二维钙钛矿薄膜及含其的光电探测器的反溶剂制备方法与流程

技术特征：
1.一种二维钙钛矿薄膜的反溶剂制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将基底置于等离子清洗设备中进行改性处理，制得改性的基底；(2)取步骤(1)制得的改性的基底加热，然后在改性的基底上滴加钙钛矿前驱体溶液，再滴加反溶剂，反应，退火，制得所述二维钙钛矿薄膜；所述反溶剂包括甲苯、丙酮、氯苯或氯仿中的至少一种。2.根据权利要求1所述的反溶剂制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述等离子清洗设备的工作条件为：工作电流不大于1.2a，射频电源功率为大于0小于或等于300w，真空度为10
‑
1000pa，气体流量为10
‑
160ml/min。3.根据权利要求1所述的反溶剂制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述等离子清洗设备工作时的射频频率为30
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40khz，频率偏移量小于0.2khz。4.根据权利要求1所述的反溶剂制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述基底的尺寸为(2.5
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3.5)cm
×
(2.5
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3.5)cm；步骤(1)中，进行改性处理的时间为1
‑
100分钟。5.根据权利要求1所述的反溶剂制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述基底为玻璃基底。6.根据权利要求1所述的反溶剂制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述钙钛矿前驱体溶液包含有机胺卤素化合物和金属卤素化合物。7.根据权利要求6所述的反溶剂制备方法，其特征在于，所述有机胺卤素化合物包括苯乙胺碘盐、ch3nh3i、ch3(ch2)3nh3i、hc(nh2)2i中的至少一种；所述金属卤素化合物包括pbi2、sni2中的至少一种。8.根据权利要求6所述的反溶剂制备方法，其特征在于，所述钙钛矿前驱体溶液中有机胺卤素化合物和金属卤素化合物的摩尔比为(1.8
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2.2):1。9.一种光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在权利要求1
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8中任一项所述的反溶剂制备方法制得的二维钙钛矿薄膜上制备电极，制得所述光电探测器。10.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器由权利要求9所述的制备方法制得，所述光电探测器的响应时间低于85ms。

技术总结
本发明属于光电探测器技术领域，公开了二维钙钛矿薄膜及含其的光电探测器的反溶剂制备方法。该二维钙钛矿薄膜的反溶剂制备方法，包括以下步骤：(1)将基底置于等离子清洗设备中进行改性处理，制得改性的基底；(2)取步骤(1)制得的改性的基底加热，然后在改性的基底上滴加钙钛矿前驱体溶液，再滴加反溶剂，反应，退火，制得所述二维钙钛矿薄膜；所述反溶剂包括甲苯、丙酮、氯苯或氯仿中的至少一种。在二维钙钛矿薄膜上制备电极，制得光电探测器。该光电探测器的响应时间低于85ms，经过近90次循环光电流衰减不到7.7％，最佳响应度为200


技术研发人员：王学文 岳云帆
受保护的技术使用者：佛山仙湖实验室
技术研发日：2021.08.25
技术公布日：2021/12/14