具有电荷控制元件的RF开关堆叠的制作方法

技术特征：
1.一种fet开关堆叠，包括：串联连接的多个场效应晶体管fet；以及漏极
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源极电阻梯，其包括串联连接的多个漏极
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源极电阻器网络，每个漏极
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源极电阻器网络跨所述多个fet中的对应fet的漏极和源极连接；其中：所述多个fet在一端处连接至第一射频rf端子；所述多个fet包括第一fet和第二fet，所述第一fet的源极端子连接至所述第二fet的漏极端子；所述多个漏极
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源极电阻器网络包括第一漏极
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源极电阻器网络和第二漏极
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源极电阻器网络，所述第一漏极
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源极电阻器网络跨所述第一fet的漏极端子和源极端子连接，所述第二漏极
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源极电阻器网络跨所述第二fet的漏极端子和源极端子连接；所述第一漏极
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源极电阻器网络包括两个或更多个漏极
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源极电阻器，从而提供所述第一漏极
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源极电阻器网络的第一分接点；并且所述第二漏极
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源极电阻器网络包括两个或更多个漏极
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源极电阻器，从而提供所述第二漏极
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源极电阻器网络的第二分接点，所述fet开关堆叠还包括：一个或更多个漏极
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源极电荷控制元件，其包括第一漏极
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源极电荷控制元件，所述第一漏极
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源极电荷控制元件连接至所述第一分接点和所述第二分接点并且耦接至所述第一fet的源极端子和所述第二fet的漏极端子。2.根据权利要求1所述的fet开关堆叠，其被配置成在所述第一rf端子处耦接至rf信号，并且被配置成使用所述第一漏极
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源极电阻器网络的所述第一分接点与所述第二漏极
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源极电阻器网络的所述第二分接点之间的rf电压。3.根据权利要求2所述的fet开关堆叠，其中，所述第一漏极
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源极电荷控制元件被配置成使用所述第一漏极
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源极电阻器网络的所述第一分接点与所述第二漏极
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源极电阻器网络的所述第二分接点之间的所述rf电压来向所述第一fet的源极端子和所述第二fet的漏极端子供应第一电流。4.根据权利要求1所述的fet开关堆叠，其中：所述第一漏极
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源极电荷控制元件包括第一端子、第二端子和第三端子，其中：所述第一端子连接至所述第一漏极
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源极电阻器网络的所述第一分接点；所述第二端子连接至所述第二漏极
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源极电阻器网络的所述第二分接点；并且所述第三端子耦接至所述第一fet的源极端子以供应所述第一电流。5.根据权利要求4所述的fet开关堆叠，其中，所述第一漏极
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源极电荷控制元件包括第一二极管和第一电荷控制电阻器，其中：所述第一二极管的阳极连接至所述第一漏极
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源极电荷控制元件的所述第一端子；所述第一电荷控制电阻器在一端处连接至所述第一二极管的阴极，并且在另一端处连接至所述第一漏极
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源极电荷控制元件的所述第三端子。6.根据权利要求5所述的fet开关堆叠，其中：在所述rf信号的上摆期间，所述第一二极管导通；以及在所述rf信号的下摆期间，所述第一二极管不导通。
7.根据权利要求5所述的fet开关堆叠，其中，所述第一漏极
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源极电荷控制元件还包括第二二极管和第二电荷控制电阻器，其中：所述第二二极管的阳极连接至所述第一漏极
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源极电荷控制元件的所述第二端子；所述第二电阻器在一端处连接至所述第二二极管的阴极，并且在另一端处连接至所述第一漏极
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源极电荷控制元件的第四端子。8.根据权利要求7所述的fet开关堆叠，其中，所述第三端子连接至所述第四端子。9.根据权利要求7所述的fet开关堆叠，其中，在所述rf信号的上摆期间，所述第一二极管导通，并且所述第二二极管不导通；以及在所述rf信号的下摆期间，所述第一二极管不导通，并且所述第二二极管导通。10.根据权利要求7所述的fet开关堆叠，其中，所述第一二极管和所述第二二极管各自均使用二极管连接的fet与一个或更多个电阻器的组合来实现。11.根据权利要求7所述的fet开关堆叠，其中，所述第一漏极
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源极电荷控制元件包括第一电容器。12.根据权利要求11所述的fet开关堆叠，其中，所述第一电容器被配置成在所述rf信号的上摆期间进行充电。13.根据权利要求11所述的fet开关堆叠，其中，所述第一电容器具有第一电容器端和第二电容器端，所述第一电容器端连接至所述第一漏极
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源极电荷控制元件的所述第二端子，所述第二电容器端连接至所述第一二极管的阴极。14.根据权利要求13所述的fet开关堆叠，其中，所述第一漏极
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源极电荷控制元件还包括第二电容器，所述第二电容器在一端处连接至所述第一漏极
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源极电荷控制元件的所述第一端子，并且在另一端处连接至所述第二二极管的阴极。15.根据权利要求1所述的fet开关堆叠，其中，所述多个fet中的每个fet包括体端子，所述fet开关堆叠还包括体电阻梯，所述体电阻梯包括串联连接的多个体电阻器网络，每个体电阻器网络跨所述fet开关堆叠的对应的相邻晶体管的体端子连接。16.根据权利要求15所述的fet开关堆叠，其中：所述多个体电阻器网络包括第一体电阻器网络，所述第一体电阻器网络包括两个或更多个体电阻器，从而提供所述第一体电阻器网络的第一分接点；并且所述多个体电阻器网络包括第二体电阻器网络，所述第二体电阻器网络包括两个或更多个体电阻器，从而提供所述第二体电阻器网络的第二分接点。17.根据权利要求16所述的fet开关堆叠，还包括：一个或更多个体电荷控制元件，其包括第一体电荷控制元件，所述第一体电荷控制元件连接至所述第一体电阻器网络的第一分接点和所述第二体电阻器网络的第二分接点，其中，所述第一体电荷控制元件被配置成在所述第一体电阻器网络的第一分接点处使用rf电压源，从而从所述第一fet的所述体端子吸收电流。18.根据权利要求1所述的fet开关堆叠，其中，所述多个fet晶体管包括除所述第一fet和所述第二fet外的附加fet晶体管，并且所述多个漏极
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源极电阻器网络包括除所述第一漏极
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源极电阻器网络和所述第二漏极
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源极电阻器网络外的对应的附加漏极
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源极电阻器网络，每个附加漏极
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源极电阻器网络跨相应的附加fet的漏极端子和源极端子连接。
19.根据权利要求18所述的fet开关堆叠，其中，每个附加漏极
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源极电阻器网络包括两个或更多个附加漏极
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源极电阻器，从而提供所述漏极
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源极电阻梯的附加分接点。20.根据权利要求19所述的fet开关堆叠，其中，所述一个或更多个漏极
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源极电荷控制元件是多个漏极
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源极电荷控制元件，所述多个漏极
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源极电荷控制元件包括除了所述第一漏极
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源极电荷控制元件之外的漏极
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源极电荷控制元件，并且被配置成在所述漏极
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源极电阻梯的所述附加分接点处对所述rf电压源进行采样，从而供应由所述附加fet的漏极端子和源极端子汲取的附加电流。21.根据权利要求17所述的fet开关堆叠，其中，所述多个fet包括除所述第一fet和所述第二fet外的附加fet，并且所述多个体电阻器网络包括除所述第一体电阻器网络和所述第二体电阻器网络外的对应的附加体电阻器网络，每个附加体电阻器网络跨相应的两个相邻fet的体端子连接。22.根据权利要求21所述的fet开关堆叠，其中，每个附加体电阻器网络包括两个或更多个附加体电阻器，从而提供所述体电阻梯的附加分接点。23.根据权利要求22所述的fet开关堆叠，其中，所述一个或更多个体电荷控制元件是多个体电荷控制元件，所述多个体电荷控制元件包括除了所述第一体电荷控制元件之外的体电荷控制元件，并且被配置成在所述体电阻梯的所述附加分接点处对所述rf电压源进行采样，从而吸收由所述多个fet的对应fet的体端子生成的附加电流。24.根据权利要求17所述的fet开关堆叠，其中：所述第一体电荷控制元件包括第一端子、第二端子和第三端子，其中：所述第一端子连接至所述体电阻梯的第一分接点；所述第二端子连接至所述体电阻梯的第二分接点；并且所述第三端子耦接至所述第一fet的体端子。25.根据权利要求24所述的fet开关堆叠，所述第一体电荷控制元件还包括第一二极管和第一电阻器，其中：所述第一二极管的阴极连接至所述第一体电荷控制元件的所述第二端子，并且所述第一电阻在一端处连接至所述第一二极管的阳极，并且在另一端处连接至所述第一体电荷控制元件的所述第三端子。26.根据权利要求25所述的fet开关堆叠，其中：在所述rf信号的下摆期间，所述第一二极管导通，以及在所述rf信号的上摆期间，所述第一二极管不导通。27.根据权利要求25所述的fet开关堆叠，其中，所述第一体电荷控制元件还包括第二二极管和第二电阻器，其中：所述第二二极管的阴极连接至所述第一体控制元件的所述第一端子，并且所述第二电阻在一端处连接至所述第二二极管的阳极，并且在另一端处连接至所述第一体控制元件的第四端子。28.根据权利要求27所述的fet开关堆叠，其中，所述第四端子连接至所述第三端子。29.根据权利要求27所述的fet开关堆叠，其中：在所述rf信号的上摆期间，所述第二二极管导通，并且所述第一二极管不导通；以及
在所述rf信号的下摆期间，所述第二二极管不导通，并且所述第一二极管导通。30.根据权利要求27所述的fet开关堆叠，其中，所述第一二极管和所述第二二极管各自均使用二极管连接的fet与一个或更多个电阻器的组合来实现。31.根据权利要求27所述的fet开关堆叠，其中，所述第一体电荷控制元件包括第一电容器。32.根据权利要求31所述的fet开关堆叠，其中，所述第一电容器被配置成在所述rf信号的下摆期间进行充电。33.根据权利要求31所述的fet开关堆叠，其中，所述第一电容器在一端处连接至所述第一体控制元件的所述第一端子，并且在另一端处连接至所述第一二极管的阳极。34.根据权利要求33所述的fet开关堆叠，还包括第二电容器，所述第二电容器在一端处连接至所述第一体电荷控制元件的所述第二端子，并且在另一端处连接至所述第二二极管的阳极。35.根据权利要求15所述的fet开关堆叠，其中，所述体电阻梯在一端处通过与所述多个体电阻器串联连接的体电阻梯电容耦接至所述第一rf端子，并且在另一端处耦接至第一参考电压。36.根据权利要求35所述的fet开关堆叠，还包括栅极电阻梯，所述栅极电阻梯包括串联连接的多个栅极电阻器，并且其中，所述栅极电阻梯连接至第二参考电压并且经由栅极电阻梯电容器耦接至所述第一rf端子。37.根据权利要求36所述的fet开关堆叠，其中，所述第一参考电压和所述第二参考电压经由偏置控制电路来控制。38.根据权利要求37所述的fet开关堆叠，其中：所述第一参考电压和所述第二参考电压在地与负电压之间。39.根据权利要求1所述的fet开关堆叠，其中，所述第一fet的漏极端子连接至所述rf端子。40.根据权利要求1所述的fet开关堆叠，其中，所述多个fet在另一端处连接至参考电压。41.根据权利要求1所述的fet开关堆叠，其中，所述多个fet在另一端处连接至第二rf端子。42.根据权利要求40所述的fet开关堆叠，其中，所述第二fet的源极端子连接至所述参考电压。43.一种将fet开关堆叠的偏置电压朝向跨所述fet开关堆叠的期望dc电压分布驱动的方法，所述方法包括：根据射频rf信号跨所述fet开关堆叠生成rf电压源；从所生成的rf电压源在所述fet开关堆叠内生成电压；使用所生成的电压来创建所述期望dc电压分布。

技术总结
本发明涉及具有电荷控制元件的RF开关堆叠。公开了解决关断状态下跨开关堆叠的不期望DC电压分布的方法和设备。所公开的设备包括电荷控制元件，该电荷控制元件对RF信号进行采样以在开关堆叠偏置电路的特定点处生成叠加电压。所提供的电压通过供应由堆叠晶体管的漏极/源极端子汲取的电流以及/或者通过吸收离开这样的晶体管的体端子的体泄漏电流，来帮助减少堆叠内的晶体管的漏极/源极/体端子上的下降电压。还公开了教导如何在偏置电路中提供合适的分接点以对RF信号进行采样的方法和技术。术。术。


技术研发人员：埃里克
受保护的技术使用者：派赛公司
技术研发日：2021.06.15
技术公布日：2021/12/16