适用于多种电源类IC的老化试验装置的制作方法

技术特征：
1.一种适用于多种电源类ic的老化试验装置，包括位于老化箱(4)内的老化板(3)，在所述老化板(3)上安装有若干待老化试验的电源类ic芯片；其特征是：还包括与老化板(3)的输出端适配连接的负载电路(6)以及与所述负载电路(6)电连接的负载控制电路(5)，通过负载控制电路(5)能控制负载电路(6)与老化板(3)上相应电源类ic芯片的配合状态，以能适配老化板(3)上相应电源类ic芯片进行所需的小电流老化试验或大电流老化试验。2.根据权利要求1所述的适用于多种电源类ic的老化试验装置，其特征是：还包括用于控制老化板(3)上相应的电源类ic芯片进行老化试验过程的自动控制系统(2)、用于控制自动控制系统(2)老化试验状态的主上位机(1)以及用于老化试验时供电的电源电路(8)，主上位机(1)、自动控制系统(2)、负载电路(6)、负载控制电路(5)以及电源电路(8)位于老化箱(4)外，所述主上位机(1)还与负载控制电路(5)电连接，通过电源电路(8)能提供主上位机(1)、自动控制系统(2)、老化板(3)上的电源类ic芯片、负载电路(6)以及负载控制电路(5)工作时所需的工作电压。3.根据权利要求1所述的适用于多种电源类ic的老化试验装置，其特征是：还包括电信号冲击开关电路(7)，负载电路(6)通过电信号冲击开关电路(7)能与老化板(3)适配电连接；所述电信号冲击开关电路(7)包括若干相互独立的负载芯片连接开关，电信号冲击开关电路(7)内负载芯片连接开关的数量不少于老化板(3)上电源类ic芯片的数量；所述负载电路包括若干相互独立的负载单元体，所述负载单元体的数量不少于负载芯片连接开关以及老化板(3)上电源类ic芯片相应的数量；一负载单元体通过一负载芯片连接开关能与老化板(3)上一相应电源类ic芯片的输出端匹配连接，负载控制电路(5)能控制负载芯片连接开关的开关状态，以能调节负载单元体与老化板(3)上相应电源类ic芯片的连接状态。4.根据权利要求3所述的适用于多种电源类ic的老化试验装置，其特征是：所述负载单元体包括一恒轻载电路(9)以及一重载电路(10)，所述恒轻载电路(9)、重载电路(10)通过负载切换电路(11)与负载芯片连接开关适配连接；所述负载控制电路(5)包括负载控制上位机(13)，所述负载控制上位机(13)与负载切换电路(11)适配连接；负载控制上位机(13)通过负载切换电路(11)使得仅恒轻载电路(9)与负载芯片连接开关适配连接，或恒轻载电路(9)与重载电路(10)并联后与负载芯片连接开关适配连接；仅利用恒轻载电路(9)与相应的电源类ic芯片连接时，能对所述电源类ic芯片进行所需的小电流老化试验；恒轻载电路(9)与重载电路(10)并联后与负载芯片连接开关适配连接，利用恒轻载电路(9)及重载电路(10)与相应的电源类ic芯片配合，以能对所述电源类ic芯片进行所需的大电流老化试验。5.根据权利要求4所述的适用于多种电源类ic的老化试验装置，其特征是：负载控制电路(5)还包括输出监控电路(14)，所述输出监控电路(14)与老化板(3)上相应电源类ic芯片的输出端适配电连接，输出监控电路(14)能将对所连接电源类ic芯片老化试验时的电流传输至负载控制上位机(13)内。6.根据权利要求1所述的适用于多种电源类ic的老化试验装置，其特征是：还包括设置于老化板(3)上的接地连接体，所述接地连接体包括至少三组接地拨码开关，其中，所述三
组接地拨码开关分别与agnd、gnd以及earth连接；老化板(3)上电源类ic芯片的接地端能分别与接地连接体内所有的接地拨码开关适配连接。7.根据权利要求2所述的适用于多种电源类ic的老化试验装置，其特征是：在所述老化板(3)上设置老化板温度传感器，所述老化板温度传感器与主上位机(1)电连接。8.根据权利要求4或5所述的适用于多种电源类ic的老化试验装置，其特征是：所述恒轻载电路(9)包括电阻r14以及nmos管q2，nmos管q2的源极端与发光二极管d1的阳极端连接，发光二极管d1的阴极端与电阻r14的一端连接，电阻r14的另一端与gnd100连接，nmos管q2的漏极端与相应的负载芯片连接开关适配连接，nmos管q2的栅极端与负载切换电路(11)适配连接。9.根据权利要求8所述的适用于多种电源类ic的老化试验装置，其特征是：所述重载电路(10)包括nmos管q1，nmos管q1的栅极端与电阻r4的一端以及负载切换电路(11)连接，nmos管q1的源极端、电阻r4的另一端与电阻r13的一端连接，电阻r13的另一端与gnd100连接；负载切换电路(11)使得重载电路(10)与恒轻载电路(9)并联时，所述nmos管q1导通并处于非饱和区。10.根据权利要求9所述的适用于多种电源类ic的老化试验装置，其特征是：所述负载切换电路(11)包括控制电路包括运算放大器芯片y1以及运算放大器芯片y2，其中，运算放大器芯片y1、运算放大器芯片y2均采用型号为rs8422的芯片；运算放大器芯片y1的v 端与电压vref1以及电容c17的一端连接，电容c17的另一端接agnd；运算放大器芯片y1的1 端与电阻r2的一端、电阻r1的一端以及运算放大器芯片y2的out1端连接，电阻r2的另一端与gnd100连接；电阻r1的另一端与电阻r3的一端以及运算放大器芯片y2的1
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端连接，电阻r3的另一端与agnd端连接；运算放大器芯片y2的1 端与电阻r6的一端以及电阻r8的一端连接，电阻r8的另一端与gnd100连接，电阻r6的另一端与nmo管q3的源极端连接，nmos管q3的漏极端与电压vin1连接，nmos管q3的栅极端与电阻r11的一端、电阻r12的一端以及nmos管q4的源极端连接，电阻r11的另一端与agnd连接，电阻r12的另一端与nmos管q4的栅极端连接，nmos管q4的漏极端与电压vref2连接；运算放大器芯片y2的v
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端与电压vref1连接，运算放大器y2的out2端与电阻r5的一端以及运算放大器y1的2 端连接，电阻r5的另一端与电阻r7的一端以及运算放大器芯片y2的2
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端连接，电阻r7的另一端与agnd连接；运算放大器芯片y2的2
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端与电阻r9的一端以及电阻r10的一端连接，电阻r9的另一端与gnd100连接，电阻r10的另一端与电压vref3连接；运算放大器芯片y1的out1端与nmos管q1的栅极端连接，运算放大器芯片y1的out2端与nmos管q2的栅极端连接，运算放大器芯片y1的2
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端与发光二极管d1的阴极端连接，运算放大器y1的1
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端与nmos管q1的源极端连接。

技术总结
本实用新型涉及一种适用于多种电源类IC的老化试验装置。按照本实用新型提供的技术方案，所述适用于多种电源类IC的老化试验装置，包括位于老化箱内的老化板，在所述老化板上安装有若干待老化试验的电源类IC芯片；还包括与老化板的输出端适配连接的负载电路以及与所述负载电路电连接的负载控制电路，通过负载控制电路能控制负载电路与老化板上相应电源类IC芯片的配合状态，以能适配老化板上相应电源类IC芯片进行所需的小电流老化试验或大电流老化试验。本实用新型能适应多种电源类IC的高温老化试验需求，在多个电源类IC芯片同时进行高温老化试验时，能实现大电流老化，提高试验效率，降低试验成本，安全可靠。安全可靠。安全可靠。


技术研发人员：周逸 沈刚 焦炜杰 张明
受保护的技术使用者：润石芯科技（深圳）有限公司
技术研发日：2021.06.15
技术公布日：2021/12/17