一种MEMS高精度谐振式压力传感器的制作方法

一种mems高精度谐振式压力传感器
技术领域
1.本实用新型属于压力传感器技术领域，具体涉及一种mems高精度谐振式压力传感器。


背景技术：

2.谐振式压力传感器是一种典型的利用外界压力作用时结构频率的改变来实现压力测量的mems器件，该类传感器一般使用单晶硅制作感受外界压力的压力膜以及间接敏感元件谐振梁，实现二次敏感模式，它可以直接输出频率信号，其传输与测量都可直接应用数字技术，具有广阔的应用前景。
3.但由于谐振式压力传感器在理论设计方面比其他器件的难度较大，同时制作工艺也要求比较高，然而它从技术方向上来是先进的，但是针对不同应用范围，对于要求在谐振式压力传感器高量程高精度的情况下，还能耐高低温，在测试方面遇到瓶颈，通常在低温高气压下，都存在漏气的现象，使其测试结果不准确，无法做到高精度。


技术实现要素：

4.本实用新型的主要目的在于提供一种mems高精度谐振式压力传感器，其将绝压基座安装于接头装置，并且通过密封圈进行密封，使得在恶劣条件下保证不漏气，还通过转接装置与接头装置的螺纹连接，从而能实现反复拆卸和安装，能进行长期使用。
5.本实用新型的另一目的在于提供一种mems高精度谐振式压力传感器，其具有结构稳定、耐低温高压和精确度高等优点。
6.为达到以上目的，本实用新型提供一种mems高精度谐振式压力传感器，包括绝压基座、接头装置、转接装置和第一密封圈，所述绝压基座内置于所述接头装置，所述第一密封圈安装于所述绝压基座并且所述转接装置与所述接头装置螺纹连接(便于拆卸)，其中：
7.所述接头装置包括第一组件和第二组件并且所述第一组件和所述第二组件一体成型，所述第一组件和所述第二组件通过第一连接孔连通并且所述第一组件设有第一凹槽部，所述绝压基座内置于所述第一凹槽部；
8.所述绝压基座包括第二凹槽部，所述第一密封圈安装于所述第二凹槽部(所述绝缘基座还包括压力检测元器件，用于检测压力，压力检测元器件包括压力膜和间接敏感元件谐振梁)。
9.作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，所述第二组件远离所述第一组件的一端设有第三凹槽部，所述第三凹槽部设有平垫(具有缓冲作用，使得结构稳定又不会损伤结构)并且所述第二组件设有外螺纹结构(便于安装)，所述转接装置设有第一通孔并且所述第一通孔与所述第一凹槽部连通(方便放置绝压基座的压力检测元器件)。
10.作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，所述转接装置内置于所述第一凹槽部并且所述转接装置位于所述绝压基座远离所述第二组件的一端(使得绝压基座稳固于接头装置，不易松动)。
11.作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，所述转接装置包括第三组件和第四组件并且所述第三组件和所述第四组件一体成型，所述第三组件位于所述绝压基座远离所述第二组件的一端，所述第三组件设有外螺纹结构并且所述第三组件内置于所述第一凹槽部(与第一凹槽部螺纹连接)，所述第四组件外置于所述第一凹槽部(通过旋转第四组件便于安装和拆卸)；
12.mems高精度谐振式压力传感器还包括第二密封圈，所述第二密封圈内置于所述第一凹槽部，并且所述第二密封圈位于所述绝压基座远离所述转接装置的一端。
13.作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，所述转接装置外置于所述第一组件，所述第一组件设有外螺纹结构并且所述转接装置与所述第一组件螺纹连接。
14.作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，mems高精度谐振式压力传感器还包括第二密封圈，所述第二密封圈内置于所述第一凹槽部，并且所述第二密封圈位于所述绝压基座远离所述转接装置的一端(第二密封圈通过压紧，实现密封，而且通过绝压基座上的第一密封圈，实现二次密封，保证在恶劣条件下，能保证不漏气)。
附图说明
15.图1是本实用新型的一种mems高精度谐振式压力传感器的第一实施例的结构示意图。
16.图2是本实用新型的一种mems高精度谐振式压力传感器的第一实施例的结构示意图。
17.图3是本实用新型的一种mems高精度谐振式压力传感器的第二实施例的结构示意图。
18.图4是本实用新型的一种mems高精度谐振式压力传感器的第二实施例的结构示意图。
19.图5是本实用新型的一种mems高精度谐振式压力传感器的第三实施例的结构示意图。
20.图6是本实用新型的一种mems高精度谐振式压力传感器的第三实施例的结构示意图。
21.附图标记包括：100、绝压基座；200、接头装置；210、第一组件；211、第一凹槽部；220、第二组件；221、第三凹槽部；222、平垫；230、第一连接孔；300、转接装置；310、第一通孔；320、第三组件；330、第四组件；400、第一密封圈；500、第二密封圈。
具体实施方式
22.以下描述用于揭露本实用新型以使本领域技术人员能够实现本实用新型。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本实用新型的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本实用新型的精神和范围的其他技术方案。
23.本实用新型公开了一种mems高精度谐振式压力传感器，下面结合优选实施例，对实用新型的具体实施例作进一步描述。
24.在本实用新型的实施例中，本领域技术人员注意，本实用新型涉及的第一通孔、第
一连接孔和压力检测元器件等可被视为现有技术。
25.第一实施例。
26.本实用新型公开了一种mems高精度谐振式压力传感器，包括绝压基座100、接头装置200、转接装置300和第一密封圈400，所述绝压基座100内置于所述接头装置200，所述第一密封圈400安装于所述绝压基座100并且所述转接装置200与所述接头装置200螺纹连接(便于拆卸)，其中：
27.所述接头装置200包括第一组件210和第二组件220并且所述第一组件210和所述第二组件220一体成型，所述第一组件210和所述第二组件220通过第一连接孔230连通并且所述第一组件210设有第一凹槽部211，所述绝压基座100内置于所述第一凹槽部211；
28.所述绝压基座100包括第二凹槽部，所述第一密封圈400安装于所述第二凹槽部(所述绝缘基座还包括压力检测元器件，用于检测压力，压力检测元器件包括压力膜和间接敏感元件谐振梁)。
29.具体的是，所述第二组件220远离所述第一组件210的一端设有第三凹槽部221，所述第三凹槽部221设有平垫222(具有缓冲作用，使得结构稳定又不会损伤结构)并且所述第二组件220设有外螺纹结构(便于安装)，所述转接装置300设有第一通孔310并且所述第一通孔310与所述第一凹槽部211连通(方便放置绝压基座的压力检测元器件)。
30.更具体的是，所述转接装置300内置于所述第一凹槽部211并且所述转接装置300位于所述绝压基座100远离所述第二组件220的一端(使得绝压基座稳固于接头装置，不易松动)。
31.第二实施例。
32.本实用新型公开了一种mems高精度谐振式压力传感器，包括绝压基座100、接头装置200、转接装置300和第一密封圈400，所述绝压基座100内置于所述接头装置200，所述第一密封圈400安装于所述绝压基座100并且所述转接装置200与所述接头装置200螺纹连接(便于拆卸)，其中：
33.所述接头装置200包括第一组件210和第二组件220并且所述第一组件210和所述第二组件220一体成型，所述第一组件210和所述第二组件220通过第一连接孔230连通并且所述第一组件210设有第一凹槽部211，所述绝压基座100内置于所述第一凹槽部211；
34.所述绝压基座100包括第二凹槽部，所述第一密封圈400安装于所述第二凹槽部(所述绝缘基座还包括压力检测元器件，用于检测压力，压力检测元器件包括压力膜和间接敏感元件谐振梁)。
35.具体的是，所述第二组件220远离所述第一组件210的一端设有第三凹槽部221，所述第三凹槽部221设有平垫222(具有缓冲作用，使得结构稳定又不会损伤结构)并且所述第二组件220设有外螺纹结构(便于安装)，所述转接装置300设有第一通孔310并且所述第一通孔310与所述第一凹槽部211连通(方便放置绝压基座的压力检测元器件)。
36.更具体的是，所述转接装置300包括第三组件320和第四组件330并且所述第三组件320和所述第四组件330一体成型，所述第三组件320位于所述绝压基座100远离所述第二组件220的一端(使得绝压基座稳固于接头装置，不易松动)，所述第三组件320设有外螺纹结构并且所述第三组件320内置于所述第一凹槽部211(与第一凹槽部螺纹连接)，所述第四组件330外置于所述第一凹槽部211(通过旋转第四组件便于安装和拆卸)；
37.进一步的是，mems高精度谐振式压力传感器还包括第二密封圈500，所述第二密封圈500内置于所述第一凹槽部211，并且所述第二密封圈500位于所述绝压基座100远离所述转接装置300的一端(第二密封圈500通过压紧，实现密封，而且通过绝压基座上的第一密封圈，实现二次密封，保证在恶劣条件下，能保证不漏气)。
38.第三实施例(优选实施例)。
39.本实用新型公开了一种mems高精度谐振式压力传感器，包括绝压基座100、接头装置200、转接装置300和第一密封圈400，所述绝压基座100内置于所述接头装置200，所述第一密封圈400安装于所述绝压基座100并且所述转接装置200与所述接头装置200螺纹连接(便于拆卸)，其中：
40.所述接头装置200包括第一组件210和第二组件220并且所述第一组件210和所述第二组件220一体成型，所述第一组件210和所述第二组件220通过第一连接孔230连通并且所述第一组件210设有第一凹槽部211，所述绝压基座100内置于所述第一凹槽部211；
41.所述绝压基座100包括第二凹槽部，所述第一密封圈400安装于所述第二凹槽部(所述绝缘基座还包括压力检测元器件，用于检测压力，压力检测元器件包括压力膜和间接敏感元件谐振梁)。
42.具体的是，所述第二组件220远离所述第一组件210的一端设有第三凹槽部221，所述第三凹槽部221设有平垫222(具有缓冲作用，使得结构稳定又不会损伤结构)并且所述第二组件220设有外螺纹结构(便于安装)，所述转接装置300设有第一通孔310并且所述第一通孔310与所述第一凹槽部211连通(方便放置绝压基座的压力检测元器件)。
43.更具体的是，所述转接装置300外置于所述第一组件210，所述第一组件210设有外螺纹结构并且所述转接装置300与所述第一组件210螺纹连接。
44.进一步的是，mems高精度谐振式压力传感器还包括第二密封圈500，所述第二密封圈500内置于所述第一凹槽部211，并且所述第二密封圈500位于所述绝压基座100远离所述转接装置300的一端(第二密封圈500通过压紧，实现密封，而且通过绝压基座上的第一密封圈，实现二次密封，保证在恶劣条件下，能保证不漏气)。
45.值得一提的是，本实用新型专利申请涉及的第一通孔、第一连接孔和压力检测元器件等技术特征应被视为现有技术，这些技术特征的具体结构、工作原理以及可能涉及到的控制方式、空间布置方式采用本领域的常规选择即可，不应被视为本实用新型专利的发明点所在，本实用新型专利不做进一步具体展开详述。
46.对于本领域的技术人员而言，依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围。