混合型薄膜晶体管集成的电子器件及相应的制造方法与流程

技术特征：
1.一种硅基薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管集成的电子器件，所述电子器件包括基板、堆叠导体层、硅基薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，其中，所述堆叠导体层、所述硅基薄膜晶体管和所述金属氧化物薄膜晶体管设置在所述基板上；所述堆叠导体层包括堆叠布置的第一导体层和第二导体层；所述硅基薄膜晶体管至少包括第一栅极和第一半导体层，其中，所述第一半导体层至少包括第一源极接触面和第一漏极接触面；所述金属氧化物薄膜晶体管至少包括第二栅极和第二半导体层，其中，所述第二半导体层至少包括第二源极接触面和第二漏极接触面；所述第一导体层和所述第二导体层中的一个导体层连接到所述硅基薄膜晶体管的所述第一半导体层的所述第一源极接触面和所述第一漏极接触面，以及所述第一导体层和第二导体层中的另一个导体层连接到所述金属氧化物薄膜晶体管的所述第二半导体层的所述第二源极接触面和所述第二漏极接触面。2.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述第一导体层和所述第二导体层通过接触通孔或者直接与相应的所述硅基薄膜晶体管或者所述金属氧化物薄膜晶体管的相应半导体层的源极接触面和漏极接触面连接。3.根据权利要求1所述的电子器件，所述电子器件还包括：缓冲层，所述缓冲层设置在所述基板的上方且设置在至少所述第一半导体层的下方；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在至少所述第一半导体层的上方且设置在至少所述第一栅极的下方；以及层间电介质层，所述层间电介质层的至少一部分设置在所述第一栅极和所述第二栅极的上方，并且所述层间电介质层位于所述第一导体层的下方。4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子器件，其中，所述硅基薄膜晶体管是顶栅结构的薄膜晶体管，所述金属氧化物薄膜晶体管是底栅结构或顶栅结构的薄膜晶体管，并且对于所述底栅结构的金属氧化物薄膜晶体管，在所述金属氧化物薄膜晶体管的所述第二半导体层的上方设置有刻蚀阻挡层。5.根据权利要求1至3中任一项所述的电子器件，其中，所述金属氧化物薄膜晶体管的所述第二半导体层的半导体材料选自铟镓锌氧化物(igzo)、氧化锌(zno)、铟锌氧化物(izo)、镓锌氧化物(gzo)、氧化锌锡(zto)、氧化铟锡锌(itzo)、氧化铟锡(ito)或者其任意组合。6.根据权利要求1至3中任一项所述的电子器件，所述堆叠导体层的导电材料选自金属、金属氧化物、硅化物或者其任意组合，其中，所述金属选自钼(mo)、铝(al)、钨(w)、钯(pd)、铂(pt)、钛(ti)、铜(cu)、银(ag)、金(au)、钨钛(tiw)、铬(cr)或者其任意组合；所述金属氧化物选自氧化铟锡(ito)、铟锌氧化物(izo)、氧化镍(nio)、偏铝酸铜(cualo2)或者其任意组合；和/或所述硅化物选自硅化镍、硅化钛、硅化钨、硅化钼或者其任意组合。7.一种制造硅基薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管集成的电子器件的方法，所述方法包括：
提供基板；在所述基板上分别图案化形成硅基薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管的栅极和半导体层，其中，所述半导体层具有源极接触面和漏极接触面；在所述硅基薄膜晶体管和所述金属氧化物薄膜晶体管的栅极和半导体层的上方形成层间电介质层；图案化至少所述层间电介质层，以暴露出所述硅基薄膜晶体管和所述金属氧化物薄膜晶体管中的一薄膜晶体管的半导体层的源极接触面和漏极接触面；在层间电介质层的上方沉积导电材料以形成第一导体层，所述第一导体层与所暴露的所述一薄膜晶体管的半导体层的源极接触面和漏极接触面连接；图案化至少所述第一导体层，以暴露出所述硅基薄膜晶体管和所述金属氧化物薄膜晶体管中的另一薄膜晶体管的半导体层的源极接触面和漏极接触面；在第一导体层的上方沉积导电材料以形成第二导体层，所述第二导体层与所暴露的所述另一薄膜晶体管的半导体层的源极接触面和漏极接触面连接；以及图案化第一导体层和第二导体层，分别形成所述硅基薄膜晶体管和所述金属氧化物薄膜晶体管的源极和漏极。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一导体层和所述第二导体层中的任一个或者二者通过接触通孔或者直接与相应的所述硅基薄膜晶体管或者所述金属氧化物薄膜晶体管的相应半导体层的源极接触面和漏极接触面连接，所述接触通孔是在图案化至少所述层间电介质层或者图案化至少所述第一导体层以暴露出相应薄膜晶体管的半导体层的源极接触面和漏极接触面期间形成的。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述方法还包括在形成所述接触通孔之后，对所述接触通孔进行化学处理。10.根据权利要求7至9中任一项所述的方法，其中，所述硅基薄膜晶体管是顶栅结构的薄膜晶体管，所述金属氧化物薄膜晶体管是底栅结构或顶栅结构的薄膜晶体管，其中对于所述底栅结构的金属氧化物薄膜晶体管，在所述金属氧化物薄膜晶体管的半导体层的上方设置有刻蚀阻挡层。

技术总结
提供一种硅基薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管集成的电子器件及制造方法。电子器件包括基板、堆叠导体层、设置在基板上的硅基薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管。硅基薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管各包括栅极、源极、漏极和半导体层，半导体层包括源极接触面和漏极接触面。两种薄膜晶体管的源极和漏极分别由堆叠布置的第一导体层和第二导体层形成。第一导体层和第二导体层分别与两种类型的薄膜晶体管的半导体层的源极接触面和漏极接触面接触。利用本发明，可以解决半导体表面处理和电极材料选择的问题，并且适用于具有保护性蚀刻阻挡层的金属氧化物薄膜晶体管结构，从而实现更便捷、更低成本的混合型TFT的单片集成。更低成本的混合型TFT的单片集成。更低成本的混合型TFT的单片集成。


技术研发人员：王思思 王文 李佳鹏 夏之荷 陆磊 郭海成
受保护的技术使用者：香港科技大学
技术研发日：2020.12.03
技术公布日：2021/12/16