高功率晶圆冷却的制作方法

技术特征：
1.一种用于离子注入系统的气体产生系统，其中，所述气体产生系统包括：夹盘，其用于支撑所述离子注入系统的终端站中的工件；氢气产生器，其配置成产生氢气；以及输送系统，其配置成将所述氢气提供至所述夹盘。2.根据权利要求1所述的气体产生系统，其中，所述夹盘包括静电夹盘，所述静电夹盘配置成将所述氢气提供至所述工件的背侧。3.根据权利要求1所述的气体产生系统，还包括配置成大体上围封所述氢气产生器的壳体。4.根据权利要求3所述的气体产生系统，还包括与所述壳体相关联的一个或多个传感器。5.根据权利要求4所述的气体产生系统，所述一个或多个传感器包括氢气传感器，所述氢气传感器配置成检测所述壳体内所述氢气的存在。6.根据权利要求5所述的气体产生系统，其中，所述氢气传感器配置成检测所述氢气的上升到预定阈值以上的升高存在度。7.根据权利要求4所述的气体产生系统，还包括配置成选择性地控制所述氢气产生器的控制器。8.根据权利要求3所述的气体产生系统，还包括配置成与所述壳体流体连接的排气系统。9.根据权利要求8所述的气体产生系统，其中，所述排气系统配置成选择性地或连续地使空气通过所述壳体，以大体上防止所述氢气在所述壳体内积聚。10.根据权利要求8所述的气体产生系统，还包括配置成与所述壳体流体连接的吹扫气体系统。11.根据权利要求10所述的气体产生系统，其中，所述吹扫气体系统配置成向所述壳体提供稀释气体。12.根据权利要求11所述的气体产生系统，其中，所述稀释气体包括氮气、空气、不可燃气体和低可燃性气体中的一种或多种。13.根据权利要求10所述的气体产生系统，其中，所述吹扫气体系统配置成将所述氢气的浓度稀释到爆炸水平以下。14.根据权利要求10所述的气体产生系统，还包括连锁系统，所述连锁系统配置成控制所述氢气产生器、输送系统、吹扫气体系统和排气系统中的一个或多个以缓和氢气释放。15.根据权利要求14所述的气体产生系统，还包括一个或多个传感器，其中，经由所述连锁系统的控制至少部分地基于来自所述一个或多个传感器的信号。16.根据权利要求14所述的气体产生系统，其中，所述连锁系统包括一个或多个自动阀、开关或其他连锁件。17.根据权利要求14所述的气体产生系统，还包括一个或多个传感器，其中，所述连锁系统包括硬件系统和软件控制系统中的一个或多个，所述硬件系统和软件控制系统配置成根据来自所述一个或多个传感器的信号来监测所述氢气的浓度。18.根据权利要求17所述的气体产生系统，其中，所述连锁系统配置成执行以下一项或多项操作：关闭所述氢气产生器的氢气产生，开启所述排气系统，开启所述吹扫气体系统，
以及在所述氢气的浓度超过预定阈值时向控制器提供指示氢气释放的信号。19.一种离子注入系统，包括：离子源，其配置成形成离子束；束线组件，其配置成选择性地传输所述离子束；终端站，其被配置成接收所述离子束以将离子注入到工件中；以及氢气产生系统，其包括：夹盘，其用于支撑所述工件；氢气产生器，其配置成产生氢气；以及输送系统，其配置成将所述氢气提供至所述夹盘。20.根据权利要求19所述的离子注入系统，其中，所述夹盘包括静电夹盘，并且所述氢气产生系统还包括：壳体，其大体上围封所述氢气产生器；吹扫气体系统，其配置成向所述壳体提供吹扫气体；以及排气系统，其配置成从所述壳体选择性地去除所述吹扫气体。

技术总结
一种用于离子注入系统的气体产生系统，具有配置成在壳体内产生氢气的氢气产生器。夹盘，例如静电夹盘，支撑在离子注入系统的终端站中的工件，并且输送系统向夹盘提供氢气。氢气可以通过夹盘而提供至工件的背面。传感器可以检测壳体内氢气的存在。控制器可以控制氢气产生器。排气系统可以使空气通过壳体，以防止氢气在壳体内积聚。吹扫气体系统向壳体提供稀释气体。连锁系统可基于来自一个或多个传感器的信号控制氢气产生器、输送系统、吹扫气体系统和排气系统以减少氢气释放。统和排气系统以减少氢气释放。统和排气系统以减少氢气释放。


技术研发人员：约瑟夫
受保护的技术使用者：艾克塞利斯科技公司
技术研发日：2020.04.30
技术公布日：2021/12/17