一种薄膜晶体管及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括层叠的硅层和介电层；在所述介电层上放置第一掩模板，所述第一掩模板具有镂空的图案；然后沉积有源材料，使其至少填充所述第一掩模板中的镂空区域，从而形成有图形的有源层，再移去所述第一掩模板；之后在所述有源层上形成电极阵列，得到薄膜晶体管。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有源材料为azto。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述azto的沉积方法为：磁控溅射法。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，形成所述电极阵列之前还对所述有源层进行退火处理，退火温度为500～600℃。5.根据权利要求1
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4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述电极阵列的形成过程为：在所述有源层上放置第二掩模板，所述第二掩模板具有镂空的图案，该镂空的图案与所述薄膜晶体管中的电极阵列图形相同；然后沉积电极材料，使其至少填充所述第二掩模板中的镂空区域，从而形成电极阵列，再移去所述第二掩模板。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述电极材料的沉积方法为：电子束蒸发。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述介电层的材料为氧化硅。8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一掩模板为金属材质。9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第二掩模板为金属材质。10.采用权利要求1
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9任一项所述的制备方法制得的薄膜晶体管。

技术总结
本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。一种薄膜晶体管的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底包括层叠的硅层和介电层；在所述介电层上放置第一掩模板，所述第一掩模板具有镂空的图案；然后沉积有源材料，使其至少填充所述第一掩模板中的镂空区域，从而形成有图形的有源层，再移除所述第一掩模板；之后在所述有源层上形成电极阵列，得到薄膜晶体管。本发明利用掩膜板制作有源层，省去了沉积光刻胶、光刻胶图形化、有源材料腐蚀等步骤，从而避免了有源层的污染、磨损等问题，提高了器件良率。提高了器件良率。提高了器件良率。


技术研发人员：王超 杨帆 左欢欢 王艳杰 高晓红 闫兴振 郭亮 王欢 吕卅 杨佳 赵春雷 迟耀丹 杨小天
受保护的技术使用者：吉林建筑大学
技术研发日：2021.08.13
技术公布日：2021/12/17