一种采用鼓泡工艺制备牙科用二硅酸锂微晶玻璃的方法与流程

技术特征：
1.一种采用鼓泡工艺制备牙科用二硅酸锂微晶玻璃的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将原料按配比混合，过筛并经混料机混合均匀；在1350～1600℃熔制，保温时间1
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5小时；(2)实施鼓泡工艺技术处理，然后继续在1350～1600℃熔制，保温时间1
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5小时；得到熔制的玻璃液；(3)将熔制的玻璃液浇铸入预热好的石墨模具内，并进行退火工艺处理，得到成型玻璃块；(4)将成型玻璃块经一步法成核热处理得到含li2sio3为主晶相的微晶玻璃成核品；(5)最后再进行二次热处理得到以li2si2o5为主晶相的微晶玻璃成品；其中，步骤(1)所述原料的重量百分比分别为：sio
2 63％～77％、li2o 10％～20％、k2o 2～8％、al2o
3 0％～7％、p2o
5 1％～10％、zro
2 1％～5％，余量为着色氧化物，以上原料质量分数之和为100％。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述混料工艺选用二维运动混合机，混料时间为0.5～2小时；步骤(2)所述鼓泡工艺技术通入气体流量为0.1～0.5m3/h，快速搅拌为5～7级搅拌强度，搅拌时间30～90s。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述石墨模具预热温度在300～450℃；退火温度设置为300～450℃，保温2
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4小时后随炉冷却。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(4)所述一步法成核热处理为在500～700℃保温1～4小时；步骤(5)所述二次热处理为在750～870℃煅烧2
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10分钟。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述着色氧化物包括：ceo2和tio2。6.权利要求1所述制备方法中采用的牙科用二硅酸锂微晶玻璃生产装置，包括底座(1)，其特征在于，该装置包括原料混合模块(3)和鼓泡通气模块(6)，所述鼓泡通气模块(6)由煅烧箱(61)、翻转搅拌系统(64)、旋转搅拌系统(65)、鼓泡通气系统(69)组成，所述煅烧箱(61)内壁上安装有设有隔热层(66)，所述煅烧箱(61)内部安装有旋转搅拌系统(65)和电热管(682)，所述煅烧箱(61)上部四侧连通有出气口(63)，所述鼓泡通气系统(69)与旋转搅拌系统(65)之间通过通气软管(692)连通。7.根据权利要求6所述的生产装置，其特征在于，所述底座(1)上部安装有一端升降台(2)，所述升降台(2)上部通过电动滑轨(31)滑动连接有原料混合模块(3)，所述原料混合模块(3)上部转动连接有混合桶(4)，所述混合桶(4)上部设有进出料口(42)，所述进出料口(42)上部安装有封闭门(41)。8.根据权利要求6所述的生产装置，其特征在于，所述底座(1)上部另一端设有控制台(5)，所述底座(1)上部通过支架(70)固定连接有翻转搅拌系统(64)，所述翻转搅拌系统(64)通过yzr180l
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4型电机驱动，所述翻转搅拌系统(64)连接有翻转转轴(641)，所述翻转搅拌系统(64)翻转范围
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45
°
～45
°
，所述翻转转轴(641)对面另一端设有翻转传动转轴(643)，所述翻转传动转轴(643)安装在翻转支柱(642)一侧，所述控制台(5)内部设置有msp430f 149单片机控制器。9.根据权利要求6所述的生产装置，其特征在于，所述旋转搅拌系统(65)通过yzr180l
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4型变频多速电机驱动，所述旋转搅拌系统(65)上部通过旋转转轴(651)固定连接有第一旋转搅拌棒(652)，所述第一旋转搅拌棒(652)上部安装有第二旋转搅拌棒(653)，所述第二旋转搅拌棒(653)上部连接有喷气口(654)，所述喷气口(654)与鼓泡通气系统(69)之间通过侧面设置的通气软管(692)连通，所述旋转转轴(651)上部设置有温度感应器(67)，所述温度感应器(67)为耐热型热电偶式温度传感器。10.根据权利要求6所述的生产装置，其特征在于，所述鼓泡通气系统(69)上部设有进气口(691)，所述通进气口(691)侧面设置有气泵(693)，所述煅烧箱(61)内部底侧设有电热管(682)，所述电热管(682)通过数据控制线(681)与温控装置(68)连接，所述温控装置(68)型号为sundi
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320/420w/430w，所述煅烧箱(61)上部设置有混料进口(62)，所述混料进口(62)上部安装有进口盖子(621)，所述电热管(682)通过温控装置(68)控制，所述温控装置(68)与控制台(5)电性连接，所述煅烧箱(61)一侧设有出料口(71)。

技术总结
本发明提供了一种采用鼓泡工艺制备牙科用二硅酸锂微晶玻璃的方法，包括以下步骤：(1)将原料按配比混合，过筛并经混料机混合均匀；在1350～1600℃熔制，保温时间1


技术研发人员：罗绍华 王选 王字寒
受保护的技术使用者：东北大学秦皇岛分校
技术研发日：2021.09.28
技术公布日：2021/12/13