高功率晶圆冷却的制作方法

高功率晶圆冷却
1.相关申请的引用
2.本技术要求2019年5月1日提交的名称为“high power wafer cooling”的美国临时申请62/841,272的优先权，其内容通过引用整体并入本文。
技术领域
3.本发明总体上涉及离子注入系统，更具体地，涉及一种具有用于离子注入系统的工件支撑的氢气产生器的离子注入系统。


背景技术：

4.在半导体处理中，可以在工件或半导体晶圆上执行许多操作，例如离子注入。随着离子注入处理技术的提高，可以在工件处实施各种离子注入温度，以实现工件中的各种注入特性。例如，在常规离子注入处理中，通常考虑三种温度状态：冷注入，其中工件处的处理温度维持在低于室温的温度；热注入，其中工件处的处理温度维持在通常在100℃至600℃的较高的温度；以及所谓的准室温注入，其中工件处的处理温度维持在比室温略高但比高温注入中使用的温度低的温度，准室温注入温度通常在50℃至100℃。
5.例如，热注入越来越普遍，因此通常通过专用的高温静电夹盘(esc)(也称为经加热夹盘)来实现处理温度。在注入过程中，经加热夹盘将工件保持或夹持到其表面。例如，常规的高温esc包括嵌入在夹持表面下方的一组加热器，用于将esc和工件加热到处理温度(例如，100℃至600℃)，其中，气体界面通常提供从夹持表面到工件背侧的热界面。通常，高温esc通过将能量辐射到背景中的腔室表面来冷却。
6.冷冻离子注入过程也很常见，其中通常将室温工件放置在冷冻夹盘上，然后将冷冻夹盘冷却至冷冻温度(例如，低于室温的温度)，从而冷却工件。冷却冷冻夹盘使得能够排出从离子注入传递到工件中的热能，同时通过冷冻夹盘排出热量而进一步在注入过程中将夹盘和工件保持在冷冻温度。
7.离子注入过程也在所谓的“准室温”下进行(例如，温度略高于室温，比如50℃至60℃，但没有热离子注入过程那么高)，由此低热夹盘(例如，配置成温度加热到低于100℃的夹盘)已用于在注入期间控制工件的温度。


技术实现要素：

8.以下呈现了本公开的简要说明，以便提供对本公开的一些方面的基本理解。该简要说明不是本公开的广泛概述。它既不旨在指示本发明的关键或重要元素，也不旨在描绘本发明的范围。其目的是以简化形式呈现本公开的一些构思，作为稍后呈现的具体实施方式的序言。
9.根据另一示例性方面，提供了一种用于离子注入系统的气体产生系统。根据一个示例，气体产生系统包括：夹盘，其用于支撑离子注入系统的终端站中的工件；氢气产生器，其配置成产生氢气；输送系统，其配置成将氢气提供至夹盘；以及壳体，其配置成大体上围
封氢气产生器。例如，夹盘包括静电夹盘，该静电夹盘配置成将氢气提供至工件的背侧。
10.根据另一示例，还提供了与壳体相关联的一个或多个传感器。例如，该一个或多个传感器包括氢气传感器，该氢气传感器配置成检测壳体内氢气的存在。例如，氢气传感器配置成检测氢气的上升预定阈值的升高存在度。
11.根据另一示例，排气系统配置成与壳体流体连接。例如，排气系统配置成选择性地或连续地使空气或另一种气体通过壳体，以大体上防止氢气在壳体内积聚。吹扫气体系统还可以配置成与壳体流体连接。例如，吹扫气体系统配置成向壳体提供稀释气体。例如，稀释气体包括氮气、空气、不可燃气体和低可燃性气体中的一种或多种。在另一示例中，吹扫气体系统配置成将氢气的浓度稀释到爆炸水平以下。
12.根据另一示例，提供了连锁系统，其配置成控制氢气产生器、输送系统、吹扫气体系统和排气系统中的一个或多个以缓和氢气释放。例如，经由连锁系统的控制至少部分地基于来自一个或多个传感器的信号。例如，连锁系统包括一个或多个自动阀、开关或其他连锁件。例如，连锁系统包括配置成硬件系统和软件控制系统中的一个或多个，该硬件系统和软件系统根据来自一个或多个传感器的信号来监测氢气的浓度。例如，连锁系统可以配置成执行以下一项或多项操作：关闭氢气产生器的氢气产生，开启排气系统，开启吹扫气体系统，以及在氢气浓度超过预定阈值时向控制器提供指示氢气释放的信号。
13.以上发明内容仅旨在给出本公开的一些实施例的一些特征的简要概述，其他实施例可以包括与上述特征相比附加的和/或不同的特征。特别地，该发明内容不应被解释为限制本技术的范围。因此，为了实现前述和相关的目的，本公开包括以下描述的以及在权利要求中特别指出的特征。以下描述和附图详细阐述了本公开的某些示例性实施例。然而，这些实施例仅是可以采用本公开的原理的各种方式中的一些方式。在结合附图理解本公开的以下具体实施方式时，本公开的其他目的、优点和新颖特征将变得明显。
附图说明
14.图1是根据本公开若干方面的使用氢气产生器的示例性真空系统的框图。
15.图2是根据本公开一个方面的热夹盘的夹持表面的顶部立体图。
16.图3是根据本公开一个方面的热夹盘的局部剖视图。
17.图4是根据本公开另一方面的示例性气体产生系统的示意图。
具体实施方式
18.本发明总体上涉及一种离子注入系统以及一种与之相关联的用于产生氢气的源。更具体地，本公开涉及用于产生氢的氢气产生部件，所产生的氢气用作离子注入系统的终端站中的晶圆冷却或热传递机构的背侧气体。本公开将氢气产生器定位在与终端站相关联的壳体中，由此壳体的密闭和安全方面有利地改善了与传统气体瓶和气体输送管道相关的爆炸问题。
19.相应地，现参考附图描述本发明，其中，相同的附图标记可以始终用于指代相同的元件。应当理解，这些方面的描述仅仅是说明性的，不应被解释为具有限制意义。在以下描述中，出于解释说明的目的，阐述了许多具体细节以提供对本发明的全面理解。显然，对于本领域技术人员来说，可以在没有这些具体细节的情况下实践本发明。此外，本发明的范围
不受下文参考附图描述的实施例或示例的限制，而仅由所附权利要求及其等同物的限制。
20.还应注意，提供附图是为了给出本发明的实施例的一些方面的说明，因此应被视为仅是示意性的。特别地，附图中所示的元件不一定彼此按比例绘制，并且附图中的各种元件的布置用于提供对相应实施例的清楚理解，而不应被解释为必然表示根据本发明的实施例的实施方式中各种组件的实际相对位置。此外，除非另有特别说明，否则本文描述的各种实施例和示例的特征可以彼此组合。
21.还应理解，在以下描述中，附图中所示或本文所述的功能块、设备、组件、电路元件或其他物理单元或功能单元之间的任何直接连接或耦合也可以通过间接连接或耦合来实现。此外，应当理解，附图中示出的功能块或单元在一个实施例中可以被实现为单独的特征或电路，而在另一个实施例中也可以或替选地完全或部分地实现在共同的特征或电路中。例如，几个功能块可以被实现为在诸如信号处理器等的公共处理器上运行的软件。还应理解，除非有相反说明，否则在以下说明书中描述为基于有线的任何连接也可以实现为无线连通。
22.温度的精度和控制在半导体晶圆加工中越来越重要。已经提供了用于测量和控制工件所在的支撑件的温度(例如静电夹盘的温度)的系统，其中，利用支撑件的温度的表征和分析来间接估计工件的温度。本公开目前认识到，这种对工件支撑件温度的依赖会导致工件加工过程中的温度误差。
23.加热离子注入过程能够将工件加热到100℃至600℃或更高的处理温度。例如，在注入期间，支撑工件的静电夹盘部分地实现并维持处理温度。根据本公开的各个方面，图1示出了示例性离子注入系统100。本示例中的离子注入系统100包括示例性离子注入装置101，但是也可以考虑各种其他类型的基于真空的半导体处理系统，例如等离子体处理系统或其他半导体处理系统。例如，离子注入装置101包括终端102、束线组件104和终端站106。
24.一般来说，终端102中的离子源108耦接到电源110，以将掺杂剂气体离子化成多个离子并形成离子束112，由此束线组件104配置成选择性地传输离子束112。本示例中，离子束112被引导通过质量分析装置114，并从孔116出来而被引导向终端站106。在终端站106中，离子束112轰击被选择性地夹持或安装到夹盘120的工件118(例如，诸如硅晶圆的基体、显示面板等)。例如，夹盘120可以包括静电夹盘(esc)或机械夹具夹盘，其中夹盘配置成选择性地控制工件118的温度。一旦嵌入到工件118的晶格中，注入的离子就会改变工件的物理和/或化学性质。因此，离子注入用于半导体器件制造和金属精加工以及材料科学研究中的各种应用。
25.本公开的离子束112能够采用任何形式，比如铅笔或点状射束、带状射束、扫描射束或离子被引导朝向终端站106的任何其他形式，所有这样的形式均被认为落入本公开的范围内。
26.根据一个示例性方面，终端站106包括处理室122，例如真空室124，其中处理环境126与处理室相关联。处理环境126通常存在于处理室122内，并且在一个示例中，包括由真空源128(例如真空泵)产生的真空，真空源128耦接到处理室并且配置成基本上将处理室抽空。
27.在一个示例中，离子注入装置101配置成提供高温离子注入，其中，工件118被加热到处理温度(例如，约100℃至600℃或更高)。因此，在本示例中，夹盘120包括热夹盘130，其
中，热夹盘配置成支撑和保持工件118，同时在工件暴露于离子束112之前、期间和/或之后，进一步在处理腔室122内加热工件118。
28.热夹盘130例如包括静电夹盘(esc)，静电夹盘配置成将工件118加热或冷却到处理温度，该处理温度可以大于、小于或等于周围环境或外部环境132(例如，也称为“大气环境”)的环境温度或大气温度。还可以提供热系统134，其中，热系统配置成加热或冷却热夹盘130并且进而将存在于其上的工件118加热或冷却至期望的处理温度。在一个示例中，热系统134配置成经由设置在热夹盘130内的一个或多个热特征部136选择性地加热或冷却工件118。例如，一个或多个热特征部136可以包括一个或多个用于加热工件118的加热元件，和/或一个或多个用于冷却工件的冷却元件。在一个示例中，热系统134包括冷却剂源，由此一个或多个热特征部136包括限定在热夹盘中的一个或多个冷却通道，用于使冷却剂(例如水)流过一个或多个热特征部以冷却工件118。
29.对于一些高温注入，可以允许工件118在处理环境126的真空内“保温(soak)”在热夹盘130上，直到达到期望的温度。替选地，为了增加通过离子注入系统100的循环时间，可以在一个或多个腔室138a、138b(例如，一个或多个负载锁定腔室)中经由预热装置140预热工件118，该一个或多个腔室可操作地耦接到处理腔室122。例如，预热装置140可以包括配置成类似于热夹盘130的预热支撑件142。
30.视工具架构、处理和所需产量而定，工件118可以经由预热装置140而被预热至第一温度。其中，第一温度等于或低于处理温度，从而允许真空腔室124内的热夹盘130上的最终热均衡。这种情况允许工件118在转移到处理腔室122期间损失一些热量，其中，最终加热到处理温度是在热夹盘130上执行的。替选地，工件118可以经由预热装置140预热到高于处理温度的第一温度。因此，可以优化第一温度，使得在转移到处理腔室122期间，对工件118的冷却刚好足以使工件在被夹持在热夹盘130上时处于期望的处理温度。
31.为了精确地控制和/或加速热响应并启用用于热传递的附加机制，工件118的背侧与热夹盘130传导连通。这种传导连通例如通过在热夹盘130与工件118之间的压力控制气体界面(也称“背侧气体”)来实现。例如，背侧气体的压力通常受热夹盘130的静电力限制，通常能够保持在5至20托(torr)的范围。在一个示例中，背侧气体界面厚度(例如，工件118与热夹盘130之间的距离)被控制在微米数量级(通常为5至20μm)，因此，分子平均自由程在该压力状态下变得足够大，使得界面厚度足以将系统推入过渡和分子气体状态。
32.根据本公开的另一方面，腔室138b包括冷却装置144，冷却装置144配置成当工件118在离子注入期间被注入离子之后而设置在腔室138b内时，对工件进行冷却。例如，冷却装置144可以包括冷冻工件支撑件146，其中，冷冻工件支撑件配置成通过热传导主动冷却驻留在其上的工件118。例如，冷冻工件支撑件146包括冷板，该冷板具有穿过其中的一个或多个冷却通道，其中，通过冷却通道的冷却流体基本上冷却存在于冷板表面上的工件118。冷冻工件支撑件146可以包括其他冷却机构，例如珀耳帖(peltier)冷却器或普通技术人员已知的其他冷却机构。
33.根据另一示例性方面，还提供了控制器148，控制器148配置成选择性地启动热系统134、预热装置140和冷却装置中的一个或多个，以选择性地加热或冷却分别位于其上的工件118。控制器148例如可以配置成：经由预热装置140加热腔室138a中的工件118，经由热夹盘130和热系统134在处理腔室122中将工件加热到预定温度，经由离子注入装置101将离
子注入至工件，经由冷却装置144冷却腔室138b中的工件，以及经由一个或多个工件转移装置150a、150b在外部环境132与处理环境126之间选择性地转移工件。
34.工件118还可以被传送至处理腔室122或从处理腔室122传送，使得工件经由工件传送装置150b在选定的前开口统一舱(foup)152a、152b与腔室138a、138b之间传送，并且还可以经由工件转移装置150a在腔室138a、138b与热夹盘130之间传送。例如，控制器148还配置成经由工件转移装置150a、150b的控制在foup 152a、152b、腔室138a、138b和热夹盘130之间选择性地转移工件。
35.例如，本公开图1的系统100还可以有利地配置成使用相同的热夹盘130的同时，执行高温注入(例如100℃至600℃)和准室温注入(例如20℃至100℃)。这种配置在简单性和生产率方面都优于传统系统，因为图1的系统100可以在配置变化最小的情况下用于各种注入方案，同时减轻在常规离子注入的常规启动操作中常见的各种缺陷。
36.图2中示出了示例性的热夹盘130，其中，例如，热夹盘主要提供两种功能，即：选择性地将图1的工件118夹持在其上，以及加热和/或冷却工件。例如，设置图2中所示的一个或多个接地销154，用于工件的电接地，并且在热夹盘130的夹持表面158上设置多个台面156，以尽量减少与图1的工件118的接触并减轻粒子污染。
37.根据本公开的另一示例性方面，图3示出了热夹盘130的一部分200。例如，示出了载体板202，由此工件118被选择性地夹持到热夹盘130的夹持表面158。在一个示例中，载体板202由陶瓷材料构成，具有嵌入其中或以其他方式与之相关联的一个或多个高压电极204，其中，该一个或多个高压电极204配置成将工件118静电吸引到热夹盘130，通常限定静电夹盘(esc)。替选地或另外地，热夹盘130可以包括一个或多个机械夹持构件205，该一个或多个机械夹持构件205配置成选择性地将工件118机械地夹持到载体板202，由此热夹盘通常限定机械夹盘。
38.在本示例中，图3的一个或多个热特征部136包括一个或多个冷却通道，该一个或多个冷却通道限定于热夹盘130中并配置成选择性地冷却热夹盘130。应当理解，替选地，一个或多个热特征部136可以包括嵌入热夹盘130中的一个或多个加热器(未示出)，用于选择性地加热热夹盘。例如，控制器148配置成选择性地控制一个或多个热特征部136以选择性地控制该一个或多个热特征部的热状态。
39.例如，图3的载体板202可以结合到热板206或与其成一体，热板206具有与其相关联的一个或多个热特征部136(例如，一个或多个冷却通道或电阻加热元件等)。例如，热板206可以由陶瓷材料构成，其中，一个或多个热特征部136限定在热板中或嵌入热板内。需要说明的是，热板206和载体板202可以是单独的板，也可以集成为一个板。例如，一个或多个热特征部136可以配置成在注入处理期间主动冷却、加热或维持图1的工件118的温度。例如，图3的一个或多个热特征部136可以根据需要加热或以其他方式将工件温度保持在各种温度。
40.根据另一示例，在载体板202的夹持表面158与驻留在其上的工件118之间的背侧间隙210中提供背侧气体(bsg)208，以便有利地将热量传递至工件或从工件传递热量。例如，背侧气体208经由可操作地耦接到气体源214的导管212提供给背侧间隙210。例如，在背侧间隙210中限定背侧气体层215(例如大约10微米)，以通过背侧气体208在一个或多个热特征部136与工件118之间传导热量以有利地提供或维持温度。例如，背侧气体208可以在冷
却模式下将热量从工件118传导至热夹盘130。
41.在一个示例中，图1的离子注入系统100能够产生25ma 范围的、离子束112的射束电流。例如，这种射束电流在较高能量(例如大于或等于大约120kev)和所谓的高剂量能量(例如在60kev的范围)下使用。为了充分利用这种射束电流可以提供的生产率，热夹盘130可以配置成耗散被工件118吸收的离子束112的功率，以便大体上防止可能在工件上的任何光刻胶被离子束的这种功率所涉及的热量损坏。例如，可能需要将光刻胶的温度保持在低于大约90℃。虽然一些夹盘能够以离子束112的大约1200w至1500w的功率(例如，射束能量x roi射束电流)将晶圆冷却至<90℃，但期望将夹盘130的冷却能力增加到大于或等于大约2500w以增加离子注入系统100的生产率。
42.例如，图3的背侧气体208可以用于静电夹盘系统中，用于通过在工件与热夹盘130的夹持表面158之间提供一层气体(例如氮气或氢气)来冷却工件118。例如，氮气通常成本低，在离子注入机中使用率高，并且具有不易燃的特性。例如，背侧气体208用于将由离子束112的功率在工件118中产生的热量传导至热夹盘130的冷却板216(例如载体板202和热板206)。例如，从工件118到热夹盘130的冷却板216的热传递速率随着热回路中的材料特性和厚度(例如电阻)而变化，例如工件的热阻、背侧气体、esc材料、结合材料、冷却板和冷却流体。例如，热回路中的最大电阻通常与背侧气体(bsg)208相关联。
43.本公开认识到，如果与bsg 208相关联的电阻可以减小，则可以实现更高水平的热传递。因此，本公开使用氢而不是氮作为bsg 208，因为氢的热导率大约是氮的热导率的三倍。然而，在制造设施(例如所谓的“晶圆厂”)中使用氢可能存在安全问题，因为氢气通常是从高压气瓶中提供的。为了减轻这样的安全问题，本公开提供了使用点气体产生系统218，其位于热夹盘130(例如，静电夹盘系统)驻留的图1的终端站106内或附近。例如，使用点气体产生系统218的位置可以位于束线区域内部、束线区域外部或远程定位。因此，在各种示例中，本公开不受使用点气体产生系统218的位置的限制。
44.例如，气体产生系统218可以配置成使用串联连接的一个或多个电解池来离解水。例如，每个电解池包括阳极电极(例如用于制氧)、阴极电极(例如用于制氢)以及隔膜(例如用于分离氧和氢)。例如，贮存器可以配置成仅存储处理所需的足够的气体(例如氢气)，从而使气体产生系统218成为存在高压气瓶的应用的安全替代方案。
45.例如，本公开的气体产生系统218可以配置成以大约10sccm的速率使气体流动。在一个示例中，气体产生系统218具有相对较小的存储容量，大约5psi或更小。因此，不是在通常与上述高压气瓶相关联的高压(例如2000psi)下储存气体。
46.本公开认识到，来自离子束112的功率以相关联的能量向工件118提供一定量的离子通量，由此施加到工件的功率或能量的量是基于离子束的通量率的。此外，期望保持施加到工件118的功率的量，使得所得温度低于预定阈值(例如，由于工件上的诸如光致抗蚀剂之类的材料)以防止损坏工件或设置在其上的任何层。
47.为了在向工件118注入离子(和功率)的同时改善工件118的冷却，本公开考虑使用与通常使用的类型不同的背侧气体。例如，工件118、工件与热夹盘130(例如esc)之间的背侧气体208以及构成热夹盘的部件(例如载体板202、热板206等)的堆叠的热模型显示背侧气体层具有最高的热阻。因此，通过提高背侧气体层215的热导率，可以实现工件118和热特征部136(例如冷却通道)之间的更多功率耗散，由此在热特征部为冷却通道的情况下，功率
和热量可以耗散到流过热夹盘130的冷却流体(例如水)。
48.本公开使用用于bsg 208的氢气，而不是氮气，因为氢气具有明显更高的热导率。因此，对于经由图1的离子束112引入工件118的较高功率，可以实现较低的温度。此外，本公开利用气体产生系统218作为气源214，而不是使用加压瓶。因此，与使用和储存氢气加压瓶相关联的各种安全问题(例如，高容量泄漏电位和可能导致火灾或爆炸等的大量潜在的能量等)通过提供氢气的气体产生系统218而得到改善。
49.例如，如果与传统的氢气加压瓶相关联的调节器或阀门发生故障，氢气会充斥周围区域，而且关闭易燃氢气的供应可能很困难。相反，本公开的气体产生系统218具有有限的容积容量和流量，并且选择性地去除其电力会有效地停止氢气的产生。因此，与加压瓶相反，本公开有利地提供了对氢气源的选择性控制。本公开还将气体产生系统218提供在终端站106的区域中。在本示例中，气体产生系统218可以定位于大气环境132中。
50.根据另一示例，气体产生系统218可以包括氢气产生系统300，如图4进一步所示，由此氢气产生系统的各个部分可以用于图1的气体产生系统。例如，图4的氢气产生系统300可以包括一个或多个子系统或部件。例如，图4中所示的示例性氢气产生系统300包括氢气产生器302、向静电夹盘306提供氢气的输送系统304以及大体上围封氢气产生器302的壳体308。还可以提供一个或多个传感器310以检测壳体308内氢气的存在，由此氢气传感器配置成检测氢气的上升预定阈值的升高存在度。
51.此外，氢气产生系统300可以包括与壳体308连接的排气系统312，由此排气系统312可以配置成选择性地或连续地使空气通过壳体以大体上防止氢气在壳体内积聚。还可以提供吹扫气体系统314，其与壳体308的连接，由此吹扫气体系统可以向壳体提供稀释气体(例如，氮气、空气或低可燃性气体)。例如，吹扫气体系统314可以配置成提供设施空气(例如通风设备)、室内空气、诸如氮气的不可燃气体或用于稀释壳体308中积聚的氢的其他气体源。例如，本公开因此配置成提供限定量的氢(例如，仅与bsg所需的量一样多)，并且能够将浓度稀释到爆炸水平以下。
52.此外，可以提供连锁系统316(例如，一个或多个自动阀、开关或其他连锁件)以与图1的控制器148连接，由此控制系统例如可以配置成执行以下一种或多种操作：控制氢气产生器302产生氢气，监测位于壳体308中的一个或多个传感器310，以及管理连锁系统以减轻不希望的氢气释放。例如，连锁系统316可以包括根据来自一个或多个传感器310的信号来监测氢气浓度的硬件系统和/或软件控制系统。例如，连锁系统316可以配置成，当检测到氢气水平高于预定值时：关闭氢气产生器302的氢气产生，开启排气系统312，开启吹扫气体系统314以快速稀释壳体308内包含的氢气的水平，和/或向图1的控制器148提供指示氢气释放的信号。
53.根据另一示例，本公开还提供了工程控制，其可以被提供以减少安全问题，使得在氢气意外释放的情况下，图4的壳体308的封闭空间中的氢气的浓度能够在壳体内快速降低。可以提供一个或多个传感器310以提供用于采取行动的信号，例如，关闭来自氢气产生器302的氢气流的源(例如自动关闭阀门)，关闭氢气产生器的电力，或选择性地允许废气流入或流出壳体以增加气体(例如空气)通过壳体的流速以稀释或以其他方式限制氢气在壳体内的积聚。更进一步地，可以向图1的离子注入系统100提供作为指示气体产生系统218的状态的信号。
54.在一个示例中，壳体308可以设置在氢气产生器302周围，由此排气系统312包括排气管道，该排气管道选择性地流体耦接到与图1的离子注入系统100所在的设施相关联的通风设备，由此可以在氢气产生器周围提供通风空气流。例如，可能从氢气产生器302泄漏出的任何氢气可以被限制在壳体308中和/或被排出。例如，排气系统312可以配置成通过通风口或其他装置连续地将空气从壳体308中抽出或穿过壳体308，使得大体上不会在壳体中产生负压，并且可以提供连续的流。可以进一步将一个或多个传感器310设置成确保排气(例如通风空气)流动，以及用于氢检测。因此，图1的控制器148可以提供或接收来自图4的一个或多个传感器310的反馈，以确保终端站106的区域没有被氢气填充。例如，如果氢气超过安全水平，则控制器148可以关闭离子注入系统100。
55.尽管针对特定实施例示出和描述了本发明，但是应当注意，上述实施例仅用作本发明的一些实施例的实施方式的示例，本发明不限于这些实施例。特别地，对于由上述部件(组件、设备、电路等)执行的各种功能，除非另有说明，否则用于描述此类部件的术语(包括对“装置”的引用)旨在对应于执行上述部件的指定功能的任何部件(即功能上等同的部件)，即使在结构上不等同于执行本文所示的本发明的示例性实施例中的行所述功能的所公开的结构，亦是如此。另外，虽然针对若干实施例中的仅一个实施例公开了本发明的特定特征，但是，对于任何给定或特定应用可能期望的和有利的情况下，这样的特征可以与其它实施例的一个或多个其它特征组合。因此，本发明不限于上述实施例，而是旨在仅由所附权利要求及其等同物限制。