一种PERC晶硅太阳能电池及其制备方法与流程

一种perc晶硅太阳能电池及其制备方法
技术领域
1.本发明涉及perc晶硅太阳能电池技术领域，具体为一种 perc晶硅太阳能电池及其制备方法。


背景技术：

2.公知的，单晶硅perc太阳能电池转换效率高，相对成本低，为目前太阳能电池的主流技术，然而随着perc技术的发展当前效率提升遇到了瓶颈，下代技术topcon，异质结等技术工艺技术尚未在生产中完大规模应用，因此寻找新的途径提升perc电池的光电转化效率，延长perc产线设备生命及perc电池生命周期，成为当下重要的一个问题。
3.如申请公布号为cn112768534a，申请公布日为2021年05月07 日，名称为《一种氧化硅钝化perc双面电池及其制备方法》的发明专利，其氧化硅钝化perc双面电池具体结构包括硅衬底、设置在所述硅衬底正面的正面介电层、设置在所述硅衬底背面的第一介电层和设置在所述第一介电层上的第二介电层；所述的正面介电层包括二氧化硅层和氮化硅膜层；所述的第一介电层为氧化硅层或氮氧化硅膜层；所述的第二介电层包括至少一层氮化硅膜层；所述的第一介电层的厚度为10
‑
100nm；所述的第二介电层的厚度为60
‑
180nm。
4.现单晶perc电池正面一般采用氮化硅或氮氧化硅组合膜层进行钝化和形成减反射膜，为了获得好的钝化效果和减反效果，采用底层膜高折射率(富硅膜)，氮化硅膜随着含硅量的增加其吸光系数增大，透光率变差尤其在短波段吸光发热，影响光伏效应的产生。背面一般采用氧化铝叠加氮化硅膜层钝化也有部分采用氮氧化硅，虽应用中氧化铝的固定负电荷及成膜过程中h含量，对p型电池背面有良好的表面钝化和场钝化效应，然而，氧化铝的负电性要靠四面体晶体实现，对工艺和退火条件要求比较高，同时氧化铝的导电性差，常规浆料无法烧穿等，需要背激光开槽或特殊浆料，其一方面会增大电池的串阻。另一方面激光开槽光斑损伤也会增加背面复合。


技术实现要素：

5.本发明的目的是提供一种perc晶硅太阳能电池及其制备方法，以解决现有技术中的上述不足之处。
6.为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种perc晶硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤；
7.s1：在硅基体正面形成第一氧化硅膜层；
8.s2：在硅基体正面第一氧化硅膜层表面形成sic：h膜层；
9.其中，形成sic：h膜层为通入反应气体sih4、ch4进行沉积，通入时间为10～30秒，反应气体sih4和ch4的通入流量比为1：(2～10)。
10.作为上述技术方案的进一步描述：所述步骤s2为，，所述步骤s2为，通入反应气体sih4、ch4、ph3以沉积掺磷sic：h膜层，通入时间为10～30秒，反应气体sih4、ch4、ph3的通入流量比为1：(2～10)：(0.5～3)。
11.作为上述技术方案的进一步描述：沉积sic：h膜层的反应温度为350℃—500℃。
12.作为上述技术方案的进一步描述：所述步骤s2之后还包括：在掺磷sic：h膜层表面沉积形成第一介电保护层。
13.作为上述技术方案的进一步描述：当所述第一介电保护层为氮化硅膜层时，通入反应气体sih4和nh3进行沉积，反应气体 sih4和nh3流量比为1：(6～12)，反应温度为470～520℃。
14.作为上述技术方案的进一步描述：当所述第一介电保护层为氮氧化硅膜层时，通入反应气体sih4、nh3和n2o进行沉积，沉积的反应温度为470～520℃。
15.作为上述技术方案的进一步描述：步骤s1还包括：在硅基体背面形成第二介电保护层。
16.作为上述技术方案的进一步描述：所述步骤s2之后还包括， s3：在硅基体背面第二介电保护层表面形成sic：h膜层。
17.作为上述技术方案的进一步描述：硅基体背面第二介电保护层表面形成sic：h膜层具体为：在硅基体背面第二氧化硅膜层表面沉积形成sic：h膜层，沉积形成sic：h膜层为通入反应气体 sih4和ch4，通入时间为10～30秒，反应气体sih4、ch4的流量比为1：(3～12)。
18.作为上述技术方案的进一步描述：所述步骤s3具体为通入反应气体sih4、ch4、bh3，通入10～30秒后，沉积掺硼sic：h膜层，反应气体sih4、ch4、bh3流量比为1：(3～12)：(1～4)。
19.作为上述技术方案的进一步描述：还包括在掺硼sic：h膜层表面沉积形成第一介电保护层。
20.一种perc晶硅太阳能电池，其由上述步骤制成，所述晶硅太阳能电池包括硅基体，所述硅基体正面设置有第一氧化硅膜层，位于所述硅基体1正面的第一氧化硅膜层表面沉积有掺磷sic：h 膜层。
21.作为上述技术方案的进一步描述：所述硅基体背面设置有第二氧化硅膜层，位于所述硅基体背面的第二氧化硅膜层表面沉积有掺硼sic：h膜层。
22.作为上述技术方案的进一步描述：所述掺硼sic：h膜层以及掺磷sic：h膜层的表面均设置有第一介电保护层。
23.作为上述技术方案的进一步描述：所述硅基体背面设置有设置有第二介电保护层。
24.作为上述技术方案的进一步描述：所述第一氧化硅膜层的厚度为0.5～3nm，所述掺磷sic：h膜层的厚度为10～70nm，所述掺磷sic：h膜层的折射率为2.0—3.0。
25.作为上述技术方案的进一步描述：所述第一氧化硅膜层的厚度为1～1.5nm，
26.作为上述技术方案的进一步描述：所述掺磷sic：h膜层的厚度为30～50nm。
27.一种perc晶硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤；
28.s4：在硅基体背面形成第二氧化硅膜层；
29.s5：在硅基体背面第二氧化硅膜层表面形成sic：h膜层；
30.其中，形成sic：h膜层为通入反应气体sih4、ch4、，通入 10～30秒后，沉积sic：h膜层，所述反应气体sih4和ch4流量比为1：(3～12)
31.作为上述技术方案的进一步描述：所述步骤s5为，通入反应气体为sih4、ch4、bh3，通入10～30秒后，沉积掺硼sic：h膜层，所述反应气体sih4、ch4、bh3流量比为1：(3～12)：(1～4)。
32.作为上述技术方案的进一步描述：所述s5之后还包括在掺硼 sic：h膜层表面沉积形成第一介电保护层。
33.一种perc晶硅太阳能电池，其由上述的步骤制成，所述晶硅太阳能电池包括硅基体；所述硅基体背面设置有第二氧化硅膜层，位于所述硅基体背面的第二氧化硅膜层表面沉积有掺硼sic： h膜层。
34.作为上述技术方案的进一步描述：所述掺硼sic：h膜层表面设置有第一介电保护层，所述硅基体正面设置有组合膜层。
35.作为上述技术方案的进一步描述：所述掺硼sic：h膜层的厚度为10
‑
70nm，所述掺硼sic：h膜层折射率为1.9～2.8，所述第二氧化硅膜层的厚度为0.5～3nm。
36.作为上述技术方案的进一步描述：所述掺硼sic：h膜层的厚度为30
‑
50nm。
37.作为上述技术方案的进一步描述：所述第二氧化硅膜层的厚度为1～1.5nm。
38.在上述技术方案中，本发明提供的一种perc晶硅太阳能电池的制备方法，在硅基体正面和背面分别采用sic：h膜层加氮化硅或氮氧化硅膜层替代传统氮化硅组合膜层以及氧化铝叠加氮化硅膜层，通过在形成sic：h膜层时调节通入的ch4比例，以实现对c含量进行调整，随沉积气体ch4：si流量比的增大，其膜层中si
‑
si键减少，si
‑
c键，c
‑
h键及石墨态c原子增加，从而薄膜的导电性增加，c含量越高导电性越好，以实现对sic：h膜层导电性以及不同波长透光率进行调整；同时通过掺杂ph3、bh3 来调节其钝化性能和所带电荷，来钝化电池perc的正面以及背面；硅基体背面用sic：h膜层代替氧化铝膜，提升了导电性，可以减少或取消背面开槽，即提升了钝化面积，可以减少复合损失，提升ff(填充因子)，提升电池转换效率；由于当前扩散工艺对电池转换效率提升，会导致方阻增加(180ω左右)，横向传输电阻增大，这导致了电流横向传输能力变差，用导电性更好的sic： h膜层可以增强电流横向传输能力；sic：h膜层中具有较多的h 原子，在退火时h原子会从sic：h膜逸出，进入硅片基体中，与硅原子的悬挂键结合，可以起到钝化作用，减少复合；该perc 晶硅太阳能电池的制备方法简单，现有的perc电池生产线无需大改动，就可以按照此工艺生产。
39.由于perc晶硅太阳能电池的制备方法具有上述技术效果，通过该制备方法制备的perc晶硅太阳能电池同样具有上述技术效果。
附图说明
40.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。
41.图1为本发明实施二例提供的perc晶硅太阳能电池结构示意图；
42.图2为本发明实施四例提供的perc晶硅太阳能电池结构示意图；
43.图3为本发明实施六例提供的perc晶硅太阳能电池结构示意图。
44.附图标记说明：
45.1、硅基体；2、第一氧化硅膜层；3、掺硼sic：h膜层；4、掺磷sic：h膜层；5、第一介电
保护层；6、第二氧化硅膜层；7、组合膜层8、第二介电保护层。
具体实施方式
46.为了使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面将结合附图对本发明作进一步的详细介绍。
47.请参阅图1
‑
3，本发明实施例提供一种技术方案：。
48.实施例一：
49.一种perc晶硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤；
50.s1：在硅基体正面形成第一氧化硅膜层；
51.具体的，可以利用热氧、ald、o3、pecvd等方法形成第一氧化硅膜，其中第一氧化硅膜的厚度为0.5～3nm；
52.s2：在硅基体正面第一氧化硅膜层表面形成sic：h膜层；
53.其中，形成sic：h膜层为通入反应气体sih4、ch4进行沉积，通入时间为10～30秒，反应气体sih4和ch4的通入流量比为1：(2～10)。
54.具体的，选用具备n2、sih4、nh3、ch4，ph3、bh3气路源以及流量控制计的pecvd设备，将步骤s1制备的硅片装入石墨舟内，石墨舟载硅片进入反应腔室内，进行升温恒温达到反应温度，并进行腔体抽真空检漏，通入反应气体sih4、ch4，通入10～30秒后，开启射频电源沉积sic：h膜层，射频电源功率为 4000w—19000w。
55.通入反应气体sih4、ch4、ph3以沉积掺磷sic：h膜层，通入时间为10～30秒，反应气体sih4、ch4、ph3的通入流量比为 1：(2～10)：(0.5～3)，可选的，首选通入反应气体sih4、ch4，通入10～30秒后，开启射频电源沉积sic：h膜层，然后在通过离子注入技术再通入ph3，以沉积形成掺磷sic：h膜层，优选的，直接将sih4、ch4、ph3同步通入，通入10～30秒后，开启射频电源通过原位掺杂工艺直接沉积掺磷sic：h膜层，其中，原位掺杂工艺更简单、使用设备更少，很显然的本领域技术人员理解其它的反应气体也可以实现沉积掺磷sic：h膜层，如pocl3。
56.可选的，掺磷sic：h膜层形成方式还可以采用pvd或cvd 方式进行沉积形成掺磷sic：h膜层。
57.积掺磷sic：h膜层的反应温度为350℃—500℃。
58.优选的，步骤s2之后还包括：在掺磷sic：h膜层表面沉积形成第一介电保护层，其中第一介电保护层为氮化硅膜层或氮氧化硅膜层。
59.在形成氮化硅膜层时，通入反应气体sih4和nh3进行沉积，反应气体sih4和nh3流量比为1：(6～12)，沉积氮化硅膜层的反应温度为470～520℃。具体的，使用氮气吹扫清洗炉管升温约 50℃，温度达到470～520℃，通入反应气体sih4，nh3沉积氮化硅膜。
60.在形成氮氧化硅膜层时，通入反应气体sih4、nh3和n2o进行沉积，优选的，沉积氮氧化硅膜层的反应温度为470～520℃，很显然的本领域技术人员理解其它的反应温度也可以实现沉积氮氧化硅膜层。
61.步骤s2之后还包括，s3：在硅基体背面第二介电保护层表面沉积形成sic：h膜层，形成sic：h膜层为通入为通入反应气体sih4和ch4，通入时间为10～30秒，反应气体sih4、ch4的流量比为1：(3～12)，具体的，第二介电保护层为第二氧化硅膜层，将硅片背面装入石
墨舟内，石墨舟载硅片进入反应腔室内，进行升温恒温达到反应温度，并进行腔体抽真空检漏，通入反应气体sih4、ch4、通入10～30秒后，开启射频电源沉积sic：h膜层，射频电源功率为4000w—19000w。
62.步骤s3具体为通入反应气体sih4、ch4、bh3，通入10～30 秒后，沉积掺硼sic：h膜层，反应气体sih4、ch4、bh3流量比为1：(3～12)：(1～4)。可选的，首选通入反应气体sih4、 ch4，通入10～30秒后，开启射频电源沉积sic：h膜层，然后在通过离子注入技术再通入bh3，以沉积形成掺硼sic：h膜层，优选的，直接将sih4、ch4、bh3同步通入，通入10～30秒后，开启射频电源通过原位掺杂工艺直接沉积掺硼sic：h膜层，其中，原位掺杂工艺更简单、使用设备更少，很显然的本领域技术人员理解其它的反应气体也可以实现沉积掺硼sic：h膜层，如bbr3。
63.通过在形成sic：h膜层时调节通入的ch4比例，以实现对c 含量进行调整，具体的，随沉积气体ch4：si流量比的增大，其膜层中si
‑
si键减少，si
‑
c键，c
‑
h键及石墨态c原子增加，从而薄膜的导电性增加，c含量越高导电性越好，透光性则降低。由于太阳能电池正面需要更高的透光性，背面需要更高的导电性，所以在形成正面sic：h膜层时通入的ch4比例小于在形成背面sic： h膜层时通入的ch4比例。
64.优选的，沉积掺硼sic：h膜层的反应温度为350℃—500℃，很显然的本领域技术人员理解其它的反应温度也可以实现沉积氧化硅膜层。
65.在掺硼sic：h膜层表面沉积形成第一介电保护层，其中第一介电保护层为氮化硅膜层或氮氧化硅膜层，具体的，在形成氮化硅膜层时，通入反应气体sih4和nh3进行沉积，反应气体sih4 和nh3流量比为1：(6～12)，沉积氮化硅膜层的反应温度为 470～520℃，使用氮气吹扫清洗炉管升温约50℃，温度达到 470～520℃，通入反应气体sih4，nh3沉积氮化硅膜层。
66.在形成氮氧化硅膜层时，通入反应气体sih4、nh3和n2o进行沉积，优选的，沉积氮氧化硅膜层的反应温度为470～520℃。
67.在上述技术方案中，本发明提供的一种perc晶硅太阳能电池的制备方法，在硅基体正面和背面分别采用sic：h膜层加氮化硅或氮氧化硅膜层替代传统氮化硅组合膜层以及氧化铝叠加氮化硅膜层，通过在形成sic：h膜层时调节通入的ch4比例，以实现对c含量进行调整，具体的，随沉积气体ch4：si流量比的增大，其膜层中si
‑
si键减少，si
‑
c键，c
‑
h键及石墨态c原子增加，从而薄膜的导电性增加，c含量越高导电性越好，透光性则降低，以实现对sic：h膜层导电性以及不同波长透光率进行调整；同时通过掺杂ph3、bh3来调节其钝化性能和所带电荷，来钝化电池 perc的正面以及背面；硅基体背面用sic：h膜层代替氧化铝膜，提升了导电性，可以减少或取消背面开槽，即提升了钝化面积，可以减少复合损失，提升ff(填充因子)，提升电池转换效率；由于当前扩散工艺对电池转换效率提升，会导致方阻增加(180左右)，横向传输电阻增大，这导致了电流横向传输能力变差，用导电性更好的sic：h膜层可以增强电流横向传输能力；sic：h 膜层中具有较多的h原子，在退火时h原子会从sic：h膜逸出，进入硅片基体中，与硅原子的悬挂键结合，可以起到钝化作用，减少复合；该perc晶硅太阳能电池的制备方法简单，现有的perc 电池生产线无需大改动，就可以按照此工艺生产。
68.实施例二
69.本发明实施例提供另一种技术方案：一种perc晶硅太阳能电池，其由上述实施例一的步骤制成，如图1，perc晶硅太阳能电池具体结构包括，硅基体1，硅基体1正面和背面分别设置有第一氧化硅膜层2和第二氧化硅膜层6，且位于硅基体1正面的第一氧化硅膜层2表面设置有掺磷sic：h膜层4，位于硅基体1背面的第二氧化硅膜层6表面设置有掺硼sic：h膜层3，其中，掺磷sic： h膜层4以及掺硼sic：h膜层3的表面均设置有第一介电保护层 5，第一介电保护层5为氮化硅膜层或氮氧化硅膜层。
70.具体的，第一氧化硅膜2的厚度为0.5～3nm，优选1
‑
1.5nm；掺硼sic：h膜层厚度为10
‑
70nm，优选30
‑
50nm，掺硼sic：h 膜层折射率为1.9～2.8，掺磷sic：h膜层的折射率为2.0—3.0，沉积掺磷sic：h膜层的厚度为10～70nm，优选30
‑
50nm。
71.实施例三：
72.一种perc晶硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤；
73.s1：在硅基体正面形成第一氧化硅膜层；
74.具体的，可以利用热氧、ald、o3、pecvd等方法形成氧化硅膜，其中氧化硅膜的厚度为0.5～3nm；
75.s2：在硅基体正面第一氧化硅膜层表面形成sic：h膜层；
76.其中，形成sic：h膜层为通入反应气体sih4、ch4进行沉积，通入时间为10～30秒，反应气体sih4和ch4的通入流量比为1：(2～10)。
77.具体的，选用具备n2、sih4、nh3、ch4，ph3、bh3气路源以及流量控制计的pecvd设备，将步骤s1制备的硅片装入石墨舟内，石墨舟载硅片进入反应腔室内，进行升温恒温达到反应温度，并进行腔体抽真空检漏，通入反应气体sih4、ch4，通入 10～30秒后，开启射频电源沉积sic：h膜层，射频电源功率为 4000w—19000w。
78.通入反应气体sih4、ch4、ph3以沉积掺磷sic：h膜层，通入时间为10～30秒，反应气体sih4、ch4、ph3的通入流量比为 1：(2～10)：(0.5～3)，可选的，首选通入反应气体sih4、ch4，通入10～30秒后，开启射频电源沉积sic：h膜层，然后在通过离子注入技术再通入ph3，以沉积形成掺磷sic：h膜层，优选的，直接将sih4、ch4、ph3同步通入，通入10～30秒后，开启射频电源通过原位掺杂工艺直接沉积掺磷sic：h膜层，其中，原位掺杂工艺更简单、使用设备更少，很显然的本领域技术人员理解其它的反应气体也可以实现沉积掺磷sic：h膜层，如pocl3。
79.可选的，掺磷sic：h膜层形成方式还可以采用pvd或cvd 方式进行沉积形成掺磷sic：h膜层。
80.优选的，积掺磷sic：h膜层的反应温度为350℃—500℃。
81.优选的，步骤s2之后还包括：在掺磷sic：h膜层表面沉积形成第一介电保护层，其中第一介电保护层为氮化硅膜层或氮氧化硅膜层。
82.在形成氮化硅膜层时，通入反应气体sih4和nh3进行沉积，反应气体sih4和nh3流量比为1：(6～12)，优选的，沉积氮化硅膜层的反应温度为470～520℃。具体的，使用氮气吹扫清洗炉管升温约50℃，温度达到470～520℃，通入反应气体sih4，nh3沉积氮化硅膜。
83.在形成氮氧化硅膜层时，通入反应气体sih4、nh3和n2o进行沉积，优选的，沉积氮氧化硅膜层的反应温度为470～520℃。。
84.步骤s1还包括：在硅基体背面形成第二介电保护层，第二介电保护层为氧化铝叠
加氮化硅膜层；其中现有的perc晶硅太阳能电池的背面采用氧化铝叠加氮化硅膜层结构，氧化铝叠加氮化硅膜层具体沉积方法为现有技术。
85.实施例四：
86.本发明实施例提供另一种技术方案：一种perc晶硅太阳能电池，其由上述实施例三的步骤制成，如图2，perc晶硅太阳能电池具体结构包括，硅基体1，硅基体1正面设置有第一氧化硅膜层 2，且位于硅基体1正面的第一氧化硅膜层2表面设置有掺磷sic：h膜层4，掺磷sic：h膜层4的表面设置有介电保护层5，介电保护层5为氮化硅膜层或氮氧化硅膜层，硅基体1背面设置有第二介电保护层8，第二介电保护层8为氧化铝叠加氮化硅膜层。第一氧化硅膜的厚度为0.5～3nm，优选1
‑
1.5nm；掺磷sic：h膜层的折射率为2.0—3.0，沉积掺磷sic：h膜层的厚度为10～70nm，优选30
‑
50nm。
87.实施例五：
88.一种perc晶硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤；
89.s4：在硅基体背面形成第二氧化硅膜层；
90.具体的，可以利用热氧、ald、o3、pecvd等方法形成第二氧化硅膜，其中第二氧化硅膜的厚度为0.5～3nm；
91.s5：在硅基体背面第二氧化硅膜层表面形成sic：h膜层；其中，形成sic：h膜层为通入反应气体sih4、ch4，通入10～30 秒后，沉积sic：h膜层，反应气体sih4和ch4流量比为1：(3～12)。
92.具体的，选用具备n2、sih4、nh3、ch4，bh3气路源以及流量控制计的pecvd设备，将硅片背面装入石墨舟内，石墨舟载硅片进入反应腔室内，进行升温恒温达到反应温度，并进行腔体抽真空检漏，通入反应气体sih4、ch4，通入10～30秒后，开启射频电源沉积sic：h膜层，射频电源功率为4000w—19000w。
93.通入反应气体为sih4、ch4、bh3，通入10～30秒后，沉积掺硼sic：h膜层，反应气体sih4、ch4、bh3流量比为1：(3～12)： (1～4)，可选的，首选通入反应气体sih4、ch4，通入10～30秒后，开启射频电源沉积sic：h膜层，然后在通过离子注入技术再通入bh3，以沉积形成掺硼sic：h膜层，优选的，直接将sih4、 ch4、bh3同步通入，通入10～30秒后，开启射频电源通过原位掺杂工艺直接沉积掺硼sic：h膜层，其中，原位掺杂工艺更简单、使用设备更少，很显然的本领域技术人员理解其它的反应气体也可以实现沉积掺硼sic：h膜层，如bbr3。
94.沉积掺硼sic：h膜层的反应温度为350℃—500℃。
95.可选的掺硼sic：h膜层形成方式还可以采用pvd或cvd方式进行沉积形成掺磷sic：h膜层。
96.步骤s4之后还包括在掺硼sic：h膜层表面沉积形成介第一电保护层，其中第一介电保护层为氮化硅膜层或氮氧化硅膜层。
97.在形成氮化硅膜层时，通入反应气体sih4和nh3进行沉积，反应气体sih4和nh3流量比为1：(6～12)，优选的，沉积氮化硅膜层的反应温度为470～520℃。
98.在形成氮氧化硅膜层时，通入反应气体sih4、nh3和n2o进行沉积，优选的，沉积氮氧化硅膜层的反应温度为470～520℃。
99.步骤s4还包括在硅基体正面形成组合膜层；其中组合膜层为氮化硅或氮氧化硅组合膜层，现有的perc晶硅太阳能电池的正面采用氮化硅或氮氧化硅组合膜层结构，氮化硅
或氮氧化硅组合膜层具体沉积方法为现有技术。
100.实施例六：
101.本发明实施例提供另一种技术方案：一种perc晶硅太阳能电池，其由上述实施例五步骤制成，如图3所示，perc晶硅太阳能电池具体结构包括，硅基体1，硅基体1背面设置有第二氧化硅膜层6，位于硅基体1背面的第二氧化硅膜层6表面设置有掺硼sic： h膜层3，其中，掺硼sic：h膜层3的表面设置有介电保护层5，介电保护层5为氮化硅膜层或氮氧化硅膜层，硅基体1正面设置有组合膜层7，且组合膜层7为氮化硅或氮氧化硅组合膜层，掺硼 sic：h膜层厚度为10
‑
70nm，优选30
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50nm，掺硼sic：h膜层折射率为1.9～2.8。
102.实施例七：
103.一种perc晶硅太阳能电池的制备方法，上述任一实施例均可使用本实施例中的制备方法进行制备，包括以下步骤；
104.(1)制绒；
105.具体的，以p型单晶硅片作为硅基体，首先进行制绒处理，然后在hf溶液中进行清洗，清洗干净硅片表面，提高硅片的陷光作用；
106.(2)磷扩散，形成pn结；
107.具体的，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的孔隙向硅片内部渗透扩散，在硅片的整个外表面形成了n 型，硅片内部还是原始的p型，实现在硅片上形成有了pn结构；
108.(3)去背结：
109.具体的，首先用水膜保护正面，在hf/hno3混合溶液中去除背表面场区域的磷硅玻璃及背面扩散层，再过hf溶液去除正面磷硅玻璃；
110.(4)氧化层生长；
111.具体的，其包括一种实施方式，在硅基体正面形成第一氧化硅膜层；另一种实施方式，在硅基体背面形成第二氧化硅膜层；
112.(5)钝化层生长；
113.具体的，其包括一种实施方式，在硅基体正面第一氧化硅膜层表面形成sic：h膜层，另一种实施方式，在硅基体背面第二氧化硅膜层表面形成sic：h膜层。
114.(6)背面激光开槽(可选)；
115.(7)丝网印刷，形成正反面电极，烧结。
116.具体的，为输出电池光电转换所获得的电能，必须在电池上制作正、负两个电极，即为在电池p
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n结形成紧密欧姆接触的导电材料，使用丝网印刷的方法制作电极，然后再经过烧结工艺，干燥硅片上的浆料，燃尽浆料的有机组分，使浆料和硅片形成良好的欧姆接触。
117.以上只通过说明的方式描述了本发明的某些示范性实施例，毋庸置疑，对于本领域的普通技术人员，在不偏离本发明的精神和范围的情况下，可以用各种不同的方式对所描述的实施例进行修正。因此，上述附图和描述在本质上是说明性的，不应理解为对本发明权利要求保护范围的限制。