基板处理装置、用于测量升降销之间高度差的方法及存储有处理程序的计算机可读记录介质与流程

1.在此记载的本发明构思的实施方式涉及一种用于处理基板的装置、一种用于测量升降销之间的高度差的方法以及一种其中存储有用于执行该方法的处理程序的计算机可读记录介质。


背景技术：

2.在升降销组装之后，通过使用夹具将升降销的高度设定在距晶片支撑单元(例如，静电卡盘(ecs))的顶侧的目标高度。目前还没有提出用于在升降销的高度设定后另外测量升降销之间的高度差的方法。
3.通过使用夹具设定升降销的高度。因此，即使在夹具本身或高度设定步骤中存在误差，也无法在组装处理腔室(pm)之后识别升降销之间高度差的出现或不出现。


技术实现要素：

4.本发明构思的实施方式提供：一种基板处理装置，其用于即使在处理腔室(pm)完全组装之后，也可以识别升降销之间出现或不出现高度差；一种使用该基板处理装置的升降销高度差测量方法；以及一种其中存储有用于执行该方法的处理程序的计算机可读记录介质。
5.本发明构思的实施方式提供：一种基板处理装置，其用于通过使用晶片的中心位置坐标信息(例如，通过自动晶片定中心(awc)功能收集的数据)以简单的方式识别升降销之间出现或不出现高度差；一种使用该基板处理装置的升降销高度差测量方法；以及一种其中存储有用于执行该方法的处理程序的计算机可读记录介质。
6.本发明构思的实施方式提供：一种用于以简单的方式评价升降销的组装并识别在高度设定方面存在问题的升降销的基板处理装置；一种使用该基板处理装置的升降销高度差测量方法；以及一种其中存储有用于执行该方法的处理程序的计算机可读记录介质。
7.本发明构思的实施方式提供：一种基板处理装置，其用于在组装处理腔室之后识别在升降销组装和处理腔室组装之间可能发生的人为和环境误差的出现或不出现；一种使用该基板处理装置的升降销高度差测量方法；以及一种其中存储有用于执行该方法的处理程序的计算机可读记录介质。
8.本发明构思的实施方式提供：一种基板处理装置，其用于在装置操作期间识别升降销之间的高度差的出现或未出现并通过确定升降销的故障来降低腔室释放频率；一种使用该基板处理装置的升降销高度差测量方法；以及一种其中存储有用于执行该方法的处理程序的计算机可读记录介质。
9.本发明构思要解决的技术问题不限于上述问题，并且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
10.根据一个实施方式，一种用于处理基板的装置包括：腔室，所述腔室提供处理空
间，在所述处理空间中处理所述基板；支撑单元，所述支撑单元设置在所述处理空间中并支撑所述基板，所述支撑单元包括多个升降销，所述多个升降销向上或向下移动以定位所述基板；传送机械手，所述传送机械手将所述基板装载到所述处理空间中或从所述处理空间卸载所述基板；位置测量传感器，所述位置测量传感器测量第一中心位置以及第二中心位置，所述第一中心位置是在传送机械手将所述基板装载到所述支撑单元上之前测量的所述基板的中心相对于参考位置的位置，所述第二中心位置是在所述传送机械手拾取从所述支撑单元卸载的所述基板之后测量的所述基板的中心相对于所述参考位置的位置；和处理器，所述处理器由所述第一中心位置和所述第二中心位置之间的向量差推导出所述多个升降销中的至少一个和其他升降销之间的高度差。
11.在一个实施方式中，位置测量传感器可以是自动晶片定中心(awc)传感器，其安装在所述腔室的开口的顶部或底部并测量穿过所述腔室的所述开口的所述基板的位置。
12.在一个实施方式中，所述第一中心位置和所述第二中心位置中的每一个可以包括x坐标和y坐标。
13.在一个实施方式中，所述多个升降销可以联接至支撑板，并且所述支撑板可以连接至致动器，所述致动器提供驱动力以沿上/下方向升高和降低支撑板。
14.在一个实施方式中，所述装置可以执行多次将所述基板装载到所述支撑单元上以及从所述支撑单元卸载所述基板的操作；可以响应于多次将所述基板装载到所述支撑单元上而多次测量所述第一中心位置；可以响应于多次从所述支撑单元卸载所述基板而多次测量所述第二中心位置；并可以由多次测量的所述第一中心位置的平均值与多次测量的所述第二中心位置的平均值之间的向量差推导出所述多个升降销中的至少一个与其他升降销之间的高度差。
15.在一个实施方式中，在基板被装载到所述支撑单元上的情况下，在测量所述第一中心位置之后测量所述第二中心位置之前，所述装置可以多次升高和降低所述多个升降销。
16.在一个实施方式中，多个升降销可以包括相对于所述支撑单元的中心以120度的角度彼此周向间隔开的三个升降销。
17.在一个实施方式中，所述基板可以由于所述多个升降销中的至少一个与其他升降销之间的高度差而滑动，所述基板的滑动方向可以与所述多个升降销之中处于较高位置的升降销所在的方向相反，并且所述第一中心位置与所述第二中心位置的所述向量差可以对应于所述基板的所述滑动方向，并可以用于推导出所述多个升降销之中处于所述较高位置的所述升降销。
18.在一个实施方式中，当推导出所述多个升降销之中的至少一个与其他升降销之间的高度差时，可以在所述装置外部提供警报。
19.根据一个实施方式，一种用于测量升降销之间的高度差的方法包括：接收第一中心位置，所述第一中心位置是在传送机械手将基板装载到设置在处理腔室中的支撑单元上之前测量的所述基板的中心相对于参考位置的位置，所述支撑单元包括多个升降销；接收第二中心位置，所述第二中心位置是在所述传送机械手拾取从所述支撑单元卸载的所述基板之后测量的所述基板的中心相对于所述参考位置的位置；和由所述第一中心位置和所述第二中心位置之间的向量差推导出多个升降销中的至少一个与其他升降销之间的高度差。
20.在一个实施方式中，所述第一中心位置和所述第二中心位置可以通过自动晶片定中心(awc)传感器获得，所述自动晶片定中心(awc)传感器测量穿过处理腔室的开口的所述基板的位置。
21.在一个实施方式中，所述第一中心位置可以被定义为x
‑
y坐标(x
放置
，y
放置
)，所述第二中心位置可以被定义为x
‑
y坐标(x
拾取
，y
拾取
)，并且所述第一中心位置和所述第二中心位置之间的所述向量差可以由(x
拾取
‑
x
放置
，y
拾取
‑
y
放置
)定义。
22.在一个实施方式中，所述多个升降销可以由一个致动器同时升高和降低。
23.在一个实施方式中，可以执行多次将所述基板装载到所述支撑单元上以及从所述支撑单元卸载所述基板的操作。可以响应于多次将所述基板装载到所述支撑单元上而多次测量所述第一中心位置，并且可以响应于多次从所述支撑单元卸载所述基板而多次测量所述第二中心位置。可以根据多次测量的所述第一中心位置的平均值与多次测量的所述第二中心位置的平均值之间的向量差推导出所述多个升降销中的至少一个与其他升降销之间的高度差。
24.在一个实施方式中，可以执行多次将所述基板装载到所述支撑单元上以及从所述支撑单元卸载所述基板的操作。可以响应于多次将所述基板装载到所述支撑单元上而多次测量所述第一中心位置，并可以响应于多次从所述支撑单元卸载所述基板而多次测量所述第二中心位置。可以将包括在多次测量的所述第一中心位置和多次测量的所述第二中心位置之中的预定范围内的值选择为有效数据。所述多个升降销中的至少一个与其他升降销之间的高度差可以是由所述有效数据中包括的所述第一中心位置的平均值与在所述有效数据中包括的所述第二中心位置的平均值之间的向量差而推导出的。
25.在一个实施方式中，在基板被装载到所述支撑单元上的情况下，在测量所述第一中心位置之后测量所述第二中心位置之前，可以多次升高和降低所述多个升降销。
26.在一个实施方式中，所述多个升降销可以包括相对于所述支撑单元的中心以120度的角度彼此周向间隔开的三个升降销。由于所述三个升降销中的至少一个与其他升降销之间的高度差异，基板可以滑动，并且在所述第一中心位置和所述第二中心位置之间可以出现差异。在所述第一中心位置和所述第二中心位置的所述向量差的分量之中，可以将所述三个升降销之中位于最低位置的升降销引起的向量值定义为0。
27.在一个实施方式中，所述基板可以由于所述多个升降销中的至少一个与其他升降销之间的高度差而滑动。所述基板的滑动方向可以与所述多个升降销之中处于较高位置的升降销所在的方向相反。所述第一中心位置与所述第二中心位置之间的所述向量差可以对应于所述基板的所述滑动方向，并可以用于推导出所述多个升降销之中处于所述较高位置的所述升降销。
28.在一个实施方式中，当推导出所述多个升降销之中的至少一个与其他升降销之间的高度差时，可以在基板处理装置外部提供警报。
29.根据一个实施方式，提供一种计算机可读记录介质，其中存储有用于执行用于测量升降销之间的高度差的方法的处理程序。
附图说明
30.通过参考以下附图的以下描述，以上和其他目的和特征将变得显而易见，其中，除
非另有说明，否则相同的附图标记贯穿各个附图中指代相同的部分，并且其中：
31.图1是示出根据本发明构思的一个实施方式的晶片处理设备的示意性平面图；
32.图2是示出根据本发明构思的一个实施方式的晶片处理设备中的处理腔室和传送机械手之间的关系的示意图；
33.图3是根据一个实施方式的图1的处理腔室的示意性截面图；
34.图4是图3的升降销组件的透视图；
35.图5和图6是依次示出将晶片装载到支撑单元上的过程的视图。
36.图7是示出图3的升降销组件中升降销之间的高度差的一个示例的截面图；
37.图8示出了在将晶片装载到处理腔室的支撑单元上之前通过awc功能收集的晶片的中心位置p1和中心位置p1的坐标；
38.图9示出了将晶片从处理腔室的支撑单元卸载后通过awc功能收集的晶片的中心位置p2和中心位置p2的坐标；
39.图10示出了图9中示出的中心位置p2的坐标与图8中示出的中心位置p1的坐标之间的向量差；
40.图11、图12和图13图示出根据本发明构思的一个实施方式的用于计算升降销之间的高度差的方法；和
41.图14a和图14b示出了示出根据本发明构思的一个实施方式的用于测量升降销之间的高度差的装置的操作算法的流程图。
具体实施方式
42.在下文中，将参考附图更详细地描述本发明构思的实施方式。然而，本发明构思可以以不同的形式实施并且不应被解释为限于本文阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本发明构思将是彻底和完整的，并且向本领域技术人员充分传达本发明构思的范围。在附图中，为了说明清楚，将部件的尺寸夸大。
43.图1是示出根据本发明构思的一个实施方式的晶片处理设备的示意性平面图。下面将参考图1描述根据本发明构思的一个实施方式的晶片处理设备1。晶片处理设备1包括转位模块10、装载模块30和处理模块20。
44.转位模块10包括装载端口12和传送框架14。装载端口12和传送框架14依次设置成一行。在下文中，将转位模块10、装载模块30和处理模块20的设置方向称为第一方向y，将当俯视时垂直于第一方向y的方向称为第二方向y，并将垂直于包括第一方向y和第二方向x的平面的方向称为第三方向z。
45.其中接纳多个晶片w的载体18放置在装载端口12上。可以提供多个装载端口12。装载端口12可沿第二方向x布置成一行。图1示出了转位模块10包括三个装载端口12的一个示例。然而，装载端口12的数量可以根据诸如处理模块20的处理效率和占空的条件而增加或减少。在载体18中形成有支撑晶片w的边缘的多个插槽(未示出)。多个插槽沿第三方向z设置，并且晶片w位于载体18中以沿第三方向z在其间具有间隔间隙地彼此上下堆叠。正面开口标准箱(foup)可以用作载体18。传送框架14在位于装载端口12上的载体18和装载模块30之间传送晶片w。在传送框架14中设置有转位轨道14a和转位机械手15。转位轨道14a布置成使得其长度方向平行于第二方向x。转位机械手15设置在转位轨道14a上并且沿第二方向x
沿着转位轨道14a直线移动。转位机械手15包括基部15a、主体15b和转位臂15c。基部15a可沿着转位轨道14a移动。主体15b联接至基部15a。主体15b可沿第三方向z在基部15a上移动。此外，主体15b可在基部15a上旋转。转位臂15c连接至主体15b并且可相对于主体15b向前和向后移动。可以提供多个转位臂15c。转位臂15c可以被单独驱动。转位臂15c沿第三方向z在其间具有间隔间隙地彼此上下堆叠。转位臂15c中的一些可以用于将晶片w从处理模块20传送到载体18，并且其他转位臂15c可以用于将晶片w从载体18传送到处理模块20。因此，在转位机械手15在载体18和处理模块20之间传送晶片w的过程中，可以防止从待处理的晶片w产生的颗粒粘附到处理过的晶片w上。装载模块30设置在传送框架14和传送室21b之间。装载模块30提供在传送室21b和传送框架14之间传送晶片w之前供晶片w停留的空间。装载模块30包括装载锁定室32和卸载锁定室34。装载锁定室32和卸载锁定室34被提供为使得其内部能够在真空气氛和大气气氛之间切换。装载锁定室32提供用于供要从转位模块10传送到处理模块20的晶片w暂时停留的空间。当晶片w被放置在装载锁定室32中时，装载锁定室32的内部空间与转位模块10和处理模块20隔绝。此后，装载锁定室32的内部空间被从大气气氛切换到真空气氛，并且装载锁定室32在与转位模块10隔绝的状态下通向处理模块20。
46.卸载锁定室34提供用于供要从处理模块20传送到转位模块10的晶片w暂时停留的空间。当晶片w被放置在卸载锁定室34中时，卸载锁定室34的内部空间与转位模块10和处理模块20隔绝。此后，卸载锁定室34的内部空间被从真空气氛切换到大气气氛，并且卸载锁定室34在与处理模块20隔绝的状态下通向转位模块10。
47.处理模块20包括传送室21b和多个处理腔室26。
48.传送室21b在装载锁定室32、卸载锁定室34和多个处理腔室26之间传送晶片w。传送室21b当俯视时可以具有六边形形状。选择性地，传送室21b可以具有矩形或五边形形状。装载锁定室32、卸载锁定室34和多个处理腔室26位于传送室21b周围。在传送室21b中设置有传送机械手21a。传送机械手21a可以位于传送室21b的中心。
49.图2是示出根据本发明构思的一个实施方式的晶片处理设备1中的处理腔室26和传送机械手21a之间的关系的示意图。参考图2，晶片处理设备1(参考图1)包括例如使用等离子体进行蚀刻工序的处理腔室26，将晶片w供应到处理腔室26的传送机械手21a，控制传送机械手21a的操作的控制器400，以及在控制器400的控制下使传送机械手21a向左、向右、向前、向后、向上和向下移动并且使传送机械手21a旋转的致动器500。传送机械手21a包括臂211和端部执行器212。传送机械手21a通过处理腔室26的入口/出口开口202将晶片w传送到支撑单元220上。晶片w可以以水平状态安置在端部执行器212上。
50.在处理腔室26的入口/出口开口202中可以安装有位置测量传感器205。位置测量传感器205可以安装在入口/出口开口202的顶部或底部，或者可以安装在入口/出口开口202的顶部和底部。位置测量传感器205测量通过入口/出口开口202的晶片w的位置。位置测量传感器205测量通过入口/出口开口202从传送模块21传送到处理腔室26或从处理腔室26传送到传送模块21的晶片w的位置。具体而言，位置测量传感器205测量通过入口/出口开口202的晶片w的中心的坐标。在一个实施方式中，位置测量传感器205可以用自动晶片定中心(awc)传感器来实现。多个awc传感器可以优选地安装为关于入口/出口开口202的竖直中心线m对称。关于awc传感器和使用awc传感器获取晶片中心的坐标，可以参考韩国专利no.10
‑
1408164和韩国专利公开no.10
‑
2020
‑
0010744。
51.位置测量传感器205可以与其中存储有程序的非暂时性计算机可读介质交换数据，用于顺序地执行下面将参考图8至图14描述的基板处理方法。计算机可读介质可以包括处理器600和存储器700。处理器600可以根据将在下面描述的第一中心位置和第二中心位置之间的向量差得出多个升降销中的至少一个与其他升降销之间的高度差。
52.根据由位置测量传感器205测量的晶片w的位置信息，控制器400可以控制端部执行器212的操作，使得晶片w位于处理腔室26的支撑单元220的安置部分的中心。
53.图3是根据一个实施方式的图1的处理腔室26的示意性截面图。根据一个实施方式，处理腔室26可以对晶片w执行蚀刻工序。参考图3，处理腔室26包括壳体200、支撑单元220、气体供应构件240、喷头260和升降销组件300。壳体200具有容器形状，其具有在其中执行工序的内部空间。壳体200在其侧壁中具有入口/出口开口202，晶片w通过该入口/出口开口202进入和离开壳体200。开口202由门280打开和关闭。门280通过致动器282例如液压/气动缸和向下滑动。用于排出在工序期间产生的副产物的排气管292连接至壳体200的下壁。泵294和阀292a与排气管292成一直线布置。泵294在执行工序时将壳体内的压力保持在工序压力，并且阀292a打开和关闭排气管292中的通道。
54.支撑单元220在执行工序时支撑晶片w。支撑单元220具有大致圆柱形的形状。支撑单元220的上表面具有比晶片w小的尺寸。例如，支撑单元220的上表面的直径小于晶片w的直径。支撑单元220可以通过真空压力、静电力或机械夹紧来固定晶片w。此外，支撑单元220的上表面可以形成为平坦的，或者可以具有与晶片w的背面接触的微突起。气体供应构件240将工艺气体供应到壳体200中。工艺气体可以蚀刻晶片w上的膜。可以以等离子体状态供应工艺气体。气体供应构件240包括气体供应管242和等离子体发生器246。气体供应管242连接气体供应源244和壳体200。阀242a与气体供应管242成一直线布置以打开和关闭气体供应管242中的通道。等离子体发生器246与气体供应管242成一直线布置并且从工艺气体产生等离子体。或者，等离子体发生器246可以安装在壳体200的顶部。可以使用含氟化合物作为工艺气体。
55.喷头260将引入到壳体200中的工艺气体均匀地分配到晶片w。在壳体200内，喷头260位于比支撑单元220更高的位置以面向支撑单元220。喷头260具有环形侧壁262和圆形分配板264。喷头260的侧壁262固接到壳体200以从壳体200的上壁向下突出。分配板264固定联接至侧壁262的下端。在分配板264的整个区域中可以形成多个分配孔264a。工艺气体被引入到由壳体200和喷头260形成的空间266中，然后通过分配孔264a被分配到晶片w上。升降销组件300将晶片w装载到支撑单元220上，或将晶片w从支撑单元220卸载。图4是升降销组件300的透视图。参考图3和图4，升降销组件300包括升降销320、支撑板340和致动器360。在一个实施方式中，提供了三个升降销320，包括第一升降销320a、第二升降销320b和第三升降销320c。升降销320固定到支撑板340并与支撑板340一起移动。支撑板340具有圆板形状。在壳体200内部，支撑板340位于支撑单元220下方。或者，支撑板340位于壳体200外部。支撑板340通过致动器360例如液压/气动缸或电极升高或降低。当俯视时，升降销320定位成对应于等边三角形的顶点。支撑单元220具有沿上/下方向穿过支撑单元220的竖直形成的通孔。升降销320插入相应通孔中并且通过通孔升高和降低。升降销320呈长杆状，升降销320的上端呈向上凸出的形状。
56.图5和图6是依次示出将晶片装载到支撑单元上的过程的视图。下面将参考图5和
图6描述将晶片w装载到支撑单元220上的过程。如图5所示，为了晶片w进入壳体200，门280打开入口/出口开口202。保持晶片w的端部执行器212通过打开的入口/出口开口202进入壳体200。此时，升降销320升高以接收晶片w。当晶片w由升降销320支撑时，端部执行器212向后移动，并且入口/出口开口202被门280关闭。参考图6，支撑晶片w的升降销320降低以将晶片w放置在支撑单元220的支撑表面上。
57.从支撑单元220卸载晶片w的过程以与将晶片w装载到支撑单元220上的顺序相反的顺序执行。
58.图7是示出图3的升降销组件300中升降销320之间的高度差的一个示例的截面图。如图7所示，升降销320之间可能存在高度差。升降销320之间的高度差可能出现在组装升降销组件300或将升降销组件300联接至处理腔室26的过程中，或者可能由于升降销组件300的意外变形而出现。根据本发明构思的一个实施方式，可以确定升降销320之间是否出现高度差，并且可以检测升降销320中的哪个较高或较低。
59.下面将参考图8和图13描述根据本发明构思的一个实施方式的用于测量升降销之间的高度差的方法。图8示出了在晶片w被装载到处理腔室26的支撑单元220上之前，处理器600通过awc功能获得的晶片w的第一中心位置p1和第一中心位置p1的坐标(x
放置
，y
放置
)。图9示出了晶片w被从处理腔室26的支撑单元220卸载并被传送机械手21a拾取后，处理器600通过awc功能获得的晶片w的第二中心位置p2和第二中心位置p2的坐标(x
拾取
，y
拾取
)。第一中心位置p1和第二中心位置p2是相对于参考位置o的坐标。参考位置o可以是用于计算坐标的虚拟位置并且可以是位于支撑单元220的安置部分的中心的位置。同时，应该注意的是，在图8和图9中所指的x
‑
y坐标轴可以与图1和图2所指的坐标轴不同，并且是用于描述目的的新坐标轴。
60.可能存在关于第一中心位置p1和第二中心位置p2之间的差异的多种原因。例如，当晶片w由于升降销320之间的高度差而向下滑动时，可能会出现差异。换句话说，当三个升降销320中的至少一个与其他升降销之间存在高度差时，当升降销320上下移动时，晶片w会沿倾斜方向滑动。晶片w的滑动运动量随着高度差的增加而增加。
61.图10图示了图9中示出的第二中心位置p2的坐标(x
拾取
，y
拾取
)和图8中示出的第一中心位置p1的坐标(x
放置
，y
放置
)之间的向量差。图10中示出的箭头是[第二中心位置p2的坐标(x
拾取
，y
拾取
)]减去[第一中心位置p1的坐标(x
放置
，y
放置
)]的向量，并表示为
[0062]
图11、图12和图13图示出根据本发明构思的一个实施方式的用于计算升降销之间的高度差的方法。作为参考，图12和图13所示的晶片w的移动向量和最终移动向量是用于更好地理解本发明构思的示例并且被表示为在大小和方向方面与图8至图10中所示的晶片w的移动向量不同。
[0063]
将参考图1给出以下描述。例如，当一个升降销处于比另外两个升降销较高的位置时，晶片w沿与处于较高位置的一个升降销所在的方向相反的方向滑动。
[0064]
在根据一个实施方式的支撑单元220中，升降销320以120度的相等角度沿周向彼此间隔开，如图11所示。可以在x
‑
y坐标系中显示升降销320。使晶片w滑动的力作用在与处于较高位置的升降销所在的方向相反的方向上，对应于相应升降销320的晶片移动力被表示为向量，如图11所示。.更具体地，由第一升降销320a产生的晶片滑动力可以表示为(0，
‑
a)。由第二升降销320b产生的晶片滑动力可以表示为(b*cos30
°
，b*sin30
°
)，也可以表示为由第三升降销320c产生的晶片滑动力可以表示为(
‑
c*cos30
°
，c*sin30
°
)，也可以表示为相应向量具有取决于升降销320的高度的大小a、b和c，并且面向与升降销320所布置的方向相反的270
°
方向、30
°
方向和150
°
方向。升降销320的位置和晶片滑动力的方向列于下表1中。[表1]升降销升降销放置方向晶片滑动力方向第一升降销320a90
°
270
°
第二升降销320b210
°
30
°
第三升降销320c330
°
150
°
[0065]
如果当升降销320上下移动时晶片w滑动，则第一中心位置p1的坐标和第二中心位置p2的坐标彼此不同，如上面参考图8至图10所描述的。晶片w的移动可以表示为如10所示的向量。可以简写为并且可以由下面的等式1推导出。
[0066]
[等式1]
[0067][0068]
另外，参考图12，晶片w的移动向量的角度可以由下面的等式2推导出。
[0069]
[等式2]
[0070][0071]
在一个实施方式中，将测量第一中心位置p1和第二中心位置p2的过程进行m次。在m个测量过程中，当有效数据的数量占测量数据总数的比例小于或等于设定的比例(例如小于80％)时，可以确定测量状态异常，并且可以确定测量误差。在一个实施方式中，有效数据可以提取为其中晶片w的移动向量的角度(其由上述等式2推导出)的最大值和最小值之间的差值小于或等于设定的角度(例如，应用2％的误差时为7.2)的数据。
[0072]
推导出的有效数据的平均值可以推导出为晶片w的最终移动向量并且可以通过下面的等式3推导出。
[0073]
[等式3]
[0074]
(k是有效数据的数量)
[0075]
如图13所示，推导出的向量可以是代表由第一升降销320a产生的晶片滑动力
(0，
‑
a)的代表由第二升降销320b产生的晶片滑动力(b*cos30
°
，b*sin30
°
)的代表由第三升降销320c产生的晶片滑动力(
‑
c*cos30
°
，c*sin30
°
)的之和。向量可以由下面的等式4表示。
[0076]
[等式4]
[0077][0078]
当升降销320之间的高度差基于位于最低位置的升降销来设定时，位于最低位置的升降销不影响晶片w的滑动。即，由处于最低位置的升降销引起的向量的大小等于0。
[0079]
由于处于最低位置的升降销引起的向量大小等于0，所以可以是一个向量或两个相邻向量的和(取决于晶片w的移动角度)，并可以如表2所表示来计算。[表2][表2]
[0080]
从上面的表2推断的取决于晶片w的移动的升降销之间的高度差的测量，可以总结在下面的表3中。[表3]
[0081]
再次参考图7，图7的状态对应于上表3中的实例3，并且δh1:δh2可以表示为下面的等式。
[0082]
[等式5]
[0083][0084]
上面的等式5可以表示为等式6和等式7并且可以获得升降销320之间的高度差。在下面的等式6和等式7中，δh1意指两个升降销之间的小的高度差，并且δh2意指两个升降销之间的大的高度差。
[0085]
[等式6]
[0086][0087]
[等式7]
[0088][0089]
图14a和图14b示出了示出根据本发明构思的一个实施方式的用于测量升降销之间的高度差的装置的操作算法的流程图。下面将参考图14描述根据本发明构思的一个实施方式的高度差测量算法。参考图14，根据实施方式的晶片w可以是伪晶片。当操作者想要执行高度差测量功能时，可以通过操作者的操作命令来操作根据本发明构思的高度差测量算法。例如，当操作者输入高度差测量功能的测量命令时，开始升降销320之间的高度差的测量(s101)。操作者从多个处理腔室26之中选择要测量的处理腔室26(s102)。由传送机械手21a移动伪晶片(s103)。由传送机械手21a将伪晶片装载到选定的处理腔室26中(s104)。在由传送机械手21a将伪晶片装载到处理腔室26中的过程中，位置测量传感器205获得关于作为伪晶片中心位置的第一中心位置的数据(s105)。在将伪晶片装载到处理腔室26中之后，将向上和向下移动升降销320的操作执行n次(s106)。可由控制器(未示出)控制升降销320的操作。通过将升降销320的竖直移动执行n次，可以确定伪晶片的移动是由升降销320之间的高度差还是其他因素引起的。此外，通过将升降销320的竖直移动执行n次，可以将伪晶片的中心位置的移动收敛成有效数据。在一个实施方式中，n可以选择为适当的值，通过该值，伪晶片的中心位置的移动收敛成有效数据。
[0090]
在将升降销320的竖直移动执行n次之后，传送机械手21a从处理腔室26卸载伪晶片(s107)。在由传送机械手21a从处理腔室26卸载伪晶片的过程中，位置测量传感器205获得关于作为伪晶片的中心位置的第二中心位置的数据(s108)。
[0091]
通过依次执行步骤s103至s108 m次将第一中心位置数据和第二中心位置数据收
集m次(s109)。此后，从装置移除伪晶片(s110)。
[0092]
处理器600从m次收集的第一中心位置数据和第二中心位置数据中提取有效数据(s111)。在一个实施方式中，有效数据可以提取为其中晶片w的移动向量的角度(其由上述等式2推导出)的最大值和最小值之间的差值小于或等于设定的角度(例如，应用2％的误差时为7.2)的数据。当推导出的有效数据的数量与测量数据的总数的比率高于或等于设定比率(例如，超过80％)时，处理器600可以确定正常测量状态并且可以进行下一个步骤(s112)。相反，当有效数据的数量与测量数据的总数的比率低于或等于设定比率(例如，小于80％)时，处理器600可以确定异常测量状态和测量误差并可以立即将决定通知操作者。
[0093]
处理器600通过使用有效数据通过等式3推导出晶片w的最终移动向量(s113)。处理器600通过使用晶片w的最终移动向量通过使用等式4至7以及表2和3的步骤，来计算升降销320之间的高度差(s114)。
[0094]
控制晶片处理设备1的控制器(未示出)可以通过使用警报将升降销320的状态和作为升降销320之间推导出的高度差的差值比率通知给操作者，或者可以在操作者可见的显示器上显示升降销320的状态和作为ui的差值比(s115)。当升降销320之间的高度差足够大到需要维护时，控制器可以将维护的必要性作为警报通知给操作者。警报可以作为警告显示在显示器的屏幕上，或者可以作为声音提供。
[0095]
当完成步骤s102至s115时，升降销320之间的高度差的测量终止(s116)。
[0096]
在上述实施方式中，已经描述了处理腔室26具有用于执行蚀刻工序的结构。然而，处理腔室26可以应用于具有用于使用升降销将晶片装载到支撑单元220上的结构的各种类型的工序。例如，处理腔室26可以被配置为执行诸如沉积工序、蚀刻工序、测量工序、烘焙工序、清洁工序、干燥工序、曝光工序、涂覆工序涂覆工序或显影工序的工序。
[0097]
在上述实施方式中，已经描述了提供三个升降销。然而，即使提供了四个、五个或更多个升降销，也可以通过本发明构思的构思通过改变上述等式来测量升降销之间的高度差。
[0098]
在本发明构思的实施方式中，可以提供其中存储有用于顺序地执行根据一个实施方式的基板处理方法的程序的非暂时性计算机可读介质。
[0099]
非暂时性计算机可读介质是指半永久性地存储数据并且可由计算机读取的介质，而不是短时间存储数据的介质(例如，电阻器、缓存或存储器)。具体地，上述各种应用或程序可以存储在非暂时性计算机可读介质，例如cd、dvd、硬盘、蓝光光盘、usb、存储卡和rom中。
[0100]
根据本发明构思的各种实施方式，在组装处理腔室(pm)之后，可以在不拆卸处理腔室的情况下识别升降销之间的高度差的出现或未出现。
[0101]
根据本发明构思的各种实施方式，可以通过使用晶片的中心位置坐标信息(例如，通过自动晶片定中心(awc)功能收集的数据)以简单的方式识别升降销之间高度差的出现或不出现。
[0102]
根据本发明构思的各种实施方式，可以识别在升降销之间的组装和高度设定方面
存在问题的升降销。
[0103]
根据本发明构思的各种实施方式，可以以简单的方式评价升降销的组装。
[0104]
根据本发明构思的各种实施方式，可以在组装处理腔室之后识别可能发生在升降销组装和处理腔室组装之间的人为和环境误差的出现或不出现。
[0105]
根据本发明构思的各种实施方式，即使在装置运行期间也可以识别升降销之间的高度差的出现或未出现，并且可以通过确定升降机故障来降低室释放频率。
[0106]
本发明构思的效果不限于上述效果，并且本发明构思所属领域的技术人员可以从本说明书和附图清楚地理解本文中未提及的任何其他效果。
[0107]
以上描述例示了本发明构思。此外，上述内容描述了本发明构思的示例性实施方式，并且本发明构思可以在各种其他组合、变化和环境中使用。即，在不脱离本说明书中公开的本发明构思的范围、书面公开的等效范围和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对本发明构思进行变化或修改。书面实施方式描述了用于实现本发明构思的技术精神的最佳状态，并且可以进行本发明构思的特定应用和目的中所需的各种改变。因此，本发明构思的详细描述并非旨在以所公开的实施方式状态限制本发明构思。此外，应理解为所附权利要求包括其他实施方式。
[0108]
虽然已经参考实施方式描述了本发明构思，但是对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下可以进行各种改变和修改。因此，应当理解，上述实施方式不是限制性的，而是示例性的。