包括桥的微电子结构的制作方法

包括桥的微电子结构


背景技术：

1.在常规微电子封装中，管芯可以通过焊料附接到有机封装衬底。例如，这样的封装可能受限于例如封装衬底和管芯之间的可实现的互连密度、可实现的信号传输速度以及可实现的小型化。
附图说明
2.通过结合附图的
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以下详细描述，将容易理解实施例。为了便于本描述，相似的参考标号
‎
表示相似的结构元件。在附图的图中，通过
‎
示例而非限制的方式示出了实施例。
‎
图1是根据各种实施例的示例微电子结构的侧面剖视图。
3.图2是根据各种实施例的包括图1的微电子结构的示例微电子组件的侧面剖视图。
4.图3
‑
10是根据各种实施例的用于制造图2的微电子组件的示例过程中的各个阶段的侧面剖视图。
5.图11
‑
16是根据各种实施例的示例微电子结构的侧面剖视图。
6.图17
‑
25是根据各种实施例的用于制造图14的微电子结构的示例过程中的各个阶段的侧面剖视图。
7.图26是根据各种实施例的示例微电子结构的侧面剖视图。
8.图27
‑
28是用于制造图26的微电子结构的示例过程中的各个阶段的侧面剖视图。
9.图29是根据各种实施例的示例微电子结构的侧面剖视图。
10.图30
‑
31是用于制造图29的微电子结构的示例过程中的各个阶段的侧面剖视图。
11.图32是根据各种实施例的示例微电子结构的侧面剖视图。
12.图33
‑
34是用于制造包括图32的微电子结构的微电子组件的示例过程中的各个阶段的侧面剖视图。
13.图35是根据各种实施例的示例微电子结构的侧面剖视图。
14.图36
‑
52是根据各种实施例的示例微电子组件的侧面剖视分解图。
15.图53
‑
54是用于制造图52的微电子结构的示例过程中的各个阶段的侧面剖视图。
16.图55
‑
57是根据各种实施例的示例微电子组件的侧面剖视分解图。
17.图58是根据本文中公开的任何实施例的可以被包括在微电子结构或微电子组件中的晶圆和管芯的顶视图。
18.图59是根据本文中公开的任何实施例的可以被包括在微电子结构或微电子组件中的集成电路（ic）装置的侧面剖视图。
19.图60是根据本文中公开的任何实施例的可以包括微电子结构或微电子组件的ic装置组件的侧面剖视图。
20.图61是根据本文中公开的任何实施例的可包括微电子结构或微电子组件的示例电装置的框图。
具体实施方式
21.本文中公开了包括桥的微电子结构以及相关组件和方法。在一些实施例中，微电子结构可以包括衬底和在衬底的腔中的桥。微电子部件可以耦合到衬底和桥两者。
22.为了在微电子封装中实现高互连密度，一些常规方法要求昂贵的制造操作，诸如在面板规模上进行的在嵌入式桥上的衬底层中的精细间距通孔形成和第一级互连镀敷。本文中公开的微电子结构和组件可以实现与常规方法一样高或更高的互连密度，而不以常规的昂贵的制造操作为代价。此外，本文中公开的微电子结构和组件为电子设备设计者和制造商提供了新的灵活性，允许他们选择实现他们的装置目标的架构，而没有过度的成本或制造复杂性。
23.在以下详细描述中，对形成以下详细描述的一部分的附图进行参考，其中相似的标号通篇表示相似的部分，并且在附图中通过图示示出了可以实践的实施例。将理解，在不脱离本公开的范围的情况下，可以利用其他实施例，并且可以进行结构或逻辑改变。因此，将不在限制性意义上理解以下详细描述。
24.各种操作可以以最有助于理解所要求保护的主题的方式被描述为依次的多个离散的动作或操作。然而，描述的顺序不应被解释为暗示这些操作必须依赖于顺序。特别地，这些操作可以不以呈现的顺序执行。所描述的操作可以以与所描述的实施例不同的顺序来执行。在另外的实施例中，可以执行各种另外的操作，和/或可以省略所描述的操作。
25.为了本公开的目的，短语“a和/或b”意指（a）、（b）或（a和b）。为了本公开的目的，短语“a、b和/或c”是指（a）、（b）、（c）、（a和b）、（a和c）、（b和c）或（a、b和c）。短语“a或b”是指（a）、（b）或（a和b）。附图不一定是按比例的。尽管许多附图示出了具有平坦壁和直角拐角的直线结构，但这仅仅是为了便于说明，并且使用这些技术制造的实际装置将表现出圆角、表面粗糙度和其他特征。
26.本描述使用短语“在实施例中（in an embodiment或in embodiments）”，其可各自指代相同或不同实施例中的一个或多个。此外，如关于本公开的实施例所使用的术语“包括”、“包含”、“具有”等是同义的。当用于描述尺寸的范围时，短语“在x和y之间”表示包括x和y的范围。
27.图1是示例微电子结构100的侧面剖视图。微电子结构100可以包括衬底102和在衬底102的“顶”面处的腔120中的桥部件110。衬底102可包含介电材料112及导电材料108，其中导电材料108布置于介电材料112中（例如，在线和通孔中，如所示出的）以提供穿过衬底102的导电路径。在一些实施例中，介电材料112可包括有机材料，诸如有机积层膜（organic buildup film）。在一些实施例中，介电材料112可包括例如陶瓷、其中具有填料颗粒的环氧树脂膜、玻璃、无机材料或有机和无机材料的组合。在一些实施例中，导电材料108可以包括金属（例如，铜）。在一些实施例中，衬底102可以包括介电材料层112/导电材料108的层，其中一层中的导电材料108的线通过导电材料108的通孔电耦合到相邻层中的导电材料108的线。例如，可以使用印刷电路板（pcb）制作技术来形成包括这样的层的衬底102。衬底102可以包括n个这样的层，其中n是大于或等于一的整数；在附图中，从衬底102最靠近腔120的表面开始以降序来标记这些层（例如，层n、层n
‑
1、层n
‑
2等）。尽管在附图中的各个图中示出了介电材料112/导电材料108的层的特定数量和布置，但是这些特定数量和布置仅是说明性的，并且可以使用介电材料112/导电材料108的任何期望数量和布置。例如，尽管图1和其他
附图没有示出在桥部件110下面的层n
‑
1中的导电材料108，但是导电材料108可以存在于在桥部件110下面的层n
‑
1中。此外，尽管在衬底102中示出了特定数量的层（例如，五层），但是这些层可以仅表示衬底102的一部分，并且可以存在另外的层（例如，层n
‑
5、n
‑
6等）。
28.如上所述，微电子结构100可以包括在衬底102的“顶”面处的腔120。在图1的实施例中，腔120在“顶”面处延伸穿过表面绝缘材料104，并且腔的底部由“最顶部”介电材料112提供。表面绝缘材料104可以包括阻焊剂和/或其他介电材料，其可以提供表面电绝缘，并且可以与基于焊料的或非基于焊料的互连相兼容，视情况而定。在其他实施例中，衬底102中的腔120可延伸到介电材料112中，如下文进一步讨论的。腔120可以具有锥形形状，如图1所示，朝向腔120的底部变窄。衬底102可包括在“顶”面处的导电触点114，其耦合到由导电材料108穿过介电材料112形成的导电路径，允许电耦合到导电触点114的组件（图1中未示出，但下文参考图2讨论）到衬底102内的电路和/或电耦合到衬底102的其他组件。导电触点114可以包括表面处理（surface finish）116，其可以保护导电触点的下层材料免受腐蚀。在一些实施例中，表面处理116可以包括镍、钯、金或其组合。导电触点114可以位于“顶”面处和腔120外部；如所示的，表面绝缘材料104可包括开口，在该开口的底部处暴露导电触点114的表面处理116。在图1中，焊料106（例如，焊料球）可以设置在开口中，并且与导电触点114导电接触。如图1和其他附图中所示，表面绝缘材料104中的这些开口可以是锥形的，朝向导电触点114变窄。在一些实施例中，导电触点114上的焊料106可以是第一级互连，而在其他实施例中，非焊料第一级互连可用于将导电触点114电耦合到另一组件。如本文中所使用的，“导电触点”可以指导电材料（例如，一个或多个金属）的一部分，其用作不同部件之间的界面的一部分；尽管在附图中的各个附图中以特定方式示出了本文中讨论的导电触点中的一些导电触点，但是任何导电触点可以凹入部件的表面、与部件的表面齐平或者延伸远离部件的表面，并且可以采取任何合适的形式（例如，导电焊盘或插座）。
29.桥部件110可设置在腔120中，并且可耦合到衬底102。该耦合可以包括电互连或者可以不包括电互连；在图1的实施例中，桥部件110通过位于桥部件110的“底”面和衬底102之间的粘合剂122（例如，管芯附着膜（daf））机械地耦合到衬底102的介电材料112，而在本文中其他地方描述其他类型的耦合。桥部件110可以包括在其“顶”面处的导电触点118；如下面参考图2所讨论的，这些导电触点118可以用于将桥部件110电耦合到一个或多个其他微电子部件。桥部件110可以包括到导电触点118（和/或到被包括在桥部件110中的其他电路和/或到桥部件110的其他导电触点，如下面讨论的）的导电路径（例如，包括线和通孔，如下面参考图59讨论的）。在一些实施例中，桥部件110可以包括半导体材料（例如，硅）；例如，桥部件110可以是如下文参照图58所讨论的管芯1502，并且可以包括如下文参照图59所讨论的集成电路（ic）装置1600。在一些实施例中，桥部件110可以是“有源”部件，因为它可以包含一个或多个有源装置（例如，晶体管），而在其他实施例中，桥部件110可以是“无源”部件，因为它不包含一个或多个有源装置。可以制造桥部件110以便允许比衬底102更大的互连密度。因此，桥部件110的导电触点118的间距202可以小于衬底102的导电触点114的间距198。当多个微电子部件耦合到桥部件110时（例如，如下面参考图2所讨论的），这些微电子部件可以使用通过桥部件110的电路径（并且当存在时，可以使用桥部件110内的其他电路），以在它们之间实现相对于经由衬底102的导电触点114进行的互连的更高密度的互连。
30.微电子结构100的元件的尺寸可以采取任何合适的值。例如，在一些实施例中，导
电触点114的金属线的厚度138可以在5微米和25微米之间。在一些实施例中，表面处理116的厚度128可以在5微米和10微米之间（例如，7微米的镍和小于100纳米的钯和金中的每个）。在一些实施例中，粘合剂122的厚度142可以在2微米和10微米之间。在一些实施例中，桥部件110的导电触点118的间距202可以小于70微米（例如，在25微米和70微米之间、在25微米和65微米之间、在40微米和70微米之间或小于65微米）。在一些实施例中，导电触点114的间距198可大于70微米（例如，在90微米与150微米之间）。在一些实施例中，表面绝缘材料104的厚度126可在25微米与50微米之间。在一些实施例中，焊料106在表面绝缘材料104上方的高度124可以在25微米和50微米之间。在一些实施例中，桥部件110的厚度140可以在30微米与200微米之间。在一些实施例中，微电子结构100可具有小于100平方毫米（例如，在4平方毫米与80平方毫米之间）的占用面积。
31.微电子结构100，与图1和其他附图的微电子结构类似，可以被包括在更大的微电子组件中。图2示出了这样的微电子组件150的示例，其可以包括一个或多个微电子部件130，该一个或多个微电子部件130具有（例如，通过焊料106或另一互连结构）耦合到桥部件110的导电触点118的导电触点134和（例如，通过焊料106或另一互连结构，如上文讨论的）耦合到衬底102的导电触点114的导电触点132。图2示出两个微电子部件130（微电子部件130
‑
1和130
‑
2），但是微电子组件150可以包括更多或更少的微电子部件130。尽管图2将微电子部件130
‑
1/130
‑
2描述为基本上“覆盖”微电子结构100的邻近表面，但这仅是说明，并且不需要是这种情况。此外，尽管图1和2（以及其他附图）描绘了在衬底102中包括单个桥部件110的微电子结构100/微电子组件150，但这仅是为了便于说明，并且微电子结构100/微电子组件150可以在衬底102中包括多个桥部件110。
32.微电子部件130可包括到导电触点132/134（和/或到被包括在微电子部件130中的其他电路和/或到微电子部件130的其他导电触点，未示出）的导电路径（例如，包括线和通孔，如下面参考图59所讨论的）。在一些实施例中，微电子部件130可以包括半导体材料（例如，硅）；例如，微电子部件130可以是如下面参考图58所讨论的管芯1502，并且可以包括如下面参考图59所讨论的ic装置1600。在一些实施例中，微电子部件130可以是“有源”部件，因为它可以包含一个或多个有源装置（例如，晶体管），而在其他实施例中，微电子部件130可以是“无源”部件，因为它不包含一个或多个有源装置。在一些实施例中，例如，微电子部件130可以是逻辑管芯。更一般地，微电子部件130可以包括用于执行任何期望功能性的电路。例如，微电子部件130中的一个或多个微电子部件可以是逻辑管芯（例如，基于硅的管芯），并且微电子部件130中的一个或多个微电子部件可以是存储器管芯（例如，高带宽存储器）。如上面参考图1所讨论的，当多个微电子部件130耦合到桥部件110（例如，如图2中所示）时，这些微电子部件130可以使用通过桥部件110的电路径（并且可以使用桥部件110内的其他电路，当存在时）来在它们之间实现相对于经由衬底102的导电触点114进行的互连的更高密度的互连。
33.如本文中所使用的，“导电触点”可指导电材料（例如，金属）的一部分，其用作不同部件之间的界面；导电触点可以凹入部件的表面、与部件的表面齐平或者延伸远离部件的表面，并且可以采取任何合适的形式（例如，导电焊盘或插座）。
34.在一些实施例中，模制材料144可设置在微电子结构100与微电子部件130之间，并且也可设置在微电子部件130之间和微电子部件130上面（未示出）。在一些实施例中，模制
材料144可包括多种不同类型的模制材料，包括微电子部件130与微电子结构100之间的底部填充材料以及设置在微电子部件130上面和侧面处的不同材料。可用于模制材料144的示例材料适当地包括环氧树脂材料。
35.微电子组件150还示出了在衬底102的“底”面（与“顶”面相对）处的表面绝缘材料104，其在表面绝缘材料104中具有锥形开口，在所述锥形开口的底部处设置导电触点206。焊料106可设置在这些开口中，与导电触点206导电接触。导电触点206还可以包括表面处理（未示出）。在一些实施例中，导电触点206上的焊料106可以是第二级互连（例如，用于球栅阵列布置的焊料球），而在其他实施例中，非焊料第二级互连（例如，针栅阵列布置或焊盘栅阵列布置）可以用于将导电触点206电耦合到另一部件。导电触点206/焊料106（或其他第二级互连）可用于将衬底102耦合到另一组件，例如电路板（例如，母板）、中介层（interposer）或另一ic封装，如本领域中已知且如下面参考图60所讨论的。微电子组件150可包括附加部件，诸如无源部件（例如，设置在衬底102的“顶”面或“底”面处的表面安装电阻器、电容器和电感器）、有源部件或其他部件。
36.图3
‑
10是根据各种实施例的用于制造图2的微电子组件150的示例过程中的各个阶段的侧面剖视图。尽管可以参考本文中公开的微电子结构100/微电子组件150的特定实施例来示出图3
‑
10的工艺（以及下面讨论的附图中的其他附图的工艺）的操作，但是方法1000可以用于形成任何合适的微电子结构100/微电子组件150。在图3
‑
10中，操作各自被示出一次，并且以特定的顺序示出，但是操作可以根据需要被重新排序和/或重复（例如，当制造多个微电子结构100/微电子组件150时，并行执行不同的操作）。
37.图3示出了包括初级衬底102的组件，所述初级衬底102包括介电材料112和图案化的导电材料108。图3的组件可以使用常规封装衬底制造技术（例如，介电材料112层的层压等）来制造，并且可以包括多达n
‑
1个层。
38.图4示出了在制作图4的初级衬底102的附加的第n层之后的组件，图4的组件包括导电触点114的下层金属。可以使用常规封装衬底制造技术来制造图4的组件。
39.图5示出了在图4的组件上形成表面绝缘材料104层之后的组件。
40.图6示出了在图5的组件的表面绝缘材料104中图案化开口以暴露导电触点114的下层金属、形成导电触点114的表面处理116以及形成腔120之后的组件。在一些实施例中，表面绝缘材料104（包括腔120）中的开口可以通过机械图案化、激光图案化、干法蚀刻图案化或光刻图案化技术形成。当使用激光或机械图案化技术来形成腔120时，腔120的底部可包括具有1微米和10微米之间的幅度的波状部；当使用光刻图案化技术来形成腔120时，腔120的底部可以包括具有小于1微米的幅度的波状部。在一些实施例中，其中腔120是激光图案化的，可能存在由于激光束重叠而导致的一些边缘粗糙度（例如，具有1微米和25微米之间的幅度）。
41.图7示出了在图6的组件上执行清洁操作且在导电触点114上形成焊料106（例如，微球）之后的组件。
42.图8示出了在使用粘合剂122将桥部件110附接到图7的组件的腔120的暴露的介电材料112之后的组件。在一些实施例中，粘合剂122可以是daf，并且附接桥部件110可以包括执行膜固化操作。图8的组件可采取图1的微电子结构100的形式。
43.图9示出了将微电子部件130附接到图8的组件之后的组件。在一些实施例中，该附
接可以包括热压接合（tcb）操作。在一些实施例中，在tcb操作之前，可在导电触点118、导电触点132和/或导电触点134上提供附加的焊料。
44.图10示出了将模制材料144提供给图9的组件之后的组件。如上所述，在一些实施例中，图10的模制材料144可包括多个不同材料（例如，微电子部件130和微电子结构100之间的毛细底部填充材料（capillary underfill material），以及微电子部件130上的不同材料）。图10的组件可以采取图2的微电子组件150的形式。如上面所讨论的，模制材料144可以包括底部填充材料（例如，毛细底部填充材料）。
45.图3
‑
57中的各个图示出了具有各种特征的示例微电子结构100/微电子组件105。这些微电子结构100/微电子组件150的特征可以与本文中公开的任何其他特征适当地组合，以形成微电子结构100/微电子组件150。例如，本文中公开的微电子结构100中的任何微电子结构可耦合到一个或多个微电子部件130（例如，如上面参考图2
‑
10所讨论的）以形成微电子组件150，并且本文中公开的微电子组件150中的任何微电子组件可与其组成微电子结构100分开制造。图1和2的多个元件与图3
‑
57共享；为了便于讨论，不重复对这些元件的描述，并且这些元件可以采取本文中公开的实施例中的任何实施例的形式。
46.微电子结构100可包括在衬底102的“顶”面处延伸穿过表面绝缘材料104的腔120（例如，如上面参考图1所讨论的）。在一些实施例中，衬底102的介电材料112可以提供腔120的底部（例如，如上面参考图1所讨论的），而在其他实施例中，另一材料可以提供腔120的底部。例如，图11和12示出了微电子结构100，其包括金属层146，桥部件110通过粘合剂122连接到该金属层146。金属层146可以如图11中所示沿腔120的（倾斜的）侧面向上延伸，或者可以如图12中所示仅位于桥部件110/粘合剂122下方。在一些实施例中，金属层146可以包括铝（其可以溅射到与图7的组件类似的组件上）或者镍
‑
钯
‑
金多层（其可以通过无电沉积技术沉积到与图7的组件类似的组件上）。在与图12的实施例类似的实施例中，在附接桥部件110之后，可以对初始沉积的金属层146进行图案化，以去除未被桥部件110/粘合剂122屏蔽的金属层146。在一些实施例中，金属层146的厚度可以小于导电触点114的下层金属的厚度138，如所示出的。在与图11和12的实施例类似的实施例中，粘合剂122可以是环氧树脂材料。在一些这样的实施例中，环氧树脂粘合剂122可以是紫外（uv）可固化环氧树脂（也称为“可快速固化”环氧树脂），其在沉积之后暴露于uv辐射时，在适当位置快速交联（而不要求长时间的热固化）。金属层146在该uv暴露期间可以用作反射表面，使得能够实现uv辐射的期望散射和分布以完全交联环氧树脂。使用uv可固化环氧树脂作为粘合剂122可以允许桥部件110快速固定在适当位置，从而可以减轻或消除通常在随后的处理操作期间发生的桥部件110的移位。
47.图13示出了另一个实施例，其中微电子结构100包括金属，桥部件110通过粘合剂122耦合到该金属；然而，在图13中，金属是金属焊盘148，其与导电触点114的下层金属共面，并且具有相同的厚度138。在一些这样的实施例中，金属焊盘148可以呈现粗糙的铜表面，粘合剂122（例如daf）可以容易地接合到该粗糙的铜表面。
48.图1和11
‑
13的微电子结构100可以允许制造商避免高密度互连结构通常所要求的昂贵且复杂的制造操作（例如，紫外（uv）或二氧化碳激光加工、第一级互连镀敷等），并且因此可以加速新结构的开发并降低成本。
49.在一些实施例中，微电子结构100可以包括腔120，其延伸穿过衬底102的“顶”面处
的表面绝缘材料104并且进入到衬底102的介电材料112中。例如，图14
‑
16示出了包括腔120的微电子结构100，所述腔120延伸到介电材料112中并且其底部由导电材料108（例如，n
‑
1层中的金属）提供。此外，图14
‑
16示出了包括金属层146的微电子结构100，桥部件110通过粘合剂122耦合到该金属层146。金属层146可以如图14和15中所示沿腔120的（倾斜的）侧面向上延伸，或者可以如图16中所示仅位于桥部件110/粘合剂122下方。在一些实施例中，金属层146可以包括铝（其可以溅射到组件（如图7的组件）上）或者镍
‑
钯
‑
金多层（其可以通过无电沉积技术沉积到组件（如图7的组件）上）。在与图16的实施例类似的实施例中，在附接桥部件110之后，可以对初始沉积的金属层146进行图案化，以去除未被桥部件110/粘合剂122屏蔽的金属层146。在一些实施例中，金属层146的厚度可以小于导电触点114的下层金属的厚度138，如所示出的。在与图14
‑
16的实施例类似的实施例中，如上面参考图11
‑
12所讨论的，粘合剂122可以是环氧树脂材料（例如，uv可固化环氧树脂）。
50.在图15的实施例中，粘合剂122可包括外围缘粘合剂122
‑
1及中央粘合剂122
‑
2。如上面所讨论的，外围粘合剂122
‑
1可以是紫外线可固化环氧树脂，而中央粘合剂122
‑
2可以是热固化环氧树脂。在图15的微电子结构100的制造中，外围粘合剂122
‑
1可以首先通过暴露于uv辐射而被固化（例如，如下面参考图17
‑
25所讨论的），并且然后所得到的组件可以经受热处理以固化中央粘合剂122
‑
2。如上所述，使用uv可固化环氧树脂作为粘合剂122（或作为粘合剂122的一部分）可以允许桥部件110快速地固定在适当位置，使得可以减轻或消除通常在随后的处理操作期间发生的桥部件110的移位，显著地提高了良率和之后的组装操作（例如，附接微电子部件130）的容易性。
51.图17
‑
25示出了根据各种实施例的用于制造图14的微电子结构100的示例工艺中的各种阶段。图17示出了在图5的组件的表面绝缘材料104中图案化开口以暴露导电触点114的下层金属之后的组件。在一些实施例中，表面绝缘材料104中的开口（包括腔120）可以通过机械图案化、激光图案化、干法蚀刻图案化或光刻图案化技术形成。
52.图18示出了在图18的组件上施加掩模材料158之后的组件。在一些实施例中，掩模材料158可包括干膜抗蚀剂（dfr）或聚对苯二甲酸乙二醇酯（pet）膜，并且可以被层压。
53.图19示出了在图18的组件中形成腔120之后的组件。如所示出的，腔120可以通过掩模材料158形成，并且可以使用任何合适的技术来形成腔120（例如，激光钻孔）。清洁操作（例如，水清洁和/或等离子体蚀刻清洁）可以在形成腔120之后进行。
54.图20示出了在图19的组件上形成金属层146之后的组件。金属层146可以包括本文中公开的任何材料，并且可以使用任何合适的技术沉积（例如，通过溅射沉积的铝）。
55.图21示出了从图20的组件去除掩模材料158并因此去除金属层146在掩模材料158上的部分之后的组件。例如，当掩模材料158是pet膜时，可以剥离掩模材料158；当掩模材料158为dfr时，可剥除掩模材料158。
56.图22示出了在图21的组件的腔120的底部处的金属层146上沉积未固化粘合剂156之后的组件。当要使用多种类型的粘合剂122时（例如，如上面参考图15所讨论的，多种类型的未固化粘合剂156可以以期望的图案沉积）。备选地，可以最初沉积单个类型的未固化粘合剂156（例如，未固化的外围粘合剂122
‑
1），并且可以之后提供另一类型的未固化粘合剂（例如，未固化的中央粘合剂122
‑
2）（例如，在附接桥部件110之后通过毛细底部填充）。
57.图23示出了在使用接合头152来使桥部件110（连同导电触点118上的焊料106）与
图22的组件的未固化粘合剂156接触之后的组件，当桥部件110被适当地定位时，接合头152的uv源154（例如，发光二极管（led）环）可以将uv辐射照射在未固化粘合剂156上，将未固化粘合剂156交联并产生粘合剂122。
58.图24示出了在撤回接合头152并且执行图24的组件的热固化（例如，在面板水平）之后的组件。
59.图25示出了在图24的导电触点114上形成表面处理116和焊料106（例如微球）之后的组件。所得到的组件可以采取图14的微电子结构100的形式。
60.可以使用其他制造工艺来制作图14
‑
16的微电子结构100。例如，代替在形成金属层146之前施加掩模材料158，可以不使用掩模材料158；替代地，金属层146可以在形成腔120之后形成，并且可以在附接桥部件110之后和在提供焊料106之前去除多余的金属层146（产生与图16的微电子结构类似的微电子结构100）。在另一工艺中，可以在形成腔120之后但在附接桥部件110之前提供焊料106；在图24的热固化之后，所得到的组件可以被“闪速蚀刻（flash etch）”以去除多余的金属层146。另外，在一些实施例中，可在形成焊料106之后执行“凸块平坦化”操作；该组件可以在受控的温度下受到受控的“向下”力，以实现焊料106的期望的高度轮廓。
61.代替或附加于上面讨论的利用uv可固化粘合剂122的技术，可以使用其他技术来控制微电子结构100和微电子部件130之间的间隔（stand
‑
off）。例如，图26是示例微电子结构100的侧面剖视图，该微电子结构100包括与导电触点114接触的金属芯焊料球164（例如，而不是仅焊料，如在前述附图中的一些附图中所示的）。金属芯焊料球164可包括具有表面处理（例如，镍、镍
‑
钯
‑
金多层等）以减轻腐蚀的金属球162（例如，包括铜）和涂覆金属球162的焊料薄层106。在一些实施例中，金属球162的直径可在10微米与300微米之间（例如，在50微米与70微米之间，或在60微米与70微米之间）。在一些实施例中，金属球162上的焊料层106的厚度可以在1微米和15微米之间；如图26中所示，在金属芯焊料球164的焊料106的回流之后，焊料106可向下朝向导电触点114流动。如图26中所示，金属球162可以占据表面绝缘材料104中的对应开口的大部分体积，并且可以在表面绝缘材料104的顶表面上方延伸。
62.图27
‑
28是用于制造图26的微电子结构100的示例工艺中的各个阶段的侧面剖视图。图27示出了在图6的组件的导电触点114上印刷焊剂160层并将金属芯焊料球164放置在焊剂160上之后的组件。图28示出了在执行焊料回流（和去焊剂）以熔化图27的组件的金属球162周围的焊料106，并且然后使用粘合剂122将桥部件110附接到腔120的暴露的介电材料112，从而产生图26的微电子结构100之后的组件。尽管在图26和28中示出了单个粘合剂122，并且在图26
‑
28中将腔120示出为具有特定深度和底部材料，但是可以使用本文中公开的这些特征的实施例中的任何实施例。被包括在金属芯焊料球164中的小体积的焊料106可能导致在焊料回流操作之后的金属芯焊料球164的高度或轮廓的微小变化。图26
‑
28还示出了桥部件110的导电触点118上的焊料106；在一些实施例中，该焊料106（例如，锡基焊料）可以是在将桥部件110附接到衬底102之前提供在桥部件110上的微凸块。然后，微电子部件130的附接（例如，如上面参考图2
‑
10所讨论的）可以在图25的微电子结构100上执行，这借助于金属芯焊料球164的可预测高度和它们提供的实心“支撑（backstop）”。
63.图29和32示出了代替或附加于上面讨论的利用uv可固化粘合剂122的技术，可以用于控制微电子结构100和微电子部件130之间的间隔的另外技术。图29是包括与导电触点
114接触的多熔点焊料球170的示例微电子结构100的侧面剖视图。多熔点焊料球170可以包括高温焊料168的芯和涂覆高温焊料168的低温焊料166的薄层。如本文中所使用的，相对地使用术语“高温焊料”和“低温焊料”；高温焊料168具有比低温焊料166高的熔点。在一些实施例中，高温焊料168可以具有大于200摄氏度（例如，在220摄氏度和300摄氏度之间）的熔点，而低温焊料166可以具有小于200摄氏度（例如，在112摄氏度和190摄氏度之间）的熔点。可以使用其他组合（例如，具有189摄氏度的熔点的高温焊料168和具有117摄氏度的熔点的低温焊料166，或者具有300摄氏度的熔点的高温焊料168和具有230摄氏度的熔点的低温焊料166）。在一些实施例中，高温焊料168可以包括锡、银或锑，并且低温焊料166可以包括铟、铋、锌或铅。如图29中所示，在多熔点焊料球170的低温焊料166的回流之后，低温焊料166可向下朝向导电触点114流动。如图29中所示，高温焊料168可以占据表面绝缘材料104中的对应开口的大部分体积，并且可以延伸到表面绝缘材料104的顶表面上方。尽管图29（和下面讨论的图31）将高温焊料168示出为保持球形，但是这仅仅是说明性的，并且高温焊料168可以采取多种形式中的任何形式。如果高温焊料168在后续制造操作期间不经历回流，则高温焊料168可保持球形或可看起来像“扁平”球体，其在底部（靠近导电触点114）和顶部（靠近微电子部件130的导电触点132，未示出）具有较平的面。高温焊料168的“扁平”球体可以保持靠近导电触点114或者可以浮在焊料接头中；如果高温焊料168浮在焊料接头中，则球体的取向可以改变。如果高温焊料168在后续制造操作期间经历回流，则高温焊料168可以与低温焊料166形成梯度（其中更多的低温焊料166更靠近导电触点114），或者高温焊料168可以与低温焊料166更彻底地混合。
64.图30
‑
31是用于制造图29的微电子结构100的示例工艺中的各个阶段的侧面剖视图。图30示出了在图6的组件的导电触点114上印刷焊剂160层并将多熔点焊料球170放置在焊剂160上之后的组件。图31示出了在执行（低温）焊料回流（和去焊剂）以熔化图30的组件的高温焊料168的核周围的低温焊料166，并且然后使用粘合剂122将桥部件110附接到腔120的暴露的介电材料112，从而得到图29的微电子结构100之后的组件。尽管在图29和31中示出了单个粘合剂122，并且在图29
‑
31中将腔120示出为具有特定深度和底部材料，但是可以使用本文中公开的这些特征的实施例中的任何实施例。被包括在多熔点焊料球170中的小体积的低温焊料166可以导致在焊料回流操作之后的多熔点焊料球170的高度或轮廓的微小改变。图29
‑
31还示出了桥部件110的导电触点118上的焊料106；在一些实施例中，该焊料106（例如，锡基焊料）可以是在将桥部件110附接到衬底102之前提供在桥部件110上的微凸块。然后，微电子部件130的附接（例如，如上面参考图2
‑
10所讨论的）可以在图29的微电子结构100上执行，这借助于多熔点焊料球170的可预测高度和它们提供的实心“支撑”。
65.图32是包括与导电触点114接触的金属柱172（例如，铜柱）的示例微电子结构100的侧面剖视图。如所示出的，可在金属柱172的顶面处设置表面处理116。如图32中所示，金属柱172可大部分填充表面绝缘材料104中的对应开口，并可延伸到表面绝缘材料104的顶表面上方。在一些实施例中，金属柱172可在表面绝缘材料104的顶表面上方延伸20微米与30微米之间的距离176。在一些实施例中，金属柱172可以相对于表面加工116被底切，如图32中所示。
66.图33
‑
34是用于制造图32的微电子结构100的示例工艺中的各个阶段的侧面剖视图。图33示出在图6的组件上沉积和图案化表面绝缘材料174层（例如，光阻）后的组件。表面
绝缘材料174可被图案化有对应于金属柱172的期望位置的开口。图34示出了在图33的组件上镀敷金属（例如，铜）以形成金属柱172，形成表面处理116，并且然后剥除表面绝缘材料174（并且执行种子蚀刻以去除用于镀敷操作的金属种子层）之后的组件。随后，可以使用粘合剂122将桥部件110附接到图34的组件的腔120的暴露的介电材料112，从而得到图32的微电子结构100。尽管在图32中示出了单个粘合剂122，并且在图32
‑
34中将腔120示出为具有特定深度和底部材料，但是可以使用本文中公开的这些特征的实施例中的任何实施例。图33
‑
34还示出了桥部件110的导电触点118上的焊料106；在一些实施例中，该焊料106（例如，锡基焊料）可以是在将桥部件110附接到衬底102之前提供在桥部件110上的微凸块。然后，微电子部件130的附接（例如，如上面参照图2
‑
10所讨论的）可以在图32的微电子结构100上执行，其中焊料被提供在微电子部件130的导电触点132上以将导电触点132耦合到金属柱172，这借助于金属柱172的可预测高度和它们提供的实心“支撑”。
67.尽管本文中的附图中的各个附图将衬底102示出为无芯衬底（例如，具有全部在相同方向上逐渐变细的通孔），但是本文中所公开的衬底102中的任何衬底可以是有芯衬底102。例如，图35示出了微电子结构100，其具有与图32的微电子结构类似的特征，但是具有带有芯178（未示出的导电通孔可以延伸通过该芯178）的衬底102。如图35中所示，有芯衬底102可以包括朝向芯178逐渐变细（并且因此在芯178的相对侧处沿相反方向逐渐变细）的通孔。
68.代替或附加于上面讨论的利用uv可固化粘合剂122的技术和/或利用衬底102的导电触点114上的各种互连布置的技术，可以使用其他技术来控制微电子结构100和微电子部件130之间的间隔。例如，图36
‑
41示出了根据各种实施例的包括高温焊料168和低温焊料166的布置以控制间隔的示例微电子组件150的分解图。在图36的微电子组件150中，高温焊料168可以设置在衬底102的导电触点114上，并且高温焊料168可以设置在低温焊料166和微电子部件130的导电触点132/134之间。在一些实施例中，低温焊料166可以被镀敷在导电触点132/134上的高温焊料168的顶部上。当使微电子部件130与微电子结构100接触时（例如，在tcb操作期间，如本文中所讨论的），仅低温焊料166可以被熔化，这可以在导电触点132/134上提供较高的总焊料高度，而没有焊料的侧面芯吸（side wicking）。如果需要，导电触点134上存在高温焊料168可以允许微电子部件130在桥部件110上形成硬止挡（hard stop），并且可以选择将接触导电触点118的低温焊料166的体积以实现期望的焊料高度。更一般地，图36的微电子组件150中的高温焊料168可以用作焊料间隔以提高制造期间的可靠性。
69.在图37的微电子组件150中，低温焊料166可设置在衬底102的导电触点114上，并且高温焊料168可设置在低温焊料166和微电子部件130的导电触点132/134之间。在一些实施例中，低温焊料166可以被镀敷在导电触点132/134上的高温焊料168的顶部上。当使微电子部件130与微电子结构100接触时（例如，在tcb操作期间，如本文中所讨论的），仅低温焊料166可以被熔化，这可以在导电触点132/134上提供较高的总焊料高度，而没有焊料的侧面芯吸。如上面参考图36所讨论的，如果需要，导电触点134上存在高温焊料168可以允许微电子部件130在桥部件110上形成硬止挡，并且可以选择将接触导电触点118的低温焊料166的体积以实现期望的焊料高度。导电触点134上的低温焊料166在制造期间可以在到导电触点134的互连上提供更高的塌陷窗口。
70.在图38的微电子组件150中，高温焊料168可设置在衬底102的导电触点114上，高温焊料168可设置在微电子部件130的导电触点132上，并且高温焊料168可设置在低温焊料166和微电子部件130的导电触点134之间。在一些实施例中，低温焊料166可以被镀敷在导电触点134上的高温焊料168的顶部上。当使微电子部件130与微电子结构100接触时（例如，在tcb操作期间，如本文中所讨论的），仅低温焊料166可以被熔化，这可以在导电触点134上提供较高的总焊料高度，而没有焊料的侧面芯吸。高温焊料168可以在低温焊料166的凸块已经塌陷之后熔化，以便最小程度地干扰或根本不干扰低温焊料166的接合。如果需要，导电触点134上存在高温焊料168可以允许微电子部件130在桥部件110上形成硬止挡，并且可以选择将接触导电触点118的低温焊料166的体积以实现期望的焊料高度。
71.如上所述，在一些实施例中，桥部件110可以包括除了在其“顶”面处的导电触点118之外的导电触点；例如，桥部件110可以包括在其“底”面处的导电触点182，如图39
‑
57中所示。桥部件110的导电触点182可以导电地耦合到在衬底102的腔120的底部处的导电触点180（例如，通过焊料106或另一类型的互连）。在一些实施例中，导电触点180可以在介电材料112中的对应腔的底部处，如所示出的。导电触点180可以包括在其暴露表面处的表面处理116，如所示出的。衬底102与桥部件110之间的直接电连接（即，不经过微电子部件130的电连接）可使得能够实现衬底102与桥部件110之间的直接功率和/或输入/输出（i/o）路径，这可导致电力递送益处和/或信号时延益处。在一些实施例中，导电触点182的间距可在40微米与1毫米之间（例如，在40微米与50微米之间，或在100微米与1毫米之间）。在其中桥部件110在其“底”面包括导电触点182以耦合到在衬底102的腔120的底部处的导电触点180的实施例中，介电材料（例如，毛细底部填充材料）可支持这些连接；为了说明的清楚性，在附图中的各个附图中没有示出这样的材料。
72.前述实施例中的任何实施例可以与在相对面处具有导电触点118和导电触点182的桥部件110结合。例如，图39示出了其中导电触点182通过焊料耦合到衬底102的实施例。特别地，在图39的微电子组件150中，高温焊料168可设置在衬底102的导电触点114上，高温焊料168可设置在低温焊料166和微电子部件130的导电触点132/134之间（类似于图36的实施例），并且高温焊料168可设置在桥部件110的导电触点182和衬底102的腔120中的导电触点180之间。在一些实施例中，低温焊料166可以被镀敷在导电触点132/134上的高温焊料168的顶部上。当使微电子部件130与微电子结构100接触时（例如，在tcb操作期间，如本文中所讨论的），仅低温焊料166可以被熔化，这可以允许桥部件110在微电子部件130的附接期间刚性地保持在适当位置。如果需要，导电触点134上存在高温焊料168可以允许微电子部件130在桥部件110上形成硬止挡，并且可以选择将接触导电触点118的低温焊料166的体积以实现期望的焊料高度。
73.在图40的微电子组件150中，低温焊料166可设置在衬底102的导电触点114上，高温焊料168可设置在低温焊料166和微电子部件130的导电触点132/134之间（类似于图37的实施例），并且高温焊料168可设置在桥部件110的导电触点182和衬底102的腔120中的导电触点180之间。在一些实施例中，低温焊料166可以被镀敷在导电触点132/134上的高温焊料168的顶部上。当使微电子部件130与微电子结构100接触时（例如，在tcb操作期间，如本文中所讨论的），仅低温焊料166可以被熔化，这可以允许桥部件110在微电子部件130的附接期间刚性地保持在适当位置。如上面所讨论的，如果需要，导电触点134上存在高温焊料168
可以允许微电子部件130在桥部件110上形成硬止挡，并且可以选择将接触导电触点118的低温焊料166的体积以实现期望的焊料高度。导电触点134上的低温焊料166在制造期间可以在到导电触点134的互连上提供更高的塌陷窗口。
74.在图41的微电子组件150中，高温焊料168可以设置在衬底102的导电触点114上，高温焊料168可以设置在微电子部件130的导电触点132上，高温焊料168可以设置在低温焊料166和微电子部件130的导电触点134之间（类似于图38的实施例），并且高温焊料168可以设置在桥部件110的导电触点182和衬底102的腔120中的导电触点180之间。在一些实施例中，低温焊料166可以被镀敷在导电触点134上的高温焊料168的顶部上。当使微电子部件130与微电子结构100接触时（例如，在tcb操作期间，如本文中所讨论的），仅低温焊料166可以被熔化，这可以允许桥部件110在微电子部件130的附接期间刚性地保持在适当位置。高温焊料168可以在低温焊料166的凸块已经塌陷之后熔化，以便最小程度地干扰或根本不干扰低温焊料166的接合。如果需要，导电触点134上存在高温焊料168可以允许微电子部件130在桥部件110上形成硬止挡，并且可以选择将接触导电触点118的低温焊料166的体积以实现期望的焊料高度。
75.尽管图39
‑
41的导电触点180已经被示出为具有面对桥部件110的基本平面的表面，但是在其他实施例中，导电触点180可以具有非平面的表面。这样的实施例可以允许在制造期间调节桥部件110和衬底102之间的间距，并且由此使得更容易实现桥部件110的顶面和衬底102的顶面之间的期望偏移距离，以便于微电子部件130的附接。例如，图42
‑
44示出了微电子结构，其中导电触点180具有平面部分180a和非平面部分180b。平面部分180a可以是衬底102中的金属层（例如，n
‑
1层或另一层）的暴露焊盘，并且非平面部分180b可以放置或以其他方式形成在平面部分180a上。非平面部分180b可具有与平面部分180a相同的材料成分，或者可具有不同的材料成分。在一些实施例中，非平面部分180b可以包括铜或金。在一些实施例中，导电触点180（平面或非平面）可以跨与公共微电子部件130接触的多个桥部件110。
76.在图42的实施例中，非平面部分180b具有弓形形状，并且可以包括成形为弧形的多个导线段，其中导线的端部固定（例如，打线接合）到平面部分180a（例如，形成导线的圆顶）。在图43的实施例中，非平面部分180b具有尖角形状，其中该尖角面向桥部件110。这样的尖角形状可以通过将接合线球接合到平面部分180a并将接合线切割成期望的长度来形成。在图44的实施例中，非平面部分180b具有延伸的“s”形，在平面部分180a上形成悬臂。这样的悬臂可以通过将接合线针脚式接合到平面部分180a并且然后将接合线切割成期望的长度来形成。可以代替或附加于本文中描述的打线接合技术而使用光刻技术以形成非平面部分180b。在其中导电触点180包括非平面部分180b的实施例中，焊料106（如图42
‑
44中所示）或另一互连结构可以将非平面部分180b与桥部件110的导电触点182导电耦合，并且非平面部分180b的形状可以允许在制造期间调整微电子结构中的桥部件110的z高度，以实现桥部件110和衬底102的期望的相对定位。
77.图45
‑
47示出了微电子组件150的另外示例，其中可以使用具有不同熔点的焊料来提高制造的容易性和微电子组件150中的元件之间的互连的可靠性。例如，图45示出了实施例，其中低温焊料166设置在衬底102的导电触点116/180上，低温焊料166设置在微电子部件130的导电触点132/134上，高温焊料168设置在桥部件110的导电触点118上。如上面所讨
论的，在这样的微电子组件150中的焊料熔化温度的层级可以实现焊料的选择性熔化。例如，在桥部件110的“底”侧上利用低温焊料166可以通过从“顶”侧或“底”侧施加热量而允许桥部件110到衬底102的tcb附接。从“底”侧加热微电子结构100可更多地加热该低温焊料166，并且因此可以较不可能熔化或软化在桥部件110的“顶”侧的高温焊料168。焊料的这样的选择性熔化可以允许tcb接合头接触在桥部件110的“顶”面上的高温焊料168，以熔化在桥部件110的“底”面处的低温焊料166，而不会不利地用熔化的焊料将桥部件110附接到tcb接合头。
78.图46示出了与图45的实施例类似的实施例，但是其中聚合物材料186（例如，接头加强膏）被设置在桥部件110和衬底102之间的低温焊料166周围。使用这样的聚合物材料186可以帮助将桥部件110和衬底102之间的耦合“冻结”在适当位置，从而使随后的制造操作容易。
79.图47示出了与图45的实施例类似的另一实施例，但是其中粘合点190（例如，固化环氧树脂的点）设置在桥部件110的“底”面和衬底102的介电材料112之间。这些粘合点190可以分布在低温焊料166周围，并且可以代替或附加于聚合物材料186（上面参考图46所讨论的）而使用，以将桥部件110和衬底102之间的耦合“冻结”在适当位置，从而使随后的制造操作容易。
80.在一些实施例中，非焊料材料可以用于导电地耦合桥部件110和衬底102。例如，图48示出了实施例，其中导电粘合剂184用于将桥部件110的导电触点182导电地耦合到衬底102的导电触点180。在一些实施例中，导电粘合剂184可以包括聚合物和导电填料（例如，诸如银的金属或导电聚合物），并且可以被固化以“冻结”桥部件110和衬底102之间的耦合。
81.在一些实施例中，用于耦合桥部件110和衬底102的焊料材料可以被选择以便将耦合“冻结”在适当位置以用于后续制造操作。图49示出了实施例，其中金属间化合物（imc）或短暂液相烧结（tlps）材料188用于将桥部件110的导电触点182导电地耦合到衬底102的导电触点180。在其中材料188是imc材料的实施例中，可以使用焊料化学物质将桥部件110焊接到衬底102，在所述焊料化学物质中初始焊料材料被快速转换为imc。在一些实施例中，这样的焊料化学成分可以包括悬浮在焊剂和环氧树脂载体中的低温焊料颗粒和高温焊料颗粒的混合物。在其中材料188是tlps材料的实施例中，可以在导电触点182和导电触点180之间加热低温可烧结材料（例如，具有220摄氏度的峰值回流温度的铜锡聚合物材料），形成在后续组装操作期间将不回流的强金属接合。tlps材料188可以具有独特的烧结结构，其中环氧树脂和imc被捕获在内部凹穴中。
82.在一些实施例中，在衬底102的腔120中包括导电触点180，导电触点180可以位于或可以不位于腔120中的“最深”点。这样的实施例可以有利地在桥部件110和衬底102之间提供更大的体积，提供足够大的“芯片间隙”以允许在桥部件110和衬底102之间使用底部填充材料。例如，图50示出了实施例，其中导电触点180位于n
‑
1层中，并且腔120向下延伸到n
‑
2层。在一些这样的实施例中，n
‑
1和n
‑
2层中的金属一起可以为用于形成腔120的激光钻机提供激光止挡，并且因此腔120的一些部分可以向下延伸到n
‑
2层。图51示出了与图50的实施例类似的实施例，但是其中导电触点180位于n
‑
2层中，并且腔120的底表面中的一部分由n
‑
1层中的金属提供。再次，如参考图50所讨论的，在与图51的实施例类似的一些实施例中，n
‑
1和n
‑
2层中的金属一起可以为用于形成腔120的激光钻机提供激光止挡，并且因此腔120
的一些部分可以向下延伸到n
‑
2层。最靠近导电触点180的n
‑
1层的金属可以提供围绕该导电触点180的环，以便避免导电触点180上的焊料106接触最接近的n
‑
1金属的情况下的不期望的电短路。
83.图52示出了实施例，其中类似于图51的实施例，导电触点180位于n
‑
2层中，但是腔120的底表面的一部分由n
‑
1层下面的介电材料112提供。可以通过在n
‑
1层中的腔120的区域中提供实心金属部分（作为初始衬底制造工艺的一部分）并且通过激光钻孔和在该实心金属部分上停止来执行初始腔形成步骤来制作与图52的衬底类似的衬底102；然后可以去除实心金属部分（例如，通过蚀刻，并且可能留下实心金属部分的外围金属的一部分，如图52中所示），然后可以执行激光钻孔的第二腔形成步骤以暴露n
‑
2层中的导电触点180。
84.图53示出了另一个实施例，其中导电触点180位于n层下面的金属层（例如，n
‑
1层，如所示出的）中，并且腔120的底表面的一部分由介电材料112提供。与图52的实施例相反，在腔120的底部处的介电材料112是在其中设置导电触点180的金属层下面的介电材料112（即，在腔120的底部处的介电材料112的顶表面与导电触点180的底表面共面）。图54
‑
55是用于制造图53的微电子结构的示例工艺中的各个阶段的侧面剖视图。图54示出了在激光钻孔到图7的组件中，在n
‑
1层中的腔120的区域中的实心金属部分处停止（作为初始衬底制造工艺的一部分）之后的组件。图55示出了在执行图54的实心金属部分中的一部分的图案化蚀刻（其中剩余的金属提供导电触点180）之后的组件。然后，可以将桥部件110附接到图55的组件以形成微电子结构100，并且可以将微电子部件130耦合到微电子结构100以形成图53的微电子组件150。
85.图56示出了另一个实施例，其中导电触点180位于n层下面的金属层（例如，n
‑
1层，如所示出的）中，并且腔120的底表面的一部分由介电材料112提供。与图53的实施例相反，在腔120的底部处的介电材料112的顶表面与导电触点180的顶表面共面。与图56的实施例类似的实施例还可包括金属环192，其与导电触点180共面，接近于腔120的边缘，如所示出的。可以通过在n
‑
1层中提供导电触点180和金属环192（作为初始衬底制造工艺的一部分）并在n
‑
1层上对应于腔120的区域上放置牺牲膜来制作与图56的衬底类似的衬底102；在完成初始衬底102之后，可激光钻出对应于腔120的边缘的环，停止在金属环192上，并且可释放牺牲膜（现在其边缘处暴露）并可移除牺牲膜上方的任何材料。
86.尽管已经针对其中在微电子结构100中暴露在桥部件110的“顶”面处的导电触点118的实施例（即，“开放腔”布置）示出了本文中公开的实施例中的各种实施例，但是在其中在桥部件110上构建衬底102的附加层从而包围桥部件110的实施例（即，“嵌入式”布置）中可以利用本文中公开的实施例中的任何合适实施例。例如，图57示出了与图50的微电子组件类似的微电子组件150，但是其中附加的介电材料112和金属层设置在桥部件110“上方”。如图57中所示，可使用穿过此“附加”材料的导电焊盘及通孔来允许微电子部件130经由衬底102的中间材料而导电地耦合到导电触点118。类似地，可以在这样的嵌入式布置中利用本文中所公开的实施例中的任何合适实施例。
87.本文中公开的微电子结构100和微电子组件150可以被包括在任何合适的电子部件中。图58
‑
61示出了设备的各种示例，其可以包括本文中公开的微电子结构100和微电子组件150中的任何微电子结构和微电子组件，或者可以适当地被包括在本文中公开的微电子结构100和微电子组件150中。
88.图58是可以被包括在本文中公开的微电子结构100和微电子组件150中的任何微电子结构和微电子组件中的晶圆1500和管芯1502的顶视图。例如，管芯1502可以被包括在微电子结构100/微电子组件150中，作为桥部件110和/或微电子部件130（或其一部分）。晶圆1500可由半导体材料构成，并且可包括一个或多个管芯1502，其具有形成在晶圆1500的表面上的ic结构。管芯1502中的每个管芯可以是包括任何合适ic的半导体产品的重复单元。在半导体产品的制作完成之后，晶圆1500可以经历切单工艺（singulation process），其中管芯1502与彼此分离以提供半导体产品的分立“芯片”。管芯1502可以包括一个或多个晶体管（例如，下面讨论的图59的晶体管1640中的一些）、一个或多个二极管和/或用于将电信号路由到晶体管的支持电路以及任何其他ic部件。在一些实施例中，管芯1502可以是“无源”管芯，因为它不包括有源部件（例如，晶体管），而在其他实施例中，管芯1502可以是“有源”管芯，因为它包括有源部件。在一些实施例中，晶圆1500或管芯1502可以包括存储器装置（例如，随机存取存储器（ram）装置，诸如静态ram（sram）装置、磁ram（mram）装置、电阻式ram（rram）装置、导电桥接ram（cbram）装置等）、逻辑装置（例如，and、or、nand或nor门）或任何其他合适的电路元件。这些装置中的多个装置可以组合在单个管芯1502上。例如，由多个存储器装置形成的存储器阵列可与处理装置（例如，图61的处理装置1802）或其他逻辑形成在相同的管芯1502上，所述处理装置或其他逻辑配置成将信息存储在存储器装置中或执行存储在存储器阵列中的指令。
89.图59是可以被包括在微电子结构100和/或微电子组件150中的ic装置1600的侧面剖视图。例如，ic装置1600可以被包括在微电子结构100/微电子组件150中作为桥部件110和/或微电子部件130（或其一部分）。ic装置1600可以是管芯1502的一部分（例如，如上面参考图58所讨论的）。ic装置1600中的一个或多个ic装置可以被包括在一个或多个管芯1502中（图58）。ic装置1600可以形成在衬底1602（例如，图58的晶圆1500）上，并且可以被包括在管芯（例如，图58的管芯1502）中。衬底1602可以是由半导体材料系构成的半导体衬底，该半导体材料系包括例如n型或p型材料系（或两者的组合）。衬底1602可包括例如使用体硅或绝缘体上硅（soi）子结构形成的晶体衬底。在一些实施例中，可使用可与硅组合或不与硅组合的备选材料形成衬底1602，所述替代材料包括但不限于锗、锑化铟、碲化铅、砷化铟、磷化铟、砷化镓或锑化镓。分类为ii
‑
vi族、iii
‑
v族或iv族的另外材料也可用于形成衬底1602。尽管这里描述了可以以其形成衬底1602的材料的几个示例，但是可以使用可以用作ic装置1600的基础的任何材料。衬底1602可以是切单管芯（例如，图58的管芯1502）或晶圆（例如，图58的晶圆1500）的一部分。
90.ic装置1600可以包括设置在衬底1602上的一个或多个装置层1604。装置层1604可以包括形成在衬底1602上的一个或多个晶体管1640（例如，金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet））的特征。装置层1604可以包括例如一个或多个源极和/或漏极（s/d）区1620、用于控制s/d区1620之间的晶体管1640中的电流流动的栅极1622、以及用于向/从s/d区1620路由电信号的一个或多个s/d触点1624。晶体管1640可以包括为了清楚起见而未描绘的附加特征，诸如装置隔离区、栅极触点等。晶体管1640不限于图59中所描绘的类型和配置，并且可以包括广泛种类的其他类型和配置，诸如例如平面晶体管、非平面晶体管或者两者的组合。平面晶体管可以包括双极结型晶体管（bjt）、异质结双极晶体管（hbt）或高电子迁移率晶体管（hemt）。非平面晶体管可以包括finfet晶体管，诸如双栅极晶体管或三栅极晶体
管，以及环绕或全环绕栅极晶体管，诸如纳米带和纳米线晶体管。
91.每个晶体管1640可以包括由至少两个层形成的栅极1622、栅极电介质和栅极电极。栅极电介质可以包括一个层或层的堆叠。一个或多个层可以包括氧化硅、二氧化硅、碳化硅和/或高k介电材料。高k介电材料可以包括诸如铪、硅、氧、钛、钽、镧、铝、锆、钡、锶、钇、铅、钪、铌和锌的元素。可用于栅极电介质中的高k材料的示例包括但不限于氧化铪、氧化铪硅、氧化镧、氧化镧铝、氧化锆、氧化锆硅、氧化钽、氧化钛、氧化钡锶钛、氧化钡钛、氧化锶钛、氧化钇、氧化铝、氧化铅钪钽和铌锌酸铅。在一些实施例中，当使用高k材料时，可以对栅极电介质执行退火工艺以提高其质量。
92.栅极电极可以形成在栅极电介质上，并且可以包括至少一个p型功函数金属或n型功函数金属，这取决于晶体管1640是p型金属氧化物半导体（pmos）晶体管还是n型金属氧化物半导体（nmos）晶体管。在一些实现中，栅极电极可由两个或多于两个金属层的堆叠组成，其中一个或多个金属层是功函数金属层且至少一个金属层是填充金属层。为了其他目的，可以包括另外的金属层，例如阻挡层。对于pmos晶体管，可以用于栅极电极的金属包括但不限于钌、钯、铂、钴、镍、导电金属氧化物（例如，氧化钌）以及下面参考nmos晶体管讨论的任何金属（例如，用于功函数调节）。对于nmos晶体管，可以用于栅极电极的金属包括但不限于铪、锆、钛、钽、铝、这些金属的合金、这些金属的碳化物（例如，碳化铪、碳化锆、碳化钛、碳化钽和碳化铝）以及上面参考pmos晶体管讨论的任何金属（例如，用于功函数调节）。
93.在一些实施例中，当沿着源极
‑
沟道
‑
漏极方向观察晶体管1640的横截面时，栅极电极可以由u形结构组成，该u形结构包括基本上平行于衬底的表面的底部部分和基本上垂直于衬底的顶表面的两个侧壁部分。在其他实施例中，形成栅极电极的金属层中的至少一个可以简单地是基本上平行于衬底的顶表面的平面层，并且不包括基本上垂直于衬底的顶表面的侧壁部分。在其他实施例中，栅极电极可以由u形结构和平面非u形结构的组合组成。例如，栅极电极可由形成在一个或多个平面非u形层顶部的一个或多个u形金属层组成。
94.在一些实施例中，一对侧壁间隔物可以形成在栅极堆叠的相对侧上以将栅极堆叠托住。侧壁间隔物可以由诸如氮化硅、氧化硅、碳化硅、掺杂碳的氮化硅和氧氮化硅之类的材料形成。用于形成侧壁间隔物的工艺在本领域中是公知的，并且通常包括沉积和蚀刻工艺步骤。在一些实施例中，可以使用多个间隔对；例如，两对、三对或四对侧壁间隔物可形成在栅极堆叠的相对侧上。
95.s/d区1620可形成在衬底1602内邻近于每个晶体管1640的栅极1622。例如，s/d区1620可以使用注入/扩散工艺或蚀刻/沉积工艺形成。在前一工艺中，可将例如硼、铝、锑、磷或砷的掺杂剂离子注入到衬底1602中以形成s/d区1620。激活掺杂剂并使它们进一步扩散到衬底1602中的退火工艺可以在离子注入工艺之后。在后一工艺中，可首先蚀刻衬底1602以在s/d区1620的位置处形成凹陷。然后，可以执行外延沉积工艺，以利用用于制作s/d区1620的材料填充凹陷。在一些实现中，可以使用诸如硅锗或碳化硅的硅合金来制作s/d区1620。在一些实施例中，可以用诸如硼、砷或磷的掺杂剂原位掺杂外延沉积的硅合金。在一些实施例中，可以使用一个或多个替代半导体材料（诸如锗或iii
‑
v族材料或合金）形成s/d区1620。在另外的实施例中，可以使用一层或多层金属和/或金属合金来形成s/d区1620。
96.诸如功率和/或输入/输出（i/o）信号的电信号可以通过设置在装置层1604上的一个或多个互连层（在图59中示出为互连层1606
‑
1610）路由到装置层1604的装置（例如，晶体
管1640）和/或从其路由。例如，装置层1604的导电特征（例如，栅极1622和源极/漏极接触1624）可以与互连层1606
‑
1610的互连结构1628电耦合。一个或多个互连层1606
‑
1610可以形成ic装置1600的金属化堆叠（也称为“ild堆叠”）1619。在一些实施例中，ic装置1600可以是“无源”装置，因为它不包括有源部件（例如，晶体管），而在其他实施例中，管芯1502可以是“有源”管芯，因为它包括有源部件。
97.互连结构1628可以根据广泛种类的设计来布置在互连层1606
‑
1610内，以路由电信号（特别地，该布置不限于图59中描绘的互连结构1628的特定配置）。尽管图59中描绘了特定数量的互连层1606
‑
1610，但是本公开的实施例包括具有比所描绘的更多或更少互连层的ic装置。
98.在一些实施例中，互连结构1628可以包括填充有诸如金属的导电材料的线1628a和/或通孔1628b。线1628a可以布置成在与衬底1602的其上形成装置层1604的表面基本上平行的平面的方向上路由电信号。例如，线1628a可以在从图59的角度看进出纸面的方向上路由电信号。通孔1628b可以布置成在与衬底1602的其上形成装置层1604的表面基本上垂直的平面的方向上路由电信号。在一些实施例中，通孔1628b可以将不同互连层1606
‑
1610的线1628a电耦合在一起。
99.互连层1606
‑
1610可以包括设置在互连结构1628之间的介电材料1626，如图59中所示。在一些实施例中，设置在互连层1606
‑
1610中的不同互连层中的互连结构1628之间的介电材料1626可以具有不同的成分；在其他实施例中，不同互连层1606
‑
1610之间的介电材料1626的成分可以相同。
100.第一互连层1606可以形成在装置层1604上面。在一些实施例中，第一互连层1606可以包括线1628a和/或通孔1628b，如所示出的。第一互连层1606的线1628a可与装置层1604的触点（例如，s/d触点1624）耦合。
101.第二互连层1608可以形成在第一互连层1606上面。在一些实施例中，第二互连层1608可以包括通孔1628b以将第二互连层1608的线1628a与第一互连层1606的线1628a耦合。尽管为了清楚起见，用每个互连层内（例如，第二互连层1608内）的线在结构上绘出线1628a和通孔1628b，但是在一些实施例中，线1628a和通孔1628b可以在结构上和/或在材料上邻接（例如，在双镶嵌工艺期间同时填充）。
102.根据结合第二互连层1608或第一互连层1606描述的类似技术和配置，可以在第二互连层1608上连续形成第三互连层1610（以及根据需要，形成附加互连层）。在一些实施例中，ic装置1600中的金属化堆叠1619中“较高”（即，更远离装置层1604）的互连层可以更厚。
103.ic装置1600可以包括表面绝缘材料1634（例如，聚酰亚胺或类似材料）和形成在互连层1606
‑
1610上的一个或多个导电触点1636。在图59中，导电触点1636示出为采取接合焊盘的形式。导电触点1636可与互连结构1628电耦合并且配置成将（一个或多个）晶体管1640的电信号路由到其他外部装置。例如，焊料接合可以形成在一个或多个导电触点1636上，以将包括ic装置1600的芯片与另一部件（例如，电路板）机械和/或电耦合。ic装置1600可以包括附加的或替代的结构，以路由来自互连层1606
‑
1610的电信号；例如，导电触点1636可包括将电信号路由到外部部件的其他类似特征（例如，柱）。
104.图60是根据本文中公开的实施例中的任何实施例的可以包括一个或多个微电子结构100和/或微电子组件150的ic装置组件1700的侧面剖视图。ic装置组件1700包括设置
在电路板1702（其可以是例如母板）上的多个部件。ic装置组件1700包括设置在电路板1702的第一面1740及电路板1702的相对的第二面1742上的组件；通常，部件可以设置在一个或两个面1740和1742上。下面参考ic装置组件1700讨论的ic封装中的任何ic封装可以采取本文中讨论的微电子组件150的实施例中的任何实施例的形式，或者可以以其他方式包括本文中公开的微电子结构100中的任何微电子结构100。
105.在一些实施例中，电路板1702可以是包括多个金属层的pcb，所述多个金属层通过介电材料层与彼此分离并且通过导电通孔互连。金属层中的任何一个或多个金属层可以以期望的电路图案形成，以在耦合到电路板1702的组件之间路由电信号（可选地与其他金属层结合）。在其他实施例中，电路板1702可以是非pcb衬底。
106.图60中所示的ic装置组件1700包括通过耦合部件1716耦合到电路板1702的第一面1740的中介层上封装结构1736。耦合部件1716可以将中介层上封装结构1736电和机械地耦合到电路板1702，并且可以包括焊料球（如图60中所示）、插座的凸出和凹入部分、粘合剂、底部填充材料和/或任何其他合适的电和/或机械耦合结构。
107.中介层上封装结构1736可以包括通过耦合组件1718耦合到封装中介层1704的ic封装1720。耦合部件1718可以采取用于应用的任何适当的形式，诸如上面参考耦合部件1716讨论的形式。尽管图60中示出了单个ic封装1720，但是多个ic封装可以耦合到封装中介层1704；实际上，附加的中介层可以耦合到封装中介层1704。封装中介层1704可以提供用于桥接电路板1702和ic封装1720的中间衬底。ic封装1720可以是或者包括例如管芯（图58的管芯1502）、ic装置（例如图59的ic装置1600）或者任何其他合适的部件。通常，封装中介层1704可以将连接扩展到更宽的间距或者将连接重新路由到不同连接。例如，封装中介层1704可将ic封装1720（例如管芯）耦合到耦合组件1716的一组球栅阵列（bga）导电触点，以便耦合到电路板1702。在图60中所示的实施例中，ic封装1720和电路板1702附接到封装中介层1704的相对侧；在其他实施例中，ic封装1720和电路板1702可以附接到封装中介层1704的相同侧。在一些实施例中，三个或多于三个部件可以通过封装中介层1704互连。
108.在一些实施例中，封装中介层1704可以被形成为pcb，其包括通过介电材料层与彼此分离并且通过导电通孔互连的多个金属层。在一些实施例中，封装中介层1704可由环氧树脂、玻璃纤维增强环氧树脂、具有无机填料的环氧树脂、陶瓷材料或诸如聚酰亚胺的聚合物材料形成。在一些实施例中，封装中介层1704可由替换的刚性或柔性材料形成，其可包括上述供半导体衬底中使用的相同材料，诸如硅、锗和其他iii
‑
v族和iv族材料。封装中介层1704可以包括金属线1710和通孔1708，包括但不限于硅通孔（tsv）1706。封装中介层1704可以还包括嵌入式装置1714，其包括无源和有源装置两者。此类装置可以包括但不限于电容器、去耦电容器、电阻器、电感器、熔丝、二极管、变压器、传感器、静电放电（esd）装置和存储装置。诸如射频装置、功率放大器、功率管理装置、天线、阵列、传感器和微机电系统（mems）装置之类的更复杂装置也可形成在封装中介层1704上。中介层上封装结构1736可以采取本领域中已知的中介层上封装结构中的任何中介层上封装结构的形式。在一些实施例中，封装中介层1704可以包括一个或多个微电子结构100和/或微电子组件150。
109.ic装置组件1700可以包括通过耦合部件1722耦合到电路板1702的第一面1740的ic封装1724。耦合部件1722可以采取上面参考耦合部件1716讨论的实施例中的任何实施例的形式，并且ic封装1724可以采取上面参考ic封装1720讨论的实施例中的任何实施例的形
式。
110.图60中所示的ic装置组件1700包括通过耦合部件1728耦合到电路板1702的第二面1742的封装上封装结构1734。封装上封装结构1734可以包括通过耦合部件1730耦合在一起的ic封装1726和ic封装1732，使得ic封装1726被设置在电路板1702和ic封装1732之间。耦合部件1728和1730可以采取上面讨论的耦合部件1716的实施例中的任何实施例的形式，并且ic封装1726和1732可以采取上面讨论的ic封装1720的实施例中的任何实施例的形式。封装上封装结构1734可以根据本领域已知的任何封装上封装结构来配置。
111.图61是根据本文中公开的实施例中的任何实施例的可以包括一个或多个微电子结构100和/或微电子组件150的示例电装置1800的框图。例如，电装置1800的部件中的任何合适的部件可以包括本文中公开的微电子结构100、微电子组件150、ic装置组件1700、ic装置1600或管芯1502中的一个或多个。多个部件在图61中示出为被包括在电装置1800中，但是这些部件中的任何一个或多个可以以适合于应用的方式被省略或复制。在一些实施例中，被包括在电装置1800中的部件中的一些或全部可以附接到一个或多个母板。在一些实施例中，这些组件中的一些或全部被制作在单个片上系统（soc）管芯上。
112.另外，在各种实施例中，电装置1800可以不包括图61中所示的组件中的一个或多个，但是电装置1800可以包括用于耦合到一个或多个组件的接口电路。例如，电装置1800可以不包括显示装置1806，但可包括显示装置1806可耦合到的显示装置接口电路（例如，连接器和驱动器电路）。在另一组示例中，电装置1800可以不包括音频输入装置1824或音频输出装置1808，但是可以包括音频输入装置1824或音频输出装置1808可以耦合到的音频输入或输出装置接口电路（例如，连接器和支持电路）。
113.电装置1800可包括处理装置1802（例如，一个或多个处理装置）。如本文中所使用的，术语“处理装置”或“处理器”可以指处理来自寄存器和/或存储器的电子数据以将该电子数据变换成可以存储在寄存器和/或存储器中的其他电子数据的任何装置或装置的部分。处理装置1802可以包括一个或多个数字信号处理器（dsp）、专用集成电路（asic）、中央处理单元（cpu）、图形处理单元（gpu）、密码处理器（在硬件内执行密码算法的专用处理器）、服务器处理器或任何其他合适的处理装置。电装置1800可包括存储器1804，其本身可包括一个或多个存储器装置，诸如易失性存储器（例如，动态随机存取存储器（dram））、非易失性存储器（例如，只读存储器（rom））、闪速存储器、固态存储器、和/或硬盘驱动器。在一些实施例中，存储器1804可包括与处理装置1802共享管芯的存储器。此存储器可用作高速缓冲存储器且可包括嵌入式动态随机存取存储器（edram）或自旋转移矩磁随机存取存储器（stt
‑
mram）。
114.在一些实施例中，电装置1800可以包括通信芯片1812（例如，一个或多个通信芯片）。例如，通信芯片1812可以配置用于管理用于向和从电装置1800传递数据的无线通信。术语“无线”及其派生词可用于描述可通过使用调制的电磁辐射经由非固体介质来传递数据的电路、装置、系统、方法、技术、通信信道等。该术语不意味着相关联的装置不包含任何线材，尽管在一些实施例中它们可能不包含。
115.通信芯片1812可以实现多种无线标准或协议中的任何无线标准或协议，包括但不限于电气和电子工程师协会（ieee）标准，包括wi
‑
fi（ieee 802.11系列）、ieee 802.16标准（例如，ieee 802.16
‑
2005修订）、长期演进（lte）项目以及任何修订、更新和/或修改（例如，
高级lte项目、超移动宽带（umb）项目（也称为“3gpp2”）等）。兼容ieee 802.16的宽带无线接入（bwa）网络通常被称为wimax网络，即代表微波接入全球互操作性的首字母缩写词，其是通过ieee 802.16标准的一致性和互操作性测试的产品的认证标志。通信芯片1812可以根据全球移动通信系统（gsm）、通用分组无线电业务（gprs）、通用移动电信系统（umts）、高速分组接入（hspa）、演进hspa（e
‑
hspa）或lte网络来操作。通信芯片1812可以根据增强型数据gsm演进（edge）、gsm edge无线电接入网（geran）、通用陆地无线电接入网（utran）或演进型utran（e
‑
utran）来操作。通信芯片1812可以根据码分多址（cdma）、时分多址（tdma）、数字增强无绳电信（dect）、演进数据优化（ev
‑
do）及其派生物以及被指定为3g、4g、5g及以上的任何其他无线协议来操作。在其他实施例中，通信芯片1812可以根据其他无线协议进行操作。电装置1800可以包括天线1822，以促进无线通信和/或接收其他无线通信（例如am或fm无线电传输）。
116.在一些实施例中，通信芯片1812可以管理有线通信，诸如电、光或任何其他合适的通信协议（例如，以太网）。如上所述，通信芯片1812可以包括多个通信芯片。例如，第一通信芯片1812可以专用于诸如wi
‑
fi或蓝牙的较短距离无线通信，并且第二通信芯片1812可以专用于诸如全球定位系统（gps）、edge、gprs、cdma、wimax、lte、ev
‑
do或其他的较长距离无线通信。在一些实施例中，第一通信芯片1812可以专用于无线通信，并且第二通信芯片1812可以专用于有线通信。
117.电装置1800可以包括电池/电源电路1814。电池/电源电路1814可以包括一个或多个能量存储装置（例如，电池或电容器）和/或用于将电装置1800的部件耦合到与电装置1800分离的能量源（例如，ac线路电源）的电路。
118.电装置1800可包括显示装置1806（或对应的接口电路，如上面所讨论的）。显示装置1806可包括任何视觉指示器，例如平视显示器、计算机监视器、投影仪、触摸屏显示器、液晶显示器（lcd）、发光二极管显示器或平板显示器。
119.电装置1800可以包括音频输出装置1808（或对应的接口电路，如上面所讨论的）。音频输出装置1808可以包括生成可听指示符的任何装置，诸如扬声器、耳机或耳塞。
120.电装置1800可以包括音频输入装置1824（或对应的接口电路，如上面所讨论的）。音频输入装置1824可包括生成表示声音的信号的任何装置，诸如麦克风、麦克风阵列或数字仪器（例如，具有乐器数字接口（midi）输出的乐器）。
121.电装置1800可以包括gps装置1818（或对应的接口电路，如上面所讨论的）。gps装置1818可以与基于卫星的系统通信，并且可以接收电装置1800的位置，如本领域中已知的。
122.电装置1800可以包括其他输出装置1810（或对应的接口电路，如上面所讨论的）。其他输出装置1810的示例可以包括音频编解码器、视频编解码器、打印机、用于向其他装置提供信息的有线或无线传送器、或附加存储装置。
123.电装置1800可包括其他输入装置1820（或对应的接口电路，如上面所讨论的）。其他输入装置1820的示例可包括加速度计、陀螺仪、罗盘、图像捕捉装置、键盘、诸如鼠标、指示笔、触摸板之类的光标控制装置、条形码读取器、快速响应（qr）码读取器、任何传感器、或射频标识（rfid）读取器。
124.电装置1800可以具有任何期望的形状因子，诸如手持式或移动电装置（例如，蜂窝电话、智能电话、移动互联网装置、音乐播放器、平板计算机、膝上型计算机、上网本计算机、
超级本计算机、个人数字助理（pda）、超移动个人计算机等）、台式电装置、服务器装置或其他联网计算部件、打印机、扫描仪、监视器、机顶盒、娱乐控制单元、车辆控制单元、数码相机、数字视频记录器或可穿戴电装置。在一些实施例中，电装置1800可以是处理数据的任何其他电子装置。
125.以下段落提供了本文中公开的实施例的各种示例。
126.示例a1是一种微电子结构，其包括：衬底，其包括在衬底的面处的表面绝缘材料；在衬底中的腔，其中腔至少延伸穿过表面绝缘材料；以及在腔中的桥部件，其中桥部件包括第一面和相对的第二面，桥部件的第二面在桥部件的第一面与衬底之间，并且桥部件包括在桥部件的第一面处的导电触点。
127.示例a2包括示例a1的主题，并且还指定衬底包括有机介电材料。
128.示例a3包括示例a1
‑
2中任一项的主题，并且还指定衬底包括在衬底的面处的导电触点，表面绝缘材料包括开口，并且衬底的导电触点在开口的底部处。
129.示例a4包括示例a3的主题，并且还包括：在衬底的导电触点上的焊料。
130.示例a5包括示例a3
‑
4中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点是衬底的第一导电触点，衬底的面是衬底的第一面，衬底还包括与衬底的第一面相对的衬底的第二面，并且衬底还包括在衬底的第二面处的第二导电触点。
131.示例a6包括示例a5的主题，并且还指定第二导电触点是第二级互连触点。
132.示例a7包括示例a1
‑
6中任一项的主题，并且还指定腔是锥形的，朝向腔的底部变窄。
133.示例a8包括示例a1
‑
7中任一项的主题，并且还指定衬底的介电材料在腔的底部。
134.示例a9包括示例a8的主题，并且还指定桥部件耦合到介电材料。
135.示例a10包括示例a9的主题，并且还指定桥部件通过粘合剂耦合到介电材料。
136.示例a11包括示例a8
‑
10中任一项的主题，并且还指定腔的底部与衬底的面处的衬底的导电触点的底部共面。
137.示例a12包括示例a1
‑
7中任一项的主题，并且还指定金属在腔的底部。
138.示例a13包括示例a12的主题，并且还指定金属的底部与表面绝缘材料的底部共面。
139.示例a14包括示例a12
‑
13中任一项的主题，并且还指定金属延伸到腔的侧面处的表面绝缘材料上。
140.示例a15包括示例a12
‑
14中任一项的主题，并且还指定金属具有比衬底的面处的衬底的导电触点的厚度小的厚度。
141.示例a16包括示例a15的主题，并且还指定金属的厚度小于5微米。
142.示例a17包括示例a12
‑
13中任一项的主题，并且还指定金属的顶部与在衬底的面处的衬底的导电触点的顶部共面。
143.示例a18包括示例a17的主题，并且还指定金属的厚度大于5微米。
144.示例a19包括示例a12
‑
18中任一项的主题，并且还指定桥部件耦合到金属。
145.示例a20包括示例a19的主题，并且还指定桥部件通过粘合剂耦合到金属。
146.示例a21包括示例a20的主题，并且还指定粘合剂包括可快速固化粘合剂。
147.实施例a22包括示例a12
‑
21中任一项的主题，并且还指定金属包括镍、钯和金。
148.示例a23包括示例a12
‑
21中任一项的主题，并且还指定金属包括铝。
149.示例a24包括示例a12
‑
21中任一项的主题，并且还指定金属包括铜。
150.示例a25包括示例a1
‑
24中任一项的主题，并且还指定腔的底部具有波状表面。
151.示例a26包括示例a25的主题，并且还指定波状部具有1微米和10微米之间的幅度。
152.示例a27包括示例a25中任一项的主题，并且还指定波状部具有小于1微米的幅度。
153.示例a28包括示例a1
‑
27中任一项的主题，并且还指定表面绝缘材料具有10微米和30微米之间的厚度。
154.示例a29包括示例a1
‑
28中任一项的主题，并且还指定桥部件包括半导体材料。
155.示例a30包括示例a1
‑
29中任一项的主题，并且还指定桥部件具有小于100微米的厚度。
156.示例a31是一种微电子组件，包括：衬底；在衬底的面处的腔；在腔中的桥部件，其中桥部件包括第一面和相对的第二面，桥部件的第二面在桥部件的第一面与衬底之间，并且桥部件包括在桥部件的第一面处的导电触点；以及微电子部件，其具有第一面和相对的第二面，微电子部件的第一面在微电子部件的第二面与衬底之间，微电子部件包括在微电子部件的第一面处的导电触点，微电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在衬底的面处的衬底的导电触点，并且微电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在桥部件的第一面处的导电触点。
157.示例a32包括示例a31的主题，并且还指定衬底包括有机介电材料。
158.示例a33包括示例a31
‑
32中任一项的主题，并且还指定衬底包括在衬底的面处的表面绝缘材料，表面绝缘材料包括开口，并且衬底的导电触点在开口的底部处。
159.示例a34包括示例a33的主题，并且还包括：在衬底的导电触点上的焊料。
160.示例a35包括示例a33
‑
34中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点是衬底的第一导电触点，衬底的面是衬底的第一面，衬底还包括与衬底的第一面相对的衬底的第二面，并且衬底还包括在衬底的第二面处的第二导电触点。
161.示例a36包括示例a35的主题，并且还指定第二导电触点是第二级互连触点。
162.示例a37包括示例a31
‑
36中任一项的主题，并且还指定腔是锥形的，朝向腔的底部变窄。
163.示例a38包括示例a31
‑
37中任一项的主题，并且还指定衬底的介电材料在腔的底部。
164.示例a39包括示例a38的主题，并且还指定桥部件耦合到介电材料。
165.示例a40包括示例a39的主题，并且还指定桥部件通过粘合剂耦合到介电材料。
166.示例a41包括示例a38
‑
40中任一项的主题，并且还指定腔的底部与在衬底的面处的衬底的导电触点的底部共面。
167.示例a42包括示例a31
‑
37中任一项的主题，并且还指定金属在腔的底部。
168.示例a43包括示例a42的主题，并且还指定金属的底部与在衬底的面处的表面绝缘材料的底部共面。
169.示例a44包括示例a42
‑
43中任一项的主题，并且还指定金属延伸到腔的侧面处的表面绝缘材料上。
170.示例a45包括示例a42
‑
44中任一项的主题，并且还指定金属具有比在衬底的面处
的衬底的导电触点的厚度小的厚度。
171.示例a46包括示例a45的主题，并且还指定金属的厚度小于5微米。
172.示例a47包括示例a42
‑
43中任一项的主题，并且还指定金属的顶部与在衬底的面处的衬底的导电触点的顶部共面。
173.示例a48包括示例a47的主题，并且还指定金属的厚度大于5微米。
174.示例a49包括示例a42
‑
48中任一项的主题，并且还指定桥部件耦合到金属。
175.示例a50包括示例a49的主题，并且还指定桥部件通过粘合剂耦合到金属。
176.示例a51包括示例a50的主题，并且还指定粘合剂包括可快速固化粘合剂。
177.示例a52包括示例a42
‑
51中任一项的主题，并且还指定金属包括镍、钯和金。
178.示例a53包括示例a42
‑
51中任一项的主题，并且还指定金属包括铝。
179.示例a54包括示例a42
‑
51中任一项的主题，并且还指定金属包括铜。
180.示例a55包括示例a31
‑
54中任一项的主题，并且还指定腔的底部具有波状表面。
181.示例a56包括示例a55的主题，并且还指定波状部具有1微米和10微米之间的幅度。
182.示例a57包括示例a55的主题，并且还指定波状部具有小于1微米的幅度。
183.示例a58包括示例a31
‑
57中任一项的主题，并且还指定在衬底的面处的表面绝缘材料具有10微米和30微米之间的厚度。
184.示例a59包括示例a31
‑
58中任一项的主题，并且还指定桥部件包括半导体材料。
185.示例a60包括示例a31
‑
59中任一项的主题，并且还指定桥部件具有小于100微米的厚度。
186.示例a61包括示例a31
‑
60中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点的间距大于桥部件的导电触点的间距。
187.示例a62包括示例a31
‑
61中任一项的主题，并且还指定微电子部件是第一电子部件，并且微电子组件还包括：第二电子部件，其具有第一面和相对的第二面，第二电子部件的第一面在第二电子部件的第二面与衬底之间，第二电子部件包括在第二电子部件的第一面处的导电触点，第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在衬底的面处的衬底的导电触点，并且第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在桥部件的第一面处的导电触点。
188.示例a63包括示例a31
‑
62中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括管芯。
189.示例a64包括示例a31
‑
63中任一项的主题，并且还包括：在微电子部件与衬底之间的填充化合物。
190.示例a65包括示例a64的主题，并且还指定填充化合物在微电子部件与桥部件之间延伸。
191.示例a66包括示例a31
‑
65中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括晶体管。
192.示例a67包括示例a31
‑
66中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括存储器装置。
193.示例a68包括示例a31
‑
67中任一项的主题，并且还指定微电子组件具有小于100平方毫米的占用面积。
194.示例a69包括示例a31
‑
68中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点包括表面处理，并且表面处理包括镍。
195.示例a70包括示例a69的主题，并且还指定表面处理进一步包括钯和金。
196.示例a71是一种电子装置，包括：电路板；以及导电地耦合到电路板的微电子组件，其中微电子组件包括：衬底；在衬底的面处的腔；在腔中的桥部件；以及微电子部件，其具有第一面和相对的第二面，微电子部件的第一面在微电子部件的第二面与衬底之间，微电子部件包括在微电子部件的第一面处的导电触点，微电子部件的导电触点中的一些导电触点通过焊料耦合到衬底的导电触点，并且微电子部件的导电触点中的一些导电触点通过焊料耦合到桥部件的导电触点。
197.示例a72包括示例a71的主题，并且还指定衬底包括有机介电材料。
198.示例a73包括示例a71
‑
72中任一项的主题，并且还指定衬底包括在衬底的面处的表面绝缘材料，表面绝缘材料包括开口，并且衬底的导电触点在开口的底部处。
199.示例a74包括示例a73的主题，并且还包括：在衬底的导电触点上的焊料。
200.示例a75包括示例a73
‑
74中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点是衬底的第一导电触点，衬底的面是衬底的第一面，衬底还包括与衬底的第一面相对的衬底的第二面，并且衬底还包括在衬底的第二面处的第二导电触点。
201.示例a76包括示例a75的主题，并且还指定第二导电触点是第二级互连触点。
202.示例a77包括示例a71
‑
76中任一项的主题，并且还指定腔是锥形的，朝向腔的底部变窄。
203.示例a78包括示例a71
‑
77中任一项的主题，并且还指定衬底的介电材料在腔的底部。
204.示例a79包括示例a78的主题，并且还指定桥部件耦合到介电材料。
205.示例a80包括示例a79的主题，并且还指定桥部件通过粘合剂耦合到介电材料。
206.示例a81包括示例a78
‑
80中任一项的主题，并且还指定腔的底部与衬底的面处的衬底的导电触点的底部共面。
207.示例a82包括示例a71
‑
77中任一项的主题，并且还指定金属在腔的底部。
208.示例a83包括示例a82的主题，并且还指定金属的底部与在衬底的面处的表面绝缘材料的底部共面。
209.示例a84包括示例a82
‑
83中任一项的主题，并且还指定金属延伸到腔的侧面处的表面绝缘材料上。
210.示例a85包括示例a82
‑
84中任一项的主题，并且还指定金属具有比在衬底的面处的衬底的导电触点的厚度小的厚度。
211.示例a86包括示例a85的主题，并且还指定金属的厚度小于5微米。
212.示例a87包括示例a82
‑
83中任一项的主题，并且还指定金属的顶部与在衬底的面处的衬底的导电触点的顶部共面。
213.示例a88包括示例a87的主题，并且还指定金属的厚度大于5微米。
214.示例a89包括示例a82
‑
88中任一项的主题，并且还指定桥部件耦合到金属。
215.示例a90包括示例a89的主题，并且还指定桥部件通过粘合剂耦合到金属。
216.示例a91包括示例a90的主题，并且还指定粘合剂包括可快速固化粘合剂。
217.示例a92包括示例a82
‑
91中任一项的主题，并且还详细说明金属包括镍、钯和金。
218.示例a93包括示例a82
‑
91中任一项的主题，并且还指定金属包括铝。
219.示例a94包括示例a82
‑
91中任一项的主题，并且还指定金属包括铜。
220.示例a95包括示例a71
‑
94中任一项的主题，并且还指定腔的底部具有波状表面。
221.示例a96包括示例a95的主题，并且还指定波状部具有1微米和10微米之间的幅度。
222.示例a97包括示例a95的主题，并且还指定波状部具有小于1微米的幅度。
223.示例a98包括示例a71
‑
97中任一项的主题，并且还指定在衬底的面处的表面绝缘材料具有10微米和30微米之间的厚度。
224.示例a99包括示例a71
‑
98中任一项的主题，并且还指定桥部件包括半导体材料。
225.示例a100包括示例a71
‑
99中任一项的主题，并且还指定桥部件具有小于100微米的厚度。
226.示例a101包括示例a71
‑
100中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点的间距大于桥部件的导电触点的间距。
227.示例a102包括示例a71
‑
101中任一项的主题，并且还指定微电子部件是第一电子部件，并且微电子组件还包括：第二电子部件，其具有第一面和相对的第二面，第二电子部件的第一面在第二电子部件的第二面与衬底之间，第二电子部件包括在第二电子部件的第一面处的导电触点，第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在衬底的面处的衬底的导电触点，并且第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在桥部件的第一面处的导电触点。
228.示例a103包括示例a71
‑
102中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括管芯。
229.示例a104包括示例a71
‑
103中任一项的主题，并且还包括：在微电子部件与衬底之间的填充化合物。
230.示例a105包括示例a104的主题，并且还指定填充化合物在微电子部件与桥部件之间延伸。
231.示例a106包括示例a71
‑
105中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括晶体管。
232.示例a107包括示例a71
‑
106中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括存储器装置。
233.示例a108包括示例a71
‑
107中任一项的主题，并且还指定微电子组件具有小于100平方毫米的占用面积。
234.示例a109包括示例a71
‑
108中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点包括表面处理，并且表面处理包括镍。
235.示例a110包括示例a109的主题，并且还指定表面处理进一步包括钯和金。
236.示例a111包括示例a71
‑
110中任一项的主题，并且还指定电子装置是手持式计算装置、膝上型计算装置、可穿戴计算装置或服务器计算装置。
237.示例a112包括示例a71
‑
111中任一项的主题，并且还指定电路板是母板。
238.示例a113包括示例a71
‑
112中任一项的主题，并且还包括：通信地耦合到电路板的显示器。
239.示例a114包括示例a113的主题，并且还指定显示器包括触摸屏显示器。
240.示例a115包括示例a71
‑
114中任一项的主题，并且还包括：围绕电路板和微电子组件的壳体。
241.示例a116是制造微电子结构的方法，包括本文中公开的方法中的任何方法。
242.示例a117是制造微电子组件的方法，包括本文中公开的方法中的任何方法。
243.示例b1是一种微电子结构，包括：衬底，其包括第一层、最后层以及在第一层与最后层之间的一个或多个内部层；在衬底的面中的腔，其中衬底的面接近最后层，并且腔延伸穿过并超过最后层；在腔的底部处的金属；以及在腔中的桥部件，其中桥部件包括第一面和相对的第二面，桥部件的第二面在桥部件的第一面与衬底之间，并且桥部件包括在桥部件的第一面处的导电触点。
244.示例b2包括示例b1的主题，并且还指定衬底包括有机介电材料。
245.示例b3包括示例b1
‑
2中任一项的主题，并且还指定衬底包括在衬底的面处的导电触点，衬底包括在衬底的面处的表面绝缘材料，表面绝缘材料包括开口，并且衬底的导电触点在开口的底部处。
246.示例b4包括示例b3的主题，并且还包括：在衬底的导电触点上的焊料。
247.示例b5包括示例b3
‑
4中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点是衬底的第一导电触点，衬底的面是衬底的第一面，衬底还包括与衬底的第一面相对的衬底的第二面，并且衬底还包括在衬底的第二面处的第二导电触点。
248.示例b6包括示例b5的主题，并且还指定第二导电触点是第二级互连触点。
249.示例b7包括示例b1
‑
6中任一项的主题，并且还指定腔是锥形的，朝向腔的底部变窄。
250.示例b8包括示例b1
‑
7中任一项的主题，并且还指定在腔的底部处的金属与衬底的内部金属层的金属线相邻。
251.示例b9包括示例b8的主题，并且还指定金属线包括铜。
252.示例b10包括示例b9的主题，并且还指定金属不同于铜。
253.示例b11包括示例b8
‑
10中任一项的主题，并且还指定金属具有比金属线的厚度小的厚度。
254.示例b12包括示例b1
‑
11中任一项的主题，并且还指定金属延伸到腔的侧面上。
255.示例b13包括示例b1
‑
11中任一项的主题，并且还指定金属不延伸到腔的侧面上。
256.示例b14包括示例b1
‑
13中任一项的主题，并且还指定金属的厚度小于1微米。
257.示例b15包括示例b1
‑
14中任一项的主题，并且还指定桥部件耦合到金属。
258.示例b16包括示例b1
‑
15中任一项的主题，并且还包括：在桥部件与金属之间的粘合剂。
259.示例b17包括示例b16的主题，并且还指定粘合剂包括可快速固化粘合剂。
260.示例b18包括示例b16
‑
17中任一项的主题，并且还指定粘合剂包括可uv固化粘合剂。
261.示例b19包括示例b16
‑
17中任一项的主题，并且还指定粘合剂包括第一粘合剂区域和第二粘合剂区域，并且第一粘合剂区域的材料组成不同于第二粘合剂区域的材料组成。
262.示例b20包括示例b19的主题，并且还指定第一粘合剂区域接近桥部件的边缘并且第二粘合剂区域接近桥部件的内部。
263.示例b21包括示例b19
‑
20中任一项的主题，并且还指定第二粘合剂区域包括可热固化的粘合剂并且第一粘合剂区域包括可快速固化的粘合剂。
264.示例b22包括示例b16
‑
21中任一项的主题，并且还指定金属不延伸到粘合剂和腔的底部之间的区域之外。
265.示例b23包括示例b1
‑
22中任一项的主题，并且还指定金属包括铝。
266.示例b24包括示例b1
‑
23中任一项的主题，并且还指定金属包括金。
267.示例b25包括示例b1
‑
24中任一项的主题，并且还指定腔的开口的直径比腔的底部的直径大超过5微米。
268.示例b26包括示例b1
‑
25中任一项的主题，并且还指定腔的底部具有波状表面。
269.示例b27包括示例b26的主题，并且还指定波状部具有1微米和10微米之间的幅度。
270.示例b28包括示例b1
‑
27中任一项的主题，并且还指定衬底的表面绝缘材料具有10微米和30微米之间的厚度。
271.示例b29包括示例b1
‑
28中任一项的主题，并且还指定桥部件包括半导体材料。
272.示例b30包括示例b1
‑
29中任一项的主题，并且还指定桥部件具有小于100微米的厚度。
273.示例b31是一种微电子组件，其包括：衬底；在衬底的面中的腔，其中衬底的面接近衬底的金属化层，且腔延伸穿过并且超过金属化层；在腔的底部处的金属；在腔中的桥部件，其中桥部件包括第一面和相对的第二面，桥部件的第二面在桥部件的第一面与衬底之间，并且桥部件包括在桥部件的第一面处的导电触点；以及微电子部件，其具有第一面和相对的第二面，微电子部件的第一面在微电子部件的第二面与衬底之间，微电子部件包括在微电子部件的第一面处的导电触点，微电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在衬底的面处的衬底的导电触点，并且微电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在桥部件的第一面处的导电触点。
274.示例b32包括示例b31的主题，并且还指定衬底包括有机介电材料。
275.示例b33包括示例b31
‑
32中任一项的主题，并且还指定衬底包括在衬底的面处的表面绝缘材料，表面绝缘材料包括开口，并且衬底的导电触点在开口的底部处。
276.示例b34包括示例b33的主题，并且还包括：在衬底的导电触点上的焊料。
277.示例b35包括示例b33
‑
34中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点是衬底的第一导电触点，衬底的面是衬底的第一面，衬底还包括与衬底的第一面相对的衬底的第二面，并且衬底还包括在衬底的第二面处的第二导电触点。
278.示例b36包括示例b35的主题，并且还指定第二导电触点是第二级互连触点。
279.示例b37包括示例b31
‑
36中任一项的主题，并且还指定腔是锥形的，朝向腔的底部变窄。
280.示例b38包括示例b31
‑
37中任一项的主题，并且还指定在腔的底部处的金属与衬底的内部金属层的金属线相邻。
281.示例b39包括示例b38的主题，并且还指定金属线包括铜。
282.示例b40包括示例b39的主题，并且还指定金属不同于铜。
283.示例b41包括示例b38
‑
40中任一项的主题，并且还指定金属具有比金属线的厚度小的厚度。
284.示例b42包括示例b31
‑
41中任一项的主题，并且还指定金属延伸到腔的侧面上。
285.示例b43包括示例b31
‑
41中任一项的主题，并且还指定金属不延伸到腔的侧面上。
286.示例b44包括示例b31
‑
43中任一项的主题，并且还指定金属的厚度小于1微米。
287.示例b45包括示例b31
‑
44中任一项的主题，并且还指定桥部件耦合到金属。
288.示例b46包括示例b31
‑
45中任一项的主题，并且还包括：在桥部件与金属之间的粘合剂。
289.示例b47包括示例b46的主题，并且还指定粘合剂包括可快速固化粘合剂。
290.示例b48包括示例b46
‑
47中任一项的主题，并且还指定粘合剂包括可uv固化粘合剂。
291.示例b49包括示例b46
‑
47中任一项的主题，并且还指定粘合剂包括第一粘合剂区域和第二粘合剂区域，并且第一粘合剂区域的材料组成不同于第二粘合剂区域的材料组成。
292.示例b50包括示例b49的主题，并且还指定第一粘合剂区域靠近桥部件的边缘并且第二粘合剂区域靠近桥部件的内部。
293.示例b51包括示例b49
‑
50中任一项的主题，并且还指定第二粘合剂区域包括可热固化的粘合剂并且第一粘合剂区域包括可快速固化的粘合剂。
294.示例b52包括示例b46
‑
51中任一项的主题，并且还指定金属不延伸到粘合剂和腔的底部之间的区域之外。
295.示例b53包括示例b31
‑
52中任一项的主题，并且还指定金属包括铝。
296.示例b54包括示例b31
‑
53中任一项的主题，并且还指定金属包括金。
297.示例b55包括示例b31
‑
54中任一项的主题，并且还指定腔的开口的直径比腔的底部的直径大超过5微米。
298.示例b56包括示例b31
‑
55中任一项的主题，并且还指定腔的底部具有波状表面。
299.示例b57包括示例b56中任一项的主题，并且还指定波状部具有1微米和10微米之间的幅度。
300.示例b58包括示例b31
‑
57中任一项的主题，并且还指定衬底的表面绝缘材料具有10微米和30微米之间的厚度。
301.示例b59包括示例b31
‑
58中任一项的主题，并且还指定桥部件包括半导体材料。
302.示例b60包括示例b31
‑
59中任一项的主题，并且还指定桥部件具有小于100微米的厚度。
303.示例b61包括示例b31
‑
60中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点的间距大于桥部件的导电触点的间距。
304.示例b62包括示例b31
‑
61中任一项的主题，并且还指定微电子部件是第一电子部件，并且微电子组件还包括：第二电子部件，其具有第一面和相对的第二面，第二电子部件的第一面在第二电子部件的第二面与衬底之间，第二电子部件包括在第二电子部件的第一面处的导电触点，第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在衬底的面处的衬底的导电触点，并且第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在桥部件的第一面处的导电触点。
305.示例b63包括示例b31
‑
62中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括管芯。
306.示例b64包括示例b31
‑
63中任一项的主题，并且还包括：在微电子部件与衬底之间的填充化合物。
307.示例b65包括示例b64的主题，并且还指定填充化合物在微电子部件与桥部件之间延伸。
308.示例b66包括示例b31
‑
65中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括晶体管。
309.示例b67包括示例b31
‑
66中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括存储器装置。
310.示例b68包括示例b31
‑
67中任一项的主题，并且还指定微电子组件具有小于100平方毫米的占用面积。
311.示例b69包括示例b31
‑
68中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点包括表面处理，并且表面处理包括镍。
312.示例b70包括示例b69的主题，并且还指定表面处理进一步包括钯和金。
313.示例b71是一种电子装置，包括：电路板；以及导电地耦合到电路板的微电子组件，其中微电子组件包括：衬底；在衬底的面中的腔，其中衬底包括积层材料，并且腔延伸到积层材料中；在腔的底部处的金属；在腔中的桥部件；以及微电子部件，其具有第一面和相对的第二面，微电子部件的第一面在微电子部件的第二面与衬底之间，微电子部件包括在微电子部件的第一面处的导电触点，微电子部件的导电触点中的一些导电触点通过焊料耦合到衬底的导电触点，并且微电子部件的导电触点中的一些导电触点通过焊料耦合到桥部件的导电触点。
314.示例b72包括示例b71的主题，并且还指定衬底包括有机介电材料。
315.示例b73包括示例b71
‑
72中任一项的主题，并且还指定衬底包括在衬底的面处的表面绝缘材料，表面绝缘材料包括开口，并且衬底的导电触点在开口的底部处。
316.示例b74包括示例b73的主题，并且还包括：在衬底的导电触点上的焊料。
317.示例b75包括示例b73
‑
74中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点是衬底的第一导电触点，衬底的面是衬底的第一面，衬底还包括与衬底的第一面相对的衬底的第二面，并且衬底还包括在衬底的第二面处的第二导电触点。
318.示例b76包括示例b75的主题，并且还指定第二导电触点是第二级互连触点。
319.示例b77包括示例b71
‑
76中任一项的主题，并且还指定腔是锥形的，朝向腔的底部变窄。
320.示例b78包括示例b71
‑
77中任一项的主题，并且还指定在腔的底部处的金属与衬底的内部金属层的金属线相邻。
321.示例b79包括示例b78的主题，并且还指定金属线包括铜。
322.示例b80包括示例b79的主题，并且还指定金属不同于铜。
323.示例b81包括示例b78
‑
80中任一项的主题，并且还指定金属具有比金属线的厚度小的厚度。
324.示例b82包括示例b71
‑
81中任一项的主题，并且还指定金属延伸到腔的侧面上。
325.示例b83包括示例b71
‑
81中任一项的主题，并且还指定金属不延伸到腔的侧面上。
326.示例b84包括示例b71
‑
83中任一项的主题，并且还指定金属的厚度小于1微米。
327.示例b85包括示例b71
‑
84中任一项的主题，并且还指定桥部件耦合到金属。
328.示例b86包括示例b71
‑
85中任一项的主题，并且还包括：在桥部件与金属之间的粘合剂。
329.示例b87包括示例b86的主题，并且还指定粘合剂包括可快速固化粘合剂。
330.示例b88包括示例b86
‑
87中任一项的主题，并且还指定粘合剂包括可uv固化粘合剂。
331.示例b89包括示例b86
‑
87中任一项的主题，并且还指定粘合剂包括第一粘合剂区域和第二粘合剂区域，并且第一粘合剂区域的材料组成不同于第二粘合剂区域的材料组成。
332.示例b90包括示例b89的主题，并且还指定第一粘合剂区域接近桥部件的边缘并且第二粘合剂区域接近桥部件的内部。
333.示例b91包括示例b89
‑
90中任一项的主题，并且还指定第二粘合剂区域包括可热固化的粘合剂并且第一粘合剂区域包括可快速固化的粘合剂。
334.示例b92包括示例b86
‑
91中任一项的主题，并且还指定金属不延伸到粘合剂和腔的底部之间的区域之外。
335.示例b93包括示例b71
‑
92中任一项的主题，并且还指定金属包括铝。
336.示例b94包括示例b71
‑
93中任一项的主题，并且还指定金属包括金。
337.示例b95包括示例b71
‑
94中任一项的主题，并且还指定腔的开口的直径比腔的底部的直径大超过5微米。
338.示例b96包括示例b71
‑
95中任一项的主题，并且还指定腔的底部具有波状表面。
339.示例b97包括示例b96的主题，并且还指定波状部具有1微米和10微米之间的幅度。
340.示例b98包括示例b71
‑
97中任一项的主题，并且还指定衬底的表面绝缘材料具有10微米和30微米之间的厚度。
341.示例b99包括示例b71
‑
98中任一项的主题，并且还指定桥部件包括半导体材料。
342.示例b100包括示例b71
‑
99中任一项的主题，并且还指定桥部件具有小于100微米的厚度。
343.示例b101包括示例b71
‑
100中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点的间距大于桥部件的导电触点的间距。
344.示例b102包括示例b71
‑
101中任一项的主题，并且还指定微电子部件是第一电子部件，并且微电子组件还包括：第二电子部件，第二电子部件具有第一面和相对的第二面，第二电子部件的第一面在第二电子部件的第二面与衬底之间，第二电子部件包括在第二电子部件的第一面处的导电触点，第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在衬底的面处的衬底的导电触点，并且第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在桥部件的第一面处的导电触点。
345.示例b103包括示例b71
‑
102中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括管芯。
346.示例b104包括示例b71
‑
103中任一项的主题，并且还包括：在微电子部件与衬底之间的填充化合物。
347.示例b105包括示例b104的主题，并且还指定填充化合物在微电子部件与桥部件之间延伸。
348.示例b106包括示例b71
‑
105中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括晶体管。
349.示例b107包括示例b71
‑
106中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括存储器装置。
350.示例b108包括示例b71
‑
107中任一项的主题，并且还指定微电子组件具有小于100平方毫米的占用面积。
351.示例b109包括示例b71
‑
108中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点包括表面处理，并且表面处理包括镍。
352.示例b110包括示例b109的主题，并且还指定表面处理进一步包括钯和金。
353.示例b111包括示例b71
‑
110中任一项的主题，并且还指定电子装置是手持式计算装置、膝上型计算装置、可穿戴计算装置或服务器计算装置。
354.示例b112包括示例b71
‑
111中任一项的主题，并且还指定电路板是母板。
355.示例b113包括示例b71
‑
112中任一项的主题，并且还包括：通信地耦合到电路板的显示器。
356.示例b114包括示例b113中的任一个的主题，并且还指定显示器包括触摸屏显示器。
357.示例b115包括示例b71
‑
114中任一项的主题，并且还包括：围绕电路板和微电子组件的壳体。
358.示例b116是包括接合头和紫外（uv）光源的接合设备。
359.示例b117包括示例b116的主题，并且还指定uv光源耦合到接合头。
360.示例c1是一种微电子结构，包括：衬底；在衬底的面处的腔；在腔中的桥部件，其中桥部件包括第一面和相对的第二面，桥部件的第二面在桥部件的第一面与衬底之间，并且桥部件包括在桥部件的第一面处的导电触点；在衬底的面处的导电触点；以及在焊料和导电触点之间的材料。
361.示例c2包括示例c1的主题，并且还指定衬底包括有机介电材料。
362.示例c3包括示例c1
‑
2中任一项的主题，并且还指定材料包括金属。
363.示例c4包括示例c3的主题，并且还指定材料包括金属球。
364.示例c5包括示例c4的主题，并且还指定金属球具有10微米和500微米之间的直径。
365.示例c6包括示例c3的主题，并且还指定材料包括金属柱。
366.示例c7包括示例c6的主题，并且还指定金属柱延伸超过衬底的表面绝缘材料的顶表面10微米和50微米之间的距离。
367.示例c8包括示例c6
‑
7中任一项的主题，并且还指定金属柱包括体金属上的表面处理。
368.示例c9包括示例c8的主题，并且还指定体金属包括铜。
369.示例c10包括示例c8
‑
9中任一项的主题，并且还指定表面处理包括镍、钯或金。
370.示例c11包括示例c8
‑
10中任一项的主题，并且还指定相对于表面处理底切体金属。
371.示例c12包括示例c3
‑
11中任一项的主题，并且还指定金属包括铜。
372.示例c13包括示例c3
‑
12中任一项的主题，并且还指定金属包括镍、钯或金。
373.示例c14包括示例c1
‑
2中任一项的主题，并且还指定焊料是第一焊料，材料是第二焊料，并且第一焊料具有与第二焊料不同的材料成分。
374.示例c15包括示例c14的主题，并且还指定第二焊料具有比第一焊料高的熔点。
375.示例c16包括示例c14
‑
15中任一项的主题，并且还包括：在第二焊料与导电触点之
间的第三焊料，其中第三焊料具有与第二焊料不同的材料组成。
376.示例c17包括示例c16的主题，并且还指定第二焊料具有比第三焊料高的熔点。
377.示例c18包括示例c1
‑
17中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点是衬底的第一导电触点，衬底的面是衬底的第一面，衬底还包括与衬底的第一面相对的衬底的第二面，并且衬底还包括在衬底的第二面处的第二导电触点。
378.示例c19包括示例c18的主题，并且还指定第二导电触点是第二级互连触点。
379.示例c20包括示例c1
‑
19中任一项的主题，并且还指定腔是锥形的，朝向腔的底部变窄。
380.示例c21包括示例c1
‑
20中任一项的主题，并且还指定衬底的介电材料在腔的底部。
381.示例c22包括示例c21的主题，并且还指定桥部件耦合到介电材料。
382.示例c23包括示例c22的主题，并且还指定桥部件通过粘合剂耦合到介电材料。
383.示例c24包括示例c21
‑
23中任一项的主题，并且还指定腔的底部与导电触点的底部共面。
384.示例c25包括示例c1
‑
24中任一项的主题，并且还指定腔的底部具有波状表面。
385.示例c26包括示例c25的主题，并且还指定波状部具有1微米和10微米之间的幅度。
386.示例c27包括示例c25的主题，并且还指定波状部具有小于1微米的幅度。
387.示例c28包括示例c1
‑
27中任一项的主题，并且还指定与衬底的导电触点接近的表面绝缘材料具有10微米和30微米之间的厚度。
388.示例c29包括示例c1
‑
28中任一项的主题，并且还指定桥部件包括半导体材料。
389.示例c30包括示例c1
‑
29中任一项的主题，并且还指定桥部件具有小于100微米的厚度。
390.示例c31是一种微电子组件，包括：衬底；在衬底的面处的腔；在腔中的桥部件，其中桥部件包括第一面和相对的第二面，桥部件的第二面在桥部件的第一面与衬底之间，并且桥部件包括在桥部件的第一面处的导电触点；以及微电子部件，其具有第一面和相对的第二面，微电子部件的第一面在微电子部件的第二面与衬底之间，微电子部件包括在微电子部件的第一面处的导电触点，微电子部件的导电触点通过互连导电地耦合到在衬底的面处的衬底的导电触点，并且微电子部件的导电触点导电地耦合到在桥部件的第一面处的导电触点；其中互连包括焊料以及在焊料与衬底的导电触点之间的材料，并且材料延伸超过表面绝缘材料的接近衬底的导电触点的表面。
391.示例c32包括示例c31的主题，并且还指定衬底包括有机介电材料。
392.示例c33包括示例c31
‑
32中任一项的主题，并且还指定材料包括金属。
393.示例c34包括示例c33的主题，并且还指定材料包括金属球。
394.示例c35包括示例c34的主题，并且还指定金属球具有10微米和500微米之间的直径。
395.示例c36包括示例c33的主题，并且还指定材料包括金属柱。
396.示例c37包括示例c36的主题，并且还指定金属柱延伸超过表面绝缘材料的顶表面10微米和50微米之间的距离。
397.示例c38包括示例c36
‑
37中任一项的主题，并且还指定金属柱包括体金属上的表
面处理。
398.示例c39包括示例c38的主题，并且还指定体金属包括铜。
399.示例c40包括示例c38
‑
39中任一项的主题，并且还指定表面处理包括镍、钯或金。
400.示例c41包括示例c38
‑
40中任一项的主题，并且还指定相对于表面处理底切体金属。
401.示例c42包括示例c33
‑
41中任一项的主题，并且还指定金属包括铜。
402.示例c43包括示例c33
‑
42中任一项的主题，并且还指定金属包括镍、钯或金。
403.示例c44包括示例c31
‑
32中任一项的主题，并且还指定焊料是第一焊料，材料是第二焊料，并且第一焊料具有与第二焊料不同的材料成分。
404.示例c45包括示例c44的主题，并且还指定第二焊料具有比第一焊料高的熔点。
405.示例c46包括示例c44
‑
45中任一项的主题，并且还包括：在第二焊料与导电触点之间的第三焊料，其中第三焊料具有与第二焊料不同的材料组成。
406.示例c47包括示例c46的主题，并且还指定第二焊料具有比第三焊料高的熔点。
407.示例c48包括示例c31
‑
47中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点是衬底的第一导电触点，衬底的面是衬底的第一面，衬底还包括与衬底的第一面相对的衬底的第二面，并且衬底还包括在衬底的第二面处的第二导电触点。
408.示例c49包括示例c48的主题，并且还指定第二导电触点是第二级互连触点。
409.示例c50包括示例c31
‑
49中任一项的主题，并且还指定腔是锥形的，朝向腔的底部变窄。
410.示例c51包括示例c31
‑
50中任一项的主题，并且还指定衬底的介电材料在腔的底部。
411.示例c52包括示例c51的主题，并且还指定桥部件耦合到介电材料。
412.示例c53包括示例c52的主题，并且还指定桥部件通过粘合剂耦合到介电材料。
413.示例c54包括示例c51
‑
53中任一项的主题，并且还指定腔的底部与导电触点的底部共面。
414.示例c55包括示例c31
‑
54中任一项的主题，并且还指定腔的底部具有波状表面。
415.示例c56包括示例c55的主题，并且还指定波状部具有1微米和10微米之间的幅度。
416.示例c57包括示例c55的主题，并且还指定波状部具有小于1微米的幅度。
417.示例c58包括示例c31
‑
57中任一项的主题，并且还指定在衬底的面处的表面绝缘材料具有10微米和30微米之间的厚度。
418.示例c59包括示例c31
‑
58中任一项的主题，并且还指定桥部件包括半导体材料。
419.示例c60包括示例c31
‑
59中任一项的主题，并且还指定桥部件具有小于100微米的厚度。
420.示例c61包括示例c31
‑
60中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点的间距大于桥部件的导电触点的间距。
421.示例c62包括示例c31
‑
61中任一项的主题，并且还指定微电子部件是第一电子部件，并且微电子组件还包括：第二电子部件，其具有第一面和相对的第二面，第二电子部件的第一面在第二电子部件的第二面与衬底之间，第二电子部件包括在第二电子部件的第一面处的导电触点，第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在衬底的面处
的衬底的导电触点，并且第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在桥部件的第一面处的导电触点。
422.示例c63包括示例c31
‑
62中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括管芯。
423.示例c64包括示例c31
‑
63中任一项的主题，并且还包括：在微电子部件与衬底之间的填充化合物。
424.示例c65包括示例c64的主题，并且还指定填充化合物在微电子部件与桥部件之间延伸。
425.示例c66包括示例c31
‑
65中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括晶体管。
426.示例c67包括示例c31
‑
66中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括存储器装置。
427.示例c68包括示例c31
‑
67中任一项的主题，并且还指定微电子组件具有小于100平方毫米的占用面积。
428.示例c69包括示例c31
‑
68中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点包括表面处理，并且表面处理包括镍。
429.示例c70包括示例c69的主题，并且还指定表面处理进一步包括钯和金。
430.示例c71是一种电子装置，包括：电路板；以及导电地耦合到电路板的微电子组件，其中微电子组件包括：衬底；在衬底的面处的腔；在腔中的桥部件；以及微电子部件，其具有第一面和相对的第二面，微电子部件的第一面在微电子部件的第二面与衬底之间，微电子部件包括在微电子部件的第一面处的导电触点，微电子部件的导电触点通过互连耦合到衬底的导电触点，并且微电子部件的导电触点耦合到桥部件的导电触点；其中衬底的导电触点在表面绝缘材料中的开口的底部处，互连包含焊料和材料，并且材料填充开口的大部分体积。
431.示例c72包括示例c71的主题，并且还指定衬底包括有机介电材料。
432.示例c73包括示例c71
‑
72中任一项的主题，并且还指定材料包括金属。
433.示例c74包括示例c73的主题，并且还指定材料包括金属球。
434.示例c75包括示例c74的主题，并且还指定金属球具有10微米至500微米之间的直径。
435.示例c76包括示例c73的主题，并且还指定材料包括金属柱。
436.示例c77包括示例c76的主题，并且还指定金属柱延伸超过表面绝缘材料的顶表面10微米和50微米之间的距离。
437.示例c78包括示例c76
‑
77中任一项的主题，并且还指定金属柱包括体金属上的表面处理。
438.示例c79包括示例c78的主题，并且还指定体金属包括铜。
439.示例c80包括示例c78
‑
79中任一项的主题，并且还指定表面处理包括镍、钯或金。
440.示例c81包括示例c78
‑
80中任一项的主题，并且还指定相对于表面处理底切体金属。
441.示例c82包括示例c73
‑
81中任一项的主题，并且还指定金属包括铜。
442.示例c83包括示例c73
‑
82中任一项的主题，并且还指定金属包括镍、钯或金。
443.示例c84包括示例c71
‑
72中任一项的主题，并且还指定焊料是第一焊料，材料是第
二焊料，并且第一焊料具有与第二焊料不同的材料成分。
444.示例c85包括示例c84的主题，并且还指定第二焊料具有比第一焊料高的熔点。
445.示例c86包括示例c84
‑
85中任一项的主题，并且还包括：在第二焊料与衬底的导电触点之间的第三焊料，其中第三焊料具有与第二焊料不同的材料组成。
446.示例c87包括示例c86的主题，并且还指定第二焊料具有比第三焊料高的熔点。
447.示例c88包括示例c71
‑
87中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点是衬底的第一导电触点，衬底的面是衬底的第一面，衬底还包括与衬底的第一面相对的衬底的第二面，并且衬底还包括在衬底的第二面处的第二导电触点。
448.示例c89包括示例c88中任一项的主题，并且还指定第二导电触点是第二级互连触点。
449.示例c90包括示例c71
‑
89中任一项的主题，并且还指定腔是锥形的，朝向腔的底部变窄。
450.示例c91包括示例c71
‑
90中任一项的主题，并且还指定衬底的介电材料在腔的底部。
451.示例c92包括示例c91的主题，并且还指定桥部件耦合到介电材料。
452.示例c93包括示例c92的主题，并且还指定桥部件通过粘合剂耦合到介电材料。
453.示例c94包括示例c91
‑
93中任一项的主题，并且还指定腔的底部与导电触点的底部共面。
454.示例c95包括示例c71
‑
94中任一项的主题，并且还指定腔的底部具有波状表面。
455.示例c96包括示例c95的主题，并且还指定波状部具有1微米和10微米之间的幅度。
456.示例c97包括示例c95的主题，并且还指定波状部具有小于1微米的幅度。
457.示例c98包括示例c71
‑
97中任一项的主题，并且还指定在衬底的面处的表面绝缘材料具有10微米和30微米之间的厚度。
458.示例c99包括示例c71
‑
98中任一项的主题，并且还指定桥部件包括半导体材料。
459.示例c100包括示例c71
‑
99中任一项的主题，并且还指定桥部件具有小于100微米的厚度。
460.示例c101包括示例c71
‑
100中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点的间距大于桥部件的导电触点的间距。
461.示例c102包括示例c71
‑
101中任一项的主题，并且还指定微电子部件是第一电子部件，并且微电子组件还包括：第二电子部件，其具有第一面和相对的第二面，第二电子部件的第一面在第二电子部件的第二面与衬底之间，第二电子部件包括在第二电子部件的第一面处的导电触点，第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在衬底的面处的衬底的导电触点，并且第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在桥部件的第一面处的导电触点。
462.示例c103包括示例c71
‑
102中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括管芯。
463.示例c104包括示例c71
‑
103中任一项的主题，并且还包括：在微电子部件与衬底之间的填充化合物。
464.示例c105包括示例c104的主题，并且还指定填充化合物在微电子部件与桥部件之间延伸。
465.示例c106包括示例c71
‑
105中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括晶体管。
466.示例c107包括示例c71
‑
106中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括存储器装置。
467.示例c108包括示例c71
‑
107中任一项的主题，并且还指定微电子组件具有小于100平方毫米的占用面积。
468.示例c109包括示例c71
‑
108中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点包括表面处理，并且表面处理包括镍。
469.示例c110包括示例c109的主题，并且还指定表面处理进一步包括钯和金。
470.示例c111包括示例c71
‑
110中任一项的主题，并且还指定电子装置是手持式计算装置、膝上型计算装置、可穿戴计算装置或服务器计算装置。
471.示例c112包括示例c71
‑
111中任一项的主题，并且还指定电路板是母板。
472.示例c113包括示例c71
‑
112中任一项的主题，并且还包括：通信地耦合到电路板的显示器。
473.示例c114包括示例c113的主题，并且还指定显示器包括触摸屏显示器。
474.示例c115包括示例c71
‑
114中任一项的主题，并且还包括：围绕电路板和微电子组件的壳体。
475.示例d1是一种微电子结构，包括：衬底；在衬底的面处的腔；在腔的底部处的衬底的第一导电触点；在腔外部的衬底的第二导电触点；第一导电触点上的第一焊料；以及在第二导电触点上的第二焊料，其中第一焊料和第二焊料具有不同的材料成分。
476.示例d2包括示例d1的主题，并且还指定第一焊料和第二焊料具有不同的熔化温度。
477.示例d3包括示例d1
‑
2中任一项的主题，并且还指定第一焊料具有比第二焊料高的熔点。
478.示例d4包括示例d1
‑
3中任一项的主题，并且还包括：在腔中的桥部件，其中桥部件包括第一面和相对的第二面，桥部件的第二面在桥部件的第一面与衬底之间，桥部件包括在桥部件的第一面处的第一导电触点，桥部件包括在桥部件的第二面处的第二导电触点，并且桥部件的第二导电触点通过第一焊料耦合到衬底的第一导电触点。
479.示例d5包括示例d1
‑
4中任一项的主题，并且还指定衬底包括有机介电材料。
480.示例d6包括示例d1
‑
2中任一项的主题，并且还指定衬底包括在衬底的面处的表面绝缘材料，表面绝缘材料包括开口，并且衬底的第二导电触点在开口的底部处。
481.示例d7包括示例d3
‑
4中任一项的主题，并且还指定衬底的面是衬底的第一面，衬底还包括与衬底的第一面相对的衬底的第二面，并且衬底还包括在衬底的第二面处的第三导电触点。
482.示例d8包括示例d7的主题，并且还指定第三导电触点是第二级互连触点。
483.示例d9包括示例d1
‑
8中任一项的主题，并且还指定腔是锥形的，朝向腔的底部变窄。
484.示例d10包括示例d1
‑
9中任一项的主题，并且还指定衬底的介电材料在腔的底部。
485.示例d11包括示例d1
‑
10中任一项的主题，并且还指定桥部件包括半导体材料。
486.示例d12包括示例d1
‑
11中任一项的主题，并且还指定桥部件具有小于100微米的
厚度。
487.示例d13是一种微电子组件，包括：衬底；在衬底的面处的腔；在腔外部的衬底的第一导电触点；在腔中的桥部件，其中桥部件包括第一面和相对的第二面，桥部件的第二面在桥部件的第一面与衬底之间，并且桥部件包括在桥部件的第一面处的第二导电触点；以及微电子部件，其具有第一面和相对的第二面，微电子部件的第一面在微电子部件的第二面与衬底之间，微电子部件包括在微电子部件的第一面处的导电触点，微电子部件的第一导电触点导电地耦合到衬底的第一导电触点，并且微电子部件的第二导电触点通过互连导电地耦合到桥部件的第二导电触点；其中互连包括第一焊料材料和不同于第一焊料材料的第二焊料材料。
488.示例d14包括示例d13的主题，并且还指定第一焊料材料在第二焊料材料与微电子部件的第二导电触点之间。
489.示例d15包括示例d13
‑
14中任一项的主题，并且还指定第一焊料材料具有与第二焊料材料不同的熔点。
490.示例d16包括示例d13
‑
14中任一项的主题，并且还指定第一焊料材料具有比第二焊料材料高的熔点。
491.示例d17包括示例d13
‑
16中任一项的主题，并且还指定互连是第一互连，微电子部件的第一导电触点通过第二互连导电地耦合到衬底的第一导电触点，并且第二互连包括第三焊料材料和不同于第三焊料材料的第四焊料材料。
492.示例d18包括示例d17的主题，并且还指定第三焊料材料在第四焊料材料和微电子部件的第一导电触点之间。
493.示例d19包括示例d17
‑
18中任一项的主题，并且还指定第三焊料材料具有与第四焊料材料不同的熔点。
494.示例d20包括示例d17
‑
19中任一项的主题，并且还指定第三焊料材料具有比第四焊料材料高的熔点。
495.示例d21包括示例d17
‑
20中任一项的主题，并且还指定第二互连进一步包括不同于第四焊料材料的第五焊料材料。
496.示例d22包括示例d21的主题，并且还指定第四焊料材料在第五焊料材料和第三焊料材料之间。
497.示例d23包括示例d21
‑
22中任一项的主题，并且还指定第四焊料材料具有与第五焊料材料不同的熔点。
498.示例d24包括示例d21
‑
23中任一项的主题，并且还指定第四焊料材料具有比第五焊料材料低的熔点。
499.示例d25包括示例d21
‑
24中任一项的主题，并且还指定第五焊料材料具有与第三焊料材料相同的材料成分。
500.示例d26包括示例d21
‑
25中任一项的主题，并且还指定第五焊料材料具有与第一焊料材料相同的材料成分。
501.示例d27包括示例d17
‑
26中任一项的主题，并且还指定第四焊料材料具有与第二焊料材料相同的材料成分。
502.示例d28包括示例d17
‑
27中任一项的主题，并且还指定第三焊料材料具有与第一
焊料材料相同的材料成分。
503.示例d29包括示例d13
‑
16中任一项的主题，并且还指定，互连是第一互连，微电子部件的第一导电触点通过第二互连导电地耦合到衬底的第一导电触点，并且第二互连包括第三焊料材料。
504.示例d30包括示例d29的主题，并且还指定第三焊料材料具有与第一焊料材料相同的材料成分。
505.示例d31包括示例d13
‑
30中任一项的主题，并且还指定衬底还包括腔中的第二导电触点，桥部件包括在桥部件的第二面处的第三导电触点，并且衬底的第二导电触点通过焊料耦合到桥部件的第三导电触点。
506.示例d32包括示例d31的主题，并且还指定焊料具有与第一焊料相同的材料成分。
507.示例d33包括示例d13
‑
32中任一项的主题，并且还指定衬底包括有机介电材料。
508.示例d34包括示例d13
‑
32中任一项的主题，并且还指定衬底包括在衬底的面处的表面绝缘材料，表面绝缘材料包括开口，并且衬底的第一导电触点在开口的底部处。
509.示例d35包括示例d13
‑
34中任一项的主题，并且还指定衬底的面是衬底的第一面，衬底还包括与衬底的第一面相对的衬底的第二面，并且衬底还包括在衬底的第二面处的第三导电触点。
510.示例d36包括示例d35的主题，并且还指定第三导电触点是第二级互连触点。
511.示例d37包括示例d13
‑
36中任一项的主题，并且还指定腔是锥形的，朝向腔的底部变窄。
512.示例d38包括示例d13
‑
37中任一项的主题，并且还指定腔的底部具有波状表面。
513.示例d39包括示例d38的主题，并且还指定波状部具有1微米和10微米之间的幅度。
514.示例d40包括示例d38的主题，并且还指定波状部具有小于1微米的幅度。
515.示例d41包括示例d13
‑
40中任一项的主题，并且还指定在衬底的面处的表面绝缘材料具有10微米和30微米之间的厚度。
516.示例d42包括示例d13
‑
41中任一项的主题，并且还指定桥部件包括半导体材料。
517.示例d43包括示例d13
‑
42中任一项的主题，并且还指定桥部件具有小于100微米的厚度。
518.示例d44包括示例d13
‑
43中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点的间距大于桥部件的导电触点的间距。
519.示例d45包括示例d13
‑
44中任一项的主题，并且还指定微电子部件的第一导电触点具有与微电子部件的第二导电触点不同的面积。
520.示例d46包括示例d13
‑
45中任一项的主题，并且还指定微电子部件是第一电子部件，并且微电子组件还包括：第二电子部件，其具有第一面和相对的第二面，第二电子部件的第一面在第二电子部件的第二面与衬底之间，第二电子部件包括在第二电子部件的第一面处的导电触点，第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在衬底的面处的衬底的导电触点，并且第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在桥部件的第一面处的导电触点。
521.示例d47包括示例d13
‑
46中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括管芯。
522.示例d48包括示例d13
‑
47中任一项的主题，并且还包括：在微电子部件与衬底之间
的填充化合物。
523.示例d49包括示例d48的主题，并且还指定填充化合物在微电子部件与桥部件之间延伸。
524.示例d50包括示例d13
‑
49中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括晶体管。
525.示例d51包括示例d13
‑
50中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括存储器装置。
526.示例d52包括示例d13
‑
51中任一项的主题，并且还指定微电子组件具有小于100平方毫米的占用面积。
527.示例d53包括示例d13
‑
52中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点包括表面处理，并且表面处理包括镍。
528.示例d54包括示例d53的主题，并且还指定表面处理进一步包括钯和金。
529.示例d55是一种电子装置，包括：电路板；以及导电地耦合到电路板的微电子组件，其中微电子组件包括：衬底；在衬底的面处的腔；在腔中的桥部件；以及微电子部件，其具有第一面和相对的第二面，微电子部件的第一面在微电子部件的第二面与衬底之间，微电子部件包括在微电子部件的第一面处的导电触点，微电子部件的第一导电触点导电地耦合到衬底的第一导电触点，并且微电子部件的第二导电触点通过互连导电地耦合到桥部件的第二导电触点；其中互连包括第一焊料材料和不同于第一焊料材料的第二焊料材料。
530.示例d56包括示例d55的主题，并且还指定第一焊料材料在第二焊料材料与微电子部件的第二导电触点之间。
531.示例d57包括示例d55
‑
56中任一项的主题，并且还指定第一焊料材料具有与第二焊料材料不同的熔点。
532.示例d58包括示例d55
‑
56中任一项的主题，并且还指定第一焊料材料具有比第二焊料材料高的熔点。
533.示例d59包括示例d55
‑
58中任一项的主题，并且还指定互连是第一互连，微电子部件的第一导电触点通过第二互连导电地耦合到衬底的第一导电触点，并且第二互连包括第三焊料材料和不同于第三焊料材料的第四焊料材料。
534.示例d60包括示例d59的主题，并且还指定第三焊料材料在第四焊料材料和微电子部件的第一导电触点之间。
535.示例d61包括示例d59
‑
60中任一项的主题，并且还指定第三焊料材料具有与第四焊料材料不同的熔点。
536.示例d62包括示例d59
‑
61中任一项的主题，并且还指定第三焊料材料具有比第四焊料材料高的熔点。
537.示例d63包括示例d59
‑
62中任一项的主题，并且还指定第二互连进一步包括不同于第四焊料材料的第五焊料材料。
538.示例d64包括示例d63的主题，并且还指定第四焊料材料在第五焊料材料和第三焊料材料之间。
539.示例d65包括示例d63
‑
64中任一项的主题，并且还指定第四焊料材料具有与第五焊料材料不同的熔点。
540.示例d66包括示例d63
‑
65中任一项的主题，并且还指定第四焊料材料具有比第五
焊料材料低的熔点。
541.示例d67包括示例d63
‑
66中任一项的主题，并且还指定第五焊料材料具有与第三焊料材料相同的材料成分。
542.示例d68包括示例d63
‑
67中任一项的主题，并且还指定第五焊料材料具有与第一焊料材料相同的材料成分。
543.示例d69包括示例d59
‑
68中任一项的主题，并且还指定第四焊料材料具有与第二焊料材料相同的材料成分。
544.示例d70包括示例d59
‑
69中任一项的主题，并且还指定第三焊料材料具有与第一焊料材料相同的材料成分。
545.示例d71包括示例d55
‑
58中任一项的主题，并且还指定互连是第一互连，微电子部件的第一导电触点通过第二互连导电地耦合到衬底的第一导电触点，并且第二互连包括第三焊料材料。
546.示例d72包括示例d71的主题，并且还指定第三焊料材料具有与第一焊料材料相同的材料成分。
547.示例d73包括示例d55
‑
72中任一项的主题，并且还指定衬底还包括腔中的第二导电触点，桥部件包括在桥部件的第二面处的第三导电触点，并且衬底的第二导电触点通过焊料耦合到桥部件的第三导电触点。
548.示例d74包括示例d73中任一项的主题，并且还指定焊料具有与第一焊料相同的材料成分。
549.示例d75包括示例d55
‑
74中任一项的主题，并且还指定衬底包括有机介电材料。
550.示例d76包括示例d55
‑
75中任一项的主题，并且还指定衬底包括在衬底的面处的表面绝缘材料，表面绝缘材料包括开口，并且衬底的导电触点在开口的底部处。
551.示例d77包括示例d55
‑
76中任一项的主题，并且还指定衬底的面是衬底的第一面，衬底还包括与衬底的第一面相对的衬底的第二面，并且衬底还包括在衬底的第二面处的第三导电触点。
552.示例d78包括示例d77的主题，并且还指定第三导电触点是第二级互连触点。
553.示例d79包括示例d55
‑
78中任一项的主题，并且还指定微电子部件的第一导电触点具有与微电子部件的第二导电触点不同的面积。
554.示例d80包括示例d55
‑
79中任一项的主题，并且还指定微电子部件的第一导电触点具有比微电子部件的第二导电触点更大的面积。
555.示例d81包括示例d55
‑
80中任一项的主题，并且还指定腔是锥形的，朝向腔的底部变窄。
556.示例d82包括示例d55
‑
81中任一项的主题，并且还指定腔的底部具有波状表面。
557.示例d83包括示例d82的主题，并且还指定波状部具有1微米和10微米之间的幅度。
558.示例d84包括示例d82的主题，并且还指定波状部具有小于1微米的幅度。
559.示例d85包括示例d55
‑
84中任一项的主题，并且还指定在衬底的面处的表面绝缘材料具有10微米和30微米之间的厚度。
560.示例d86包括示例d55
‑
85中任一项的主题，并且还指定桥部件包括半导体材料。
561.示例d87包括示例d55
‑
86中任一项的主题，并且还指定桥部件具有小于100微米的
厚度。
562.示例d88包括示例d55
‑
87中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点的间距大于桥部件的导电触点的间距。
563.示例d89包括示例d55
‑
88中任一项的主题，并且还指定微电子部件是第一电子部件，并且微电子组件还包括：第二电子部件，其具有第一面和相对的第二面，第二电子部件的第一面在第二电子部件的第二面与衬底之间，第二电子部件包括在第二电子部件的第一面处的导电触点，第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在衬底的面处的衬底的导电触点，并且第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在桥部件的第一面处的导电触点。
564.示例d90包括示例d55
‑
89中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括管芯。
565.示例d91包括示例d55
‑
90中任一项的主题，并且还包括：在微电子部件与衬底之间的填充化合物。
566.示例d92包括示例d91的主题，并且还指定填充化合物在微电子部件与桥部件之间延伸。
567.示例d93包括示例d55
‑
92中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括晶体管。
568.示例d94包括示例d55
‑
93中的任一个的主题，并且还指定微电子部件包括存储器装置。
569.示例d95包括示例d55
‑
94中任一项的主题，并且还指定微电子组件具有小于100平方毫米的占用面积。
570.示例d96包括示例d55
‑
95中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点包括表面处理，并且表面处理包括镍。
571.示例d97包括示例d96的主题，并且还指定表面处理进一步包括钯和金。
572.示例d98包括示例d55
‑
97中任一项的主题，并且还指定电子装置是手持式计算装置、膝上型计算装置、可穿戴计算装置或服务器计算装置。
573.示例d99包括示例d55
‑
98中任一项的主题，并且还指定电路板是母板。
574.示例d100包括示例d55
‑
99中任一项的主题，并且还包括：通信地耦合到电路板的显示器。
575.示例d101包括示例d100的主题，并且还指定显示器包括触摸屏显示器。
576.示例d102包括示例d55
‑
101中任一项的主题，并且还包括：围绕电路板和微电子组件的壳体。
577.示例e1是一种微电子结构，包括：衬底；在衬底的面处的腔；在腔中的第一导电触点；以及在腔中的桥部件，其中桥部件包括第一面和相对的第二面，桥部件的第二面在桥部件的第一面与衬底之间，并且桥部件包括在桥部件的第二面处的第二导电触点；其中第一导电触点电耦合到第二导电触点，并且腔中的第一导电触点具有非平面接触表面。
578.示例e2包括示例e1的主题，并且还指定衬底包括有机介电材料。
579.示例e3包括示例e1
‑
2中任一项的主题，并且还指定衬底包括在衬底的面处的腔外部的第三导电触点，衬底包括在衬底的面处的表面绝缘材料，表面绝缘材料包括开口，并且衬底的第三导电触点在开口的底部处。
580.示例e4包括示例e3的主题，并且还包括：在衬底的第三导电触点上的焊料。
581.示例e5包括示例e3
‑
4中任一项的主题，并且还指定衬底的面是衬底的第一面，衬底还包括与衬底的第一面相对的衬底的第二面，并且衬底还包括衬底的第二面处的第三导电触点。
582.示例e6包括示例e5的主题，并且还指定第三导电触点是第二级互连触点。
583.示例e7包括示例e1
‑
6中任一项的主题，并且还指定腔是锥形的，朝向腔的底部变窄。
584.示例e8包括示例e1
‑
7中任一项的主题，并且还指定第一导电触点包括导线。
585.示例e9包括示例e8的主题，并且还指定导线包括铜、银或金。
586.示例e10包括示例e1
‑
9中任一项的主题，并且还指定接触表面包括尖角形状。
587.示例e11包括示例e1
‑
9中任一项的主题，并且还指定接触表面具有弧形形状。
588.示例e12包括示例e11中任一项的主题，并且还指定第一导电触点包括多根导线的圆顶。
589.示例e13包括示例e1
‑
9中任一项的主题，并且还指定第一导电触点包括悬臂。
590.示例e14包括示例e1
‑
13中任一项的主题，并且还指定第一导电触点包括打线接合到衬底的金属层的金属的导线。
591.示例e15包括示例e1
‑
14中任一项的主题，并且还指定衬底包括在衬底的面处的表面绝缘材料，并且腔至少延伸穿过表面绝缘材料。
592.示例e16包括示例e15的主题，并且还指定腔延伸超过表面绝缘材料进入衬底的介电材料中。
593.示例e17包括示例e15
‑
16中任一项的主题，并且还指定第一导电触点不延伸超过表面绝缘材料的下表面的平面。
594.示例e18包括示例e1
‑
17中任一项的主题，并且还指定第一导电触点通过焊料电耦合到第二导电触点。
595.示例e19包括示例e1
‑
18中任一项的主题，并且还指定第一导电触点是衬底的腔中的多个第一导电触点中的一个，并且多个第一导电触点具有非平面接触表面。
596.示例e20包括示例e1
‑
19中任一项的主题，并且还包括：在桥部件的第二面与衬底之间的底部填充材料。
597.示例e21包括示例e20的主题，并且还指定第一导电触点包括导线，并且底部填充材料围绕导线。
598.示例e22包括示例e1
‑
21中任一项的主题，并且还指定桥部件包括在桥部件的第二导电触点与桥部件的第一面上的导电触点之间的导电通孔。
599.示例e23包括示例e1
‑
22中任一项的主题，并且还指定桥部件不接触衬底的介电材料。
600.示例e24包括示例e1
‑
23中任一项的主题，并且还指定桥部件包括晶体管。
601.示例e25包括示例e1
‑
24中任一项的主题，并且还指定腔的底部具有波状表面。
602.示例e26包括示例e25的主题，并且还指定波状部具有1微米和10微米之间的幅度。
603.示例e27包括示例e25的主题，并且还指定波状部具有小于1微米的幅度。
604.示例e28包括示例e1
‑
27中任一项的主题，并且还指定表面绝缘材料具有10微米和30微米之间的厚度。
605.示例e29包括示例e1
‑
28中任一项的主题，并且还指定桥部件包括半导体材料。
606.示例e30包括示例e1
‑
29中任一项的主题，并且还指定桥部件具有小于100微米的厚度。
607.示例e31是一种微电子组件，包括：衬底；在衬底的面处的腔；在腔中的第一导电触点，其中第一导电触点具有非平面接触表面；在腔中的桥部件，其中桥部件包括第一面和相对的第二面，桥部件的第二面在桥部件的第一面与衬底之间，并且桥部件包括在桥部件的第一面处的第二导电触点；以及微电子部件，其具有第一面和相对的第二面，微电子部件的第一面在微电子部件的第二面与衬底之间，微电子部件包括在微电子部件的第一面处的导电触点，微电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在衬底的面处的衬底的导电触点，并且微电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在桥部件的第一面处的导电触点。
608.示例e32包括示例e31的主题，并且还指定衬底包括有机介电材料。
609.示例e33包括示例e31
‑
32中任一项的主题，并且还指定衬底包括在衬底的面处的腔外部的第三导电触点，衬底包括在衬底的面处的表面绝缘材料，表面绝缘材料包括开口，并且衬底的第三导电触点在开口的底部处。
610.示例e34包括示例e33的主题，并且还包括：在衬底的第三导电触点上的焊料。
611.示例e35包括示例e33
‑
34中任一项的主题，并且还指定衬底的面是衬底的第一面，衬底还包括与衬底的第一面相对的衬底的第二面，并且衬底还包括衬底的第二面处的第三导电触点。
612.示例e36包括示例e35的主题，并且还指定第三导电触点是第二级互连触点。
613.示例e37包括示例e31
‑
36中任一项的主题，并且还指定腔是锥形的，朝向腔的底部变窄。
614.示例e38包括示例e31
‑
37中任一项的主题，并且还指定第一导电触点包括导线。
615.示例e39包括示例e38的主题，并且还指定导线包括铜、银或金。
616.示例e40包括示例e31
‑
39中任一项的主题，并且还指定第一导电触点具有朝向第二导电触点延伸的尖角。
617.示例e41包括示例e31
‑
39中任一项的主题，并且还指定第一导电触点具有朝向第二导电触点延伸的弧形。
618.示例e42包括示例e41的主题，并且还指定第一导电触点包括多根导线的圆顶。
619.示例e43包括示例e31
‑
39中任一项的主题，并且还指定第一导电触点包括悬臂。
620.示例e44包括示例e31
‑
43中任一项的主题，并且还指定第一导电触点包括打线接合到衬底的金属层的金属的导线。
621.示例e45包括示例e31
‑
44中任一项的主题，并且还指定衬底包括在衬底的面处的表面绝缘材料，并且腔至少延伸穿过表面绝缘材料。
622.示例e46包括示例e45的主题，并且还指定腔延伸超过表面绝缘材料进入衬底的介电材料中。
623.示例e47包括示例e45
‑
46中任一项的主题，并且还指定第一导电触点不延伸超过表面绝缘材料的下表面的平面。
624.示例e48包括示例e31
‑
47中任一项的主题，并且还指定第一导电触点通过焊料电
耦合到第二导电触点。
625.示例e49包括示例e31
‑
48中任一项的主题，并且还指定第一导电触点是衬底的腔中的多个第一导电触点中的一个，并且多个第一导电触点具有非平面接触表面。
626.示例e50包括示例e31
‑
49中任一项的主题，并且还包括：在桥部件的第二面与衬底之间的底部填充材料。
627.示例e51包括示例e50的主题，并且还指定第一导电触点包括导线，并且底部填充材料围绕导线。
628.示例e52包括示例e31
‑
51中任一项的主题，并且还指定桥部件包括在桥部件的第二导电触点与在桥部件的第一面上的导电触点之间的导电通孔。
629.示例e53包括示例e31
‑
52中任一项的主题，并且还指定桥部件不接触衬底的介电材料。
630.示例e54包括示例e31
‑
53中任一项的主题，并且还指定桥部件包括晶体管。
631.示例e55包括示例e31
‑
54中任一项的主题，并且还指定腔的底部具有波状表面。
632.示例e56包括示例e55的主题，并且还指定波状部具有1微米和10微米之间的幅度。
633.示例e57包括示例e55的主题，并且还指定波状部具有小于1微米的幅度。
634.示例e58包括示例e31
‑
57中任一项的主题，并且还指定在衬底的面处的表面绝缘材料具有10微米和30微米之间的厚度。
635.示例e59包括示例e31
‑
58中任一项的主题，并且还指定桥部件包括半导体材料。
636.示例e60包括示例e31
‑
59中任一项的主题，并且还指定桥部件具有小于100微米的厚度。
637.示例e61包括示例e31
‑
60中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点的间距大于桥部件的导电触点的间距。
638.示例e62包括示例e31
‑
61中任一项的主题，并且还指定微电子部件是第一电子部件，并且微电子组件还包括：第二电子部件，其具有第一面和相对的第二面，第二电子部件的第一面在第二电子部件的第二面与衬底之间，第二电子部件包括在第二电子部件的第一面处的导电触点，第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在衬底的面处的衬底的导电触点，并且第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在桥部件的第一面处的导电触点。
639.示例e63包括示例e31
‑
62中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括管芯。
640.示例e64包括示例e31
‑
63中任一项的主题，并且还包括：在微电子部件与衬底之间的填充化合物。
641.示例e65包括示例e64的主题，并且还指定填充化合物在微电子部件与桥部件之间延伸。
642.示例e66包括示例e31
‑
65中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括晶体管。
643.示例e67包括示例e31
‑
66中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括存储器装置。
644.示例e68包括示例e31
‑
67中任一项的主题，并且还指定微电子组件具有小于100平方毫米的占用面积。
645.示例e69包括示例e31
‑
68中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点包括表面
处理，并且表面处理包括镍。
646.示例e70包括示例e69的主题，并且还指定表面处理进一步包括钯和金。
647.示例e71是一种电子装置，包括：电路板；以及导电地耦合到电路板的微电子组件，其中微电子组件包括：衬底；在衬底的面处的腔；在腔中的第一导电触点；在腔中的桥部件，其中桥部件包括面向并且耦合到第一导电触点的第二导电触点，第一导电触点具有表面，该表面面向桥部件，并且该表面不平坦；以及微电子部件，其具有第一面和相对的第二面，微电子部件的第一面在微电子部件的第二面与衬底之间，微电子部件包括在微电子部件的第一面处的导电触点，微电子部件的导电触点中的一些导电触点通过焊料耦合到衬底的导电触点，并且微电子部件的导电触点中的一些导电触点通过焊料耦合到桥部件的导电触点。
648.示例e72包括示例e71的主题，并且还指定衬底包括有机介电材料。
649.示例e73包括示例e71
‑
72中任一项的主题，并且还指定衬底包括在衬底的面处的腔外部的第三导电触点，衬底包括在衬底的面处的表面绝缘材料，表面绝缘材料包括开口，并且衬底的第三导电触点在开口的底部处。
650.示例e74包括示例e73的主题，并且还包括：在衬底的第三导电触点上的焊料。
651.示例e75包括示例e73
‑
74中任一项的主题，并且还指定衬底的面是衬底的第一面，衬底还包括与衬底的第一面相对的衬底的第二面，并且衬底还包括在衬底的第二面处的第三导电触点。
652.示例e76包括示例e75的主题，并且还指定第三导电触点是第二级互连触点。
653.示例e77包括示例e71
‑
76中任一项的主题，并且还指定腔是锥形的，朝向腔的底部变窄。
654.示例e78包括示例e71
‑
77中任一项的主题，并且还指定第一导电触点包括导线。
655.示例e79包括示例e78的主题，并且还指定导线包括铜、银或金。
656.示例e80包括示例e71
‑
79中任一项的主题，并且还指定表面包括尖角形状。
657.示例e81包括示例e71
‑
79中任一项的主题，并且还指定表面包括弧形形状。
658.示例e82包括示例e81的主题，并且还指定第一导电触点包括多根导线的圆顶。
659.示例e83包括示例e71
‑
79中任一项的主题，并且还指定第一导电触点包括悬臂。
660.示例e84包括示例e71
‑
83中任一项的主题，并且还指定第一导电触点包括打线接合到衬底的金属层的金属的导线。
661.示例e85包括示例e71
‑
84中任一项的主题，并且还指定衬底包括在衬底的面处的表面绝缘材料，并且腔至少延伸穿过表面绝缘材料。
662.示例e86包括示例e85的主题，并且还指定腔延伸超过表面绝缘材料进入衬底的介电材料中。
663.示例e87包括示例e85
‑
86中任一项的主题，并且还指定第一导电触点不延伸超过表面绝缘材料的下表面的平面。
664.示例e88包括示例e71
‑
87中任一项的主题，并且还指定第一导电触点通过焊料电耦合到第二导电触点。
665.示例e89包括示例e71
‑
88中任一项的主题，并且还指定第一导电触点是衬底的腔中的多个第一导电触点中的一个，并且多个第一导电触点具有非平面接触表面。
666.示例e90包括示例e71
‑
89中任一项的主题，并且还包括：在桥部件的第二面与衬底之间的底部填充材料。
667.示例e91包括示例e90的主题，并且还指定第一导电触点包括导线，并且底部填充材料围绕导线。
668.示例e92包括示例e71
‑
91中任一项的主题，并且还指定桥部件包括在桥部件的第二导电触点与桥部件的第一面上的导电触点之间的导电通孔。
669.示例e93包括示例e71
‑
92中任一项的主题，并且还指定桥部件不接触衬底的介电材料。
670.示例e94包括示例e71
‑
93中的任一个的主题，并且还指定桥部件包括晶体管。
671.示例e95包括示例e71
‑
94中任一项的主题，并且还指定腔的底部具有波状表面。
672.示例e96包括示例e95的主题，并且还指定波状部具有1微米和10微米之间的幅度。
673.示例e97包括示例e95的主题，并且还指定波状部具有小于1微米的幅度。
674.示例e98包括示例e71
‑
97中任一项的主题，并且还指定在衬底的面处的表面绝缘材料具有10微米和30微米之间的厚度。
675.示例e99包括示例e71
‑
98中任一项的主题，并且还指定桥部件包括半导体材料。
676.示例e100包括示例e71
‑
99中任一项的主题，并且还指定桥部件具有小于100微米的厚度。
677.示例e101包括示例e71
‑
100中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点的间距大于桥部件的导电触点的间距。
678.示例e102包括示例e71
‑
101中任一项的主题，并且还指定微电子部件是第一电子部件，并且微电子组件还包括：第二电子部件，其具有第一面和相对的第二面，第二电子部件的第一面在第二电子部件的第二面与衬底之间，第二电子部件包括在第二电子部件的第一面处的导电触点，第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在衬底的面处的衬底的导电触点，并且第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在桥部件的第一面处的导电触点。
679.示例e103包括示例e71
‑
102中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括管芯。
680.示例e104包括示例e71
‑
103中任一项的主题，并且还包括：在微电子部件与衬底之间的填充化合物。
681.示例e105包括示例e104的主题，并且还指定填充化合物在微电子部件与桥部件之间延伸。
682.示例e106包括示例e71
‑
105中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括晶体管。
683.示例e107包括示例e71
‑
106中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括存储器装置。
684.示例e108包括示例e71
‑
107中任一项的主题，并且还指定微电子组件具有小于100平方毫米的占用面积。
685.示例e109包括示例e71
‑
108中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点包括表面处理，并且表面处理包括镍。
686.示例e110包括示例e109的主题，并且还指定表面处理进一步包括钯和金。
687.示例e111包括示例e71
‑
110中任一项的主题，并且还指定电子装置是手持式计算
装置、膝上型计算装置、可穿戴计算装置或服务器计算装置。
688.示例e112包括示例e71
‑
111中任一项的主题，并且还指定电路板是母板。
689.示例e113包括示例e71
‑
112中任一项的主题，并且还包括：通信地耦合到电路板的显示器。
690.示例e114包括示例e113的主题，并且还指定显示器包括触摸屏显示器。
691.示例e115包括示例e71
‑
114中任一项的主题，并且还包括：围绕电路板和微电子组件的壳体。
692.示例f1是一种微电子结构，包括：衬底；在衬底的面处的腔；以及在腔中的桥部件，其中桥部件包括第一面和相对的第二面，桥部件的第二面在桥部件的第一面与衬底之间，桥部件包括在桥部件的第一面处的第一互连材料，桥部件包括在桥部件的第二面处的第二互连材料，并且第一互连材料具有与第二互连材料不同的材料成分。
693.示例f2包括示例f1的主题，并且还指定第一互连材料包括焊料。
694.示例f3包括示例f2的主题，并且还指定第一互连材料的焊料是第一焊料，第二互连材料包括第二焊料，并且第二焊料具有与第一焊料不同的材料成分。
695.示例f4包括示例f3的主题，并且还指定第一焊料具有与第二焊料不同的熔点。
696.示例f5包括示例f3
‑
4中任一项的主题，并且还指定第一焊料具有比第二焊料高的熔点。
697.示例f6包括示例f3
‑
5中任一项的主题，并且还指定第一焊料具有高于200摄氏度的熔点，而第二焊料具有低于200摄氏度的熔点。
698.示例f7包括示例f1
‑
6中任一项的主题，并且还包括：围绕第二互连材料的聚合物材料。
699.示例f8包括示例f1
‑
7中任一项的主题，并且还包括：在桥部件的第二面与腔之间的环氧树脂材料。
700.示例f9包括示例f8的主题，并且还指定环氧树脂材料包括环氧树脂焊剂点。
701.示例f10包括示例f8的主题，并且还指定环氧树脂材料包括环氧树脂焊剂膜。
702.示例f11包括示例f1
‑
2中任一项的主题，并且还指定第二互连材料包括导电粘合剂，并且导电粘合剂包括聚合物。
703.示例f12包括示例f1
‑
2中任一项的主题，并且还指定第二互连材料包括金属间化合物（imc）。
704.示例f13包括示例f12的主题，并且还指定imc包括高温焊料颗粒和低温焊料颗粒。
705.示例f14包括示例f1
‑
2中任一项的主题，并且还指定第二互连材料包括短暂液相烧结（tlps）材料。
706.示例f15包括示例f1
‑
2和14中任一项的主题，并且还指定第二互连材料包括聚合物、铜和锡。
707.示例f16包括示例f1
‑
15中任一项的主题，并且还指定衬底包括有机介电材料。
708.示例f17包括示例f1
‑
16中任一项的主题，并且还指定衬底包括在衬底的面处的导电触点，表面绝缘材料包括开口，并且衬底的导电触点在开口的底部处。
709.示例f18包括示例f17的主题，并且还包括：在衬底的导电触点上的焊料。
710.示例f19包括示例f17
‑
18中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点是衬底的
第一导电触点，衬底的面是衬底的第一面，衬底还包括与衬底的第一面相对的衬底的第二面，并且衬底还包括在衬底的第二面处的第二导电触点。
711.示例f20包括示例f19的主题，并且还指定第二导电触点是第二级互连触点。
712.示例f21包括示例f1
‑
20中任一项的主题，并且还指定腔是锥形的，朝向腔的底部变窄。
713.示例f22包括示例f1
‑
21中任一项的主题，并且还包括：在腔的底部处的导电触点，其中桥部件的第二导电触点通过第二互连材料耦合到导电触点。
714.示例f23包括示例f22的主题，并且还指定导电触点是衬底的n
‑
1金属层的一部分。
715.示例f24包括示例f1
‑
23中任一项的主题，并且还指定腔延伸超过衬底的面处的表面绝缘材料。
716.示例f25包括示例f1
‑
24中任一项的主题，并且还指定腔的底部具有波状表面。
717.示例f26包括示例f25的主题，并且还指定波状部具有1微米和10微米之间的幅度。
718.示例f27包括示例f25的主题，并且还指定波状部具有小于1微米的幅度。
719.示例f28包括示例f1
‑
27中任一项的主题，并且还指定表面绝缘材料具有10微米和30微米之间的厚度。
720.示例f29包括示例f1
‑
28中任一项的主题，并且还指定桥部件包括半导体材料。
721.示例f30包括示例f1
‑
29中任一项的主题，并且还指定桥部件具有小于100微米的厚度。
722.示例f31是一种微电子组件，包括：衬底；在衬底的面处的腔；在腔中的桥部件，其中桥部件包括第一面和相对的第二面，桥部件的第二面在桥部件的第一面与衬底之间，桥部件包括在桥部件的第一面处的第一导电触点，桥部件包括在桥部件的第二面处的第二导电触点，并且衬底包括在腔的底部处的第三导电触点；以及微电子部件，其具有第一面和相对的第二面，微电子部件的第一面在微电子部件的第二面与衬底之间，微电子部件包括在微电子部件的第一面处的导电触点，微电子部件的第四导电触点导电地耦合到在衬底的面处的衬底的第五导电触点，并且微电子部件的第六导电触点导电地耦合到在桥部件的第一面处的第一导电触点；在第一导电触点和第六导电触点之间的第一互连材料；以及在第二导电触点和第三导电触点之间的第二互连材料，其中第二互连材料具有与第一互连材料不同的熔点。
723.示例f32包括示例f31的主题，并且还指定第一互连材料包括焊料。
724.示例f33包括示例f32的主题，并且还指定第一互连材料的焊料是第一焊料，第二互连材料包括第二焊料，并且第二焊料具有与第一焊料不同的材料成分。
725.示例f34包括示例f33的主题，并且还指定第一焊料具有比第二焊料低的铟含量。
726.示例f35包括示例f33
‑
34中任一项的主题，并且还指定第一焊料具有比第二焊料高的熔点。
727.示例f36包括示例f33
‑
35中任一项的主题，并且还指定第一焊料具有高于200摄氏度的熔点，而第二焊料具有低于200摄氏度的熔点。
728.示例f37包括示例f31
‑
36中任一项的主题，并且还包括：围绕第二互连材料的聚合物材料。
729.示例f38包括示例f31
‑
37中任一项的主题，并且还包括：在桥部件的第二面与腔之
间的环氧树脂材料。
730.示例f39包括示例f38的主题，并且还指定环氧树脂材料包括环氧树脂焊剂点。
731.示例f40包括示例f38的主题，并且还指定环氧树脂材料包括环氧树脂焊剂膜。
732.示例f41包括示例f31
‑
32中任一项的主题，并且还指定第二互连材料包括导电粘合剂，并且导电粘合剂包括聚合物。
733.示例f42包括示例f31
‑
32中任一项的主题，并且还指定第二互连材料包括金属间化合物（imc）。
734.示例f43包括示例f42的主题，并且还指定imc包括高温焊料颗粒和低温焊料颗粒。
735.示例f44包括示例f31
‑
32中任一项的主题，并且还指定第二互连材料包括短暂液相烧结（tlps）材料。
736.示例f45包括示例f31
‑
32和44中任一项的主题，并且还指定第二互连材料包括聚合物、铜和锡。
737.示例f46包括示例f31
‑
45中任一项的主题，并且还指定衬底包括有机介电材料。
738.示例f47包括示例f31
‑
46中任一项的主题，并且还指定衬底包括在衬底的面处的导电触点，表面绝缘材料包括开口，并且衬底的导电触点在开口的底部处。
739.示例f48包括示例f47的主题，并且还包括：在衬底的导电触点上的焊料。
740.示例f49包括示例f47
‑
48中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点是衬底的第一导电触点，衬底的面是衬底的第一面，衬底还包括与衬底的第一面相对的衬底的第二面，并且衬底还包括在衬底的第二面处的第二导电触点。
741.示例f50包括示例f49的主题，并且还指定第二导电触点是第二级互连触点。
742.示例f51包括示例f31
‑
50中任一项的主题，并且还指定腔是锥形的，朝向腔的底部变窄。
743.示例f52包括示例f31
‑
51中任一项的主题，并且还包括：在腔的底部处的导电触点，其中桥部件的第二导电触点通过第二互连材料耦合到导电触点。
744.示例f53包括示例f52的主题，并且还指定导电触点是衬底的n
‑
1金属层的一部分。
745.示例f54包括示例f31
‑
53中任一项的主题，并且还指定腔延伸超过衬底的面处的表面绝缘材料。
746.示例f55包括示例f31
‑
54中任一项的主题，并且还指定腔的底部具有波状表面。
747.示例f56包括示例f55的主题，并且还指定波状部具有1微米和10微米之间的幅度。
748.示例f57包括示例f55的主题，并且还指定波状部具有小于1微米的幅度。
749.示例f58包括示例f31
‑
57中任一项的主题，并且还指定在衬底的面处的表面绝缘材料具有10微米和30微米之间的厚度。
750.示例f59包括示例f31
‑
58中任一项的主题，并且还指定桥部件包括半导体材料。
751.示例f60包括示例f31
‑
59中任一项的主题，并且还指定桥部件具有小于100微米的厚度。
752.示例f61包括示例f31
‑
60中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点的间距大于桥部件的导电触点的间距。
753.示例f62包括示例f31
‑
61中任一项的主题，并且还指定微电子部件是第一电子部件，并且微电子组件还包括：第二电子部件，其具有第一面和相对的第二面，第二电子部件
的第一面在第二电子部件的第二面与衬底之间，第二电子部件包括在第二电子部件的第一面处的导电触点，第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在衬底的面处的衬底的导电触点，并且第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在桥部件的第一面处的导电触点。
754.示例f63包括示例f31
‑
62中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括管芯。
755.示例f64包括示例f31
‑
63中任一项的主题，并且还包括：在微电子部件与衬底之间的填充化合物。
756.示例f65包括示例f64的主题，并且还指定填充化合物在微电子部件与桥部件之间延伸。
757.示例f66包括示例f31
‑
65中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括晶体管。
758.示例f67包括示例f31
‑
66中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括存储器装置。
759.示例f68包括示例f31
‑
67中任一项的主题，并且还指定微电子组件具有小于100平方毫米的占用面积。
760.示例f69包括示例f31
‑
68中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点包括表面处理，并且表面处理包括镍。
761.示例f70包括示例f69的主题，并且还指定表面处理进一步包括钯和金。
762.示例f71是一种电子装置，包括：电路板；以及导电地耦合到电路板的微电子组件，其中微电子组件包括：衬底；在衬底的面处的腔；在腔中的桥部件，其中桥部件的导电触点中的一些导电触点耦合到衬底的导电触点；以及微电子部件，其具有第一面和相对的第二面，微电子部件的第一面在微电子部件的第二面与衬底之间，微电子部件包括在微电子部件的第一面处的导电触点，微电子部件的导电触点中的一些导电触点耦合到衬底的导电触点，并且微电子部件的导电触点中的一些导电触点耦合到桥部件的导电触点；其中桥部件的导电触点中的一些通过第二互连材料耦合到衬底的导电触点，并且微电子部件的导电触点中的一些导电触点通过第一互连材料耦合到桥部件的导电触点。
763.示例f72包括示例f71的主题，并且还指定第一互连材料包括焊料。
764.示例f73包括示例f72的主题，并且还指定第一互连材料的焊料是第一焊料，第二互连材料包括第二焊料，并且第二焊料具有与第一焊料不同的材料成分。
765.示例f74包括示例f73的主题，并且还指定第一焊料具有与第二焊料不同的熔点。
766.示例f75包括示例f73
‑
74中任一项的主题，并且还指定第一焊料具有比第二焊料高的熔点。
767.示例f76包括示例f73
‑
75中任一项的主题，并且还指定第一焊料具有高于200摄氏度的熔点，而第二焊料具有低于200摄氏度的熔点。
768.示例f77包括示例f71
‑
76中任一项的主题，并且还包括：围绕第二互连材料的聚合物材料。
769.示例f78包括示例f71
‑
77中任一项的主题，并且还包括：在桥部件的第二面与腔之间的环氧树脂材料。
770.示例f79包括示例f78的主题，并且还指定环氧树脂材料包括环氧树脂焊剂点。
771.示例f80包括示例f78的主题，并且还指定环氧树脂材料包括环氧树脂焊剂膜。
772.示例f81包括示例f71
‑
72中任一项的主题，并且还指定第二互连材料包括导电粘合剂，并且导电粘合剂包括聚合物。
773.示例f82包括示例f71
‑
72中任一项的主题，并且还指定第二互连材料包括金属间化合物（imc）。
774.示例f83包括示例f82的主题，并且还指定imc包括高温焊料颗粒和低温焊料颗粒。
775.示例f84包括示例f71
‑
72中任一项的主题，并且还指定第二互连材料包括短暂液相烧结（tlps）材料。
776.示例f85包括示例f71
‑
72和84中任一项的主题，并且还指定第二互连材料包括聚合物、铜和锡。
777.示例f86包括示例f71
‑
85中任一项的主题，并且还指定衬底包括有机介电材料。
778.示例f87包括示例f71
‑
86中任一项的主题，并且还指定衬底包括在衬底的面处的导电触点，表面绝缘材料包括开口，并且衬底的导电触点在开口的底部处。
779.示例f88包括示例f87的主题，并且还包括：在衬底的导电触点上的焊料。
780.示例f89包括示例f87
‑
88中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点是衬底的第一导电触点，衬底的面是衬底的第一面，衬底还包括与衬底的第一面相对的衬底的第二面，并且衬底还包括在衬底的第二面处的第二导电触点。
781.示例f90包括示例f89的主题，并且还指定第二导电触点是第二级互连触点。
782.示例f91包括示例f71
‑
90中任一项的主题，并且还指定腔是锥形的，朝向腔的底部变窄。
783.示例f92包括示例f71
‑
91中任一项的主题，并且还包括：在腔的底部处的导电触点，其中桥部件的第二导电触点通过第二互连材料耦合到导电触点。
784.示例f93包括示例f92的主题，并且还指定导电触点是衬底的n
‑
1金属层的一部分。
785.示例f94包括示例f71
‑
93中任一项的主题，并且还指定腔延伸超过衬底的面处的表面绝缘材料。
786.示例f95包括示例f71
‑
94中任一项的主题，并且还指定腔的底部具有波状表面。
787.示例f96包括示例f95的主题，并且还指定波状部具有1微米和10微米之间的幅度。
788.示例f97包括示例f95的主题，并且还指定波状部具有小于1微米的幅度。
789.示例f98包括示例f71
‑
97中任一项的主题，并且还指定在衬底的面处的表面绝缘材料具有10微米和30微米之间的厚度。
790.示例f99包括示例f71
‑
98中任一项的主题，并且还指定桥部件包括半导体材料。
791.示例f100包括示例f71
‑
99中任一项的主题，并且还指定桥部件具有小于100微米的厚度。
792.示例f101包括示例f71
‑
100中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点的间距大于桥部件的导电触点的间距。
793.示例f102包括示例f71
‑
101中任一项的主题，并且还指定微电子部件是第一电子部件，并且微电子组件还包括：第二电子部件，其具有第一面和相对的第二面，第二电子部件的第一面在第二电子部件的第二面与衬底之间，第二电子部件包括在第二电子部件的第一面处的导电触点，第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在衬底的面处的衬底的导电触点，并且第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在桥
部件的第一面处的导电触点。
794.示例f103包括示例f71
‑
102中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括管芯。
795.示例f104包括示例f71
‑
103中任一项的主题，并且还包括：在微电子部件与衬底之间的填充化合物。
796.示例f105包括示例f104的主题，并且还指定填充化合物在微电子部件与桥部件之间延伸。
797.示例f106包括示例f71
‑
105中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括晶体管。
798.示例f107包括示例f71
‑
106中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括存储器装置。
799.示例f108包括示例f71
‑
107中任一项的主题，并且还指定微电子组件具有小于100平方毫米的占用面积。
800.示例f109包括示例f71
‑
108中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点包括表面处理，并且表面处理包括镍。
801.示例f110包括示例f109的主题，并且还指定表面处理进一步包括钯和金。
802.示例f111包括示例f71
‑
110中任一项的主题，并且还指定电子装置是手持式计算装置、膝上型计算装置、可穿戴计算装置或服务器计算装置。
803.示例f112包括示例f71
‑
111中任一项的主题，并且还指定电路板是母板。
804.示例f113包括示例f71
‑
112中任一项的主题，并且还包括：通信地耦合到电路板的显示器。
805.示例f114包括示例f113的主题，并且还指定显示器包括触摸屏显示器。
806.示例f115包括示例f71
‑
114中任一项的主题，并且还包括：围绕电路板和微电子组件的壳体。
807.示例g1是一种微电子结构，包括：衬底；在衬底中的腔，其中衬底中的第一金属层的金属和衬底中的第二金属层的金属暴露在腔中；以及在腔中的桥部件，其中桥部件包括第一面和相对的第二面，桥部件的第二面在桥部件的第一面与衬底之间，桥部件包括在桥部件的第一面处的导电触点，桥部件包括在桥部件的第二面处的第二导电触点，第二导电触点电耦合到第一金属层的金属或第一金属层，并且第一金属层的一部分在桥部件与第二金属层之间。
808.示例g2包括示例g1的主题，并且还指定第二导电触点电耦合到第一金属层的金属。
809.示例g3包括示例g2的主题，并且还指定第一金属层和第二金属层的金属一起提供腔的底部。
810.示例g4包括示例g2的主题，并且还指定衬底还包括第三金属层，第二金属层的一部分在桥部件与第三金属层之间，并且第一金属层、第二金属层和第三金属层的金属一起提供腔的底部。
811.示例g5包括示例g1的主题，并且还指定第二导电触点电耦合到第二金属层的金属。
812.示例g6包括示例g5的主题，并且还指定第一金属层和第二金属层的金属一起提供腔的底部。
813.示例g7包括示例g1
‑
6中任一项的主题，并且还指定衬底包括有机介电材料。
814.示例g8包括示例g1
‑
7中任一项的主题，并且还指定衬底包括在衬底的面处的导电触点，表面绝缘材料在衬底的面处，表面绝缘材料包括开口，并且衬底的导电触点在开口的底部处。
815.示例g9包括示例g8的主题，并且还包括：在衬底的导电触点上的焊料。
816.示例g10包括示例g8
‑
9中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点是衬底的第一导电触点，衬底的面是衬底的第一面，衬底还包括与衬底的第一面相对的衬底的第二面，并且衬底还包括在衬底的第二面处的第二导电触点。
817.示例g11包括示例g10的主题，并且还指定第二导电触点是第二级互连触点。
818.示例g12包括示例g1
‑
11中任一项的主题，并且还指定腔是锥形的，朝向腔的底部变窄。
819.示例g13包括示例g1
‑
12中任一项的主题，并且还指定腔的底部具有波状表面。
820.示例g14包括示例g13的主题，并且还指定波状部具有1微米和10微米之间的幅度。
821.示例g15包括示例g13的主题，并且还指定波状部具有小于1微米的幅度。
822.示例g16包括示例g1
‑
15中任一项的主题，并且还指定表面绝缘材料在衬底的面处，并且表面绝缘材料具有10微米和30微米之间的厚度。
823.示例g17包括示例g1
‑
16中任一项的主题，并且还指定桥部件包括半导体材料。
824.示例g18包括示例g1
‑
17中任一项的主题，并且还指定桥部件具有小于100微米的厚度。
825.示例g19是一种微电子结构，包括：衬底；在衬底中的腔，腔的底部包括介电材料和金属；以及在腔中的桥部件，其中桥部件包括第一面和相对的第二面，桥部件的第二面在桥部件的第一面与衬底之间，桥部件包括在桥部件的第一面处的导电触点，桥部件包括在桥部件的第二面处的第二导电触点，第二导电触点电耦合到在腔的底部处的金属。
826.示例g20包括示例g19的主题，并且还指定在腔的底部处的金属的顶表面与在腔的底部处的介电材料的顶表面共面。
827.示例g21包括示例g20的主题，并且还指定衬底包括在腔的底部的周界处的金属环。
828.示例g22包括示例g21的主题，并且还指定金属环与在腔的底部处的金属共面。
829.示例g23包括示例g19的主题，并且还指定在腔的底部处的金属的顶表面与在腔的底部处的介电材料的顶表面不共面。
830.示例g24包括示例g23的主题，并且还指定在腔的底部处的金属的底表面与在腔的底部处的介电材料的顶表面共面。
831.示例g25包括示例g19
‑
24中任一项的主题，并且还指定第二导电触点通过焊料电耦合到在腔的底部处的金属。
832.示例g26包括示例g19
‑
25中任一项的主题，并且还指定衬底包括有机介电材料。
833.示例g27包括示例g19
‑
26中任一项的主题，并且还指定衬底包括在衬底的面处的导电触点，表面绝缘材料包括开口，并且衬底的导电触点在开口的底部处。
834.示例g28包括示例g27的主题，并且还包括：在衬底的导电触点上的焊料。
835.示例g29包括示例g27
‑
28中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点是衬底的
第一导电触点，衬底的面是衬底的第一面，衬底还包括与衬底的第一面相对的衬底的第二面，并且衬底还包括在衬底的第二面处的第二导电触点。
836.示例g30包括示例g29的主题，并且还指定第二导电触点是第二级互连触点。
837.示例g31包括示例g19
‑
30中任一项的主题，并且还指定腔是锥形的，朝向腔的底部变窄。
838.示例g32包括示例g19
‑
31中任一项的主题，并且还指定腔的底部具有波状表面。
839.示例g33包括示例g32的主题，并且还指定波状部具有1微米和10微米之间的幅度。
840.示例g34包括示例g32的主题，并且还指定波状部具有小于1微米的幅度。
841.示例g35包括示例g19
‑
34中任一项的主题，并且还指定表面绝缘材料具有10微米和30微米之间的厚度。
842.示例g36包括示例g19
‑
35中任一项的主题，并且还指定桥部件包括半导体材料。
843.示例g37包括示例g19
‑
36中任一项的主题，并且还指定桥部件具有小于100微米的厚度。
844.示例g38是一种微电子组件，包括：衬底；根据示例g1
‑
37中任一项的微电子结构，其包括在衬底的腔中的桥部件；以及微电子部件，其具有第一面和相对的第二面，微电子部件的第一面在微电子部件的第二面与衬底之间，微电子部件包括在微电子部件的第一面处的导电触点，微电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在衬底的面处的衬底的导电触点，并且微电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在桥部件的第一面处的导电触点。
845.示例g39包括示例g38的主题，并且还指定衬底的导电触点的间距大于桥部件的导电触点的间距。
846.示例g40包括示例g38
‑
39中任一项的主题，并且还指定微电子部件是第一电子部件，并且微电子组件还包括：第二电子部件，其具有第一面和相对的第二面，第二电子部件的第一面在第二电子部件的第二面与衬底之间，第二电子部件包括在第二电子部件的第一面处的导电触点，第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在衬底的面处的衬底的导电触点，并且第二电子部件的导电触点中的一些导电触点导电地耦合到在桥部件的第一面处的导电触点。
847.示例g41包括示例g38
‑
40中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括管芯。
848.示例g42包括示例g38
‑
41中任一项的主题，并且还包括：在微电子部件与衬底之间的填充化合物。
849.示例g43包括示例g42的主题，并且还指定填充化合物在微电子部件与桥部件之间延伸。
850.示例g44包括示例g38
‑
43中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括晶体管。
851.示例g45包括示例g38
‑
44中任一项的主题，并且还指定微电子部件包括存储器装置。
852.示例g46包括示例g38
‑
45中任一项的主题，并且还指定微电子组件具有小于100平方毫米的占用面积。
853.示例g47包括示例g38
‑
46中任一项的主题，并且还指定衬底的导电触点包括表面处理，并且表面处理包括镍。
854.示例g48包括示例g47的主题，并且还指定表面处理进一步包括钯和金。
855.示例g49包括示例g38
‑
48中任一项的主题，并且还指定衬底包括腔上方的一个或多个金属层。
856.示例g50包括示例g38
‑
49中任一项的主题，并且还指定桥部件被嵌入在衬底中。
857.示例g51是一种电子装置，包括：电路板；以及根据示例g38
‑
48中任一项的微电子组件中的任一个的微电子组件，其导电地耦合到电路板。
858.示例g52包括示例g51的主题，并且还指定电子装置是手持式计算装置、膝上型计算装置、可穿戴计算装置或服务器计算装置。
859.示例g53包括示例g51
‑
52中任一项的主题，并且还指定电路板是母板。
860.示例g54包括示例g51
‑
53中任一项的主题，并且还包括：通信地耦合到电路板的显示器。
861.示例g55包括示例g54的主题，并且还指定显示包括触摸屏显示器。
862.示例g56包括示例g51
‑
55中任一项的主题，并且还包括：围绕电路板和微电子组件的壳体。