一种框架类产品锡离子渗入管脚的改善结构及方法与流程

1.本发明涉及半导体封装技术领域，具体为一种框架类产品锡离子渗入管脚的改善结构及方法。


背景技术：

2.随着5g时代的来临，集成电路的特征尺度不断减小，超大规模集成电路互连线金属薄膜的横截面积越来越小。现代电子产品中的互联焊点所承受的力学，电学和热学载荷越来越重，同时，在冷热温度场、高密度电场，水汽和污染物的协同作用下，封装或覆膜材料也容易出现老化导致开裂、剥离或与界面发生分层，因此电子系统的互连交接处极易形成吸附液膜，加之互连焊接处恰好是多种金属材料的直接耦合以及可能的残留污染物聚集处，使得互连焊点处最容易发生腐蚀和电化学迁移。锡及其合金是最重要得到电子互连材料，目前广泛使用的无铅焊锡合金中，锡的含量占95％以上，因此，锡的大气腐蚀和电化学迁移是电子系统失效的核心问题。
3.为满足各个领域产品的应用以及多方面的实验测试，因此产品需要发明一种新技术，改善现有产品在切割成单颗后遇到锡离子从管脚渗入产品内部腐蚀熔断焊线而影响产品性能的结构。


技术实现要素：

4.针对现有技术中存在现有产品在切割成单颗后遇到锡离子从管脚渗入产品内部腐蚀熔断焊线影响产品性能的问题，本发明提供一种框架类产品锡离子渗入管脚的改善结构及方法，该结构采用在框架引脚根部的正面设计半蚀刻区域方案技术，解决了现有技术中产品在切割成单颗后遇到锡离子从管脚渗入产品内部熔断焊线影响产品性能的技术问题。
5.本发明是通过以下技术方案来实现：
6.一种框架类产品锡离子渗入管脚的改善结构，包括框架、产品塑封体和若干管脚，若干管脚设置在框架上，产品塑封体塑封在框架上且覆盖在若干管脚上，其中每个管脚上对应设有正面半蚀刻区域，正面半蚀刻区域在管脚根部处靠近焊线设置，用于实现阻止锡离子渗进管脚，而腐蚀熔断焊线。
7.优选的，正面半蚀刻区域的结构呈凹槽结构布置在管脚上。
8.优选的，正面半蚀刻区域的宽度小于管脚的宽度。
9.优选的，正面半蚀刻区域的形状采用倒三角形、圆形、矩形或椭圆形。
10.优选的，正面半蚀刻区域在管脚根部的中间位置处设置。
11.优选的，框架与管脚之间通过时刻处理形成背面半蚀刻区域。
12.一种框架类产品锡离子渗入管脚的改善方法，基于上述所述的一种框架类产品锡离子渗入管脚的改善结构，包括如下步骤：
13.对框架进行蚀刻处理，在框架与管脚之间的背面半蚀刻区域中进行背面半蚀刻，
管脚的根部处靠近焊线处设置有正面半蚀刻区域，产品塑封体对管脚进行了塑封后，在对带有正面半蚀刻区域的产品进行腐蚀试验，完成腐蚀试验后，对框架进行正常封装、镀锡以及切割成单颗产品。
14.优选的，正面半蚀刻区域在管脚根部处用于在腐蚀试验过程中，阻止锡离子渗进管脚，进而腐蚀熔断焊线，影响产品性能。
15.与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：
16.本发明提供了一种框架类产品锡离子渗入管脚的改善结构，在管脚处设置了正面半蚀刻区域，当锡离子沿着管脚流动时，正面半蚀刻区域有效的分断了锡离子在管脚处的流动，从而阻止锡离子渗进管脚，避免锡离子腐蚀熔断焊线，有效的保证了产品的性能。
17.进一步的，正面半蚀刻区域的结构呈凹槽结构布置在管脚上，有效的对锡离子在管脚的流动方向进行分断，阻止了锡离子渗进管脚。
18.进一步的，正面半蚀刻区域的宽度小于管脚的宽度，正面半蚀刻区域不会在管脚的宽度拉通，从而阻止了锡离子渗进管脚的同时保证了产品的性能。
19.进一步的，正面半蚀刻区域的形状采用倒三角形、圆形、矩形或椭圆形，提高了正面半蚀刻区域的可适性，同时便于对正面半蚀刻区域进行加工制作。
20.进一步的，正面半蚀刻区域在管脚根部的中间位置处设置，正面半蚀刻区域在管脚根部的中间，有效的阻止了锡离子在管脚处朝向焊线方向的流动。
21.一种框架类产品锡离子渗入管脚的改善方法，通过在管脚处设置了正面半蚀刻区域，产品在塑封镀锡切割后，在进行不同腐蚀条件的实验后，有效的改善锡离子渗进管脚后而腐蚀熔断焊线以及影响产品性能的情况。
附图说明
22.图1为本发明中框架类产品结构图。
23.图中：1
‑
管脚；2
‑
产品塑封体；3
‑
背面半蚀刻区域；4
‑
正面半蚀刻区域；5
‑
框架。
具体实施方式
24.为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
25.需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
26.下面结合附图对本发明做进一步详细描述：
27.参见图1，本发明提供了一种框架类产品锡离子渗入管脚的改善结构，该结构采用在框架引脚根部的正面设计半蚀刻区域方案技术，解决了现有技术中产品在切割成单颗后遇到锡离子从管脚渗入产品内部熔断焊线影响产品性能的技术问题。
28.具体的，该框架类产品锡离子渗入管脚的改善结构，包括框架5、产品塑封体2和若干管脚1，若干管脚1设置在框架5上，产品塑封体2塑封在框架5上且覆盖在若干管脚1上，其中每个管脚1上对应设有正面半蚀刻区域4，正面半蚀刻区域4在管脚1根部处靠近焊线设置，用于实现阻止锡离子渗进管脚1，而腐蚀熔断焊线。
29.具体的，正面半蚀刻区域4的结构呈凹槽结构布置在管脚1上，有效的对锡离子在管脚1的流动方向进行分断，阻止了锡离子渗进管脚1。
30.具体的，正面半蚀刻区域4的宽度小于管脚1的宽度，正面半蚀刻区域4不会在管脚1的宽度拉通，从而阻止了锡离子渗进管脚1的同时保证了产品的性能。
31.具体的，正面半蚀刻区域4的形状采用倒三角形、圆形、矩形或椭圆形，提高了正面半蚀刻区域4的可适性，同时便于对正面半蚀刻区域进行加工制作。
32.具体的，正面半蚀刻区域4在管脚1根部的中间位置处设置，正面半蚀刻区域4在管脚1根部的中间，有效的阻止了锡离子在管脚1处朝向焊线方向的流动。
33.具体的，框架5与管脚1之间通过时刻处理形成背面半蚀刻区域3。
34.综上所述，本发明提供了一种框架类产品锡离子渗入管脚的改善结构，在管脚处设置了正面半蚀刻区域4，当锡离子沿着管脚1流动时，正面半蚀刻区域4有效的分断了锡离子在管脚1处的流动，从而阻止锡离子渗进管脚1，避免锡离子腐蚀熔断焊线，有效的保证了产品的性能。
35.本发明也提供了一种框架类产品锡离子渗入管脚的改善方法，通过上述一种框架类产品锡离子渗入管脚的改善结构，包括如下步骤：
36.对框架5进行蚀刻处理，在框架5与管脚1之间的背面半蚀刻区域3中进行背面半蚀刻，管脚1的根部处靠近焊线处设置有正面半蚀刻区域4，产品塑封体对管脚1进行了塑封后，在对带有正面半蚀刻区域4的产品进行腐蚀试验，完成腐蚀试验后，对框架5进行正常封装、镀锡以及切割成单颗产品。
37.其中，正面半蚀刻区域4在管脚1根部处用于在腐蚀试验过程中，阻止锡离子渗进管脚，进而腐蚀熔断焊线，影响产品性能。
38.实施例1
39.对框架5进行蚀刻处理，在框架5与管脚1之间的背面半蚀刻区域3中进行背面半蚀刻，管脚1的根部处靠近焊线处设置有正面半蚀刻区域4，产品塑封体对管脚1进行了塑封后，在对带有正面半蚀刻区域4的产品进行腐蚀试验，完成腐蚀试验后，对框架5进行正常封装、镀锡以及切割成单颗产品，其中，正面半蚀刻区域4为倒三角形的凹槽，用于实现阻止锡离子渗进管脚1，而腐蚀熔断焊线。
40.实施例2
41.对框架5进行蚀刻处理，在框架5与管脚1之间的背面半蚀刻区域3中进行背面半蚀刻，管脚1的根部处靠近焊线处设置有正面半蚀刻区域4，产品塑封体对管脚1进行了塑封后，在对带有正面半蚀刻区域4的产品进行腐蚀试验，完成腐蚀试验后，对框架5进行正常封装、镀锡以及切割成单颗产品，其中，正面半蚀刻区域4为圆形的凹槽，用于实现阻止锡离子
渗进管脚1，而腐蚀熔断焊线。
42.实施例3
43.对框架5进行蚀刻处理，在框架5与管脚1之间的背面半蚀刻区域3中进行背面半蚀刻，管脚1的根部处靠近焊线处设置有正面半蚀刻区域4，产品塑封体对管脚1进行了塑封后，在对带有正面半蚀刻区域4的产品进行腐蚀试验，完成腐蚀试验后，对框架5进行正常封装、镀锡以及切割成单颗产品，其中，正面半蚀刻区域4为矩形的凹槽，用于实现阻止锡离子渗进管脚1，而腐蚀熔断焊线。
44.实施例4
45.对框架5进行蚀刻处理，在框架5与管脚1之间的背面半蚀刻区域3中进行背面半蚀刻，管脚1的根部处靠近焊线处设置有正面半蚀刻区域4，产品塑封体对管脚1进行了塑封后，在对带有正面半蚀刻区域4的产品进行腐蚀试验，完成腐蚀试验后，对框架5进行正常封装、镀锡以及切割成单颗产品，其中，正面半蚀刻区域4为椭圆形的凹槽，用于实现阻止锡离子渗进管脚1，而腐蚀熔断焊线。
46.综上所述，本发明提供的一种框架类产品锡离子渗入管脚的改善方法，通过在管脚处设置了正面半蚀刻区域，产品在塑封镀锡切割后，在进行不同腐蚀条件的实验后，有效的改善锡离子渗进管脚后而腐蚀熔断焊线以及影响产品性能的情况。
47.最后应当说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制，尽管参照上述实施例对本发明进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者等同替换，而未脱离本发明精神和范围的任何修改或者等同替换，其均应涵盖在本发明的权利要求保护范围之内。