能与老化板3上一相应电源类ic芯片的输出端匹配连接，负载控制电路5能控制负载芯片连接开关的开关状态，以能调节负载单元体与老化板3上相应电源类ic芯片的连接状态。
40.具体实施时，一般地，在老化板3上同时存在多个电源类ic芯片，老化板3上的电源类ic芯片的类型可以相同，也可以不同，具体可以根据需要选择。当对老化板3上的电源类ic芯片进行老化试验时，可以选择某一个电源类ic芯片或同时选择多个电源类ic芯片的，当同时选择多个电源类ic芯片进行老化试验时，所述多个电源类ic芯片的供电范围一般需要相近，具体以能满足电源电路8的供电以及实际老化的要求为准。
41.本实用新型实施例中，当老化板3上存在多个电源类ic芯片，为了能实现对一电源
类ic芯片的小电流老化或大电流老化需求，负载电路6需要通过电信号冲击开关电路7与老化板3适配连接。具体地，电信号冲击开关电路7包括若干负载芯片连接开关，每个负载芯片连接开关间相互独立，负载芯片连接开关一般可以选择mos管等常用的开关形式，具体可以根据需要选择。
42.电信号冲击开关电路7内负载芯片连接开关的数量不少于老化板3上电源类ic芯片的数量，即大于等于老化板3上电源类ic芯片的安装位置的数量，从而能实现负载芯片连接开关与电源类ic芯片间的一一对应连接。
43.具体实施时，负载电路包括若干相互独立的负载单元体，而负载单元体的数量不少于负载芯片连接开关的数量，即一负载单元体通过一负载芯片连接开关能实现与一电源类ic芯片的对应连接，从而负载单元体、负载芯片连接开关以及电源类ic芯片间呈一一对应，能满足每个电源类ic芯片进行所需的电流老化需要。
44.当负载芯片连接开关采用mos管时，负载芯片连接开关的栅极端与负载控制电路5连接，负载芯片连接开关的源极端与电源类ic芯片的输出端连接，而负载芯片连接开关的漏极端能与负载单元体连接。通过负载控制电路5能控制负载芯片连接开关的开关状态，当负载芯片连接开关处于断开状态时，则负载单元体无法与相应的电源类ic芯片的连接，而负载芯片连接开关处于闭合状态时，则负载单元体能与电源类ic芯片适配连接，以通过负载单元体构成的闭合回路实现小电流老化试验或大电流老化试验。
45.如图2所示，所述负载单元体包括一恒轻载电路9以及一重载电路10，所述恒轻载电路9、重载电路10通过负载切换电路11与负载芯片连接开关适配连接；
46.所述负载控制电路5包括负载控制上位机13，所述负载控制上位机13与负载切换电路11适配连接；负载控制上位机13通过负载切换电路11使得仅恒轻载电路9与负载芯片连接开关适配连接，或恒轻载电路9与重载电路10并联后与负载芯片连接开关适配连接；
47.仅利用恒轻载电路9与相应的电源类ic芯片连接时，能对所述电源类ic芯片进行所需的小电流老化试验；恒轻载电路9与重载电路10并联后与负载芯片连接开关适配连接，利用恒轻载电路9及重载电路10与相应的电源类ic芯片配合，以能对所述电源类ic芯片进行所需的大电流老化试验。
48.本实用新型实施例中，每个负载单元体内均包括一恒轻载电路9以及一重载电路10，其中，恒轻载电路9、重载电路10通过负载切换电路11与负载芯片连接开关适配连接；通过负载切换电路11能实现恒轻载电路9、重载电路10与负载芯片连接开关的连接状态，从而能实现恒轻载电路9、重载电路10与相应连接的电源类ic芯片的连接配合状态。
49.具体实施时，负载控制电路5包括负载控制上位机13，负载控制上位机13可以采用常用的计算机等设备，负载控制上位机13与主上位机1电连接。负载控制上位机13能控制重载开关11以及负载芯片连接开关的开关状态。具体地，负载控制上位机13能控制负载切换电路11的工作状态，从而通过负载切换电路11能切换与相应电源类ic芯片的连接配合状态。当通过负载切换电路11使得负载单元体内仅启动恒轻载电路9时，即仅利用恒轻载电路9与相应的电源类ic芯片连接时，能对所述电源类ic芯片进行所需的小电流老化试验；当负载切换电路11同时启动恒轻载电路9以及重载电路10时，恒轻载电路9与重载电路10相互并联，利用恒轻载电路9及重载电路10与相应的电源类ic芯片配合，以能对所述电源类ic芯片进行所需的大电流老化试验。
50.进一步地，负载控制电路5还包括输出监控电路14，所述输出监控电路14与老化板3上相应电源类ic芯片的输出端适配电连接，输出监控电路14能将对所连接电源类ic芯片老化试验时的电流传输至负载控制上位机13内。
51.本实用新型实施例中，输出监控电路14能对每个电源类ic芯片输出端的电流进行采样，输出监控电路14具体可以采用现有常用的形式，输出监控电路14将所采集每个电源类ic芯片老化试验时的电路传输至负载控制上位机13后，能调节重载开关11的开关状态，以能匹配一电源类ic芯片的老化试验状态。具体实施时，当老化板3上存在多个试验时的电源类ic芯片时，则输出监控电路14能对每个电源类ic芯片的电流进行采样，所采样的电流能被负载控制上位机13识别与处理，具体识别与处理的过程可采用现有常用的技术手段，为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。
52.当然，在具体老化试验时，自动测试系统2能对老化板3上一个或多个电源类ic芯片测试中的所有数据进行采集，并将所采集的数据传输至主上位机1内，主上位机1对数据识别与处理后，能调节电源电路8的供电状态，并与负载控制上位机13进行数据通讯，以便负载控制上位机13能控制重载开关11以及负载芯片连接开关相对应的开关状态。
53.进一步地，还包括设置于老化板3上的接地连接体，所述接地连接体包括至少三组接地拨码开关，其中，所述三组接地拨码开关分别与agnd、gnd以及earth连接；老化板3上电源类ic芯片的接地端能分别与接地连接体内所有的接地拨码开关适配连接。
54.本实用新型实施例中，接地连接体包括至少三组接地拨码开关，三组接地拨码开关相互独立，即三组接地拨码开关分别与agnd、gnd以及earth连接，接地连接体内接地拨码开关的数量，具体以需要接地的种类相关，此处不再赘述。agnd(analog ground)、gnd(ground)以及earth(大地)为本技术领域常用的三种接地方式，具体接地方式为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。老化板3上所有电源类ic芯片的接地端能与接地拨码开关连接，即通过控制接地拨码开关的状态，能选择电源类ic芯片的具体接地状态，从而能解决不同电源类ic芯片老化时存在浮地、实地的问题。
55.图4中，示出了在老化板3上设置三组接地拨码开关的示意图，其中，三组接地拨码开关分别与agnd、gnd以及earth连接。图4中，示出了在老化板4上存在八个电源类ic芯片的示意图，八个电源类ic芯片分别为p1、p2、p3、p4、p5、p6、p7以及p8。对于电源类ic芯片p1，其接地端为gnd1.1，所述接地端gnd1.1分别与三组接地拨码开关连接；同理，电源类ic芯片p2，其接地端为gnd1.2，所述接地端gnd1.2分别与三组接地拨码开关适配连接，电源类ic芯片p3，其接地端为gnd1.3，电源类ic芯片p4，其接地端为gnd1.4；电源类ic芯片p5，其接地端为gnd1.5，电源类ic芯片p6，其接地端为gnd1.6，电源类ic芯片p7，其接地端为gnd1.7，电源类ic芯片p8，其接地端p8为gnd1.8，接地端gnd1.3、接地端gnd1.4、接地端gnd1.5、接地端gnd1.6、接地端gnd1.7以及接地端gnd1.8分别与三组接地拨码开关进行适配连接。具体工作时，当需要选择与gnd端连接时，则需要将与gnd端连接端的接地拨码开关处于闭合状态，其余的接地拨码开关处于断开状态即可，其余情况类似，此处不再赘述。当然，在老化板3上存在更多数量的电源类ic芯片时，其与接地拨码开关的配合状态可以参考图4说明，此处不再赘述。
56.进一步地，在所述老化板3上设置老化板温度传感器，所述老化板温度传感器与主上位机1电连接。
57.本实用新型实施例中，老化板温度传感器设置于老化板3上，通过老化板温度传感器能监测老化箱4内的温度，并将所监测的温度反馈到主上位机1内，以便主上位机1能对老化箱4内的温度状态进行监控，提高对电源类ic芯片老化试验的可靠性。
58.如图3所示，所述恒轻载电路9包括电阻r14以及nmos管q2，nmos管q2的源极端与发光二极管d1的阳极端连接，发光二极管d1的阴极端与电阻r14的一端连接，电阻r14的另一端与gnd100连接，nmos管q2的漏极端与相应的负载芯片连接开关适配连接，nmos管q2的栅极端与负载切换电路11适配连接。
59.具体地，nmos管q2作为开关管，即通过nmos管q2对是否启动恒轻载电路9，当nmos管q2处于导通状态时，则电阻r14能启动，此时，利用r14能实现恒轻载的作用。通过发光二极管d1对恒轻载电路9是否启动进行指示。
60.进一步地，所述重载电路10包括nmos管q1，nmos管q1的栅极端与电阻r4的一端以及负载切换电路11连接，nmos管q1的源极端、电阻r4的另一端与电阻r13的一端连接，电阻r13的另一端与gnd100连接；
61.负载切换电路11使得重载电路10与恒轻载电路9并联时，所述nmos管q1导通并处于非饱和区。
62.本实用新型实施例中，nmos管q1这里同时作为开关管以及可变电阻的作用，当nmos管q1导通并处于非饱和区时，通过负载切换电路11调节加载到nmos管q1栅极端的电压，能调节nmos管q1作为可变电阻的电阻大小，即能调节重载电路10的阻值，提高重载调节的便捷性。电阻r4作为保护nmos管q1的放电电阻，通过电阻r13能实现电流转电压，以用做重载电流数值的监测。
63.进一步地，所述负载切换电路11包括控制电路包括运算放大器芯片y1以及运算放大器芯片y2，其中，运算放大器芯片y1、运算放大器芯片y2均采用型号为rs8422的芯片；
64.运算放大器芯片y1的v 端与电压vref1以及电容c17的一端连接，电容c17的另一端接agnd；运算放大器芯片y1的1 端与电阻r2的一端、电阻r1的一端以及运算放大器芯片y2的out1端连接，电阻r2的另一端与gnd100连接；电阻r1的另一端与电阻r3的一端以及运算放大器芯片y2的1
‑
端连接，电阻r3的另一端与agnd端连接；
65.运算放大器芯片y2的1 端与电阻r6的一端以及电阻r8的一端连接，电阻r8的另一端与gnd100连接，电阻r6的另一端与nmo管q3的源极端连接，nmos管q3的漏极端与电压vin1连接，nmos管q3的栅极端与电阻r11的一端、电阻r12的一端以及nmos管q4的源极端连接，电阻r11的另一端与agnd连接，电阻r12的另一端与nmos管q4的栅极端连接，nmos管q4的漏极端与电压vref2连接；运算放大器芯片y2的v
‑
端与电压vref1连接，运算放大器y2的out2端与电阻r5的一端以及运算放大器y1的2 端连接，电阻r5的另一端与电阻r7的一端以及运算放大器芯片y2的2
‑
端连接，电阻r7的另一端与agnd连接；
66.运算放大器芯片y2的2
‑
端与电阻r9的一端以及电阻r10的一端连接，电阻r9的另一端与gnd100连接，电阻r10的另一端与电压vref3连接；运算放大器芯片y1的out1端与nmos管q1的栅极端连接，运算放大器芯片y1的out2端与nmos管q2的栅极端连接，运算放大器芯片y1的2
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端与发光二极管d1的阴极端连接，运算放大器y1的1
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端与nmos管q1的源极端连接。
67.本实用新型实施例中，运算放大器芯片y1、运算放大器芯片y2均采用现有常用的
形式，为双运放的芯片，运算放大器芯片y1、运算放大器芯片y2具体端脚的作用等均与现有相一致，具体为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。通过运算放大器芯片y1、运算放大器芯片y2除了能增大驱动能力外，还可以实现接地状态的转换，如图3中将agnd的接地能转换为gnd100，从而能实现将不同电源类ic芯片的地分开。具体地，此处gnd100仅仅是一种实例，对于图4中的存在的八个电源类ic芯片时，当为电源类ic芯片p1时，此处的gnd100应为gnd1.1，为电源类ic芯片p2时，此处的gnd100应为gnd1.2，其余的类推，此处不再列举。将不同电源类ic芯片的地分开后，则能实现图4中通过接地拨码开关实现不同接地状态的调节与控制。
68.所有的agnd端即与上述相应与agnd连接的接地拨码开关连接，gnd1.1即为第一个电源类ic芯片的接地端。电压vin1、电压vref1、电压vref2以及电压vref3均由电源电路8提供，具体大小以能与满足具体的供电需要为准，此处不再赘述。
69.nmos管q4的栅极端还与负载控制上位机13的输出端连接，即通过负载控制上位机13能控制nmos管q4的导通状态。图3中，当nmos管q4导通后，才能进一步控制q3导通，能增强驱动能力，提高对重载开关11控制的稳定性与可靠性。